JPH0797217B2 - Photomask manufacturing method - Google Patents
Photomask manufacturing methodInfo
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- JPH0797217B2 JPH0797217B2 JP26997387A JP26997387A JPH0797217B2 JP H0797217 B2 JPH0797217 B2 JP H0797217B2 JP 26997387 A JP26997387 A JP 26997387A JP 26997387 A JP26997387 A JP 26997387A JP H0797217 B2 JPH0797217 B2 JP H0797217B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ホトマスクの製造方法に関し、 製造過程においてマスク部のメインパターンに静電破壊
が起きないようにすることを目的とし、 透明基板上の金属膜の上面のレジスト膜をチップ単位で
繰り返し露光するステップ露光を行なうステップ露光工
程を含むホトマスクの製造方法において、上記ステップ
露光による露光エリアを上記金属膜の範囲内に制限し、
上記金属膜がマスク部形成領域の全周に亘って連続して
残置されるように構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] A method for manufacturing a photomask, which aims to prevent electrostatic breakdown of a main pattern of a mask portion during a manufacturing process, and a resist film on an upper surface of a metal film on a transparent substrate. In a method of manufacturing a photomask including a step exposure step of performing step exposure of repeatedly exposing the chip unit, the exposure area by the step exposure is limited to the range of the metal film,
The metal film is configured to be continuously left over the entire circumference of the mask portion formation region.
本発明はホトマスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a photomask manufacturing method.
一般に、ホトマスクは、第３図に示す工程１〜12を経て
製造される。同図中、１はガラス基板上にクロム膜を形
成する工程、２はクロム膜上にレジスト膜を形成する工
程、３はレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光するス
テツプ露光を行なうステップ露光工程、４は露光された
部分を現像する工程、５は現像液を除去する水洗工程、
６はクロム膜に対するエッチング工程、７はエッチング
液を除去する水洗工程、８はレジスト膜を剥離する剥離
工程、９は水洗工程、10は表面の有機物を分解除去する
硫酸を使用した酸処理工程、11は硫酸を除去する水洗工
程、12は乾燥工程である。Generally, the photomask is manufactured through steps 1 to 12 shown in FIG. In the figure, 1 is a step of forming a chrome film on a glass substrate, 2 is a step of forming a resist film on the chrome film, 3 is a step exposure step of performing step exposure for repeatedly exposing the resist film in chip units, 4 Is a step of developing the exposed portion, 5 is a washing step of removing the developer,
6 is an etching step for the chromium film, 7 is a water washing step for removing the etching solution, 8 is a peeling step for peeling the resist film, 9 is a water washing step, 10 is an acid treatment step using sulfuric acid for decomposing and removing organic substances on the surface, 11 is a water washing step for removing sulfuric acid, and 12 is a drying step.
第４図は、上記の工程により製造されたホトマスクを構
成する多数マスク部のうちの一つのマスク部15を示す。
16,17,18,19は夫々アイランドであり、メインパターン
を形成している。FIG. 4 shows one of the multiple mask parts 15 constituting the photomask manufactured by the above process.
16, 17, 18, and 19 are islands, respectively, which form the main pattern.
各水洗工程5,7,9,11は純水を対象物の表面に噴き付けて
行なわれる。純水は比抵抗が高い。特に水洗工程9,11で
はホトマスクのパターンが純水でこすられる状態とな
り、各アイランド16〜19に静電気がたまる傾向がある。
この静電気が放電を伴って逃げると、アイランドの一部
が欠けてメインパターン14が静電破壊を起こし、ホトマ
スクが不良品となってしまう。Each washing step 5, 7, 9, 11 is performed by spraying pure water onto the surface of the object. Pure water has a high specific resistance. In particular, in the water washing steps 9 and 11, the photomask pattern is rubbed with pure water, and static electricity tends to accumulate on each of the islands 16 to 19.
When this static electricity escapes with discharge, a part of the island is chipped and the main pattern 14 is electrostatically destroyed, resulting in a defective photomask.
従って、ホトマスクの製造方法においては、メインパタ
ーンの静電破壊が起きにくいようにする必要がある。Therefore, in the photomask manufacturing method, it is necessary to prevent electrostatic breakdown of the main pattern.
第５図は従来のホトマスクの製造方法のステップ露光工
程を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a step exposure process of a conventional photomask manufacturing method.
20は露光対象物であり、第６図に示すように、透明基板
である円形のガラス板21上に金属膜であるクロム膜22が
形成され、更にこのクロム膜22の上面にレジスト膜23が
形成された構成である。Reference numeral 20 denotes an object to be exposed, and as shown in FIG. 6, a chromium film 22 which is a metal film is formed on a circular glass plate 21 which is a transparent substrate, and a resist film 23 is further formed on the upper surface of the chromium film 22. It is a formed structure.
ステップ露光はステップ露光装置によりコンピュータに
記憶されているプログラムに基づいて行なわれ、第５図
中実線で囲む部分が露光エリア25として設定されてい
る。この露光エリア25内で露光が繰り返し行なわれる。
二点鎖線で囲む部分が夫々一のステップ露光部26であ
る。The step exposure is performed by the step exposure apparatus based on a program stored in the computer, and a portion surrounded by a solid line in FIG. 5 is set as an exposure area 25. The exposure is repeated in this exposure area 25.
The portion surrounded by the chain double-dashed line is one step exposure unit 26.
ここで露光エリア25の各コーナ部及びその近傍のステッ
プ露光部26-1〜26-16についてみると、その一部分がク
ロム膜22より外側にはみ出している。Here, regarding each corner portion of the exposure area 25 and the step exposure portions 26 -1 to 26 -16 in the vicinity thereof, a part thereof protrudes outside the chromium film 22.
このため、上記のステップ露光を経て製造されたホトマ
スク30は第７図に示す如くになる。Therefore, the photomask 30 manufactured through the above step exposure becomes as shown in FIG.
このホトマスク30の上面は、上記マスク部15が縦横に整
列して配されたマスク部形成領域31と、格子状のスクラ
イブライン45と、このマスク部形成領域31の周囲に残置
された残置クロム膜32とよりなる。The upper surface of the photomask 30 has a mask portion forming region 31 in which the mask portions 15 are arranged vertically and horizontally, a grid-like scribe line 45, and a residual chromium film left around the mask portion forming region 31. Consists of 32.
残置クロム膜32はホトマスク30の周方向上全周に亘って
連続して存在しているわけではなく、途中途中で寸断さ
れている。33〜44は夫々残置クロム膜32が無い部分であ
る。特に33,44で示す部分は比較的広い幅に亘って残置
クロム膜32が欠けている。The remaining chromium film 32 does not continuously exist over the entire circumference in the circumferential direction of the photomask 30, but is cut off in the middle of the process. 33 to 44 are the portions without the residual chromium film 32, respectively. In particular, the portions indicated by 33 and 44 lack the residual chromium film 32 over a relatively wide width.
また残置クロム膜32の面積S1も狭くなっている。The area S 1 of the remaining chromium film 32 is also narrowed.
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記の構造方法により構造されたホトマスク30では、例
えば第８図に示すようにアイランド19の一部が欠ける静
電破壊が起きていることが多かった。一のマスク部15で
静電破壊が起きていると、そのホトマスクは不良品とな
り、従来の製造方法は歩留りが悪いという問題点があっ
た。[Problems to be Solved by the Invention] In the photomask 30 constructed by the above-mentioned construction method, for example, as shown in FIG. 8, electrostatic damage in which a part of the island 19 is chipped has often occurred. If electrostatic breakdown occurs in one mask portion 15, the photomask becomes a defective product, and the conventional manufacturing method has a problem that the yield is low.
また本発明車は静電破壊が起きているマスク部15の部位
を調べたところ、特に符号33〜44で示す残置クロム膜欠
除部のと書くに多いことが分かった。Further, when the portion of the mask portion 15 where the electrostatic breakdown has occurred is examined, it is found that the vehicle of the present invention is particularly often written as a residual chromium film lacking portion indicated by reference numerals 33 to 44.
本発明は上記の検査結果に基づいて、製造過程において
マスク部のメインパターンに静電破壊が起きないように
したホトマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a photomask in which electrostatic breakdown does not occur in a main pattern of a mask portion in the manufacturing process based on the above inspection result.
本発明は、透明基板上の金属膜の上面のレジスト膜をチ
ップ単位で繰り返し露光するステップ露光を行う工程を
含むホトマスクの製造方法において、 上記ステップ露光による露光エリアを上記金属膜の範囲
内に制限するように露光し、上記金属膜がマスク部形成
領域の全周に亘って連続して残置されるように構成し、
かつ、前記金属膜はスクライブライン上にも連続して残
置され、前記スクライブライン上に残置された金属膜
と、前記マスク部形成領域の全周に亘って連続して残置
された金属膜とが接続されるように構成してなるもので
ある。The present invention is a method for manufacturing a photomask, which includes a step of repeatedly exposing a resist film on the upper surface of a metal film on a transparent substrate in a chip unit, and the exposure area by the step exposure is limited to the range of the metal film. Exposure, so that the metal film is continuously left over the entire circumference of the mask portion forming region,
And, the metal film is continuously left on the scribe line, and the metal film left on the scribe line and the metal film left continuously over the entire circumference of the mask portion formation region. It is configured to be connected.
マスク形成領域の全周に亘って残置形成される金属膜
が、製造工程中の静電気の大半を帯電し、各マスク部へ
の静電気の帯電を相対的に抑制する。The metal film left on the entire circumference of the mask formation region charges most of the static electricity during the manufacturing process, and relatively suppresses static electricity from charging each mask portion.
第１図は本発明のホストマスクの製造方法の一実施例の
ステップ露光工程を示す図である。図中、第５図に示す
構成部分と実質上同一部分には同一符号を付す。FIG. 1 is a diagram showing a step exposure process of an embodiment of a method for manufacturing a host mask of the present invention. In the figure, parts that are substantially the same as the parts shown in FIG. 5 are given the same reference numerals.
50は露光エリアであり、実線で囲む部分でこの露光エリ
ア50は、第５図中の露光エリア25からステップ露光部26
-1〜26-16を除いた部分である。Reference numeral 50 denotes an exposure area, which is a portion surrounded by a solid line, and the exposure area 50 includes the exposure area 25 to the step exposure portion 26 in FIG.
It is the part excluding -1 to 26 -16 .
これにより、周囲のステップ露光部26-20〜26-37につい
てもクロム膜22より外側にはみ出さず、ステップ露光部
26は全てクロム膜22上となる。As a result, the peripheral step exposure portions 26 -20 to 26 -37 do not protrude outside the chrome film 22 and the step exposure portions are not exposed.
26 is entirely on the chromium film 22.
このように露光エリア50を従来より一まわり狭めること
は、コンピュータのプログラムを一部変更することによ
り容易に実施できる。As described above, the exposure area 50 can be made narrower than the conventional one by easily changing a part of the computer program.
上記のステップ露光を経て製造されたホトマスク60は第
２図に示す如くになる。The photomask 60 manufactured through the above step exposure is as shown in FIG.
このホトマスク60の上面は、前記マスク部15が縦横に整
列して配されたマスク部形成領域61と、格子状のスクラ
イブライン62と、このマスク部形成領域61の周囲に残置
された残置クロム膜63とよりなる。The upper surface of the photomask 60 has a mask portion forming region 61 in which the mask portions 15 are arranged vertically and horizontally, a grid-like scribe line 62, and a residual chromium film left around the mask portion forming region 61. Consists of 63.
ここでマスク部形成領域61は、クロム膜22より外方には
み出さずに、クロム膜22の外周より内側の領域に限られ
ている。Here, the mask portion formation region 61 is limited to a region inside the outer periphery of the chrome film 22 without protruding outside the chrome film 22.
これにより残置クロム膜62は、マスク部形成領域61の全
周に亘って、寸断されずに、連続して存在している。As a result, the remaining chromium film 62 is continuously present over the entire circumference of the mask portion formation region 61 without being cut.
また残置クロム膜62の面積S2は前記の面積S1より広い。The area S 2 of the remaining chromium film 62 is larger than the area S 1 described above.
このホトマスク30の各マスク部15を検査したところ、静
電破壊は認められなかった。When each mask portion 15 of this photomask 30 was inspected, electrostatic breakdown was not recognized.
従って本実施例の製造方法によれば、ホトマスク60を歩
留り良く製造することが出来る。Therefore, according to the manufacturing method of this embodiment, the photomask 60 can be manufactured with high yield.
なお、静電破壊が起きない理由は、第１には、残置クロ
ム膜63が全周に亘って連続して存在しているため、水洗
工程9,11において発生する静電気の大部分は残置クロム
膜63に帯電し、メインパターンに帯電する静電気の量は
相対的に少なくなるため、第２には全てのスクライブラ
イン62の両端が残置クロム膜63とつながっているため、
メインパターン帯電した静電気がスクライブライン62を
通してすみやかに周囲の残置クロム膜63に逃がされるた
めと考えられる。The reason why electrostatic breakdown does not occur is that, firstly, most of the static electricity generated in the water washing steps 9 and 11 is due to the remaining chromium film 63 because the remaining chromium film 63 is continuously present over the entire circumference. Since the amount of static electricity charged on the film 63 and charged on the main pattern is relatively small, secondly, since both ends of all the scribe lines 62 are connected to the remaining chromium film 63,
It is considered that the static electricity charged in the main pattern is immediately released to the surrounding residual chromium film 63 through the scribe line 62.
また、第２図中、70はウェハの外形を示す。露光エリア
を狭めてもマスク形成領域61はウェハよりも広く、ウェ
ハ全体をカバーするため、ウェハ上面をパターニングす
る上で不都合は無い。Further, in FIG. 2, reference numeral 70 designates the outer shape of the wafer. Even if the exposure area is narrowed, the mask formation region 61 is wider than the wafer and covers the entire wafer, so there is no inconvenience in patterning the upper surface of the wafer.
また、上記静電破壊を防止するために、ガラス板上に透
明の導電膜を形成し、この上にクロム膜を形成した構造
とし、メインパターンに帯電した静電気を透明導電膜を
通してアースに逃がす方法も考えられるが、この方法で
は、透明導電膜を形成する工程を追加する必要があり、
製造コスト等の点で好ましくない。Further, in order to prevent the electrostatic breakdown, a transparent conductive film is formed on a glass plate, and a chrome film is formed on the transparent conductive film, and the static electricity charged in the main pattern is released to the ground through the transparent conductive film. However, this method requires an additional step of forming a transparent conductive film,
It is not preferable in terms of manufacturing cost.
以上説明した様に、本発明によれば、新たな工程を追加
することなく、従来の製造工程をそのまま踏襲して、メ
インパターンに静電破壊を起こさせることなく、ホトマ
スクを製造することが出来る。然して、ホトマスクを、
製造コストを上げずに且つ歩留り良く製造することが出
来る。As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a photomask without adding a new process and directly following the conventional manufacturing process without causing electrostatic damage to the main pattern. . However, the photomask
It can be manufactured with high yield without increasing the manufacturing cost.
第１図は本発明のホトマスクの製造方法の一実施例にお
けるステップ露光工程を説明する図、 第２図は本発明の製造方法により製造されたホトマスク
の平面図、 第３図はホトマスクの一般的な製造工程を示す図、 第４図はホトマスクの一のマスク部を拡大して示す図、 第５図は従来のホトマスクの製造方法におけるステップ
露光工程を説明する図、 第６図は露光対象物の断面図、 第７図は従来の製造方法により製造されたホトマスクの
平面図、 第８図はマスク部の静電破壊の１例を拡大して示す図で
ある。 図において、 ３はステップ露光工程、15はマスク部、20は露光対象
物、21はガラス板、22はクロム膜、23はレジスト膜、26
はステップ露光部、50は露光エリア、60はホトマスク、
61はマスク部形成領域、62はスクライブライン、63は残
置クロム膜、を示す。FIG. 1 is a diagram for explaining a step exposure process in one embodiment of a method for manufacturing a photomask of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a photomask manufactured by the manufacturing method of the present invention, and FIG. 3 is a general view of a photomask. FIG. 4 is an enlarged view of one mask portion of a photomask, FIG. 5 is a view illustrating a step exposure process in a conventional photomask manufacturing method, and FIG. 6 is an exposure object. FIG. 7 is a plan view of a photomask manufactured by a conventional manufacturing method, and FIG. 8 is an enlarged view showing an example of electrostatic breakdown of the mask portion. In the figure, 3 is a step exposure process, 15 is a mask portion, 20 is an exposure object, 21 is a glass plate, 22 is a chrome film, 23 is a resist film, 26
Is a step exposure unit, 50 is an exposure area, 60 is a photomask,
Reference numeral 61 is a mask portion formation region, 62 is a scribe line, and 63 is a remaining chromium film.
Claims (1)
レジスト膜（33）をチップ単位で繰り返し露光するステ
ップ露光を行うステップ露光工程（３）を含むホトマス
クの製造方法において、 上記ステップ露光による露光エリア（50）を上記金属膜
（22）の範囲内に制限するように露光し、上記金属膜
（22,63）がマスク部形成領域（61）の全周に亘って連
続して残置されるように構成し、かつ、前記金属膜（2
2）はスクライブライン上にも連続して残置され、前記
スクライブライン（62）上に残置された金属膜と、前記
マスク部形成領域（61）の全周に亘って連続して残置さ
れた金属膜（63）とが接続されるように構成してなるホ
トマスクの製造方法。1. A method of manufacturing a photomask, comprising a step exposure step (3) of repeatedly exposing a resist film (33) on the upper surface of a metal film (22) on a transparent substrate (21) in chip units, Exposure is performed so that the exposure area (50) by the step exposure is limited to the range of the metal film (22), and the metal film (22, 63) is continuously formed over the entire circumference of the mask portion formation region (61). And the metal film (2
2) is continuously left on the scribe line, and the metal film left on the scribe line (62) and the metal left continuously on the entire circumference of the mask part formation region (61) A method of manufacturing a photomask configured so as to be connected to a film (63).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26997387A JPH0797217B2 (en) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | Photomask manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26997387A JPH0797217B2 (en) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | Photomask manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112243A JPH01112243A (en) | 1989-04-28 |
| JPH0797217B2 true JPH0797217B2 (en) | 1995-10-18 |
Family
ID=17479804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26997387A Expired - Fee Related JPH0797217B2 (en) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | Photomask manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797217B2 (en) |
Families Citing this family (3)
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Family Cites Families (3)
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| JPS60222856A (en) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | Mask for preventing electrostatic breakdown |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26997387A patent/JPH0797217B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH01112243A (en) | 1989-04-28 |
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