JPH0797093B2 - X線光電子分光3次元マッピング装置 - Google Patents

X線光電子分光3次元マッピング装置

Info

Publication number
JPH0797093B2
JPH0797093B2 JP63198446A JP19844688A JPH0797093B2 JP H0797093 B2 JPH0797093 B2 JP H0797093B2 JP 63198446 A JP63198446 A JP 63198446A JP 19844688 A JP19844688 A JP 19844688A JP H0797093 B2 JPH0797093 B2 JP H0797093B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
ray photoelectron
sample surface
etching
ray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63198446A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0247544A (ja
Inventor
茂宏 三田村
福男 銭谷
勲 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP63198446A priority Critical patent/JPH0797093B2/ja
Publication of JPH0247544A publication Critical patent/JPH0247544A/ja
Publication of JPH0797093B2 publication Critical patent/JPH0797093B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、X線光電子分光3次元マッピング装置に関す
る。
(従来の技術) 測定試料にX線を照射し、測定試料から放出される光電
子のエネルギーを分析することによって、測定試料の表
面分析(10〜20Å)を行うのがX線光電子分光装置(ES
CA)である。本発明はこのESCAを用いて3次元マッピン
グを行おうとするものである。
従来、ESCAを用いて3次元マッピングを行う場合、一度
試料面の2次元マッピングを行った後、測定装置から試
料を取り出し、別の試料面イオンエッチング装置に移し
て、測定試料表面をエッチングした後、再度X線光電子
分光装置にセットしてマッピングを行う。このような動
作を繰り返すことによって3次元のマッピングを行って
いた。しかし、このような方法によれば手間と時間が多
大にかかり、測定能率が著しく悪い上試料に汚染が起こ
ると云う問題があった。
また上述した難点を避けるため、同一装置内でX線光電
子検出手段がにらむ試料面上の点を同時にイオンビーム
で照射してエッチングするようにすると、イオン照射に
よる2次放射や、エッチングによる揮発物がX線光電子
検出手段に付着し、そこから放出されるX線光電子がX
線光電子検出手段に侵入し、試料からのX線光電子検出
信号の雑音になると云う問題があった。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、測定装置から測定試料を取り出すことなく3
次元マッピングを行えるようにすることを目的とする。
(課題を解決するための手段) X線光電子分光装置において、試料ステージの距離Lを
離してX線光電子検出手段の視点とイオンビーム照射点
を位置させ、試料走査手段に試料のX軸方向走査範囲に
上記距離Lを加えた範囲で往復移動させるようにした。
本発明は、X線光電子分光装置において、試料面分析点
と試料ステージの同一X軸上にイオンビーム照射点即ち
エッチング点が位置するようにイオン源を付設すること
によって、イオン源から発射するイオンビームで試料表
面の分析点を順次イオンエッチングし、試料ステージを
X軸方向に移動させていくと、そのエッチングした点が
順次X線照射点(分析点)に移動し、順次エッチングし
た試料面をX線光電子分光することを可能となる。この
ようにして、試料のX軸方向往復運動を繰り返しなが
ら、往行程でイオンエッチングとX線光電子分析を行う
ことより、試料面の深さ方向への分析を進めて行くこと
ができる。また、分析点をX線光電子分光している間
に、イオンビームで次の分析点をエッチングできるの
で、試料表面を切削するための時間が大幅に減少され
る。即ち、X線光電子分光とエッチング動作の両方を同
時に行うことにより、試料を装置外に取り出すことなし
に、3次元マッピングを連続的に効率的に行うことが可
能となった。
(実施例) 第1図に本発明の一実施例を示す。第1図において、1
は試料Sの表面をイオンエッチングするためのイオン
源、2は試料SにX線を照射して試料Sを励起させるX
線源、3は励起された試料Sから放出される光電子を検
出・分析する光電子分析器で、光電子顕微鏡やエネルギ
ー分析器が用いられる。S0は分析点、E0はエッチング点
である。
第2図を用いて、測定動作を説明する。まず、そのまま
の試料表面を2次元で分析した後、試料ステージ(不図
示)を駆動させ、試料の測定領域の左端をイオン源1直
下のイオンエッチング点に移動させて(同図A)、試料
表面をエッチングし、順次試料を左に移動させながら、
試料表面を順次エッチングする。エッチングされた測定
領域の左端が分析点S0に位置した時に(同図B)、X線
源2からX線を試料Sに照射し、試料表面から放出され
る光電子を光電子分析器3で分析する。
試料を順次左(X軸方向)に移動しながら、イオンエッ
チングとX線による光電子分析の両方の作業を繰り返
す。測定領域の右端がエッチング点E0を越えた時点で
(同図C)、イオンエッチングを中止する。試料Sを更
に左に順次移動させ、試料面の分析作業だけを行う。測
定領域の右端が分析点Sに位置した時点で(同図D)、
試料面の分析を終了し、試料を上方(Y軸方向)に1ピ
ッチ移動させた後、右に移動させて最初のX軸の位置に
セットする(同図E)。以下最初(同図A)に戻り、同
図Dまでの動作を繰り返す。
(発明の効果) 本発明によれば、一つの装置内で試料面の光電子分析と
同時に試料表面のエッチングを行うことができるので、
試料を分析装置とエッチンク装置との間で移し替えるこ
とに伴う試料面の汚染と云う問題がなくなりかつ3次元
的分析の能率が向上するばかりでなく、一つ装置内で試
料の移動を試料面の2次元的走査のための移動を利用し
て行うようにしたので、一つの画素を分析している間に
他の画素部分が離れた所でエッチングされることにな
り、イオンエッチングによる2次放射が分析結果に影響
することも、エッチングによる揮散物質がX線源やX線
光電子分析装置に付着し、その付着層からX線照射によ
って放出される電子等によるX線光電子スペクトルのバ
ックグラウンドレベルが高められ分析感度が低下すると
云う問題も回避されるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部側面図、第2図は測定
点及びエッチング点の移動動作説明図である。 1……イオン源、2……光電子顕微鏡、3……X線源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−138242(JP,A) 特開 昭61−110951(JP,A) 特開 昭56−138242(JP,A) 実開 昭59−41856(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】試料面を走査しながらX線光電子分析を行
    う装置において、同一装置内にX線光電子検出手段とX
    線源と共に試料面をエッチングするためのイオン源を設
    け、同イオン源が上記X線光電子検出手段の試料面上の
    視点Soを通る試料面上のX軸走査線上でSoより離れた点
    Eoを照射するようにし、試料走査手段が試料面の走査範
    囲のX軸方向の幅に上記SoとEoとの間の距離を加えた範
    囲でX軸方向走査動作を行うようにしたことを特徴とす
    るX線光電子分光3次元マッピング装置。
JP63198446A 1988-08-09 1988-08-09 X線光電子分光3次元マッピング装置 Expired - Lifetime JPH0797093B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63198446A JPH0797093B2 (ja) 1988-08-09 1988-08-09 X線光電子分光3次元マッピング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63198446A JPH0797093B2 (ja) 1988-08-09 1988-08-09 X線光電子分光3次元マッピング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0247544A JPH0247544A (ja) 1990-02-16
JPH0797093B2 true JPH0797093B2 (ja) 1995-10-18

Family

ID=16391228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63198446A Expired - Lifetime JPH0797093B2 (ja) 1988-08-09 1988-08-09 X線光電子分光3次元マッピング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0797093B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004045172A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Fujitsu Ltd 3次元構造評価方法
EP1676937B1 (en) 2004-11-26 2016-06-01 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. UV curable catalyst compositions

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56138242A (en) * 1980-03-31 1981-10-28 Shimadzu Corp X-ray photoelectron analysis equipment
JPS5941856U (ja) * 1982-09-03 1984-03-17 日本電子株式会社 分析装置等における試料面エツチング装置
JPS61110951A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Shimadzu Corp 複合表面分析装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0247544A (ja) 1990-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5956730B2 (ja) X線分析装置及び方法
JPH05101800A (ja) 電子ミクロ分析方式における標的領域をサンプル表面上に求める方式
JP2019129072A (ja) 走査電子顕微鏡および測定方法
JP2548834B2 (ja) 電子ビーム寸法測定装置
JPH0797093B2 (ja) X線光電子分光3次元マッピング装置
EP0452825B1 (en) Method and apparatus for background correction in analysis of a specimen surface
JPH07270346A (ja) 微小部分析方法
JPH07128259A (ja) X線マッピング分析方法
JP2000214111A (ja) 電子プロ―ブマイクロアナライザ
JPH0119804Y2 (ja)
JP2917475B2 (ja) X線分析装置
JPH076609Y2 (ja) 集束イオンビーム加工装置
JPH08287864A (ja) 質量分析装置および分析方法
JP2861153B2 (ja) 荷電粒子ビーム照射型分析装置
JP2000155103A (ja) 電子線装置
JP2001167726A (ja) 仕事関数像生成装置
JPS62285048A (ja) 元素濃度分布測定方法
JPH08247971A (ja) 蛍光x線分析装置
JPH10213556A (ja) 表面元素分析装置及び分析方法
JPH0682399A (ja) 電子線分析方法と分析装置
JPS63237344A (ja) 試料表面分析装置
JPH0933461A (ja) 陽電子ビーム分析装置
TW202006778A (zh) 用於將光束對準帶電粒子束之方法
JP2502050B2 (ja) 電子線マイクロアナライザ
JPH07234195A (ja) 結晶表面分析装置