JPH0794759A - 単一電子トンネリング素子 - Google Patents
単一電子トンネリング素子Info
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- JPH0794759A JPH0794759A JP23528893A JP23528893A JPH0794759A JP H0794759 A JPH0794759 A JP H0794759A JP 23528893 A JP23528893 A JP 23528893A JP 23528893 A JP23528893 A JP 23528893A JP H0794759 A JPH0794759 A JP H0794759A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7613—Single electron transistors; Coulomb blockade devices
Abstract
(57)【要約】
【構成】第１及び第２の電極３、４と、これら第１及び
第２の電極３，４に対してそれぞれ単一電子トンネル接
合６を介して接続され、電子スピンの方向が揃った第３
の電極５と、この第３の電極５に対して絶縁膜８を介し
て接続され、該第３の電極５及び絶縁膜９とともにキャ
パシタを構成する第４の電極１０とを具備したことを特
徴とする単一電子トンネリング素子。 【効果】本発明によって、電子がトンネルする際に電子
のスピンの自由度に対する情報も含んだ形で、電流一電
圧特性を引き出す事が可能になり、電子一個から究極の
情報を取り出し、更にその特性を用いて多種類の演算を
可能にする基本素子を提供することができる。
第２の電極３，４に対してそれぞれ単一電子トンネル接
合６を介して接続され、電子スピンの方向が揃った第３
の電極５と、この第３の電極５に対して絶縁膜８を介し
て接続され、該第３の電極５及び絶縁膜９とともにキャ
パシタを構成する第４の電極１０とを具備したことを特
徴とする単一電子トンネリング素子。 【効果】本発明によって、電子がトンネルする際に電子
のスピンの自由度に対する情報も含んだ形で、電流一電
圧特性を引き出す事が可能になり、電子一個から究極の
情報を取り出し、更にその特性を用いて多種類の演算を
可能にする基本素子を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単一電子トンネリング素
子に関する。
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の微細加工技術の進展と、電子のト
ンネル現象の理解に伴い極微細のトンネル接合を作製
し、クーロン・ブロッケードと呼ばれる現象が実験的に
観測され始めている。それは、接合のキャパシタンスが
極めて小さくなると一個の電子をトンネル接合が蓄えて
いるか、そうでないかで静電エネルギーに差が現れ、そ
の大きさはエネルギーの尺度で言えば、ｅ2 ／２Ｃとな
る。ここでｅは電気素量で１．６×１０-19 Ｃであり、
Ｃは接合容量である。ここでＣが極めて小さくなると、
上記エネルギーは急激に大きくなり実験で観測されるよ
うになる。この様な微小接合の特徴を生かして、機能素
子を作ろうという試みが最近、活発に提案され研究され
ている。（”Single-Electron Tunneling and Mesoscop
oc Device ”、H.Koch and H.Lubbig ed. Springer-Ver
lag(1992) ）。一般的には、微小トンネル接合が二個直
列に接続され、その中間電極にキャパシタが静電的に接
続されている構造が提案されている（図２）。この構造
においては、動作原理が先に述べたクーロン・ブロッケ
ードに基づいているので、例えば通常のＭＯＳＦＥＴよ
りも多彩な特性を示す利点がある。しかしながら、上記
構造の各トンネル接合の特性は、その両端にかかる電位
差によるので、中間電極の電子の個数、あるいは分布に
よって二つの接合を流れる電流ー電圧特性は決められて
しまう。その結果として、上記素子ユニットは従来の絶
縁ゲート型電界効果トランジスタに似ており、上記した
多彩な特性を十分活かしていたとは言えなかった。
ンネル現象の理解に伴い極微細のトンネル接合を作製
し、クーロン・ブロッケードと呼ばれる現象が実験的に
観測され始めている。それは、接合のキャパシタンスが
極めて小さくなると一個の電子をトンネル接合が蓄えて
いるか、そうでないかで静電エネルギーに差が現れ、そ
の大きさはエネルギーの尺度で言えば、ｅ2 ／２Ｃとな
る。ここでｅは電気素量で１．６×１０-19 Ｃであり、
Ｃは接合容量である。ここでＣが極めて小さくなると、
上記エネルギーは急激に大きくなり実験で観測されるよ
うになる。この様な微小接合の特徴を生かして、機能素
子を作ろうという試みが最近、活発に提案され研究され
ている。（”Single-Electron Tunneling and Mesoscop
oc Device ”、H.Koch and H.Lubbig ed. Springer-Ver
lag(1992) ）。一般的には、微小トンネル接合が二個直
列に接続され、その中間電極にキャパシタが静電的に接
続されている構造が提案されている（図２）。この構造
においては、動作原理が先に述べたクーロン・ブロッケ
ードに基づいているので、例えば通常のＭＯＳＦＥＴよ
りも多彩な特性を示す利点がある。しかしながら、上記
構造の各トンネル接合の特性は、その両端にかかる電位
差によるので、中間電極の電子の個数、あるいは分布に
よって二つの接合を流れる電流ー電圧特性は決められて
しまう。その結果として、上記素子ユニットは従来の絶
縁ゲート型電界効果トランジスタに似ており、上記した
多彩な特性を十分活かしていたとは言えなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来装置の欠点を改良したもので、電子のスピンの自由度
をも特性の一つに含む一電子トンネル接合トランジスタ
を提供することを目的とする。
来装置の欠点を改良したもので、電子のスピンの自由度
をも特性の一つに含む一電子トンネル接合トランジスタ
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前述した問題点を解決す
るために本発明は、第１及び第２の電極と、これら第１
及び第２の電極に対してそれぞれ単一電子トンネル接合
を介して接続され、電子スピンの方向が揃った第３の電
極と、この第３の電極に対して絶縁膜を介して接続さ
れ、該第３の電極及び絶縁膜とともにキャパシタを構成
する第４の電極とを具備したことを特徴とする単一電子
トンネリング素子を提供する。
るために本発明は、第１及び第２の電極と、これら第１
及び第２の電極に対してそれぞれ単一電子トンネル接合
を介して接続され、電子スピンの方向が揃った第３の電
極と、この第３の電極に対して絶縁膜を介して接続さ
れ、該第３の電極及び絶縁膜とともにキャパシタを構成
する第４の電極とを具備したことを特徴とする単一電子
トンネリング素子を提供する。
【０００５】また本発明は、電子スピンの方向が揃った
第１及び第２の電極と、これら第１及び第２の電極に対
してそれぞれ単一電子トンネル接合を介して接続された
第３の電極と、この第３の電極に対して絶縁膜を介して
接続され、該第３の電極及び絶縁膜とともにキャパシタ
を構成する第４の電極とを具備したことを特徴とする単
一電子トンネリング素子を提供する。
第１及び第２の電極と、これら第１及び第２の電極に対
してそれぞれ単一電子トンネル接合を介して接続された
第３の電極と、この第３の電極に対して絶縁膜を介して
接続され、該第３の電極及び絶縁膜とともにキャパシタ
を構成する第４の電極とを具備したことを特徴とする単
一電子トンネリング素子を提供する。
【０００６】
【作用】電子間のクーロンエネルギーの変化に基づく一
電子トンネル素子においては、一電子のトンネルによる
クーロンエネルギーの増加が一電子トンネル素子を作成
した時の特性を決めてしまい、電子の持つもう一つの自
由度であるスピンに関してはまったく依存しない。しか
しながら、本発明では中間電極を電子スピンの方向が揃
った、例えば、導電性の強磁性体からなる電極とするの
で、一方の電極からトンネルする電子は、中間電極の強
磁性体のスピンの向きによってトンネルの容易さが変化
する。すなわち、簡単に言えばクーロンエネルギーの変
化だけを考えた時のエネルギーの変化をＵｃ（これは単
一の接合では二つ直列に接続した場合の実効的な静電エ
ネルギーの増加を示す）とし、スピンのフリップ（例え
ば上向きスピンの下向きスピンへの変化に伴うエネルギ
ーの変化をＵｓとすると、一方の電極から中間電極へト
ンネルする際にＵｃとＵｓの大小関係によって、一電子
トンネルトランジスタにおけるＩ−Ｖ特性においてしき
い値を二つ持つような多彩な振る舞いをさせる事がで
き、その特性を用いた素子群によって機能動作をさせる
事も可能になる。
電子トンネル素子においては、一電子のトンネルによる
クーロンエネルギーの増加が一電子トンネル素子を作成
した時の特性を決めてしまい、電子の持つもう一つの自
由度であるスピンに関してはまったく依存しない。しか
しながら、本発明では中間電極を電子スピンの方向が揃
った、例えば、導電性の強磁性体からなる電極とするの
で、一方の電極からトンネルする電子は、中間電極の強
磁性体のスピンの向きによってトンネルの容易さが変化
する。すなわち、簡単に言えばクーロンエネルギーの変
化だけを考えた時のエネルギーの変化をＵｃ（これは単
一の接合では二つ直列に接続した場合の実効的な静電エ
ネルギーの増加を示す）とし、スピンのフリップ（例え
ば上向きスピンの下向きスピンへの変化に伴うエネルギ
ーの変化をＵｓとすると、一方の電極から中間電極へト
ンネルする際にＵｃとＵｓの大小関係によって、一電子
トンネルトランジスタにおけるＩ−Ｖ特性においてしき
い値を二つ持つような多彩な振る舞いをさせる事がで
き、その特性を用いた素子群によって機能動作をさせる
事も可能になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は本発明による単一電子トンネリング素子の素子断面
図である。シリコン基板１上のシリコン酸化膜２上に素
子は形成されており、図１における電極３、４はアルミ
ニウムで構成され、中間電極５はニッケルで作成されて
おり、電極３，４と中間電極５の間の絶縁膜６はアルミ
ニウムの酸化物で構成されている。また制御電極１１は
アルミニウムで構成されている。本発明は、中間電極５
がニッケルの様な強磁性体で構成されている点が特徴で
ある。図２は上記素子の回路模式図である。
１は本発明による単一電子トンネリング素子の素子断面
図である。シリコン基板１上のシリコン酸化膜２上に素
子は形成されており、図１における電極３、４はアルミ
ニウムで構成され、中間電極５はニッケルで作成されて
おり、電極３，４と中間電極５の間の絶縁膜６はアルミ
ニウムの酸化物で構成されている。また制御電極１１は
アルミニウムで構成されている。本発明は、中間電極５
がニッケルの様な強磁性体で構成されている点が特徴で
ある。図２は上記素子の回路模式図である。
【０００８】以下に、図１の素子構造を製造する方法を
示す。図３乃至図５は、その製造方法を示す工程断面図
である。なお、図４及び図５は、図３の線分ＡＡ´で切
った時の工程断面図である。まず図３に示す様にシリコ
ン基板１上に形成された２００ｎｍのシリコン酸化膜２
上にアルミニウム膜７を２００ｎｍ堆積した後にアルミ
ニウム７上にレジストを形成し、このレジストを電子ビ
ームリソグラフィ技術を用いてパターニングし、その
後、Ｒ１Ｅ（反応性イオンエッチング）を用いてアルミ
ニウムを０．１ミクロン幅のアルミニウム線に加工す
る。加工後、レジストは除去する。次に図４に示す様
に、シリコン酸化膜８を２０ｎｍだけＣＶＤ法によって
堆積した後に、やはり電子ビーム露光とＲＩＥよってア
ルミニウム線７と直角の方向に溝を掘る。この時、下地
のアルミニウムもいっしょにエッチングしてしまう。こ
の時、アルミニウムの下地となっているシリコン酸化膜
２までオーバーエッチングされても何等問題はない。続
いて切断されたアルミニウム線７の断面を５００℃で熱
酸化して絶縁膜６を５ｎｍ形成した後に、中間電極とな
るニッケルをＣＶＤを用いて３０ｎｍ堆積し、上面に堆
積したニッケルをエッチングバックする事によって図５
の形状を得る。更に、シリコン酸化膜９、アルミニウム
膜１０を堆積した後、通常の方法によってパターニング
して、ゲート電極１１を持つ図１の形状の一電子トンネ
ルトランジスタを形成する。
示す。図３乃至図５は、その製造方法を示す工程断面図
である。なお、図４及び図５は、図３の線分ＡＡ´で切
った時の工程断面図である。まず図３に示す様にシリコ
ン基板１上に形成された２００ｎｍのシリコン酸化膜２
上にアルミニウム膜７を２００ｎｍ堆積した後にアルミ
ニウム７上にレジストを形成し、このレジストを電子ビ
ームリソグラフィ技術を用いてパターニングし、その
後、Ｒ１Ｅ（反応性イオンエッチング）を用いてアルミ
ニウムを０．１ミクロン幅のアルミニウム線に加工す
る。加工後、レジストは除去する。次に図４に示す様
に、シリコン酸化膜８を２０ｎｍだけＣＶＤ法によって
堆積した後に、やはり電子ビーム露光とＲＩＥよってア
ルミニウム線７と直角の方向に溝を掘る。この時、下地
のアルミニウムもいっしょにエッチングしてしまう。こ
の時、アルミニウムの下地となっているシリコン酸化膜
２までオーバーエッチングされても何等問題はない。続
いて切断されたアルミニウム線７の断面を５００℃で熱
酸化して絶縁膜６を５ｎｍ形成した後に、中間電極とな
るニッケルをＣＶＤを用いて３０ｎｍ堆積し、上面に堆
積したニッケルをエッチングバックする事によって図５
の形状を得る。更に、シリコン酸化膜９、アルミニウム
膜１０を堆積した後、通常の方法によってパターニング
して、ゲート電極１１を持つ図１の形状の一電子トンネ
ルトランジスタを形成する。
【０００９】図６にＵｃとＵｓが同程度の量である場合
のトンネル電流一ゲート電圧特性を示す。二つのしきい
値にＶ１，Ｖ２を持つ特性が現れる事がわかる。この現
象は以下のメカニズムによって起こる。即ち、ゲート電
圧がＶ１を越えると、電子スピンの方向が中間電極５中
の電子と同じ電極３，４中の電子のみが電極３，４から
電極５へトンネルし、更にゲート電圧がＶ２を越える
と、電子スピン方向が電極５中の電子と異なる電極３，
４中の電子も、そのスピンの方向を変え、電極３，４か
ら電極５へトンネルするようになる。
のトンネル電流一ゲート電圧特性を示す。二つのしきい
値にＶ１，Ｖ２を持つ特性が現れる事がわかる。この現
象は以下のメカニズムによって起こる。即ち、ゲート電
圧がＶ１を越えると、電子スピンの方向が中間電極５中
の電子と同じ電極３，４中の電子のみが電極３，４から
電極５へトンネルし、更にゲート電圧がＶ２を越える
と、電子スピン方向が電極５中の電子と異なる電極３，
４中の電子も、そのスピンの方向を変え、電極３，４か
ら電極５へトンネルするようになる。
【００１０】また、両端の電極（第１及び第２の電極）
が強磁性体で中間電極（第３の電極）が通常の磁性を持
たない金属という組み合わせや、両端の電極及び中間電
極が共に強磁性体で、磁化方向が互いに異なるような組
み合わせでも良い。
が強磁性体で中間電極（第３の電極）が通常の磁性を持
たない金属という組み合わせや、両端の電極及び中間電
極が共に強磁性体で、磁化方向が互いに異なるような組
み合わせでも良い。
【００１１】なお、上記実施例において使用された材料
および方法はその一例にすぎず、電極としては導電性の
材料であればよい。また、導電性の強磁性体としてＮｉ
の他にＦｅやＣｏを用いることもできる。さらに、強磁
性体に限らず常磁性体や反強磁性体を用いることもでき
る。この場合、これら磁性体に磁界を印加して電子スピ
ンの方向を揃えるとともに、単一電子トンネル接合の両
側に隣接する電極中の電子スピンの方向が互いに異なる
ようにする。そのために、第１及び第２の電極が常磁性
体の時、第３の電極は強磁性体又は反強磁性体、第１及
び第２の電極が反磁性体の時、第３の電極は常磁性体又
は強磁性体とすれば良く、第１及び第２の電極の材料と
第３の電極の材料はお互いに入れ換っても良い。常磁性
体の材料として、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、等の金属材
料、反強磁性体の材料として、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ等を
含む導電材料が好ましい。さらにまた、リソグラフィも
電子ビーム露光法である必要はなく、通常の光リソグラ
フィと側壁残し技術の組み合わせ、あるいは位相シフト
法との組み合わせによって微細領域を形成しても良い事
は言うまでもない。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々変形して実施できる。
および方法はその一例にすぎず、電極としては導電性の
材料であればよい。また、導電性の強磁性体としてＮｉ
の他にＦｅやＣｏを用いることもできる。さらに、強磁
性体に限らず常磁性体や反強磁性体を用いることもでき
る。この場合、これら磁性体に磁界を印加して電子スピ
ンの方向を揃えるとともに、単一電子トンネル接合の両
側に隣接する電極中の電子スピンの方向が互いに異なる
ようにする。そのために、第１及び第２の電極が常磁性
体の時、第３の電極は強磁性体又は反強磁性体、第１及
び第２の電極が反磁性体の時、第３の電極は常磁性体又
は強磁性体とすれば良く、第１及び第２の電極の材料と
第３の電極の材料はお互いに入れ換っても良い。常磁性
体の材料として、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、等の金属材
料、反強磁性体の材料として、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ等を
含む導電材料が好ましい。さらにまた、リソグラフィも
電子ビーム露光法である必要はなく、通常の光リソグラ
フィと側壁残し技術の組み合わせ、あるいは位相シフト
法との組み合わせによって微細領域を形成しても良い事
は言うまでもない。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々変形して実施できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば単に
一電子のクーロンエネルギーの効果だけによる一電子ト
ランジスタの振る舞いに加えて、電子のもう一つの自由
度であるスピンをも情報量として使用する事が可能にな
り、一電子のトンネル接合通過に伴い、電子一個のチャ
ージ量の変化とスピンの変化という多大な情報量を持っ
た素子を達成する事ができる。
一電子のクーロンエネルギーの効果だけによる一電子ト
ランジスタの振る舞いに加えて、電子のもう一つの自由
度であるスピンをも情報量として使用する事が可能にな
り、一電子のトンネル接合通過に伴い、電子一個のチャ
ージ量の変化とスピンの変化という多大な情報量を持っ
た素子を達成する事ができる。
【図１】 本発明の単一電子トンネルトランジスタの断
面図。
面図。
【図２】 本発明の回路模式図。
【図３】 本発明の単一電子トンネルトランジスタの製
造方法を示す工程断面図。
造方法を示す工程断面図。
【図４】 図３に続く工程断面図。
【図５】 図４に続く工程断面図。
【図６】 本発明の単一電子トンネルトランジスタ素子
におけるトンネル電流とゲート電圧との関係を示す特性
図。
におけるトンネル電流とゲート電圧との関係を示す特性
図。
１…シリコン基板 ２…シリコン酸化膜 ３，４…アルミニウム電極 ５…ニッケル電極 ６…アルミニウム酸化膜 ７…アルミニウム ８…シリコン酸化膜 ９…シリコン酸化膜 １０…ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/04 29/88 Ｈ０１Ｌ 29/88 Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】 第１及び第２の電極と、これら第１及び
第２の電極に対してそれぞれ単一電子トンネル接合を介
して接続され、電子スピンの方向が揃った第３の電極
と、この第３の電極に対して絶縁膜を介して接続され、
該第３の電極及び絶縁膜とともにキャパシタを構成する
第４の電極とを具備したことを特徴とする単一電子トン
ネリング素子。 - 【請求項２】 電子スピンの方向が揃った第１及び第２
の電極と、これら第１及び第２の電極に対してそれぞれ
単一電子トンネル接合を介して接続された第３の電極
と、この第３の電極に対して絶縁膜を介して接続され、
該第３の電極及び絶縁膜とともにキャパシタを構成する
第４の電極とを具備したことを特徴とする単一電子トン
ネリング素子。 - 【請求項３】 前記電子スピンの方向が揃った第３の電
極は強磁性体からなることを特徴とする請求項１又は２
記載の単一電子トンネリング素子。 - 【請求項４】 前記強磁性体はＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅである
ことを特徴とする請求項３記載の単一電子トンネリング
素子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23528893A JP3436779B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 単一電子トンネリング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23528893A JP3436779B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 単一電子トンネリング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794759A true JPH0794759A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3436779B2 JP3436779B2 (ja) | 2003-08-18 |
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ID=16983894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23528893A Expired - Fee Related JP3436779B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 単一電子トンネリング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3436779B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163421A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
| DE10141341A1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Siemens Ag | Elektronisches Bauelement |
| KR100468818B1 (ko) * | 1997-05-26 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 단일전자트랜지스터 |
| JP2007281489A (ja) * | 1999-04-22 | 2007-10-25 | Acorn Technologies Inc | 静電的に制御されるトンネリング・トランジスタ |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP23528893A patent/JP3436779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163421A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
| KR100468818B1 (ko) * | 1997-05-26 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 단일전자트랜지스터 |
| JP2007281489A (ja) * | 1999-04-22 | 2007-10-25 | Acorn Technologies Inc | 静電的に制御されるトンネリング・トランジスタ |
| DE10141341A1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Siemens Ag | Elektronisches Bauelement |
| DE10141341C2 (de) * | 2001-08-23 | 2003-08-21 | Siemens Ag | Elektronisches Bauelement umfassend wenigstens einen Kondensator |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3436779B2 (ja) | 2003-08-18 |
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