JPH0794394A

JPH0794394A - 微細パターン露光方法

Info

Publication number: JPH0794394A
Application number: JP5236060A
Authority: JP
Inventors: Makoto Takahashi; 真高橋
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1993-09-22
Filing date: 1993-09-22
Publication date: 1995-04-07

Abstract

(57)【要約】【目的】根本的な問題を含んでいるＸ線レジストを用
いないで、微細なパターン露光ができる半導体装置製造
工程等におけるパターン露光方法。【構成】輝尽蛍光体層を有するパターン記憶板に微細
パターンをＸ線のような一次励起線により露光して潜像
として記憶させ（工程）、次いで、パターン記憶板に
可視レーザ光のような二次励起線を照射して輝尽発光像
として記憶された微細パターンを発光像化させ、この発
光像化された輝尽発光微細パターンを感光層に転写させ
る（工程４）ので、感光材料としてＸ線レジストを用い
なくとも高解像度で微細なパターン露光ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、微細パターン露光方法
に関し、例えばＬＳＩ等の半導体装置製造工程において
微細なパターン露光ができる露光方法に関する。

【０００２】

【従来技術】シリコンＬＳＩは、高集積化に伴い設計線
幅が微細化し、それに伴って製造に用いられる露光技術
も変化してきている。現在、１６ＭｂｉｔＤＲＡＭの量
産には、水銀ランプのｉ線（波長：３６５ｎｍ）を露光
光源とした１／５縮小投影露光装置と従来の５×レチク
ルの組み合わせが用いられようとしている。また、次世
代の６４ＭｂｉｔＤＲＡＭの量産には、上記の組み合わ
せを用いて少しでも早く開始しようとする方法として、
従来のレチクルの他に、一部の層のみに新しい構造の位
相シフトフォトマスクを用いる方法、及び、エキシマレ
ーザを用いる方法があり、現在、共に開発、導入の段階
にある。その次の２５６ＭｂｉｔＤＲＡＭ、１Ｇｂｉｔ
ＤＲＡＭになるとＸ線露光法が採用されてくる。

【０００３】このＸ線露光法の工程について、シンクロ
トロン（ＳＯＲ）放射光を用いたＸ線露光システムを例
にあげて説明する。図５に示すように、入射用電子直線
加速器で加速され、電子シンクロトロンを経て電子蓄積
リングに蓄積される電子から得られたシンクロトロン放
射光は、強度が大きく、指向性の良い軟Ｘ線を含んでお
り、このＳＯＲ放射光を用いてＸ線マスクがシリコンウ
エハ上に転写される。図５のベリリウム窓以降の詳細を
図６に示す。放射光がベリリウム窓を通して、真空中に
配置されたＸ線マスクの吸収体の間の透過膜を通過して
シリコンウエハ上のレジスト膜に転写される。マスクと
シリコンウエハ上のパターンはアライメント光学系によ
り位置合わせがなされる。露光後は、フォトリソグラフ
ィー法によりレジスト膜が現像され、レジストパターン
の開口より露出するシリコンウエハ部をエッチングし、
次いで残ったレジスト膜を剥離して、求めるパターンを
得る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このようなＸ線露光法
において、特にＸ線レジストに問題がある。すなわち、
レジストは、パターンの転写媒体であると共に、エッチ
ング時のマスクの役割もしている。ＳＯＲ放射光による
レジストの露光過程は、１次効果ではなく、Ｘ線吸収に
伴って励起された光電子がレジスト中で更に多数の二次
電子や種々の励起状態を引き起こし、これらがレジスト
分子の分解又は結合反応を引き起こすものと考えられ
る。したがって、反応に到る機構は電子線の場合と同じ
であるので、電子線レジストを使うことができる。しか
し、単一組成のポリマーレジストで要求性能の全てを高
いレベルで満足できるものは、原理的にも実際上でも困
難である。例えば、代表的な電子線レジストにＰＭＭＡ
があるが、解像度は高く、特性の再現性も優れている。
しかし、感度（１０００ｍＪ／ｃｍ²以上）が低く、ド
ライエッチング耐性が不十分である。また、逆に、化学
増幅効果を利用したレジストは、露光により分解して酸
を発生する反応開始剤を含んでいるので、露光後、酸の
触媒作用により溶解抑止剤の分解−可溶化反応が効果的
に進む。したがって、感度（３０〜５０ｍＪ／ｃｍ²以
上）が向上する。しかし、特性の熱処理条件への依存性
が大きく、再現性に問題がある。

【０００５】このように、Ｘ線露光法は、現在開発中の
技術であるため、専用のレジストがなく、また存在する
ものも特性が不十分である。

【０００６】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、半導体装置製造工程等にお
けるパターン露光方法において、このような根本的な問
題を含んでいるＸ線レジストを用いないで、微細なパタ
ーン露光ができる露光方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の微細パターン露光方法は、輝尽蛍光体層を有するパ
ターン記憶板に微細パターンを一次励起線により露光し
て潜像として記憶させ、次いで、パターン記憶板に二次
励起線を照射して輝尽発光像として記憶された微細パタ
ーンを発光像化させ、この発光像化された輝尽発光微細
パターンを感光層に転写させることを特徴とする方法で
ある。

【０００８】この場合、輝尽蛍光体層は物理的成膜法に
より基板上に成膜されたものであることが望ましい。ま
た、感光層として輝尽発光の波長に対して感光感度を有
し、二次励起線の波長に対してほとんど感度を有しない
材料を使用することが望ましい。

【０００９】なお、一次励起線としてＸ線を、輝尽蛍光
体として輝尽発光波長が紫外域にあるものを用いること
が現実的である。

【００１０】また、転写は、密着露光、近接露光、又
は、投影露光の何れでもよい。

【００１１】さらに、輝尽発光像としての発光像化は、
二次励起線の走査による照射又は全面一括照射により行
うことができる。

【００１２】このような微細パターン露光方法は、フォ
トリソグラフィーの露光工程に用いることが望ましい。

【００１３】

【作用】本発明においては、輝尽蛍光体層を有するパタ
ーン記憶板に微細パターンを一次励起線により露光して
潜像として記憶させ、次いで、パターン記憶板に二次励
起線を照射して輝尽発光像として記憶された微細パター
ンを発光像化させ、この発光像化された輝尽発光微細パ
ターンを感光層に転写させるので、感光材料としてＸ線
レジストを用いなくとも高解像度で微細なパターン露光
ができる。さらに、輝尽蛍光体の発光波長を選ぶことに
より、露光の解像度を向上させることができる。なお、
パターン記憶板は簡単に繰り返し使用が可能なものであ
る。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の微細パターン露光方法の原理
と実施例について図面を参照にして説明する。本発明の
基本的原理は、Ｘ線によるパターン露光を、Ｘ線レジス
ト上に行う代わりに、輝尽蛍光体を塗布してなるＸ線パ
ターン記憶板上に行い、この記憶板上に記憶されている
パターンを読み出し光照射により蛍光パターンとして読
み出し、その読み出し蛍光パターンを通常のフォトレジ
スト又は電子線レジスト上に転写することにより、微細
なパターンを露光する方法である。

【００１５】まず、本発明において重要な役割をする輝
尽蛍光体について説明する。輝尽発光（Photo-Stimulat
ed Luminesence；ＰＳＬ）は、予め紫外光、電子線、Ｘ
線等の第１の刺激により励起を受けた蛍光体が、励起後
に発光波長よりも長波長の光等の第２の刺激を受けたと
き、準安定な電子励起状態として蓄えられていた第１の
刺激の強さに依存するエネルギーを急激に放出して、閃
光的な発光をする現象であり、この現象を輝尽といい、
この現象を示す蛍光体を輝尽蛍光体という。

【００１６】この発光原理は次のように説明される。Ｘ
線等の一次励起により蛍光体の発光センターとして添加
してあるイオンの一部のイオン化が起き、次に、電子は
伝導帯に解放され、これらの電子は意図的に結晶中に作
られた母体材料の空格子に捕獲され、準安定状態のカラ
ーセンターとなる。これに吸収される二次励起光を照射
すると、捕獲された電子は再び伝導帯に解放され、当初
のイオン状態に戻り、その際輝尽発光が生じる。

【００１７】この現象は、１８８９年に Phillip E. A.
Lenard により発見されている。その後、この輝尽蛍光
体を応用したものとして、例えば、レントゲン写真シス
テムに代わる医療Ｘ線画像診断分野がある（現代化学：
２２３，１０，２９〜３６（１９８９））。

【００１８】この輝尽蛍光体を成膜した基板は、照射さ
れたＸ線等の放射線像を潜像として一旦記憶することが
できる。次に、この基板上にレーザー光等を照射するこ
とにより、潜像は輝尽発光として発光する。この輝尽発
光量は、放射線照射量に対して良好な直線性を持ってい
る。このようなレーザ光の照射により発光した蛍光体
は、消去光としてのハロゲンランプからの光の照射で使
用前の状態に戻る。すなわち、可逆性がある。

【００１９】本発明においては、このような輝尽蛍光体
を成膜した基板をＸ線パターン記憶板として用い、従来
のＸ線露光法と同じように、例えばＸ線マスクを通して
ＳＯＲ放射光を照射し、そのパターンをＸ線転写する。
すなわち、図１に示すように、従来と同様、ＳＯＲ放射
光Ｘ線露光システムのＸ線露光チャンバー４内のアライ
メントステージ５上にこのＸ線パターン記憶板１を取り
付け、それと対向して別のアライメントステージ６上に
Ｘ線マスク２を取り付け、アライメント光学系７により
両者を位置合わせした後、内部が真空に保たれたＸ線露
光チャンバー４内へベリリウム窓８を通して指向性の高
いＳＯＲ放射光３を導き、Ｘ線マスク２のパターンをＸ
線パターン記憶板１上に露光してその潜像を形成する。

【００２０】Ｘ線パターン記憶板１は、石英ガラス等か
らなるガラス基板１０上にＢａＦＢｒ_0.85Ｉ_0.15：Ｅ
ｕ、ＬａＯＢｒ：Ｂｉ，Ｔｂ，Ｐｒ、ＢａＦＣｌ：Ｅ
ｕ、ＳｒＦＢｒ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、ＣｓＩ：
Ｎａ（０．００１〜０．０１０ｍｏｌ％）、ＲｂＢｒ：
Ｔｌ（０．０１〜０．５０ｍｏｌ％）等の輝尽蛍光体１
１をスパッタリング法等で成膜することにより構成され
たものである。

【００２１】また、Ｘ線マスク２は、代表的な等倍・透
過型のＸ線マスクの構造を図２に示すように、支持枠１
２上に張られた透過膜１３上に重金属からなる吸収体１
４の層を成膜し、この吸収体１４をパターニングしてな
るものであり、吸収体としてＡｕ、Ｔａ、Ｗ等の重金属
を用い、膜厚は０．５〜１．０μｍとする。支持枠１２
は、通常シリコンウエハを用い、透過膜１３をＳｉＣ、
Ｓｉ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ等でその上に成膜形成後、その
裏面からＫＯＨ等で選択エッチングを行い、窓状に加工
することにより得られる。この支持枠１２は補強枠ガラ
ス１５上に取り付けられる。

【００２２】図１のようにしてＸ線マスク２の潜像パタ
ーンが記憶されたＸ線パターン記憶板１を例えば半導体
ウエハ上に転写するには、図３に模式的に示すような配
置を用いればよい。すなわち、輝尽蛍光体１１の二次励
起光用のレーザ等の光源１６からの光束をコリメータレ
ンズ１７により平行光束にして、走査装置１８に入射さ
せて面走査する二次励起光１９に変換し、この二次励起
光１９をＸ線パターン記憶板１の背後から照射する。Ｘ
線パターン記憶板１は、レジスト２２を表面に塗布した
ウエハ２１上にマスク合わせして密着するか極近接して
配置してあり、二次励起光１９を背後から照射すると、
図の斜線部のＸ線パターンが記憶されている領域から
は、輝尽蛍光体１１固有の波長の輝尽発光２０が発生
し、また、図の空白部のＸ線パターンが記憶されていな
い領域は二次励起光１９がそのまま通過する。したがっ
て、レジスト２２として、輝尽発光２０の波長に中心感
度を有し、二次励起光１９の波長は感光しない特性のも
のを選ぶと、輝尽発光２０が発生するレジスト２２の領
域、すなわち、記憶されたパターンに対応する領域のみ
が感光し、Ｘ線パターン記憶板１に潜像として記憶され
たＸ線マスク２が間接的に転写されることになる。転写
後、従来と同様に、レジスト２２は現像され、ポストベ
ークされて、そのレジストパターンをエッチングマスク
としてウエハ２１に所定のエッング処理をし、その後、
レジスト２２の剥離、洗浄を行って、次のリソグラフィ
ー工程に移る。また、転写終了のＸ線パターン記憶板１
は、ハロゲンランプ等の強い可視光を照射して消去さ
れ、再度Ｘ線パターンを同様に露光して記憶し、パター
ン転写に用いられる。

【００２３】なお、以上において、二次励起光１９の照
射は、走査ビームにして行う必要は必ずしもなく、全面
一括照射で行ってもよい。また、Ｘ線パターン記憶板１
は、ウエハ２１上に密着又は極近接して配置する必要も
必ずしもなく、中間に結像光学系を介して投影結像させ
るようにしてもよい。以上の露光方法を用いるリソグラ
フィー工程を図示すると、図４のようになる。

【００２４】以上のような本発明による輝尽蛍光体を用
いた二段露光方法をとると、根本的な問題を含んでいる
Ｘ線レジストを用いなくともよい他、次のような特徴が
ある。

【００２５】輝尽蛍光体１１の発光波長を選ぶことに
より、露光の解像度を向上させることができる。上記で
例示した輝尽蛍光体において、ＢａＦＢｒ_0.85Ｉ_0.15：
Ｅｕ、ＬａＯＢｒ：Ｂｉ，Ｔｂ，Ｐｒの場合は、二次励
起光１９の光源１６としてＨｅ−Ｎｅレーザ（波長：６
３０ｎｍ）を用い、それぞれ４００ｎｍ、３６０ｎｍの
ピーク発光波長の輝尽発光２０を発光する。ＢａＦＣ
ｌ：Ｅｕ、ＳｒＦＢｒ：Ｅｕの場合は、二次励起光１９
の光源１６としてＬＤ−ＹＡＧ−ＳＨＧレーザ（波長：
５３２ｎｍ）を用い、それぞれ３８５ｎｍ、３９０ｎｍ
のピーク発光波長の輝尽発光２０を発光する。ＣａＳ：
Ｅｕ，Ｓｍの場合は、二次励起光１９の光源１６として
１１８０ｎｍの波長のレーザを用い、６３０ｎｍのピー
ク発光波長の輝尽発光２０を発光する。ＣｓＩ：Ｎａ
（０．００１〜０．０１０ｍｏｌ％）、ＲｂＢｒ：Ｔｌ
（０．０１〜０．５０ｍｏｌ％）の場合は、二次励起光
１９の光源１６としてレーザダイオード（７２０ｎｍ）
を用い、それぞれ３３８ｎｍ、３６０ｎｍのピーク発光
波長の輝尽発光２０を発光する。

【００２６】ここで、輝尽発光２０のピーク波長が短い
程解像度が上がる。その理由は、解像度Ｒは、Ｒ＝κλ
／ＮＡの式で表される。ここで、κはプロセス定数、λ
はピーク発光波長、ＮＡは装置定数である。κとＮＡは
一定であるので、Ｒはλに比例することになり、波長λ
が短くなる程解像度Ｒも小さくなり、解像度が上がるこ
とになる。

【００２７】上記した波長以外にも、各種蛍光体がある
ので、ピーク発光波長のより短い領域の輝尽蛍光体１１
を使えば、高解像度の配線パターンが得られる。すなわ
ち、２５６ｂｉｔＤＲＡＭ、１ＧｂｉｔＤＲＡＭ等のた
めの露光ができる。

【００２８】輝尽蛍光体１１は、強い消去光のハロゲ
ンランプからの光の照射で使用前の状態に戻るので、簡
単に繰り返し使用が可能である。従来のフォトマスク
は、用済みになると、表面のクロム配線パターンを形成
してある部分をエッチング液で剥離する。そのままでは
表面にエッチングによるピンホールがあるので、表面を
ラッピングして平坦にしてから再度用いる。又は、この
高価なマスクを捨ててしまう。これに対して、本発明の
輝尽蛍光体１１を用いたマスク１を使えば、容易に再生
が可能で、再利用ができる。

【００２９】輝尽蛍光体１１の劣化が少ない。蛍光に
はフォトルミネッセンスとエレクトロルミネッセンスが
あるが、フォトルミネッセンスはエレクトロルミネッセ
ンスに比較して劣化が少ない。輝尽蛍光体１１の発光は
フォトルミネッセンスであるので、その劣化は少ない。

【００３０】高いＳ／Ｎ比を持っている。輝尽発光２
０のピーク波長と二次励起光１９のピーク波長との差は
２００ｎｍ以上あるので、二次励起光１９を容易に分離
でき、高分解度の像が得られる。

【００３１】次に、具体的な露光方法の実施例を図４の
工程図を参照にして説明する。ここでは、輝尽蛍光体１
１としてピーク発光波長が紫外領域にある蛍光体を使っ
て、フォトマスクを作製する実施例を説明する。

【００３２】まず、Ｘ線露光に先立って工程で蛍光体
膜成膜を行う。すなわち、Ｘ線パターン記憶板１を作製
するために、輝尽蛍光体１１としてＲｂＢｒ：Ｔｌ
（０．１０ｍｏｌ％）を用い、石英ガラス基板１０上に
薄膜スパッタリング法で下記の条件でこれを成膜する。
輝尽蛍光体１１の成膜方法には、粉末の印刷法と、真空
蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、分子線
エピタキシャル法、イオン化蒸着法等の物理的成膜法と
があるが、前者の方法は、発光が蛍光体粒子の一粒一粒
が発光しているので、発光界面の精度が蛍光体の粒子径
に依存し、パターニングの精度が悪い。したがって、後
者の物理的成膜法による方が精度的に優れており、望ま
しい。薄膜スパッタリング法の成膜条件スパッタ装置：高周波スパッタリング装置ターゲット：ＲｂＢｒ：Ｔｉ（０．１０ｍｏｌ
％）、純度９９．９％基板温度：１３０℃ スパッタガス圧：３×１０^-3Ｔｏｒｒスパッタガス：Ａｒ（３０ｓｃｃｍ）スパッタ電力：７００Ｗ上記の成膜条件で所定の石英ガラス基板１０に専用治具
を使って約７００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに成膜す
る。

【００３３】次いで、工程において、図１に示すよう
なＸ線露光チャンバー４内に、レジスト膜とシリコンウ
エハの代わりに、工程で得られたＸ線パターン記憶板
１をセットし、露光のためのＳＯＲ放射光３としての連
続光（ピーク波長、０．７〜１ｎｍ）を照射する。Ｘ線
マスク２とＸ線パターン記憶板１の間の距離は１０μｍ
の近接露光方式で、用いるＸ線マスク２は図２に示した
ような等倍・透過型である。

【００３４】また、Ｘ線パターン記憶板１の作製及びそ
れへのＸ線露光とは別に、微細露光する基板上にレジス
ト膜の塗布等を行わなければならない。工程１におい
て、クロム膜を表面に成膜した所定寸法の石英ガラス基
板上にレジストをスピンナーで塗布する。用いるレジス
トは、紫外領域にピーク感度（３６５ｎｍ）のあるＡＺ
−５２０６（ヘキスト社製）を用いる。その塗布条件
は、３５００ｒｐｍ、２０秒でウエハ中央に上記レジス
トを滴下する。次いで、工程２で、上記レジストを塗布
した基板をホットプレート上で、９０℃、１０分間のプ
レベーク処理をする。

【００３５】そして、工程３において、工程でＸ線マ
スク２をＸ線露光して潜像を形成したＸ線パターン記憶
板１と工程２後に得られたレジストを塗布した基板とを
マスクアライナを用いてマスク合わせを行う。次いで、
工程４において、図３に示すレーザ露光システムを用い
て、光源１６にレーザダイオード（波長：７２０ｎｍ）
を使用し、コリメータレンズ１７で平行光束に変換し、
ポリゴンスキャナー１８を介してＸ線パターン記憶板１
上を二次励起光１９でスキャニングする。その結果、工
程でＸ線露光により描画された配線パターンは、輝尽
蛍光体１１であるＲｂＢｒ：Ｔｉ（０．１０ｍｏｌ％）
特有の３６０ｎｍのピーク波長の発光２０を行い、３６
５ｎｍに波長感度ピークを持つレジスト２２（ＡＺ−５
２０６、ヘキスト社製）を感光する。この場合、輝尽蛍
光体１１は薄膜に形成されているので、透明な膜の仕上
がりになっている。したがって、レーザダイオード１６
からの光１９でマスク１上をスキャニングした時、Ｘ線
パターン記憶板１のＸ線露光した部分（図３の輝尽蛍光
体１１の斜線部分）は発光するが、その他の部分はレー
ザダイオード１６からのピーク波長（７２０ｎｍ）の光
１９が通過し、レジスト２２塗布面に達する。しかしな
がら、この光１９はレジスト２２の感度波長からずれて
いるので感光しない。この組み合わせにより、高分解能
のパターニングが可能である。

【００３６】以上のようにしてＸ線パターンの潜像を転
写した後、Ｘ線パターン記憶板１は、工程によりハロ
ゲンランプからの強い可視光が全面に照射され、残った
記憶が完全に消去され、再度Ｘ線露光（工程）に使用
される。

【００３７】一方、Ｘ線パターン記憶板１をマスクとし
てパターン露光された基板上のレジスト２２は、工程５
において、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液（濃度２．３８％）を現像液としてその中に２
分間浸漬することにより現像される。

【００３８】次いで、工程６において、現像されたレジ
ストパターンをホットプレート上で、９０℃、１０分間
ポストベーク処理する。そして、工程７において、レジ
ストパターンから露出した基板上のクロム膜を下記の条
件でエッチングする。

【００３９】エッチング条件エッチング：ウエットエッチングエッチング液：硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇ過塩素酸（７０％）４２ｃｃ純水１０００ｃｃ条件：温度２３．５℃，時間５０秒次いで、工程８において、残ったレジストを熱濃Ｈ₂Ｓ
Ｏ₄（９８％）に浸漬して剥離し、工程９において、超
純水で５分間洗浄したところ、線幅０．６μｍの配線パ
ターンが得られた。

【００４０】以上、本発明の微細パターン露光方法を実
施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例
に限定されず種々の変形が可能である。例えば、輝尽蛍
光体層へ微細パターンを記憶させるのに、Ｘ線のみなら
ず、電子線、紫外線等を用いることができる。また、本
発明の露光方法は、半導体装置及びフォトマスクの製造
におけるフォトリソグラフィー工程だけでなく、その他
の微細パターンを露光する際に適用可能である。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の微細パターン露光方法によると、輝尽蛍光体層を有す
るパターン記憶板に微細パターンを一次励起線により露
光して潜像として記憶させ、次いで、パターン記憶板に
二次励起線を照射して輝尽発光像として記憶された微細
パターンを発光像化させ、この発光像化された輝尽発光
微細パターンを感光層に転写させるので、感光材料とし
てＸ線レジストを用いなくとも高解像度で微細なパター
ン露光ができる。さらに、輝尽蛍光体の発光波長を選ぶ
ことにより、露光の解像度を向上させることができる。
なお、パターン記憶板は簡単に繰り返し使用が可能なも
のである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によりＸ線マスクをＳＯＲ放射光により
Ｘ線パターン記憶板に転写する様子を示す図である。

【図２】Ｘ線マスクの構造を示す断面図である。

【図３】Ｘ線パターン記憶板からウエハ上へ転写するた
めの配置の１例を模式的に示す図である。

【図４】本発明の露光方法を用いるリソグラフィー工程
を示す図である。

【図５】従来のＳＯＲ放射光を用いたＸ線露光システム
の１例を示す図である。

【図６】図５のベリリウム窓以降の詳細を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…Ｘ線パターン記憶板２…Ｘ線マスク３…ＳＯＲ放射光４…Ｘ線露光チャンバー５、６…アライメントステージ７…アライメント光学系８…ベリリウム窓１０…ガラス基板１１…輝尽蛍光体１２…支持枠１３…透過膜１４…吸収体１５…補強枠ガラス１６…二次励起光用光源１７…コリメータレンズ１８…走査装置１９…二次励起光２０…輝尽発光２１…ウエハ２２…レジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】輝尽蛍光体層を有するパターン記憶板に
微細パターンを一次励起線により露光して潜像として記
憶させ、次いで、パターン記憶板に二次励起線を照射し
て輝尽発光像として記憶された微細パターンを発光像化
させ、この発光像化された輝尽発光微細パターンを感光
層に転写させることを特徴とする微細パターン露光方
法。
【請求項２】前記輝尽蛍光体層は物理的成膜法により
基板上に成膜されたものであることを特徴とする請求項
１記載の微細パターン露光方法。
【請求項３】前記感光層として前記輝尽発光の波長に
対して感光感度を有し、前記二次励起線の波長に対して
ほとんど感度を有しない材料を使用することを特徴とす
る請求項１又は２記載の微細パターン露光方法。
【請求項４】前記一次励起線がＸ線であることを特徴
とする請求項１から３の何れか１項記載の微細パターン
露光方法。
【請求項５】前記輝尽蛍光体として輝尽発光波長が紫
外域にあるものを用いることを特徴とする請求項１から
４の何れか１項記載の微細パターン露光方法。
【請求項６】前記転写を密着露光又は近接露光により
行うことを特徴とする請求項１から５の何れか１項記載
の微細パターン露光方法。
【請求項７】前記転写を投影露光により行うことを特
徴とする請求項１から５の何れか１項記載の微細パター
ン露光方法。
【請求項８】前記輝尽発光像としての発光像化を前記
二次励起線の走査による照射により行うことを特徴とす
る請求項１から７の何れか１項記載の微細パターン露光
方法。
【請求項９】前記輝尽発光像としての発光像化を前記
二次励起線の全面一括照射により行うことを特徴とする
請求項１から７の何れか１項記載の微細パターン露光方
法。
【請求項１０】フォトリソグラフィーの露光工程に用
いられることを特徴とする請求項１から９の何れか１項
記載の微細パターン露光方法。