JPH0794379A - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 下地の材質が均一でない場合でも、高精度に
パターンを形成することができる電子ビーム露光方法を
提供する。 【構成】 荷電粒子を加速電圧で加速して荷電粒子ビー
ムを形成し、該荷電粒子ビームを被露光基板表面上に形
成したレジスト膜の所望の位置に照射して、所望のパタ
ーンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、前記
被露光基板の表面層に形成する上層パターンと、該表面
層の下に既に形成されている下層パターンとの重なり部
分である下地有り露光パターンを抽出する工程と、前記
上層パターンから前記下地有り露光パターンを除去し、
下地無し露光パターンを抽出する工程と、前記下地有り
露光パターンを下地有りパターン用加速電圧、及び前記
下地無し露光パターンを下地無しパターン用加速電圧
で、荷電粒子を加速して露光する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム露光方
法に関し、特にいわゆる近接効果を補正して高精度の荷
電粒子ビーム露光パターンを形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム露光方法におけるパターン形
成では、レジスト膜に入射した電子がレジストにより多
重散乱を受けて広がる前方散乱と、基板により反射され
レジスト膜に再入射した電子による後方散乱により、所
望のパターンサイズより大きく描画されるという現象が
起こる。この現象は、パターンが密集して存在する場合
に顕著に現れるため、近接効果と呼ばれている。

【０００３】入射電子によるレジスト膜中の吸収エネル
ギ強度Ｆ（ｒ）は、

【０００４】

【数３】 Ｆ（ｒ）＝ｅｘｐ（−ｒ² ／Ａ² ）＋Ｂ・ｅｘｐ（−ｒ² ／Ｃ² ） で表される。ここで、ｒは電子の入射点からの距離、
Ａ、Ｂ、Ｃは定数であり、右辺第１項は前方散乱、第２
項は後方散乱によって与えられるものである。

【０００５】この近接効果を予め補正して設計どおりの
パターンを得るための近接効果補正方法として、図形削
除法、露光量補正法、または両者の併用法、およびゴー
スト露光法が知られている。

【０００６】図形削除法は、露光後のパターン幅の広が
りを見込んで露光パターンを所望のパターンよりも小さ
めに補正して露光する方法である。露光量補正法は、設
計どおりのパターン寸法になるような電子ビーム照射量
を算出して、算出された照射量に基づいて露光する方法
である。ゴースト露光法は、所望のパターンを露光した
後、白黒反転パターンを重ねて露光し、後方散乱の影響
を相殺する方法である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記近接効果補正方法
は、パターンが描画されるべき基板が均一の材質から形
成されており、レジスト膜の厚さも均一であることを前
提としている。しかし、実際の基板には、各種半導体プ
ロセスを経て、各種の薄膜（例えば、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃
Ｎ₄ 、アルミニウム、チタン、タングステン等）のパタ
ーンが形成されており、均一な材質ではない。

【０００８】このような基板上にパターニングを行う場
合、基板からの後方散乱強度は場所によって不均一とな
る。従って、ある場所では近接効果の補正が適正に行わ
れても、他の場所では適正に行われないといった問題が
あった。特に、タングステン配線等の重金属膜が形成さ
れている部分では、後方散乱強度が非常に大きくなり、
この部分のみ近接効果の補正を適正に行えず、解像不良
等が生じるという問題があった。

【０００９】図３（Ａ）〜（Ｆ）を参照して、重金属膜
が形成されている部分にパターンを形成する場合の問題
点について詳細に説明する。図３（Ａ）は基板５０上に
形成された重金属膜５１の平面図、図３（Ｂ）はＸＸ’
方向の断面図である。図３（Ｃ）は、重金属膜５１が部
分的に形成された基板５０の表面に形成する上層パター
ンの平面図である。同一の幅を有する２本の直線状のパ
ターン５６ａと５６ｂが形成されており、パターン５６
ａの一部は重金属膜５１に重なっている。

【００１０】図３（Ｄ）は、基板５０及び重金属膜５１
表面に上層膜５２、ネガのレジスト膜５３を形成した時
のＸＸ’方向の断面図である。パターン５６ａ、５６ｂ
の部分のみに電子ビーム５５が照射される。レジスト膜
５３のうち、電子ビーム５５に照射された部分５４ａ、
５４ｂは変質する。パターン５６ａに対応する変質部５
４ａは、下部の重金属膜５１によって後方散乱を受けた
電子によっても露光される。このため、変質部５４ａの
線幅はパターン５６ａの線幅よりも広がる。

【００１１】図３（Ｅ）は、レジスト膜５３の露光され
ていない部分を除去して、上層膜５２を選択エッチング
したときの基板の平面図、図３（Ｆ）は、ＸＸ’方向の
断面図である。パターン５６ａ、５６ｂに対応して上層
膜のパターン５２ａ、５２ｂが形成される。パターン５
２ｂは、近接効果が適正に補正されているため、設計ど
おりの線幅になるが、パターン５２ａの重金属膜５１と
重なった部分は、近接効果が適正に補正されていないた
め、後方散乱により線幅が広がる。

【００１２】このように、下地の材質が均一でない場合
には、後方散乱による影響も均一ではないため、従来の
近接効果補正方法では、設計どおりのパターンを得るこ
とが困難である。

【００１３】本発明の目的は、下地の材質が均一でない
場合でも、高精度にパターンを形成することができる電
子ビーム露光方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子ビーム
露光方法は、荷電粒子を加速電圧で加速して荷電粒子ビ
ームを形成し、該荷電粒子ビームを被露光基板表面上に
形成したレジスト膜の所望の位置に照射して、所望のパ
ターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、前
記被露光基板の表面層に形成する上層パターンと、該表
面層の下に既に形成されている下層パターンとの重なり
部分である下地有り露光パターンを抽出する工程と、前
記上層パターンから前記下地有り露光パターンを除去
し、下地無し露光パターンを抽出する工程と、前記下地
有り露光パターンを下地有りパターン用加速電圧、及び
前記下地無し露光パターンを下地無しパターン用加速電
圧で、荷電粒子を加速して露光する工程とを含む。

【００１５】好ましくは、荷電粒子によるレジスト膜中
の前方散乱による吸収エネルギ強度が、荷電粒子のレジ
スト膜への入射点からの距離ｒ、及び前方散乱定数Ａを
用いて、ｅｘｐ（−ｒ² ／Ａ² ）と表され、後方散乱に
よる吸収エネルギ強度が、前記ｒ、後方散乱第１定数
Ｂ、及び後方散乱第２定数Ｃを用いて、Ｂ・ｅｘｐ（−
ｒ² ／Ｃ² ）と表され、前記下地無し露光パターン部分
の前方散乱定数がＡ₁ 、後方散乱第１定数がＢ₁ 、後方
散乱第２定数がＣ₁ であり、前記下地有り露光パターン
部分の前方散乱定数がＡ₂ 、後方散乱第１定数がＢ₂ 、
後方散乱第２定数がＣ₂ である場合において、 前記下
地無し露光パターン内のほぼ中心を原点とした座標を
（ｘ₁ 、ｙ₁ ）、前記下地有り露光パターン内のほぼ中
心を原点とした座標を（ｘ₂ 、ｙ₂ ）で表し、前記下地
無し露光パターン及び前記下地有り露光パターン部分の
面積についての積分をそれぞれ∬_S1ｄＳ₁ 、∬_S2ｄＳ₂
で表したとき、前記下地無しパターン用加速電圧Ｅ₁ と
前記下地有りパターン用加速電圧Ｅ₂ との関係が、

【００１６】

【数４】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔Ａ₁ ²＋（１／２π）∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²） ／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕／ 〔Ａ₂ ²＋（１／２π）∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²） ／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 となってもよい。また、

【００１７】

【数５】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕／ 〔∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²）／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 となってもよい。

【００１８】

【作用】下地パターンが形成されていない部分を露光す
る時の加速電圧Ｅ₁ と、下地パターンが形成されている
部分を露光する時の加速電圧Ｅ₂ とを、

【００１９】

【数６】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔Ａ₁ ²＋（１／２π）∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²） ／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕／ 〔Ａ₂ ²＋（１／２π）∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²） ／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 または、

【００２０】

【数７】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕／ 〔∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²）／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 とすることにより、前方散乱及び後方散乱によるレジス
ト膜の露光量の相違を補償することができる。すなわ
ち、下地パターンが形成されていない部分と形成されて
いる部分の吸収エネルギ強度、または後方散乱のみによ
る吸収エネルギ強度を等しくすることができる。

【００２１】これにより、下地パターンが形成されてい
ない部分と形成されている部分で、前方散乱及び後方散
乱の影響が異なる場合でも設計どおりのパターンを形成
することができる。

【００２２】

【実施例】本発明の実施例について、タングステンパタ
ーンが一部に形成されたシリコン基板上にアルミニウム
の被加工層を堆積し、アルミニウム層をパターニングす
る場合を例にとって、以下に説明する。

【００２３】図１は、本実施例で使用する基板の断面を
示す。シリコン基板１０の表面の一部に、膜厚２０００
Åのタングステン層１１が形成されている。さらに、タ
ングステン層１１及びシリコン基板１０の表面を覆っ
て、膜厚５０００Åのアルミニウム層１２が堆積されて
いる。

【００２４】アルミニウム層１２の表面に、３層構造の
レジスト膜１３が塗布されている。レジスト膜１３の下
層は膜厚１４０００Åのノボラック系樹脂、中間層は膜
厚１００Åのミキシング防止層、上層は膜厚４０００Å
のＳＡＬ６０１（シプレー社製）で形成されている。

【００２５】図２は、タングステン層１１のパターン及
びアルミニウム層１２のパターンの平面図を示す。アル
ミニウム層１２のパターンは、下層のタングステン層１
１と重ならない部分１４と、重なる部分１５に分けるこ
とができる。

【００２６】レジスト膜１３を荷電粒子ビームでパター
ニングし、エッチングによりパターンをアルミニウム層
１２に転写する場合について説明する。レジスト膜１３
に入射した荷電粒子の後方散乱強度は、アルミニウム層
１２で後方散乱をうける荷電粒子によるもの（図中ａで
示すもの）と、タングステン層１１にまで入射した荷電
粒子によるもの（図中ｂで示すもの）の２種類に分ける
ことができる。

【００２７】荷電粒子のレジスト膜への入射点からの距
離をｒとすると、アルミニウム層１２からの後方散乱に
よるレジスト膜の吸収エネルギ強度Ｆ₁ は、ｒの関数と
して、

【００２８】

【数８】 Ｆ₁ （ｒ）＝Ｂ₁ ・ｅｘｐ（−ｒ² ／Ｃ₁ ²） …（１） と表される。ここで、Ｂ₁ 、Ｃ₁ は、基板の構成物質と
荷電粒子ビームの加速電圧によって決まる量であり、加
速電圧が３０ｋｅＶの条件下では、Ｂ₁ ＝０．０００
８、Ｃ₁ ＝４．３である。

【００２９】タングステン層１１まで入射した荷電粒子
の後方散乱によるレジスト膜の吸収エネルギ強度Ｆ
₂ は、ｒの関数として、

【００３０】

【数９】 Ｆ₂ （ｒ）＝Ｂ₂ ・ｅｘｐ（−ｒ² ／Ｃ₂ ²） …（２） で表される。ここで、Ｂ₂ 、Ｃ₂ は、上記と同様に基板
の構成物質と荷電粒子ビームの加速電圧によって決まる
量であり、加速電圧を３０ｋｅＶとすると、Ｂ₂＝０．
００２２、Ｃ₂ ＝２．６５である。

【００３１】また、下地にタングステン層１１がない部
分、及びタングステン層１１がある部分における前方散
乱によるレジスト膜の吸収エネルギ強度は、それぞれ

【００３２】

【数１０】 ｅｘｐ（−ｒ² ／Ａ₁ ²）、及びｅｘｐ（−ｒ² ／Ａ₂ ²） …（３） と表される。

【００３３】ここで、Ａ₁ 、Ａ₂ は、基板を構成する物
質と入射荷電粒子ビームの加速電圧によって決まる量で
ある。上記Ａ₁ 、Ｂ₁ 、Ｃ₁ 、Ａ₂ 、Ｂ₂ 、Ｃ₂ は、実
験的に、またはモンテカルロ法を用いた数値計算により
原理的に決定することができる。

【００３４】下地にタングステン層がない部分に、十分
大きなパターンを露光する場合の適正露光量をＱ₀ とす
ると、この時のパターン内部の一点における吸収エネル
ギ強度Ｆ₀ は、式（１）および式（３）を無限大の範囲
で面積分することにより、

【００３５】

【数１１】 Ｆ₀ ＝２πＱ₀ （Ａ₁ ²＋Ｂ₁ ・Ｃ₁ ²） …（４） と求めることができる。

【００３６】本実施例で使用したレジストＳＡＬ６０１
の場合、Ｑ₀ は約１０μＣ／ｃｍ²である。下地にタン
グステン層１２がない部分、すなわちパターン１４の部
分（面積Ｓ ₁ ）の露光量をＱ₁ としたときのパターン１
４内の一点Ｐ₁ の吸収エネルギ強度Ｆ₁ は、Ｐ₁ を原点
とした座標を（ｘ₁ 、ｙ₁ ）で表し、面積Ｓ₁ について
の積分を∬_S1ｄＳ₁ で表すと、

【００３７】

【数１２】 Ｆ₁ ＝Ｑ₁ 〔∬_S1ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／ Ａ₁ ²｝ｄＳ₁ ＋∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕 …（５） と求めることができる。

【００３８】ここで、Ａ₁ ²は面積Ｓ₁ の大きさに比して
十分小さい値であるので、点Ｐ₁ からの距離が大きくな
ればｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／ Ａ₁ ²｝の値は急激に
減少する。従って、面積Ｓ₁ についての積分は、無限大
の範囲についての積分に近似することができ、式（５）
の右辺第１項は、２πＡ₁ ²と置き換えることができる。

【００３９】また、パターン１４内の一点Ｐ₁ の吸収エ
ネルギ強度Ｆ₁ を適正量にするためには、

【００４０】

【数１３】 Ｆ₁ ＝Ｆ₀ …（６） となるように選べばよい。

【００４１】式（４）、（５）、（６）と、上記近似か
ら、パターン１４の適正露光量Ｑ₁は、

【００４２】

【数１４】 Ｑ₁ ＝Ｑ₀ （Ａ₁ ²＋Ｂ₁ ・Ｃ₁ ²）／〔Ａ₁ ²＋（１／２π）∬_S1Ｂ₁ ・ ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕 …（７） と求めることができる。

【００４３】同様に、下地にタングステン層１２がある
部分、すなわちパターン１５の部分（面積Ｓ₂ ）の適正
露光量Ｑ₂ は、パターン１５内の一点Ｐ₂ を原点とした
座標を（ｘ₂ 、ｙ₂ ）で表すと、

【００４４】

【数１５】 Ｑ₂ ＝Ｑ₀ （Ａ₁ ²＋Ｂ₁ ・Ｃ₁ ²）／〔Ａ₂ ²＋（１／２π）∬_S2Ｂ₂ ・ ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²）／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 …（８） と求めることができる。

【００４５】パターン１４およびパターン１５を露光す
る場合の加速電圧を、それぞれＥ₁およびＥ₂ とする
と、両パターン内の吸収エネルギ強度を一定にするため
には、

【００４６】

【数１６】 Ｑ₁ ／Ｅ₁ ＝Ｑ₂ ／Ｅ₂ …（９） の関係を満たすように、Ｅ₁ およびＥ₂ を選択すればよ
い。

【００４７】従って、式（７）、（８）、（９）からＥ
₁ とＥ₂ の比が

【００４８】

【数１７】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔Ａ₁ ²＋（１／２π）∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²） ／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕／ 〔Ａ₂ ²＋（１／２π）∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²） ／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 …（１０） となるように選択すればよい。

【００４９】実際には、計算を簡単にするため、式（１
０）の積分を無限大の面積についての積分に置き換え、

【００５０】

【数１８】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝（Ａ₁ ²＋η₁ Ｂ₁ ・Ｃ₁ ²）／（Ａ₂ ²＋η₂ Ｂ₂ ・Ｃ₂ ²） とする。ここで、η₁ 、η₂ は、例えば一辺の長さがＣ
₁ またはＣ₂ と同程度である正方形の面積Ｓ₀ に対する
面積Ｓ₁ 、Ｓ₂ の比を表す。すなわち、

【００５１】

【数１９】η₁ ＝Ｓ₁ ／Ｓ₀ およびη₂ ＝Ｓ₂ ／Ｓ₀ である。

【００５２】これから、加速電圧Ｅ₁ を３０ｋｅＶとし
た場合には、加速電圧Ｅ₂ は、

【００５３】

【数２０】 Ｅ₂ ＝(0.123² ＋0.0008×4.31² ×η₁)／(0.105² ＋0.002 ×2.65² ×η₂)×30 ＝30×(0.015＋0.015 η₁)／(0.011＋0.014 η₂) となる。一例として、η₁ ＝η₂ ＝０．５とすれば、

【００５４】

【数２１】Ｅ₂ ＝３７．５ｋｅＶ となる。

【００５５】すなわち、下地にタングステン層１２がな
いパターン１４の部分を加速電圧３０ｋｅＶで露光し、
下地にタングステン層１２があるパターン１５の部分を
加速電圧３７．５ｋｅＶで露光すれば、両パターンとも
吸収エネルギ強度は等しくなる。

【００５６】上述の方法は、下地にタングステン層があ
る部分とない部分との前方散乱及び後方散乱による吸収
エネルギ強度を等しくする方法であるが、後方散乱のみ
による吸収エネルギ強度を等しくしてもよい。

【００５７】すなわち、

【００５８】

【数２２】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕 ／〔∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²）／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 となるようにしてもよい。

【００５９】この場合、後方散乱効果の弱い部分は、露
光量を多くする必要があるため、吸収エネルギが過剰に
なる。しかし、この過剰な部分は主に前方散乱による吸
収エネルギであるため、その吸収エネルギ強度の空間的
立ち上がりは急峻であり、パターン寸法に与える影響は
少ない。

【００６０】上記実施例と同様の露光条件を用いると、

【００６１】

【数２３】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝(0.0008 ×4.31² ×η₁)／(0.002×2.65² ×η₂) となり、一例として、η₁ ＝η₂ ＝０．５とすれば、

【００６２】

【数２４】Ｅ₂ ＝３１．７ｋｅＶ となる。

【００６３】下地の材質の相違による近接効果の差を補
償するために、下地の材質によって露光量Ｑを変化させ
る方法も考えられるが、本実施例のように加速電圧Ｅを
変化させる方法は、露光量を変化させる方法に比べて下
記の利点がある。

【００６４】すなわち、露光量Ｑを変化させる方法で
は、上述の吸収エネルギ強度の各定数Ａ、Ｂ、Ｃは一定
の値である。この方法で、定数Ａの大きさと同程度の極
微細パターンを露光しようとすると、前方散乱の影響が
無視できなくなり、設計通りのパターンを形成すること
が困難となる。

【００６５】これに対し、加速電圧を変化させる方法で
は、極微細パターンの露光時に、もし下地にパターンが
存在する場合には、加速電圧を上昇させることになり、
前方散乱定数Ａを小さくする効果をもたらす。このた
め、極微細パターンを解像性よく形成することができ
る。

【００６６】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板表面の下地に形成された各種パターンの材質等の相
違による近接効果の差を正確かつ高速に補正することが
できる。従って、荷電粒子ビーム露光によって設計どお
りのパターンを容易に形成することが可能になる。これ
により、信頼性の高い半導体装置の製造が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】荷電粒子ビームの後方散乱電子のふるまいを説
明するための、試料の断面図である。

【図２】本発明の実施例で使用したタングステン層及び
アルミニウム層のマスクパターンの平面図である。

【図３】従来例による近接効果を説明するための試料の
平面図及び断面図である。

【符号の説明】

１０ シリコン基板 １１ タングステン層 １２ アルミニウム層 １３ レジスト膜 １４ 下地にタングステン層がないアルミニウム層パ
ターン １５ 下地にタングステン層があるアルミニウム層パ
ターン ５０ 基板 ５１ 重金属膜 ５２、５２ａ、５２ｂ 上層膜 ５３ レジスト膜 ５４ａ、５４ｂ 変質部 ５５ 電子ビーム ５６ａ、５６ｂ 上層パターン

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 荷電粒子を加速電圧で加速して荷電粒子
   ビームを形成し、該荷電粒子ビームを被露光基板表面上
   に形成したレジスト膜の所望の位置に照射して、所望の
   パターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、 前記被露光基板の表面層に形成する上層パターン（１
   ２）と、該表面層の下に既に形成されている下層パター
   ン（１１）との重なり部分である下地有り露光パターン
   （１５）を抽出する工程と、 前記上層パターンから前記下地有り露光パターンを除去
   し、下地無し露光パターン（１４）を抽出する工程と、 前記下地有り露光パターンを下地有りパターン用加速電
   圧、及び前記下地無し露光パターンを下地無しパターン
   用加速電圧で、荷電粒子を加速して露光する工程とを含
   む荷電粒子ビーム露光方法。
2. 【請求項２】 荷電粒子によるレジスト膜中の前方散乱
   による吸収エネルギ強度が、荷電粒子のレジスト膜への
   入射点からの距離ｒ、及び前方散乱定数Ａを用いて、ｅ
   ｘｐ（−ｒ² ／Ａ² ）と表され、後方散乱による吸収エ
   ネルギ強度が、前記ｒ、後方散乱第１定数Ｂ、及び後方
   散乱第２定数Ｃを用いて、Ｂ・ｅｘｐ（−ｒ² ／Ｃ² ）
   と表され、 前記下地無し露光パターン部分の前方散乱定数がＡ₁ 、
   後方散乱第１定数がＢ ₁ 、後方散乱第２定数がＣ₁ であ
   り、 前記下地有り露光パターン部分の前方散乱定数がＡ₂ 、
   後方散乱第１定数がＢ ₂ 、後方散乱第２定数がＣ₂ であ
   る場合において、 前記下地無し露光パターン内のほぼ中心を原点とした座
   標を（ｘ₁ 、ｙ₁ ）、前記下地有り露光パターン内のほ
   ぼ中心を原点とした座標を（ｘ₂ 、ｙ₂ ）で表し、 前記下地無し露光パターン及び前記下地有り露光パター
   ン部分の面積についての積分をそれぞれ∬_S1ｄＳ₁ 、∬
   _S2ｄＳ₂ で表したとき、前記下地無しパターン用加速電
   圧Ｅ₁ と前記下地有りパターン用加速電圧Ｅ₂ との関係
   が、ほぼ 【数１】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔Ａ₁ ²＋（１／２π）∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²） ／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕／ 〔Ａ₂ ²＋（１／２π）∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²） ／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 となる請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。
3. 【請求項３】 荷電粒子によるレジスト膜中の後方散乱
   による吸収エネルギ強度が、荷電粒子のレジスト膜への
   入射点からの距離ｒ、後方散乱第１定数Ｂ、及び後方散
   乱第２定数Ｃを用いて、Ｂ・ｅｘｐ（−ｒ² ／Ｃ² ）と
   表され、 前記下地無し露光パターン部分の後方散乱第１定数がＢ
   ₁ 、後方散乱第２定数がＣ₁ であり、 前記下地有り露光パターン部分の後方散乱第１定数がＢ
   ₂ 、後方散乱第２定数がＣ₂ である場合において、 前記下地無し露光パターン内のほぼ中心を原点とした座
   標を（ｘ₁ 、ｙ₁ ）、前記下地有り露光パターン内のほ
   ぼ中心を原点とした座標を（ｘ₂ 、ｙ₂ ）で表し、 前記下地無し露光パターン及び前記下地有り露光パター
   ン部分の面積についての積分をそれぞれ∬_S1ｄＳ₁ 、∬
   _S2ｄＳ₂ で表したとき、前記下地無しパターン用加速電
   圧Ｅ₁ と前記下地有りパターン用加速電圧Ｅ₂ との関係
   が、ほぼ 【数２】 Ｅ₂ ／Ｅ₁ ＝〔∬_S1Ｂ₁ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₁ ²＋ｙ₁ ²）／Ｃ₁ ²｝ｄＳ₁ 〕 ／〔∬_S2Ｂ₂ ・ｅｘｐ｛−（ｘ₂ ²＋ｙ₂ ²）／Ｃ₂ ²｝ｄＳ₂ 〕 となる請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。