JPH079402Y2 - エキシマレ−ザ装置 - Google Patents
エキシマレ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH079402Y2 JPH079402Y2 JP1986161820U JP16182086U JPH079402Y2 JP H079402 Y2 JPH079402 Y2 JP H079402Y2 JP 1986161820 U JP1986161820 U JP 1986161820U JP 16182086 U JP16182086 U JP 16182086U JP H079402 Y2 JPH079402 Y2 JP H079402Y2
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- Japan
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- excimer laser
- electrode
- laser device
- carbon content
- laser
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は、エキシマレーザ（Excimer Laser）装置に
関するものである。
関するものである。
［従来の技術］ 第４図は例えばレーザ研究第11巻第５巻「放電励起エキ
シマレーザ装置」に示されたエキシマレーザ装置の放電
部を示す模式的な断面図であり、図において、１は電
源、２はレーザ管を構成する筐体、３は希ガス，ハロゲ
ンガスを充満される筐体２内のレーザガス室、４はコン
デンサ、５は予備電離用対向ギヤツプ電極、６は予備電
離用対向ギヤツプ電極５で生成された電子の動きを示す
矢印、7Aはアルミニウム，真鍮材料，ステンレス鋼ある
いはニツケル材料等で構成された主電極である。
シマレーザ装置」に示されたエキシマレーザ装置の放電
部を示す模式的な断面図であり、図において、１は電
源、２はレーザ管を構成する筐体、３は希ガス，ハロゲ
ンガスを充満される筐体２内のレーザガス室、４はコン
デンサ、５は予備電離用対向ギヤツプ電極、６は予備電
離用対向ギヤツプ電極５で生成された電子の動きを示す
矢印、7Aはアルミニウム，真鍮材料，ステンレス鋼ある
いはニツケル材料等で構成された主電極である。
なお、第５図は上述した従来のエキシマレーザ装置（主
電極7Aニツケル材料を用いたもの）によるエキシマレー
ザ出力の経時特性を示すグラフである。
電極7Aニツケル材料を用いたもの）によるエキシマレー
ザ出力の経時特性を示すグラフである。
次に動作について説明する。上述のようなエキシマレー
ザ装置では、電源１によつて電力が供給され、コンデン
サ４に電荷が蓄積される。このとき、予備電離用対向ギ
ヤツプ電極５では、火花放電により電子が多量に生成さ
れ、矢印６で示すように主電極7Aの周囲に電子が集ま
る。
ザ装置では、電源１によつて電力が供給され、コンデン
サ４に電荷が蓄積される。このとき、予備電離用対向ギ
ヤツプ電極５では、火花放電により電子が多量に生成さ
れ、矢印６で示すように主電極7Aの周囲に電子が集ま
る。
そして、コンデンサ４に充分に電荷が蓄積されると、そ
のエネルギで主電極7Aが放電を行ないレーザ発振する。
のエネルギで主電極7Aが放電を行ないレーザ発振する。
［考案が解決しようとする問題点］ 従来のエキシマレーザ装置は以上のように構成されてい
るので、アルミニウムや真鍮材料で形成された主電極7A
では、アルミニウムや真鍮材料の融点がニツケル材料等
の融点に比べて低く、主電極7Aの放電によりその表面が
荒れて、放電が不安定になり易く、均質なレーザビーム
が得られなくなるという問題点があつた。
るので、アルミニウムや真鍮材料で形成された主電極7A
では、アルミニウムや真鍮材料の融点がニツケル材料等
の融点に比べて低く、主電極7Aの放電によりその表面が
荒れて、放電が不安定になり易く、均質なレーザビーム
が得られなくなるという問題点があつた。
また、主電極7Aをステンレス鋼やニツケル材料で形成し
た場合には、第５図に示すように、エキシマレーザ出力
の経時特性が良くなく、同レーザ出力が著しく低下する
という問題点があつた。特に、ニツケル材料を用いる場
合、同材料中に含有される炭素成分が多く、レーザガス
室３中においてこの炭素成分がレーザガス中のハロゲン
ガス（特にフツ素）と反応してフロロカーボン（CF4）
を生成するため、このフロロカーボンによつてエキシマ
レーザ出力が低下する。
た場合には、第５図に示すように、エキシマレーザ出力
の経時特性が良くなく、同レーザ出力が著しく低下する
という問題点があつた。特に、ニツケル材料を用いる場
合、同材料中に含有される炭素成分が多く、レーザガス
室３中においてこの炭素成分がレーザガス中のハロゲン
ガス（特にフツ素）と反応してフロロカーボン（CF4）
を生成するため、このフロロカーボンによつてエキシマ
レーザ出力が低下する。
この考案は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、均質なレーザビームを得られるとともに、レ
ーザ出力の低下を防止できるようにした、エキシマレー
ザ装置を得ることを目的とする。
たもので、均質なレーザビームを得られるとともに、レ
ーザ出力の低下を防止できるようにした、エキシマレー
ザ装置を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この考案に係るエキシマレーザ装置は、フッ素ガスを含
む希ガス，ハロゲンガス雰囲気中で放電を行なつてレー
ザ発振する電極を、炭素含有率0.05％以下の低炭素含有
ニッケル材（炭素含有量０のものも含む）で構成したも
のである。
む希ガス，ハロゲンガス雰囲気中で放電を行なつてレー
ザ発振する電極を、炭素含有率0.05％以下の低炭素含有
ニッケル材（炭素含有量０のものも含む）で構成したも
のである。
［作用］ この考案におけるエキシマレーザ装置では、電極が炭素
含有率0.05％以下の低炭素含有ニッケル材で構成される
ため、その炭素成分とフッ素ガスとが反応して生成され
るフロロカーボンの生成量が減少する。
含有率0.05％以下の低炭素含有ニッケル材で構成される
ため、その炭素成分とフッ素ガスとが反応して生成され
るフロロカーボンの生成量が減少する。
［考案の実施例］ 以下、この考案の一実施例を図について説明する。第１
図はこの考案の一実施例によるエキシマレーザ装置の放
電部を示す模式的な断面図、第２図は同装置のレーザガ
ス室内において生成されるフロロカーボン濃度を従来の
ものと比較して示すグラフ、第３図は同装置によるエキ
シマレーザ出力の経時特性を従来のものと比較して示す
グラフである。
図はこの考案の一実施例によるエキシマレーザ装置の放
電部を示す模式的な断面図、第２図は同装置のレーザガ
ス室内において生成されるフロロカーボン濃度を従来の
ものと比較して示すグラフ、第３図は同装置によるエキ
シマレーザ出力の経時特性を従来のものと比較して示す
グラフである。
第１図に示すように、本実施例の装置も従来のものとほ
ぼ同様に構成されており、第１図において、１は電源、
２はレーザ管を構成する筐体、３は希ガス，ハロゲンガ
スを充満される筐体２内のレーザガス室、４はコンデン
サ、５は予備電離用対向ギヤツプ電極、６は予備電離用
対向ギヤツプ電極５で生成された電子の動きを示す矢印
である。
ぼ同様に構成されており、第１図において、１は電源、
２はレーザ管を構成する筐体、３は希ガス，ハロゲンガ
スを充満される筐体２内のレーザガス室、４はコンデン
サ、５は予備電離用対向ギヤツプ電極、６は予備電離用
対向ギヤツプ電極５で生成された電子の動きを示す矢印
である。
また、７は電極としての主電極であり、本実施例におい
て、この主電極７は、低炭素含有ニツケル材料［三菱金
属（株）の純ニツケル製品LC-Ni炭素含有率0.02％］で
構成されている。
て、この主電極７は、低炭素含有ニツケル材料［三菱金
属（株）の純ニツケル製品LC-Ni炭素含有率0.02％］で
構成されている。
次に動作について説明する。上述のようなエキシマレー
ザ装置では、従来装置と全く同様に、電源１によつて電
力が供給され、コンデンサ４に電荷が蓄積される。この
とき、予備電離用対向ギヤツプ電極５では、火花放電に
より電子が多量に生成され、矢印６で示すように主電極
７の周囲に電子が集まる。
ザ装置では、従来装置と全く同様に、電源１によつて電
力が供給され、コンデンサ４に電荷が蓄積される。この
とき、予備電離用対向ギヤツプ電極５では、火花放電に
より電子が多量に生成され、矢印６で示すように主電極
７の周囲に電子が集まる。
そして、コンデンサ４に充分に電荷が蓄積されると、そ
のエネルギで主電極７が放電を行ないレーザ発振する。
のエネルギで主電極７が放電を行ないレーザ発振する。
ところで、本実施例では、主電極７が低炭素含有ニツケ
ル材で構成されるため、従来よりもニツケル材中に含ま
れる炭素含有率が低くなり、第２図に実線で示すよう
に、点線で示す従来のものに比べ、その炭素成分とハロ
ゲンガスとが反応して生成されるフロロカーボン（C
F4）の生成量が減少する。
ル材で構成されるため、従来よりもニツケル材中に含ま
れる炭素含有率が低くなり、第２図に実線で示すよう
に、点線で示す従来のものに比べ、その炭素成分とハロ
ゲンガスとが反応して生成されるフロロカーボン（C
F4）の生成量が減少する。
ここで、第２図は、発振周波数50ppsのレーザは発振し
た場合に、レーザガス室３内において生成されるフロロ
カーボン（CF4：赤外線吸収法で測定）と、レーザ発振
時間との関係を示すグラフであり、図中、実線は本実施
例の装置によるもの（炭素含有率0.02％）についての測
定結果を示し、点線は従来装置によるもの［例えば、炭
素含有率0.9％の三菱金属（株）の純ニツケル製品キヤ
ストNiを主電極7Aに適用したもの］についての測定結果
を示している。
た場合に、レーザガス室３内において生成されるフロロ
カーボン（CF4：赤外線吸収法で測定）と、レーザ発振
時間との関係を示すグラフであり、図中、実線は本実施
例の装置によるもの（炭素含有率0.02％）についての測
定結果を示し、点線は従来装置によるもの［例えば、炭
素含有率0.9％の三菱金属（株）の純ニツケル製品キヤ
ストNiを主電極7Aに適用したもの］についての測定結果
を示している。
このように、本実施例では、レーザ発振時間がかなり経
過しても、レーザガス室３内のフロロカーボン濃度は低
いので、第３図に実線で示すように、点線で示す従来の
ものに比べ、エキシマレーザ出力の低下を防止できるよ
うになり、エキシマレーザ装置の出力が極めて安定し、
均質なレーザビームが得られるものである。
過しても、レーザガス室３内のフロロカーボン濃度は低
いので、第３図に実線で示すように、点線で示す従来の
ものに比べ、エキシマレーザ出力の低下を防止できるよ
うになり、エキシマレーザ装置の出力が極めて安定し、
均質なレーザビームが得られるものである。
ここで、第３図は、第２図と同じく発振周波数50ppsの
レーザを発振した場合のエキシマレーザ出力と、レーザ
発振時間との関係を示すグラフであり、図中、実線は本
実施例の装置によるもの（炭素含有率0.02％）について
の測定結果を示し、点線は従来装置によるもの（炭素含
有率0.9％）についての測定結果を示している。
レーザを発振した場合のエキシマレーザ出力と、レーザ
発振時間との関係を示すグラフであり、図中、実線は本
実施例の装置によるもの（炭素含有率0.02％）について
の測定結果を示し、点線は従来装置によるもの（炭素含
有率0.9％）についての測定結果を示している。
なお、上記実施例では、主電極７を低炭素含有ニツケル
材で構成した場合について説明したが、予備電離用対向
ギヤツプ電極５も低炭素含有ニツケル材で構成してもよ
く、上述と同様の効果が得られる。
材で構成した場合について説明したが、予備電離用対向
ギヤツプ電極５も低炭素含有ニツケル材で構成してもよ
く、上述と同様の効果が得られる。
また、上記実施例では、低炭素含有ニツケル材として、
炭素含有率0.02％のものを用いているが、炭素含有率0.
05％以下のものであれば、上述と同様の効果が得られ
る。
炭素含有率0.02％のものを用いているが、炭素含有率0.
05％以下のものであれば、上述と同様の効果が得られ
る。
［考案の効果］ 以上のように、この考案によれば、電極が炭素含有率0.
05％以下の低炭素含有ニツケル材で構成されるため、そ
の炭素成分とフッ素ガスとが反応して生成されるフロロ
カーボンの生成量が減少するようになつて、エキシマレ
ーザ出力の低下が確実に防止され、均質なレーザビーム
が得られるとともに、エキシマレーザ出力が極めて安定
するという効果がある。
05％以下の低炭素含有ニツケル材で構成されるため、そ
の炭素成分とフッ素ガスとが反応して生成されるフロロ
カーボンの生成量が減少するようになつて、エキシマレ
ーザ出力の低下が確実に防止され、均質なレーザビーム
が得られるとともに、エキシマレーザ出力が極めて安定
するという効果がある。
第１〜３図はこの考案の一実施例によるエキシマレーザ
装置を示すもので、第１図はその放電部を模式的な断面
図、第２図は同装置のレーザガス室内において生成され
るフロロカーボン濃度を従来のものと比較して示すグラ
フ、第３図は同装置によるエキシマレーザ出力の経時特
性を従来のものと比較して示すグラフであり、第4,5図
は従来のエキシマレーザ装置を示すもので、第４図はそ
の放電部を示す断面図、第５図は従来装置によるエキシ
マレーザ出力の経時特性を示すグラフである。 図において、７……電極としての主電極。 なお、図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。
装置を示すもので、第１図はその放電部を模式的な断面
図、第２図は同装置のレーザガス室内において生成され
るフロロカーボン濃度を従来のものと比較して示すグラ
フ、第３図は同装置によるエキシマレーザ出力の経時特
性を従来のものと比較して示すグラフであり、第4,5図
は従来のエキシマレーザ装置を示すもので、第４図はそ
の放電部を示す断面図、第５図は従来装置によるエキシ
マレーザ出力の経時特性を示すグラフである。 図において、７……電極としての主電極。 なお、図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。
Claims (1)
- 【請求項１】フッ素ガスを含む希ガス，ハロゲンガス雰
囲気中の電極が放電を行なうことによりレーザ発振する
エキシマレーザ装置において、上記電極が、炭素含有率
0.05％以下の低炭素含有ニッケル材で構成されたことを
特徴とするエキシマレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986161820U JPH079402Y2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | エキシマレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986161820U JPH079402Y2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | エキシマレ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367275U JPS6367275U (ja) | 1988-05-06 |
| JPH079402Y2 true JPH079402Y2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=31088492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986161820U Expired - Lifetime JPH079402Y2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | エキシマレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079402Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4370175A (en) * | 1979-12-03 | 1983-01-25 | Bernard B. Katz | Method of annealing implanted semiconductors by lasers |
| JPS6190485A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | パルスレ−ザ発振器 |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP1986161820U patent/JPH079402Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6367275U (ja) | 1988-05-06 |
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