JPH0428271A - エキシマレーザ - Google Patents
エキシマレーザInfo
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- JPH0428271A JPH0428271A JP13178990A JP13178990A JPH0428271A JP H0428271 A JPH0428271 A JP H0428271A JP 13178990 A JP13178990 A JP 13178990A JP 13178990 A JP13178990 A JP 13178990A JP H0428271 A JPH0428271 A JP H0428271A
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- Japan
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- laser
- carbon
- gas
- halogen
- excimer laser
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザガスにハロゲンを含むエキシマレーザ
に関するものである。
に関するものである。
（従来の技術）
従来のエキシマレーザの一例を第３図に示す。このパル
スガスレーザについては、文献Ｆオプトロニクス（ＯＰ
ＴＲＯＮＩＣ８）Ｊ ５月号（１９８６年）に詳細に記
載されている。この従来のパルスガスレーザでは、励起
回路に容量移行型励起回路７を用いている。このパルス
ガスレーザで用いている容量移行型励起回路７は、放電
電極タリ８と、ピーキングコンデンサ９と直列に接続し
ているアークギャップ１−０と、スイッチング素子であ
る→ノ゛イラトロン１１と充電用コンデンサ１フからな
る充電部とから構成され、放電電極対８とピーキングコ
ンデンサ９と充電部とが並列に接続している。このパル
スガスレーザにおいて、レーザ発振を行なわせるために
は、サイラトロン１１を導通させ充電用コンデン→ノ゛
１２の充電エネルギーをアークギャップ１０を介してピ
ーキングコンデンサ９に移行させる。この時、アークギ
ヤノブ１０でのアーク放電で発生ずる紫外線で放電電極
間のレーザガスを予備電離する。この結果、ピーキング
コンデンサ９に蓄えられたエネルギーが放電電極間に人
力される際、放電電極間にレーザ励起を行なうグロー放
電が起き、レーザ出力を得ることができる。この装置で
は、レーザガスを到じ込めるレーザ容器の６の一部が絶
縁材料から成っている。一般に、レーザガス中にハロゲ
ンガスを含むエキシマレーザにおいては、絶縁材料とし
て耐Ｆ２性の高いフッ素系の炭素成分を含む有機材料を
用いている。このフッ素系の有機材料で、励起回路の一
部である放電電極対の中で電気的絶縁を必要とする放電
電極８の絶縁を行っている。
スガスレーザについては、文献Ｆオプトロニクス（ＯＰ
ＴＲＯＮＩＣ８）Ｊ ５月号（１９８６年）に詳細に記
載されている。この従来のパルスガスレーザでは、励起
回路に容量移行型励起回路７を用いている。このパルス
ガスレーザで用いている容量移行型励起回路７は、放電
電極タリ８と、ピーキングコンデンサ９と直列に接続し
ているアークギャップ１−０と、スイッチング素子であ
る→ノ゛イラトロン１１と充電用コンデンサ１フからな
る充電部とから構成され、放電電極対８とピーキングコ
ンデンサ９と充電部とが並列に接続している。このパル
スガスレーザにおいて、レーザ発振を行なわせるために
は、サイラトロン１１を導通させ充電用コンデン→ノ゛
１２の充電エネルギーをアークギャップ１０を介してピ
ーキングコンデンサ９に移行させる。この時、アークギ
ヤノブ１０でのアーク放電で発生ずる紫外線で放電電極
間のレーザガスを予備電離する。この結果、ピーキング
コンデンサ９に蓄えられたエネルギーが放電電極間に人
力される際、放電電極間にレーザ励起を行なうグロー放
電が起き、レーザ出力を得ることができる。この装置で
は、レーザガスを到じ込めるレーザ容器の６の一部が絶
縁材料から成っている。一般に、レーザガス中にハロゲ
ンガスを含むエキシマレーザにおいては、絶縁材料とし
て耐Ｆ２性の高いフッ素系の炭素成分を含む有機材料を
用いている。このフッ素系の有機材料で、励起回路の一
部である放電電極対の中で電気的絶縁を必要とする放電
電極８の絶縁を行っている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、従来のエキシマレーザにおいてはレーザを動作
さぜると、レーザのゲインの低下やレーザ光の取り出し
効率が低くなり、レーザ出力が動作ショツト数と共に急
激に減少するという課題があった。これは、放電電極対
間の放電光やアークギャップの予備電離光のために炭素
成分を含む有機旧料からハロゲンガスと化学反応したハ
ロゲン化カーボンが発生することに起因する。このハロ
ゲン化カーボンは、レーザ光や予備電離光を吸収したり
、レーザ光による光ＣＶＤでレーザ光の共振器である光
学窓に堆積するカーボン薄膜の原料どなる。この結果、
レーザ出力が動作ショツト数と共に減少するという減少
が起る。このことを第２図を用いて説明する。
さぜると、レーザのゲインの低下やレーザ光の取り出し
効率が低くなり、レーザ出力が動作ショツト数と共に急
激に減少するという課題があった。これは、放電電極対
間の放電光やアークギャップの予備電離光のために炭素
成分を含む有機旧料からハロゲンガスと化学反応したハ
ロゲン化カーボンが発生することに起因する。このハロ
ゲン化カーボンは、レーザ光や予備電離光を吸収したり
、レーザ光による光ＣＶＤでレーザ光の共振器である光
学窓に堆積するカーボン薄膜の原料どなる。この結果、
レーザ出力が動作ショツト数と共に減少するという減少
が起る。このことを第２図を用いて説明する。
第２図は、エキシマレーザとしてＡｒＦエキシマレーザ
の場合のレーザ出力のＣＦ４濃度依存性を示す実験例で
、レーザガスに注入したＣＦ４濃度の上昇と共にレーザ
出力が減少しといることか判る。
の場合のレーザ出力のＣＦ４濃度依存性を示す実験例で
、レーザガスに注入したＣＦ４濃度の上昇と共にレーザ
出力が減少しといることか判る。
本発明の目的は、レーザガス寿命が長いエキシマレーザ
を提供することである。
を提供することである。
（課題を解決するだめの手段）
本発明によるエキシマレーザは、少なくともレーザ励起
を行う励起回路と、放電電極対間のレーザガスを予備電
離させる手段と、容器の一部が耐ハロゲン性の高い絶縁
物で炭素成分を含まない無機材料から成るレーザガスを
封じるレーザ容器とから構成されていることを特徴とし
ている。
を行う励起回路と、放電電極対間のレーザガスを予備電
離させる手段と、容器の一部が耐ハロゲン性の高い絶縁
物で炭素成分を含まない無機材料から成るレーザガスを
封じるレーザ容器とから構成されていることを特徴とし
ている。
（作用）
本発明によるエキシマレーザでは、レーザ容器の一部を
耐ハロゲン性が高く炭素成分を含まない無機材料で構成
している。このため、従来のエキシマレーザに用いられ
ているフッ素系の有機材料と異なり、炭素成分が含まれ
ていないため、放電光や予備電離光中でのハロゲンガス
との化学反応によるハロゲン化カーボンの発生がない。
耐ハロゲン性が高く炭素成分を含まない無機材料で構成
している。このため、従来のエキシマレーザに用いられ
ているフッ素系の有機材料と異なり、炭素成分が含まれ
ていないため、放電光や予備電離光中でのハロゲンガス
との化学反応によるハロゲン化カーボンの発生がない。
この結果、ハロゲン化カーボンによるレーザ光や予備電
離光の吸収がなく、さらに光学窓へのカーボン薄膜の堆
積が抑えられ、レーザガスの長寿命化が図れる。
離光の吸収がなく、さらに光学窓へのカーボン薄膜の堆
積が抑えられ、レーザガスの長寿命化が図れる。
（実施例）
次に、図面を用いて本発明の実施例をＡｒＦエキシマレ
ーザの場合について説明する。
ーザの場合について説明する。
第１図に本発明の一実施例であるＡｒＦエキシマレーザ
の構造図を示す。第１図に示したＡｒＦエキシマレーザ
は、励起回路に容量移行型励起回路３を用い放電電極４
対間の放電でレーザガスを励起し、レーザ発振を行う第
３図と同様の構造をもつ。このＡｒＦエキシマレーザと
、第３図に構造図を示した従来のエキシマレーザと異な
る点は、レーザ容器２の一部を構成する絶縁材料に従来
のエキシマレーザで用いられているフッ素の有機材料の
代わりにＡｌ２Ｏ３セラミック１を用いた点である。Ａ
１□ｏ３セラミック１は、耐Ｆ２性が高く炭素成分を含
まない無機材料である。このため、ＡｒＦエキシマレー
ザを動作させてもハロゲン化カーボンであるＣＦ４の発
生がなく、そのために第２図に示した実施例のようにＣ
Ｆ４によるレーザ出力の低下が起きずレーザガスの長寿
命化が図られる。
の構造図を示す。第１図に示したＡｒＦエキシマレーザ
は、励起回路に容量移行型励起回路３を用い放電電極４
対間の放電でレーザガスを励起し、レーザ発振を行う第
３図と同様の構造をもつ。このＡｒＦエキシマレーザと
、第３図に構造図を示した従来のエキシマレーザと異な
る点は、レーザ容器２の一部を構成する絶縁材料に従来
のエキシマレーザで用いられているフッ素の有機材料の
代わりにＡｌ２Ｏ３セラミック１を用いた点である。Ａ
１□ｏ３セラミック１は、耐Ｆ２性が高く炭素成分を含
まない無機材料である。このため、ＡｒＦエキシマレー
ザを動作させてもハロゲン化カーボンであるＣＦ４の発
生がなく、そのために第２図に示した実施例のようにＣ
Ｆ４によるレーザ出力の低下が起きずレーザガスの長寿
命化が図られる。
本発明の実施例において、無機材料の絶縁体としてるＡ
１□０３セラミックを用いたが他の炭素成分を含ます剛
Ｆ２性の高い絶縁体を用いても良い。さらに、本発明の
実施例としてＡｒＦエキシマレーザについて述べたが、
ＸｅＣ１エキシマレーザやＫｒＦエキシマレーザ等の他
のエキシマレーザについても同様の効果が得られるので
、ＡｒＦエキシマレーザに限定されるものではない。さ
らに、本発明の実施例においてレーザ励起の励起回路に
容量移行型励起回路を用いたが、特にこの励起回路に限
定されるものではない。
１□０３セラミックを用いたが他の炭素成分を含ます剛
Ｆ２性の高い絶縁体を用いても良い。さらに、本発明の
実施例としてＡｒＦエキシマレーザについて述べたが、
ＸｅＣ１エキシマレーザやＫｒＦエキシマレーザ等の他
のエキシマレーザについても同様の効果が得られるので
、ＡｒＦエキシマレーザに限定されるものではない。さ
らに、本発明の実施例においてレーザ励起の励起回路に
容量移行型励起回路を用いたが、特にこの励起回路に限
定されるものではない。
（発明の効果）
以上のべたように、本発明によれば長寿命のエシマレー
ザが得られる。
ザが得られる。
第１図は本発明の一実施例であるＡｒＦエキシマレーザ
の構造図、第２図はＡｒＦエキシマレーザのｌ／−ザ出
力のＣＦ４濃度依存性、第３図は従来のエギシマレーザ
の構造図をそれぞれ示している。 図において、１・・・Ａ１□０３セラミック、２，６・
・・レーザ容器、３，７・・・容量移行型励起回路、４
，８・・・放電電極、５・・・絶縁体。
の構造図、第２図はＡｒＦエキシマレーザのｌ／−ザ出
力のＣＦ４濃度依存性、第３図は従来のエギシマレーザ
の構造図をそれぞれ示している。 図において、１・・・Ａ１□０３セラミック、２，６・
・・レーザ容器、３，７・・・容量移行型励起回路、４
，８・・・放電電極、５・・・絶縁体。
Claims (1)
- （１）少なくともコンデンサと、レーザ励起の放電を行
なう一対の放電電極対と、スイッチング素子とからなる
励起回路と、前記放電電極対間のレーザガスを予備電離
させる手段と、一部が耐ハロゲン性の高い絶縁材料から
成るレーザ容器とから構成される放電励起エキシマレー
ザにおいて、前記絶縁材料に炭素成分を含まない耐ハロ
ゲン性の高い無機材料用いたことを特徴とする放電励起
エキシマレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13178990A JPH0428271A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | エキシマレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13178990A JPH0428271A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | エキシマレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428271A true JPH0428271A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15066175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13178990A Pending JPH0428271A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | エキシマレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0428271A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281483A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Toshiba Corp | ガスレ−ザ発振装置 |
| JPS63253683A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Adomon Sci Kk | エキシマレ−ザ装置 |
| JPS6445181A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Discharge-pumped excimer laser |
| JPH02189988A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Central Glass Co Ltd | エキシマーレーザー装置 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP13178990A patent/JPH0428271A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281483A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Toshiba Corp | ガスレ−ザ発振装置 |
| JPS63253683A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Adomon Sci Kk | エキシマレ−ザ装置 |
| JPS6445181A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Discharge-pumped excimer laser |
| JPH02189988A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Central Glass Co Ltd | エキシマーレーザー装置 |
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