JPH0792376A - 測距装置 - Google Patents
測距装置Info
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- JPH0792376A JPH0792376A JP5240219A JP24021993A JPH0792376A JP H0792376 A JPH0792376 A JP H0792376A JP 5240219 A JP5240219 A JP 5240219A JP 24021993 A JP24021993 A JP 24021993A JP H0792376 A JPH0792376 A JP H0792376A
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- value
- sensor
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/34—Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、カメラ等の自動焦点装置に適用可
能の測距装置に関し、特に、センサアレイの感度バラツ
キの補正回路に関する。 【構成】 オートフォーカスＩＣの量子化部３の補正回
路においては、ＰＲＯＭ３ｅに書き込まれたチップのセ
ンサ感度バラツキ補正データＣ1 〜Ｃn がデコーダ３ｄ
から出力される選択信号によって順次出力線ＯL2にシリ
アル転送され、加算回路３ｇでは対応するセンサの計数
値Ｌ1 〜Ｌn に補正データＣ1 〜Ｃnを加算し、その加
算値たる補正計数値Ｎ1 〜Ｎn を論理部へ量子化信号と
して順次シリアル転送する。コントラストのないテスト
パターンを測距対象としたとき、一方のセンサアレイの
計数値の実測分布，他方のセンサアレイの計数値の実測
分布を最小２乗法で近似２次曲線に近似し、それぞれの
実測分布と平均近似２次曲線との差から差値分布をそれ
ぞれ得て、最大値を求め、その最大値と差値分布の差を
取り、新たな差値の四捨五入値を補正データとする。
能の測距装置に関し、特に、センサアレイの感度バラツ
キの補正回路に関する。 【構成】 オートフォーカスＩＣの量子化部３の補正回
路においては、ＰＲＯＭ３ｅに書き込まれたチップのセ
ンサ感度バラツキ補正データＣ1 〜Ｃn がデコーダ３ｄ
から出力される選択信号によって順次出力線ＯL2にシリ
アル転送され、加算回路３ｇでは対応するセンサの計数
値Ｌ1 〜Ｌn に補正データＣ1 〜Ｃnを加算し、その加
算値たる補正計数値Ｎ1 〜Ｎn を論理部へ量子化信号と
して順次シリアル転送する。コントラストのないテスト
パターンを測距対象としたとき、一方のセンサアレイの
計数値の実測分布，他方のセンサアレイの計数値の実測
分布を最小２乗法で近似２次曲線に近似し、それぞれの
実測分布と平均近似２次曲線との差から差値分布をそれ
ぞれ得て、最大値を求め、その最大値と差値分布の差を
取り、新たな差値の四捨五入値を補正データとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カメラ等の自動焦点装
置に適用可能の測距装置に関し、特に、センサアレイの
感度バラツキの補正回路に関する。
置に適用可能の測距装置に関し、特に、センサアレイの
感度バラツキの補正回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、自動焦点カメラ等に搭載される外
光三角方式の測距装置は、例えば図３に示すように、被
写体Ｔに臨み視差を作る左右一対の結像レンズ１Ｒ，１
Ｌを含む結像光学系と、距離測定半導体集積回路（オー
トフォーカス用ＩＣ）５とからなり、ＩＣ５は、物体像
を電気信号に変換するフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌ
と、フォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌのセンサ毎の信号を
量子化する量子化回路３Ｒ，３Ｌと、その量子化信号に
基づいて距離信号を算出する論理部４とを有している。
図４に示すように、被写体Ｔは基準長（光軸間隔）Ｂだ
け隔てた左右一対の結像レンズ１Ｒ，１Ｌにより結像さ
れ、焦平面に相当するフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌ上
にはそれぞれ倒立の実像である被写体像Ｒ，Ｌが得られ
る。被写体Ｔまでの距離ｄは三角測量の原理（三角形の
相似）に基づいて次式で与えられる。
光三角方式の測距装置は、例えば図３に示すように、被
写体Ｔに臨み視差を作る左右一対の結像レンズ１Ｒ，１
Ｌを含む結像光学系と、距離測定半導体集積回路（オー
トフォーカス用ＩＣ）５とからなり、ＩＣ５は、物体像
を電気信号に変換するフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌ
と、フォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌのセンサ毎の信号を
量子化する量子化回路３Ｒ，３Ｌと、その量子化信号に
基づいて距離信号を算出する論理部４とを有している。
図４に示すように、被写体Ｔは基準長（光軸間隔）Ｂだ
け隔てた左右一対の結像レンズ１Ｒ，１Ｌにより結像さ
れ、焦平面に相当するフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌ上
にはそれぞれ倒立の実像である被写体像Ｒ，Ｌが得られ
る。被写体Ｔまでの距離ｄは三角測量の原理（三角形の
相似）に基づいて次式で与えられる。
【０００３】 ｄ＝Ｂ・ｆe ／（Ｘ1 ＋Ｘ2 ）＝Ｂ・ｆe ／Ｘ …(1) 但し、ｆe は結像レンズ１Ｒ，１Ｌとフォトセンサアレ
イ２Ｒ，２Ｌとの距離（結像レンズ１Ｒ，１Ｌの焦点距
離）、Ｘ1 ，Ｘ2 は被写体中の物点Ｐの像点Ｐ1，Ｐ2
と結像レンズ１Ｌ，１Ｒの光軸ｌ1,ｌ2 との距離、Ｘ1
とＸ2 の和のＸは被写体像の相対的なずれ量（位相差）
である。この空間的な位相差Ｘを測定することにより距
離ｄを求めることができ訳であるが、距離測定半導体集
積回路５では、被写体像の相関性を評価する関数を用
い、左右のフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌ上で同じ被写
体像になるゾーンを見つけ出すことにより、位相差Ｘを
フォトセンサアレイのセンサピッチ数の形で求まるもの
である。
イ２Ｒ，２Ｌとの距離（結像レンズ１Ｒ，１Ｌの焦点距
離）、Ｘ1 ，Ｘ2 は被写体中の物点Ｐの像点Ｐ1，Ｐ2
と結像レンズ１Ｌ，１Ｒの光軸ｌ1,ｌ2 との距離、Ｘ1
とＸ2 の和のＸは被写体像の相対的なずれ量（位相差）
である。この空間的な位相差Ｘを測定することにより距
離ｄを求めることができ訳であるが、距離測定半導体集
積回路５では、被写体像の相関性を評価する関数を用
い、左右のフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌ上で同じ被写
体像になるゾーンを見つけ出すことにより、位相差Ｘを
フォトセンサアレイのセンサピッチ数の形で求まるもの
である。
【０００４】距離測定半導体集積回路５のフォトセンサ
アレイの各センサにおいては、図５（ａ）に示すよう
に、光−電気変換素子であるフォトダイオードＤには受
光した光の強弱に応じた光電流ｉが流れ、その光電流ｉ
はフォトダイオードＤの接合容量Ｃに積分される。その
積分電位Ｑがしきい値素子ＣＯＭのしきい値Ｖthを超え
ると、図５（ｂ）に示すように、しきい値素子ＣＯＭの
出力Ｓが反転する。すなわち、フォトダイオードＤで受
光された光の強弱が出力Ｓの応答時間ｔS の長短に変換
される。受光強度が強いと応答時間ｔS は短くなる。な
お、Ｔｒはリセット信号により接合容量Ｃの電荷を放電
させてセンサをリセットする絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタである。
アレイの各センサにおいては、図５（ａ）に示すよう
に、光−電気変換素子であるフォトダイオードＤには受
光した光の強弱に応じた光電流ｉが流れ、その光電流ｉ
はフォトダイオードＤの接合容量Ｃに積分される。その
積分電位Ｑがしきい値素子ＣＯＭのしきい値Ｖthを超え
ると、図５（ｂ）に示すように、しきい値素子ＣＯＭの
出力Ｓが反転する。すなわち、フォトダイオードＤで受
光された光の強弱が出力Ｓの応答時間ｔS の長短に変換
される。受光強度が強いと応答時間ｔS は短くなる。な
お、Ｔｒはリセット信号により接合容量Ｃの電荷を放電
させてセンサをリセットする絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタである。
【０００５】距離測定半導体集積回路５における量子化
回路３は、図６に示すように、クロック発振回路３ａ
と、そのクロックＣＫを計数するカウンタ（例えば８ビ
ットカウンタ）３ｂと、フォトセンサアレイ２のｎ個の
センサに対応したｎ個のラッチ回路を備えたラッチ部３
ｃを有している。各ラッチ回路はそれぞれ対応するセン
サの出力Ｓ1 〜Ｓn をストローブ信号としてカウンタ３
ｂの計数値をラッチし、各ラッチ回路で保持された計数
値（量子化値）Ｌ1 〜Ｌn はデコーダ３ｄから出力され
る選択信号によって順次出力線ＯL1にシリアル転送され
る。また、ＰＲＯＭ３ｅに書き込まれた当該チップのセ
ンサ感度バラツキ補正データＣ1 〜Ｃn がデコーダ３ｄ
から出力される選択信号によって順次出力線ＯL2にシリ
アル転送され、減算回路３ｆでは対応するセンサの計数
値Ｌ1 〜Ｌn から補正データＣ1 〜Ｃn を差引き、補正
計数値（補正量子化値）Ｎ1 〜Ｎn を論理部４へ量子化
信号として順次シリアル転送する。
回路３は、図６に示すように、クロック発振回路３ａ
と、そのクロックＣＫを計数するカウンタ（例えば８ビ
ットカウンタ）３ｂと、フォトセンサアレイ２のｎ個の
センサに対応したｎ個のラッチ回路を備えたラッチ部３
ｃを有している。各ラッチ回路はそれぞれ対応するセン
サの出力Ｓ1 〜Ｓn をストローブ信号としてカウンタ３
ｂの計数値をラッチし、各ラッチ回路で保持された計数
値（量子化値）Ｌ1 〜Ｌn はデコーダ３ｄから出力され
る選択信号によって順次出力線ＯL1にシリアル転送され
る。また、ＰＲＯＭ３ｅに書き込まれた当該チップのセ
ンサ感度バラツキ補正データＣ1 〜Ｃn がデコーダ３ｄ
から出力される選択信号によって順次出力線ＯL2にシリ
アル転送され、減算回路３ｆでは対応するセンサの計数
値Ｌ1 〜Ｌn から補正データＣ1 〜Ｃn を差引き、補正
計数値（補正量子化値）Ｎ1 〜Ｎn を論理部４へ量子化
信号として順次シリアル転送する。
【０００６】 以下、このセンサ感度バラツキ補正データ
Ｃ1 〜Ｃn の意義を説明する。上記の測距装置において
は、ｎ個のセンサ相互間には感度バラツキがあり、その
バラツキの分布は距離測定半導体集積回路５のチップ毎
で個体差がある。原理的には、コントラストのない白色
（無地）のテストパターンを被写体としたとき、フォト
センサアレイ２上にはコントラストのない被写体像が結
像され、各センサの出力Ｓ1 〜Ｓn はすべて一定の応答
時間ｔS となり、ラッチ部３ｃの各ラッチ回路で保持さ
れる計数値Ｌ1 〜Ｌn は相等しい値になるべきものであ
るが、現実には結像レンズ１による結像の光量分布の不
均一さ（原理誤差）に、各センサを構成する素子特性の
製造バラツキ（正味の感度バラツキ）が重畳されている
ので、計数値Ｌ1 〜Ｌn はばらついている。即ち、前者
の場合においては、結像レンズ１の焦平面（フォトセン
サアレイ２）上において光軸から離れるにつてその点の
受光強度（照度）はcos4則により減衰する。従って、こ
のＣＯＳ4 則により、各ラッチ回路で得られる計数値Ｌ
1 〜Ｌn は一様分布でなく、図７のＡに示す如く１／co
s4（ｉ）の曲線に乗る。なお、ｉはセンサアドレスを意
味する。後者の場合は、製造バラツキが一般にランダム
に発生するので、それによる感度バラツキは図７のＢに
示すランダム曲線で模式的に表すことができる。従っ
て、これらＡ，Ｂを合成した曲線Ｃ上に計数値Ｌ1 〜Ｌ
n が乗っている。
Ｃ1 〜Ｃn の意義を説明する。上記の測距装置において
は、ｎ個のセンサ相互間には感度バラツキがあり、その
バラツキの分布は距離測定半導体集積回路５のチップ毎
で個体差がある。原理的には、コントラストのない白色
（無地）のテストパターンを被写体としたとき、フォト
センサアレイ２上にはコントラストのない被写体像が結
像され、各センサの出力Ｓ1 〜Ｓn はすべて一定の応答
時間ｔS となり、ラッチ部３ｃの各ラッチ回路で保持さ
れる計数値Ｌ1 〜Ｌn は相等しい値になるべきものであ
るが、現実には結像レンズ１による結像の光量分布の不
均一さ（原理誤差）に、各センサを構成する素子特性の
製造バラツキ（正味の感度バラツキ）が重畳されている
ので、計数値Ｌ1 〜Ｌn はばらついている。即ち、前者
の場合においては、結像レンズ１の焦平面（フォトセン
サアレイ２）上において光軸から離れるにつてその点の
受光強度（照度）はcos4則により減衰する。従って、こ
のＣＯＳ4 則により、各ラッチ回路で得られる計数値Ｌ
1 〜Ｌn は一様分布でなく、図７のＡに示す如く１／co
s4（ｉ）の曲線に乗る。なお、ｉはセンサアドレスを意
味する。後者の場合は、製造バラツキが一般にランダム
に発生するので、それによる感度バラツキは図７のＢに
示すランダム曲線で模式的に表すことができる。従っ
て、これらＡ，Ｂを合成した曲線Ｃ上に計数値Ｌ1 〜Ｌ
n が乗っている。
【０００７】このような合成された感度バラツキを是正
する方策として、図６に示す補正回路（ＰＲＯＭ３ｅ，
減算回路３ｆ）が用いられている。即ち、測距装置の組
立後、その個体毎のテスト工程においては、上述の白色
テストパターンを被写体としてテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn
をチップから出力し、そのテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn を補
正データＣ1 〜Ｃn としてＰＲＯＭライターによりＰＲ
ＯＭ３ｅに書き込む。
する方策として、図６に示す補正回路（ＰＲＯＭ３ｅ，
減算回路３ｆ）が用いられている。即ち、測距装置の組
立後、その個体毎のテスト工程においては、上述の白色
テストパターンを被写体としてテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn
をチップから出力し、そのテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn を補
正データＣ1 〜Ｃn としてＰＲＯＭライターによりＰＲ
ＯＭ３ｅに書き込む。
【０００８】そして、実際の測距動作においては、コン
トラストのある被写体の結像から得られる実測計数値Ｌ
1 〜Ｌn を減算回路３ｆにて補正データＣ1 〜Ｃn で差
し引き、その差値を補正計数値Ｎ1 〜Ｎn として量子化
回路３から論理部４へシリアル転送する。
トラストのある被写体の結像から得られる実測計数値Ｌ
1 〜Ｌn を減算回路３ｆにて補正データＣ1 〜Ｃn で差
し引き、その差値を補正計数値Ｎ1 〜Ｎn として量子化
回路３から論理部４へシリアル転送する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
補正回路にあっては次のような問題点がある。即ち、測
距分解能を高めようとすれば、フォトセンサアレイ２の
センサセル数を増やし、量子化回路３の刻み量を小さく
する必要があり、補正データＣ1 〜Ｃn の１データのビ
ット数及びデータ数が増大する。例えば、１７８個のセ
ンサを有するフォトセンサアレイ２では、現在１センサ
当たり４ビットの記憶空間を必要としており、１チップ
では左右のフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌが必要である
ため、ＰＲＯＭ３ｅの占有面積が大きい。これは半導体
製造プロセス上、歩留まり低下の一因を成していた。
補正回路にあっては次のような問題点がある。即ち、測
距分解能を高めようとすれば、フォトセンサアレイ２の
センサセル数を増やし、量子化回路３の刻み量を小さく
する必要があり、補正データＣ1 〜Ｃn の１データのビ
ット数及びデータ数が増大する。例えば、１７８個のセ
ンサを有するフォトセンサアレイ２では、現在１センサ
当たり４ビットの記憶空間を必要としており、１チップ
では左右のフォトセンサアレイ２Ｒ，２Ｌが必要である
ため、ＰＲＯＭ３ｅの占有面積が大きい。これは半導体
製造プロセス上、歩留まり低下の一因を成していた。
【００１０】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、左右のセンサアレイの感度バラツキをそれぞれ独立
に補正するのではなく、左右の量子化値列の相似性を高
めるように相互勘案した補正データを用いることによ
り、補正データのための記憶ビットの削減が可能でチッ
プサイズの縮小化が実現できる測距装置を提供すること
にある。
は、左右のセンサアレイの感度バラツキをそれぞれ独立
に補正するのではなく、左右の量子化値列の相似性を高
めるように相互勘案した補正データを用いることによ
り、補正データのための記憶ビットの削減が可能でチッ
プサイズの縮小化が実現できる測距装置を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、左右一対の結像レンズによって測距対象
の像がぞれぞれ結像される左右一対の第１及び第２のセ
ンサアレイと、第１及び第２のセンサアレイにそれぞれ
対応し、センサ出力を量子化して量子化値に変換すると
共に、それをセンサ感度バラツキを補正した補正量子化
値に変換する第１及び第２の量子化部と、第１及び第２
の量子化部からの量子化値列を基づき相互にセンサアド
レスの所定のゾーンに亘る量子化値の相関性を評価して
距離信号を得る論理部とを備えた測距装置において、以
下のような手段を講じたものである。即ち、第１及び第
２の量子化部における各補正手段としては、センサアド
レス毎のセンサ感度バラツキ補正データを格納する補正
データ記憶手段と、前記各量子化値に対応するセンサア
ドレスの補正データを加算して補正計数値とする加算手
段とを設け、次のような補正データを設定した点に特徴
を有する。コントラストのないテストパターンを上記測
距対象としたとき、第１のセンサアレイの量子化値の実
測分布（ｘ1i ,ｙ1i），第２のセンサアレイの量子化値
の実測分布（ｘ2i ,ｙ2i）を近似２次曲線ｙ＝ａ1 ｘ2
＋ｂ1,ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 をそれぞれ用いて最小２乗法
で近似して係数ａ1,ａ2 を求め、実測分布（ｘ
1i ,ｙ1i）, （ｘ2i ,ｙ2i）と平均近似２次曲線ｙ＝
（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2 ／２との差から差値｛ｙ1i−（ａ1
＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝, ｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2
／２｝を得て、それぞれ差値の最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ
2 を求め、その最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 と上記差値の
差をそれぞれ取り、新たな差値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−
（ａ1＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝〕の四捨五入値Δ1iと，新
たな差値〔ｍａｘ2 −｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2 ／
２｝〕四捨五入値Δ2iを補正データとするものである。
に、本発明は、左右一対の結像レンズによって測距対象
の像がぞれぞれ結像される左右一対の第１及び第２のセ
ンサアレイと、第１及び第２のセンサアレイにそれぞれ
対応し、センサ出力を量子化して量子化値に変換すると
共に、それをセンサ感度バラツキを補正した補正量子化
値に変換する第１及び第２の量子化部と、第１及び第２
の量子化部からの量子化値列を基づき相互にセンサアド
レスの所定のゾーンに亘る量子化値の相関性を評価して
距離信号を得る論理部とを備えた測距装置において、以
下のような手段を講じたものである。即ち、第１及び第
２の量子化部における各補正手段としては、センサアド
レス毎のセンサ感度バラツキ補正データを格納する補正
データ記憶手段と、前記各量子化値に対応するセンサア
ドレスの補正データを加算して補正計数値とする加算手
段とを設け、次のような補正データを設定した点に特徴
を有する。コントラストのないテストパターンを上記測
距対象としたとき、第１のセンサアレイの量子化値の実
測分布（ｘ1i ,ｙ1i），第２のセンサアレイの量子化値
の実測分布（ｘ2i ,ｙ2i）を近似２次曲線ｙ＝ａ1 ｘ2
＋ｂ1,ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 をそれぞれ用いて最小２乗法
で近似して係数ａ1,ａ2 を求め、実測分布（ｘ
1i ,ｙ1i）, （ｘ2i ,ｙ2i）と平均近似２次曲線ｙ＝
（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2 ／２との差から差値｛ｙ1i−（ａ1
＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝, ｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2
／２｝を得て、それぞれ差値の最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ
2 を求め、その最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 と上記差値の
差をそれぞれ取り、新たな差値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−
（ａ1＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝〕の四捨五入値Δ1iと，新
たな差値〔ｍａｘ2 −｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2 ／
２｝〕四捨五入値Δ2iを補正データとするものである。
【００１２】但し、ｘ1i ,ｘ2iはセンサアドレス、
ｙ1i，ｙ2iは量子化値値、ａ1 ，ａ2 ，ｂ1 ，ｂ2 は係
数である。
ｙ1i，ｙ2iは量子化値値、ａ1 ，ａ2 ，ｂ1 ，ｂ2 は係
数である。
【００１３】また、別の補正データとしては、上記２次
近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1,ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 に代え
て、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ＋ｂ1,ｙ＝ａ2 cos4ｘ＋ｂ
2 を用いて設定されてなる。
近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1,ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 に代え
て、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ＋ｂ1,ｙ＝ａ2 cos4ｘ＋ｂ
2 を用いて設定されてなる。
【００１４】
【作用】まず、測距装置の組立後、その個体毎のテスト
工程においては、コントラストのないテストパターン用
いてテスト量子化値を量子化部から出力する。このテス
ト量子化値の実測分布（ｘ1i ,ｙ1i），（ｘ2i ,ｙ2i）
は結像レンズのcos4則の分布にセンサの正味の感度バラ
ツキが重畳した状態となっている。ここで、その分布点
を（ｘ1i, ｙ1i）とする。次に、実測分布（ｘ
1i ,ｙ1i），（ｘ2i ,ｙ2i）に対し最小２乗法を施し、
近似２次曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 ，ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2
を求める。ここでｘはセンサアドレス、ｙは量子化値、
ａ1 ，ｂ1,ａ2 ，ｂ2 は係数である。今、係数ｂ1 ，ｂ
2 はセンサではオフセット量に相当するので無視すると
（最も大きなセンサ出力を基準として各センサの出力を
量子化するため、オフセット量は無視することができ
る）、近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 , ｙ＝ａ2ｘ2 を得る。近
似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 , ｙ＝ａ2 ｘ2 は結像レンズのcos4
則の分布にフォトセンサの正味の感度バラツキが重畳し
た状態を全体的に反映したものとなっている。次に、左
右の近似曲線の係数ａ1 とａ2 とから相加平均値（ａ1
＋ａ2 ）／２を取り、平均近似の２次曲線ｙ＝（ａ1 ＋
ａ2 ）ｘ2 ／２を作る。ここで、左右の感度バラツキの
近似曲線から中和的な平均近似曲線を得る理由は、元
来、後段の論理部では左右の結像の相関一致性のゾーン
を見出すことにより左右結像の位相差を求めて距離測定
を行うことを前提としているため、補正量子化値の分布
は完全一致までは要求されず、分布曲線の相似性が確保
されれば充分であるからである。そこで、局部的ないし
微視的な相似性までは担保されないものの、センサアド
レス全体での相似性が確保されるよう近似曲線の平均曲
線を求める。従来は、左右それぞれ独立のバラツキ補正
データにより量子化値を補正していたので、論理部の前
段において相関性の補正は行われていないが、本発明で
は左右相関補正が行われているので、論理部における相
関性の評価は、局部的相関性でなく広いゾーンに亘る相
関一致性が得られる。従って、高精度の測距性能が実現
される。
工程においては、コントラストのないテストパターン用
いてテスト量子化値を量子化部から出力する。このテス
ト量子化値の実測分布（ｘ1i ,ｙ1i），（ｘ2i ,ｙ2i）
は結像レンズのcos4則の分布にセンサの正味の感度バラ
ツキが重畳した状態となっている。ここで、その分布点
を（ｘ1i, ｙ1i）とする。次に、実測分布（ｘ
1i ,ｙ1i），（ｘ2i ,ｙ2i）に対し最小２乗法を施し、
近似２次曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 ，ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2
を求める。ここでｘはセンサアドレス、ｙは量子化値、
ａ1 ，ｂ1,ａ2 ，ｂ2 は係数である。今、係数ｂ1 ，ｂ
2 はセンサではオフセット量に相当するので無視すると
（最も大きなセンサ出力を基準として各センサの出力を
量子化するため、オフセット量は無視することができ
る）、近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 , ｙ＝ａ2ｘ2 を得る。近
似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 , ｙ＝ａ2 ｘ2 は結像レンズのcos4
則の分布にフォトセンサの正味の感度バラツキが重畳し
た状態を全体的に反映したものとなっている。次に、左
右の近似曲線の係数ａ1 とａ2 とから相加平均値（ａ1
＋ａ2 ）／２を取り、平均近似の２次曲線ｙ＝（ａ1 ＋
ａ2 ）ｘ2 ／２を作る。ここで、左右の感度バラツキの
近似曲線から中和的な平均近似曲線を得る理由は、元
来、後段の論理部では左右の結像の相関一致性のゾーン
を見出すことにより左右結像の位相差を求めて距離測定
を行うことを前提としているため、補正量子化値の分布
は完全一致までは要求されず、分布曲線の相似性が確保
されれば充分であるからである。そこで、局部的ないし
微視的な相似性までは担保されないものの、センサアド
レス全体での相似性が確保されるよう近似曲線の平均曲
線を求める。従来は、左右それぞれ独立のバラツキ補正
データにより量子化値を補正していたので、論理部の前
段において相関性の補正は行われていないが、本発明で
は左右相関補正が行われているので、論理部における相
関性の評価は、局部的相関性でなく広いゾーンに亘る相
関一致性が得られる。従って、高精度の測距性能が実現
される。
【００１５】次に、差値｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ1i 2
／２｝，｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2 ／２｝を取り、
その最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 を求める。そして、その
最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 とそれぞれの差値との差を取
り、その新たな差値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−（ａ1 ＋
ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝〕，〔ｍａｘ2 −｛ｙ2i−（ａ1 ＋
ａ2 ）ｘ2i 2 ／２｝〕の四捨五入値を補正データΔ1i，
Δ2iとして設定する。この補正データのビット数は差値
分布をそのまま用いる場合に比し削減されている。
／２｝，｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2 ／２｝を取り、
その最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 を求める。そして、その
最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 とそれぞれの差値との差を取
り、その新たな差値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−（ａ1 ＋
ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝〕，〔ｍａｘ2 −｛ｙ2i−（ａ1 ＋
ａ2 ）ｘ2i 2 ／２｝〕の四捨五入値を補正データΔ1i，
Δ2iとして設定する。この補正データのビット数は差値
分布をそのまま用いる場合に比し削減されている。
【００１６】従って、補正データ記憶手段の記憶空間を
圧縮化でき、チップサイズの縮小できる。
圧縮化でき、チップサイズの縮小できる。
【００１７】計数列のcos4則の影響分は原理誤差による
ものであるから、近似２次曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 ，ｙ
＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 を用いた最小２乗法を施すのではな
く、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ＋ｂ1 , ｙ＝ａ2 cos4ｘ＋
ｂ2 を用いた最小２乗法を施す方が良い。左右の補正量
子化値の分布の一致性（オフセット量無視）が一層良好
になる。
ものであるから、近似２次曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 ，ｙ
＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 を用いた最小２乗法を施すのではな
く、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ＋ｂ1 , ｙ＝ａ2 cos4ｘ＋
ｂ2 を用いた最小２乗法を施す方が良い。左右の補正量
子化値の分布の一致性（オフセット量無視）が一層良好
になる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１９】図１は本発明の実施例に係る測距装置にお
ける距離測定半導体集積回路の要部を示すブロック図で
ある。
ける距離測定半導体集積回路の要部を示すブロック図で
ある。
【００２０】図１には距離測定半導体集積回路の左右一
方のフォトセンサアレイ２と、それに対応した量子化回
路３が示されているが、他方系統の構成も同様である。
この距離測定半導体集積回路における量子化回路３は、
従来と同様に、クロック発振回路３ａと、そのクロック
ＣＫを計数するカウンタ（例えば８ビットカウンタ）３
ｂと、フォトセンサアレイ２のｎ個のセンサに対応した
ｎ個のラッチ回路を備えたラッチ部３ｃを有している。
各ラッチ回路はそれぞれ対応するセンサの出力Ｓ1 〜Ｓ
n をストローブ信号としてカウンタ３ｂの計数値をラッ
チし、各ラッチ回路で保持された計数値（量子化値）Ｌ
1 〜Ｌn はデコーダ３ｄから出力される選択信号によっ
て順次出力線ＯL1にシリアル転送される。また、ＰＲＯ
Ｍ３ｅに書き込まれた当該チップのセンサ感度バラツキ
補正データＣ1 〜Ｃn がデコーダ３ｄから出力される選
択信号によって順次出力線ＯL2にシリアル転送され、加
算回路３ｇでは対応するセンサの計数値Ｌ1 〜Ｌn に補
正データＣ1 〜Ｃn を加算し、その加算値たる補正計数
値（補正量子化値）Ｎ1 〜Ｎn を論理部４へ量子化信号
として順次シリアル転送する。ここで、従来の補正回路
が図６に示すＰＲＯＭ３ｅ及び減算回路３ｆで構成され
ているのに対し、本例ではＰＲＯＭ３ｅ及び加算回路３
ｇで補正回路が構成されている。そして本例における補
正データＣ1〜Ｃn は従来と異なり、またＰＲＯＭ３ｅ
の１データの記録ビットも削減されている。
方のフォトセンサアレイ２と、それに対応した量子化回
路３が示されているが、他方系統の構成も同様である。
この距離測定半導体集積回路における量子化回路３は、
従来と同様に、クロック発振回路３ａと、そのクロック
ＣＫを計数するカウンタ（例えば８ビットカウンタ）３
ｂと、フォトセンサアレイ２のｎ個のセンサに対応した
ｎ個のラッチ回路を備えたラッチ部３ｃを有している。
各ラッチ回路はそれぞれ対応するセンサの出力Ｓ1 〜Ｓ
n をストローブ信号としてカウンタ３ｂの計数値をラッ
チし、各ラッチ回路で保持された計数値（量子化値）Ｌ
1 〜Ｌn はデコーダ３ｄから出力される選択信号によっ
て順次出力線ＯL1にシリアル転送される。また、ＰＲＯ
Ｍ３ｅに書き込まれた当該チップのセンサ感度バラツキ
補正データＣ1 〜Ｃn がデコーダ３ｄから出力される選
択信号によって順次出力線ＯL2にシリアル転送され、加
算回路３ｇでは対応するセンサの計数値Ｌ1 〜Ｌn に補
正データＣ1 〜Ｃn を加算し、その加算値たる補正計数
値（補正量子化値）Ｎ1 〜Ｎn を論理部４へ量子化信号
として順次シリアル転送する。ここで、従来の補正回路
が図６に示すＰＲＯＭ３ｅ及び減算回路３ｆで構成され
ているのに対し、本例ではＰＲＯＭ３ｅ及び加算回路３
ｇで補正回路が構成されている。そして本例における補
正データＣ1〜Ｃn は従来と異なり、またＰＲＯＭ３ｅ
の１データの記録ビットも削減されている。
【００２１】以下、本例における感度バラツキの補正方
法を説明する。まず、測距装置の組立後、その個体毎の
テスト工程においては、上述の白色テストパターンを被
写体としてテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn をチップから出力す
る。このテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn の分布は図２の実線Ａ
で示すように結像レンズのcos4則の分布にフォトセンサ
の正味の感度バラツキが重畳した状態となっている。こ
こで、その分布点を（ｘ1i, ｙ1i）とする。次に、テス
ト計数値Ｌ1 〜Ｌn の分布Ａに対し最小２乗法を施し、
近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 を求める。ここでｘはセン
サアドレス、ｙは計数値、ａ1 ，ｂ1 は係数である。
今、係数ｂ1 はセンサではオフセット量に相当するので
無視すると（図示はしてないが、この量子化回路では最
初に出力したセンサの出力時を基点として応答時間ｔs
が量子化されるため、オフセット量は無視することがで
きる）、近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 を得る。近似曲線ｙ＝ａ
1 ｘ2 は結像レンズのcos4則の分布にフォトセンサの正
味の感度バラツキが重畳した状態を全体的に反映したも
のとなっている。また左右フォトセンサの他方からも分
布点（ｘ2i, ｙ2i）と近似２次曲線ｙ＝ａ2 ｘ2 が得ら
れる。次に、左右の近似曲線の係数ａ1 とａ2 とから相
加平均値（ａ1 ＋ａ2 ）／２を取り、平均近似の２次曲
線ｙ＝（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2 ／２を作る。この平均近似の
２次曲線は図２の点線Ｂで表される。ここで、左右の感
度バラツキの近似曲線から中和的な平均近似曲線を得る
理由は、元来、後段の論理部では左右の結像の相関一致
性のゾーンを見出すことにより左右結像の位相差を求め
て距離測定を行うことを前提としているため、補正量子
化値の分布は完全一致までは要求されず、分布曲線の相
似性が確保されれば充分であるからである。そこで、局
部的ないし微視的な相似性までは担保されないものの、
センサアドレス全体での相似性が確保されるよう近似曲
線の平均曲線を求める。従来は、左右それぞれ独立のバ
ラツキ補正データにより量子化値を補正していたので、
論理部の前段において相関性の補正は行われていない
が、本例では左右相関補正が行われているので、論理部
における相関性の評価は、局部的相関性でなく広いゾー
ンに亘る相関一致性が得られる。従って、高精度の測距
性能が実現される。
法を説明する。まず、測距装置の組立後、その個体毎の
テスト工程においては、上述の白色テストパターンを被
写体としてテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn をチップから出力す
る。このテスト計数値Ｌ1 〜Ｌn の分布は図２の実線Ａ
で示すように結像レンズのcos4則の分布にフォトセンサ
の正味の感度バラツキが重畳した状態となっている。こ
こで、その分布点を（ｘ1i, ｙ1i）とする。次に、テス
ト計数値Ｌ1 〜Ｌn の分布Ａに対し最小２乗法を施し、
近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 を求める。ここでｘはセン
サアドレス、ｙは計数値、ａ1 ，ｂ1 は係数である。
今、係数ｂ1 はセンサではオフセット量に相当するので
無視すると（図示はしてないが、この量子化回路では最
初に出力したセンサの出力時を基点として応答時間ｔs
が量子化されるため、オフセット量は無視することがで
きる）、近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 を得る。近似曲線ｙ＝ａ
1 ｘ2 は結像レンズのcos4則の分布にフォトセンサの正
味の感度バラツキが重畳した状態を全体的に反映したも
のとなっている。また左右フォトセンサの他方からも分
布点（ｘ2i, ｙ2i）と近似２次曲線ｙ＝ａ2 ｘ2 が得ら
れる。次に、左右の近似曲線の係数ａ1 とａ2 とから相
加平均値（ａ1 ＋ａ2 ）／２を取り、平均近似の２次曲
線ｙ＝（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2 ／２を作る。この平均近似の
２次曲線は図２の点線Ｂで表される。ここで、左右の感
度バラツキの近似曲線から中和的な平均近似曲線を得る
理由は、元来、後段の論理部では左右の結像の相関一致
性のゾーンを見出すことにより左右結像の位相差を求め
て距離測定を行うことを前提としているため、補正量子
化値の分布は完全一致までは要求されず、分布曲線の相
似性が確保されれば充分であるからである。そこで、局
部的ないし微視的な相似性までは担保されないものの、
センサアドレス全体での相似性が確保されるよう近似曲
線の平均曲線を求める。従来は、左右それぞれ独立のバ
ラツキ補正データにより量子化値を補正していたので、
論理部の前段において相関性の補正は行われていない
が、本例では左右相関補正が行われているので、論理部
における相関性の評価は、局部的相関性でなく広いゾー
ンに亘る相関一致性が得られる。従って、高精度の測距
性能が実現される。
【００２２】ところで、この平均曲線Ｂと分布点（ｘ
1i, ｙ1i）との差を取り、差値｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）
ｘ1i 2 ／２｝の四捨五入値（整数値）を補正データとす
れば良い訳であるが、これではデータビット数の削減に
はさほど効果がない。図２のＡとＢとの差を見ても明ら
かなように、差値８の場合もあり、１アドレスの補正デ
ータとして４ビットが必要である。勿論、データビット
数の削減の効果を期待せず、前述の左右相関性の改善を
図る意味においては有益である。かかる場合、補正回路
においては、本例の加算回路３ｇを用いず、従前通り、
減算回路を用いることになる。
1i, ｙ1i）との差を取り、差値｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）
ｘ1i 2 ／２｝の四捨五入値（整数値）を補正データとす
れば良い訳であるが、これではデータビット数の削減に
はさほど効果がない。図２のＡとＢとの差を見ても明ら
かなように、差値８の場合もあり、１アドレスの補正デ
ータとして４ビットが必要である。勿論、データビット
数の削減の効果を期待せず、前述の左右相関性の改善を
図る意味においては有益である。かかる場合、補正回路
においては、本例の加算回路３ｇを用いず、従前通り、
減算回路を用いることになる。
【００２３】そこで本例では、差値｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ
2 ）ｘ1i 2 ／２｝の最大値ｍａｘ1を求め、その最大値
ｍａｘ1 とそれぞれの差値との差を取り、その新たな差
値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝〕
の四捨五入値を補正データΔ1iとして設定する。この補
正データのビット数は図２からも判るように３ビット以
内に収まっており、ビット数削減によりＰＲＯＭ３ｅの
記憶空間を圧縮化でき、チップサイズの縮小できる。補
正データＣi ＝Δ1iとすることにより、計数値Ｌi に対
して減算するのではなく、加算回路３ｇによって加算が
行われる。減算回路に比して加算回路の構成は簡素であ
る。図２に示すようにテストパターンでの補正計数値Ｎ
i の分布は中央を底として左右に階段状に昇る様子を示
す。他方のフォトセンサアレイによる補正計数値もまた
略完全一致した様子を示す。ただ、局部的にセンサアド
レス１〜２ビット程度の不一致性は存在するが、全体と
しての良好な一致性が得られた。補正計数値Ｎi の分布
が中央を底として左右に階段状に昇る分布であること
は、cos4則の寄与があるからである。正味のセンサ感度
バラツキは統計的に処理するべきであるが、cos4則の影
響分は原理誤差によるものであるから、近似２次曲線ｙ
＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 を用いた最小２乗法を施すのではな
く、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ＋ｂ1 を用いた最小２乗法
を施す方が良い。
2 ）ｘ1i 2 ／２｝の最大値ｍａｘ1を求め、その最大値
ｍａｘ1 とそれぞれの差値との差を取り、その新たな差
値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝〕
の四捨五入値を補正データΔ1iとして設定する。この補
正データのビット数は図２からも判るように３ビット以
内に収まっており、ビット数削減によりＰＲＯＭ３ｅの
記憶空間を圧縮化でき、チップサイズの縮小できる。補
正データＣi ＝Δ1iとすることにより、計数値Ｌi に対
して減算するのではなく、加算回路３ｇによって加算が
行われる。減算回路に比して加算回路の構成は簡素であ
る。図２に示すようにテストパターンでの補正計数値Ｎ
i の分布は中央を底として左右に階段状に昇る様子を示
す。他方のフォトセンサアレイによる補正計数値もまた
略完全一致した様子を示す。ただ、局部的にセンサアド
レス１〜２ビット程度の不一致性は存在するが、全体と
しての良好な一致性が得られた。補正計数値Ｎi の分布
が中央を底として左右に階段状に昇る分布であること
は、cos4則の寄与があるからである。正味のセンサ感度
バラツキは統計的に処理するべきであるが、cos4則の影
響分は原理誤差によるものであるから、近似２次曲線ｙ
＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1 を用いた最小２乗法を施すのではな
く、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ＋ｂ1 を用いた最小２乗法
を施す方が良い。
【００２４】左右の補正計数値の分布の一致性（オフセ
ット量無視）がより完璧になるからである。
ット量無視）がより完璧になるからである。
【００２５】なお、近似曲線は上記２種類以外にも４次
曲線などを用いることもできる。また係数値への丸め込
み処理は四捨五入法に限らず、他の丸め込み法を用いて
も良い。更に、量子化回路は、時分割により左右のセン
サアレイないし各センサで共用でき、センサ出力を応答
時間に変換してから量子化するものに限定されるもので
はなく、センサ出力を電圧に変換してからそれを周知の
Ａ／Ｄコンバータにより量子化するものであっても良
い。
曲線などを用いることもできる。また係数値への丸め込
み処理は四捨五入法に限らず、他の丸め込み法を用いて
も良い。更に、量子化回路は、時分割により左右のセン
サアレイないし各センサで共用でき、センサ出力を応答
時間に変換してから量子化するものに限定されるもので
はなく、センサ出力を電圧に変換してからそれを周知の
Ａ／Ｄコンバータにより量子化するものであっても良
い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第１及
び第２の量子化部における補正データ記憶手段に独特の
補正データを格納すると共に、その補正データをセンサ
出力の量子化値に加算いて補正する点に特徴を有するも
のである。従って、次の効果を奏する。
び第２の量子化部における補正データ記憶手段に独特の
補正データを格納すると共に、その補正データをセンサ
出力の量子化値に加算いて補正する点に特徴を有するも
のである。従って、次の効果を奏する。
【００２７】 感度バラツキに対応したセンサ出力値
をそのまま補正データとするのではなく、左右センサア
レイの量子化値列がより一層の相似的な相関性になるよ
うに、量子化値分布状態を変形（整形）する左右相対的
な補正データを用いているので、補正データの１データ
分のビット数が従前に比して削減でき、補正データ記憶
手段の記憶空間を縮小できる。従って、チップザイスの
縮小化により歩留まりの向上が図れる。
をそのまま補正データとするのではなく、左右センサア
レイの量子化値列がより一層の相似的な相関性になるよ
うに、量子化値分布状態を変形（整形）する左右相対的
な補正データを用いているので、補正データの１データ
分のビット数が従前に比して削減でき、補正データ記憶
手段の記憶空間を縮小できる。従って、チップザイスの
縮小化により歩留まりの向上が図れる。
【００２８】 論理部の前段の量子化部において、左
右のセンサアレイの量子化値列の相関性が増すように補
正されているので、論理部における相関性の評価は、局
部的相関性でなく広いゾーンに亘る相関一致性が得られ
る。従って、高精度の測距性能が実現される。
右のセンサアレイの量子化値列の相関性が増すように補
正されているので、論理部における相関性の評価は、局
部的相関性でなく広いゾーンに亘る相関一致性が得られ
る。従って、高精度の測距性能が実現される。
【図１】本発明の実施例に係る測距装置における距離測
定半導体集積回路の要部を示すブロック図である。
定半導体集積回路の要部を示すブロック図である。
【図２】同実施例におけるセンサ感度バラツキの補正方
法を説明するためのグラフである。
法を説明するためのグラフである。
【図３】外光三角方式の測距装置の概略構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】外光三角方式の測距装置の測定原理を説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図５】（ａ）はオートフォーカス用ＩＣのセンサ部の
構成を示す回路図、（ｂ）は同センサ部の動作を説明す
るための信号のタインミングチャートである。
構成を示す回路図、（ｂ）は同センサ部の動作を説明す
るための信号のタインミングチャートである。
【図６】従来のオートフォーカス用ＩＣの量子化部を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図７】図６に示す量子化部におけるセンサ感度バラツ
キ補正方法を説明するためのグラフ図である。
キ補正方法を説明するためのグラフ図である。
１Ｒ，１Ｌ…結像レンズ ２，２Ｒ，２Ｌ…フォトセンサアレイ ３，３Ｒ，３Ｌ…量子化部 ３ａ…クロック発振回路 ３ｂ…カウンタ ３ｃ…ラッチ部 ３ｄ…デコーダ ３ｅ…ＰＲＯＭ ３ｇ…加算回路 ４…論理部 ５…距離測定用半導体集積回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｂ 13/36
Claims (2)
- 【請求項１】 左右一対の結像レンズによって測距対象
の像がぞれぞれ結像される左右一対の第１及び第２のセ
ンサアレイと、第１及び第２のセンサアレイにそれぞれ
対応し、センサ出力を量子化して量子化値に変換すると
共に、それをセンサ感度バラツキを補正した補正量子化
値に変換する第１及び第２の量子化部と、第１及び第２
の量子化部からの量子化値列を基にセンサアドレスの所
定のゾーンに亘る補正量子化値の相関性を評価して距離
信号を得る論理部とを備えた測距装置において、 前記第１及び第２の量子化部は、センサアドレス毎のセ
ンサ感度バラツキ補正データを格納する補正データ記憶
手段と、前記各量子化値に対応するセンサアドレスの補
正データを加算して前記補正量子化値とする加算手段
と、をそれぞれ有しており、前記補正データとしては以
下のΔ1i, Δ2iが設定されてなることを特徴とする測距
装置。コントラストのないテストパターンを前記測距対
象としたとき、第１のセンサアレイの量子化値の実測分
布（ｘ1i ,ｙ1i），第２のセンサアレイの量子化値の実
測分布（ｘ2i ,ｙ2i）を最小２乗法で近似２次曲線ｙ＝
ａ1 ｘ2 ＋ｂ1,ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 に近似して係数ａ1,
ａ2 を求め、実測分布（ｘ1i ,ｙ1i）, （ｘ2i ,ｙ2i）
と平均近似２次曲線ｙ＝（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2 ／２との差
から差値｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／２｝, ｛ｙ2i
−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2 ／２｝を得て、それぞれ差値の
最大値ｍａｘ1 ，ｍａｘ2 を求め、その最大値ｍａ
ｘ1 ，ｍａｘ2 と前記差値の差をそれぞれ取り、新たな
差値〔ｍａｘ1 −｛ｙ1i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ1i 2 ／
２｝〕の四捨五入値であるΔ1i，新たな差値Δ2i＝〔ｍ
ａｘ2 −｛ｙ2i−（ａ1 ＋ａ2 ）ｘ2i 2 ／２｝〕の四捨
五入値であるΔ2i 但し、ｘ1i ,ｘ2i：センサアドレス ｙ1i，ｙ2i：量子化値 ａ1 ，ａ2 ，ｂ1 ，ｂ2 ：係数 - 【請求項２】 請求項１に記載の測距装置において、前
記補正データは、前記２次近似曲線ｙ＝ａ1 ｘ2 ＋ｂ1,
ｙ＝ａ2 ｘ2 ＋ｂ2 に代えて、近似曲線ｙ＝ａ1 cos4ｘ
＋ｂ1,ｙ＝ａ2 cos4ｘ＋ｂ2 を用いて設定されてなるこ
とを特徴とする測距装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05240219A JP3099603B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 測距装置 |
| US08/313,733 US5608664A (en) | 1993-09-28 | 1994-09-27 | Method for correlating image data of a range-finder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05240219A JP3099603B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 測距装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792376A true JPH0792376A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3099603B2 JP3099603B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17056227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05240219A Expired - Fee Related JP3099603B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 測距装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5608664A (ja) |
| JP (1) | JP3099603B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943514A (en) * | 1996-07-19 | 1999-08-24 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Focusing system |
| KR100244951B1 (ko) * | 1995-12-28 | 2000-03-02 | 유무성 | 측거 영역이 가변되는 패시브 자동 초점 조절 장치 및 그 방법 |
| US6681078B2 (en) | 2001-12-10 | 2004-01-20 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Distance measuring apparatus |
| JP2006308556A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ムラ検査装置およびムラ検査方法 |
| JP2008197681A (ja) * | 2005-04-11 | 2008-08-28 | Canon Inc | 焦点検出装置 |
| JP2009169124A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子カメラ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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