JPH0792317A - Pattern exposure method and exposure device - Google Patents

Pattern exposure method and exposure device

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JPH0792317A
JPH0792317A JP23967893A JP23967893A JPH0792317A JP H0792317 A JPH0792317 A JP H0792317A JP 23967893 A JP23967893 A JP 23967893A JP 23967893 A JP23967893 A JP 23967893A JP H0792317 A JPH0792317 A JP H0792317A
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pattern exposure
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optical mask
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修 花島
Toshimasa Ishii
利正 石井
Hiroto Okada
浩人 岡田
Tomoko Mita
とも子 三田
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To replace oxygen existing at the boundary between a mask and a work or next to the boundary with an inert gas in uniformly distributed state as rapidly as possible with good efficiency at the time of executing the shielding operation against oxygen by an inert gas substituting method in pattern exposure with a proximity exposure system. CONSTITUTION:This pattern exposure method and exposure device execute exposure in the following manner: The inert gas is injected into the spacing from the outside of the opposite spacing between the optical mask 1 and the work 4 by properly adjusting the distribution of the ejection rate of the inert gas from air nozzles 3 or/and the injection angle (rotating angle of an arrow direction) of the inert gas, by which the opposite boundary of the optical mask and the work is subjected to a treatment by replacement with the inert gas while the two-dimensional distribution of the ejection rate of the inert gas within the parallel opposite surfaces of the optical mask and the work is made uniform. Pattern exposure with UV rays or pattern exposure with electron beams is thereafter executed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、カラー液晶表示装置に
使用されるカラーフィルター等のパターンを形成するた
めのパターン露光方法及び露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern exposure method and an exposure apparatus for forming a pattern such as a color filter used in a color liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、光重合型感光材を露光するに
際し、酸素による光重合反応阻害を防止する目的で、露
光前に該感光材を予めポリビニルアルコール、ポバール
等の透光性の樹脂膜で被覆する樹脂膜被覆方式か、又は
不活性ガス、具体的には窒素ガスを該感光材周囲に充満
させて、空気中の酸素を窒素N2 で置換する不活性ガス
置換方式によって酸素を遮断して露光する露光方法が採
用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a photopolymerizable photosensitive material is exposed to light, the photosensitive material is previously exposed to a transparent resin film such as polyvinyl alcohol or poval for the purpose of preventing the inhibition of the photopolymerization reaction by oxygen. in either the resin film coating scheme covers, or inert gases, and in particular it is filled with nitrogen gas to ambient photosensitive material, blocking oxygen by an inert gas replacement method of replacing the oxygen in the air with nitrogen N 2 Then, the exposure method of exposing is adopted.

【0003】上記のような樹脂膜被覆方式は確実な方法
ではあるが、樹脂塗布、乾燥工程等を必要とし、その工
程に掛かる時間が長くなる欠点を有しており、それに比
較して不活性ガス置換方式は、比較的に簡潔な操作で行
なうことができる。
Although the resin film coating method as described above is a reliable method, it has a drawback that it requires a resin coating step and a drying step and the time required for the step is long. The gas replacement method can be performed by a relatively simple operation.

【0004】図8、図9は、従来のプロキシミティー
(近接)露光方式におけるパターン露光に使用される露
光ステーションの概要側断面図と平面図であり、従来の
上記不活性ガス置換方式による酸素遮断操作の場合は、
図8、マスク装着フレーム12に水平に装着固定された
マスク1と、該マスク1に対して平行に下側に離間対向
してワークステージ15上に位置決め載置されたワーク
4との対向間隙に、外側より窒素ガスを噴出して窒素ガ
スを注入することによって置換するものであり、比較的
簡潔な操作で行なうことができるものであるが、マスク
1とワーク4の界面に存在する空気中の酸素を短時間で
均一に窒素N2 に置換することがなかなか困難である。
FIGS. 8 and 9 are a schematic side sectional view and a plan view of an exposure station used for pattern exposure in a conventional proximity (proximity) exposure method. For operation,
In FIG. 8, in the facing gap between the mask 1 horizontally mounted and fixed to the mask mounting frame 12, and the work 4 positioned and mounted on the work stage 15 so as to be spaced apart and facing the mask 1 in parallel with the mask 1. The nitrogen gas is blown from the outside to inject the nitrogen gas for replacement, which can be performed by a relatively simple operation. However, in the air existing at the interface between the mask 1 and the work 4. It is quite difficult to uniformly replace oxygen with nitrogen N 2 in a short time.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような不活性ガ
スによる置換、具体的には窒素ガス置換による酸素遮断
方式においては、図8に示すように、マスク1と、それ
に平行に離間対向するワーク4との間の側方に設置され
たノズル13から窒素ガスN2 を噴出させ、噴出した窒
素ガスN2 は、その周辺の空気を巻き込みながら、マス
ク1とワーク4との間隙に流れ込む。
As shown in FIG. 8, the mask 1 and the mask 1 are opposed to and parallel to the mask 1 in parallel with the above-described replacement with an inert gas, specifically, with an oxygen blocking system by replacement with nitrogen gas. Nitrogen gas N 2 is ejected from a nozzle 13 installed on the side of the work 4, and the ejected nitrogen gas N 2 flows into the gap between the mask 1 and the work 4 while entraining the air around it.

【0006】この場合、マスク1とワーク4との離間対
向相当部分の領域サイズは、例えば300mm×300
mm〜500mm×500mmであり、それに対してそ
のマスク1とワーク4との間の近接間隔は、数mm〜十
数mmと狭いため、マスク1とワーク4との対向間隙内
に流れ込む窒素ガスN2 の流れが悪く、したがってマス
ク1とワーク4のそれぞれ界面に吸着している酸素やそ
の周囲の酸素を精度よく窒素N2 に置換するためには、
マスク1とワーク4との対向間隙内の窒素ガスN2 の流
れを良くして、マスク1とワーク4との対向間隙内にノ
ズル13によって噴出供給する窒素供給量の分布をなる
べく短時間で均一にすることが必要であり、短時間で効
率良く均一に置換操作する技術として本願出願人は先に
特願平5−72072号を出願している。
In this case, the area size of the part corresponding to the space between the mask 1 and the work 4 facing each other is, for example, 300 mm × 300.
mm to 500 mm × 500 mm, whereas the proximity distance between the mask 1 and the work 4 is as narrow as several mm to several tens of mm, the nitrogen gas N flowing into the facing gap between the mask 1 and the work 4 is small. The flow of 2 is bad. Therefore, in order to accurately replace the oxygen adsorbed on the interface between the mask 1 and the work 4 and the oxygen around it with nitrogen N 2 ,
The flow of nitrogen gas N 2 in the facing gap between the mask 1 and the work 4 is improved to make the distribution of the nitrogen supply amount jetted and supplied by the nozzle 13 into the facing gap between the mask 1 and the work 4 uniform in the shortest possible time. The applicant of the present application has previously filed Japanese Patent Application No. 5-72072 as a technique for efficiently and uniformly performing a replacement operation in a short time.

【0007】本発明は、プロキシミティー(近接)露光
方式におけるパターン露光において不活性ガス置換方式
により酸素の遮断操作を行なう際に、マスク及びワーク
の界面、若しくは界面直近に存在する酸素をできるだけ
迅速に、且つ効率良く均一な分布状態の不活性ガスに置
換できるようにすることにある。
In the pattern exposure in the proximity (proximity) exposure system, the present invention makes it possible to remove oxygen existing at the interface between the mask and the work or in the vicinity of the interface as quickly as possible when the oxygen blocking operation is performed by the inert gas replacement system. In addition, it is possible to efficiently replace the inert gas with a uniform distribution state.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明は、
パターン露光用の光学マスクとワークとを互いに平行に
対向させ、該光学マスクとワークとの離間対向間隙の外
側より間隙内にエアーノズルから不活性ガスを噴出させ
て光学マスクとワークとの対向界面を不活性ガス置換処
理した後、該光学マスクをワークの感光材面に近接乃至
接触させて露光する露光方法において、エアーノズルか
らの不活性ガス噴出量分布又は/及び不活性ガス噴射角
度を適宜調整して光学マスクとワークとの離間対向間隙
の外側より間隙内に不活性ガスを噴出させることによ
り、光学マスクとワークとの平行対向面内での不活性ガ
ス噴出量の2次元的分布を均一にしつつ、光学マスクと
ワークとの対向界面を不活性ガス置換処理した後、紫外
線パターン露光若しくは電子線パターン露光することを
特徴とするパターン露光方法である。
The first invention of the present invention is as follows:
The optical mask for pattern exposure and the work are opposed to each other in parallel, and the air mask and the work are opposed to each other. In an exposure method in which the optical mask is exposed to the surface of the photosensitive material close to or in contact with the surface of the photosensitive material after the inert gas replacement treatment, the distribution of the amount of the inert gas jetted from the air nozzle and / or the angle of the inert gas jetted appropriately. By adjusting and ejecting the inert gas into the gap from the outside of the gap where the optical mask and the workpiece are opposed to each other, the two-dimensional distribution of the amount of the inert gas ejected in the plane where the optical mask and the workpiece are parallel to each other is adjusted. A pattern characterized by subjecting the facing interface between the optical mask and the work to inert gas substitution treatment while uniformizing, and then subjecting it to ultraviolet pattern exposure or electron beam pattern exposure An optical method.

【0009】また、本発明の第2の発明は、露光用光源
を備え、且つパターン露光用の光学マスクとワークとを
互いに平行に離間乃至近接若しくは接触対向動作させる
それぞれマスクフレーム及びワークステージと、該光学
マスクとワークとの離間対向間隙の外側に不活性ガス噴
出用のエアーノズルを備えたパターン露光装置におい
て、エアーノズルは、その不活性ガス噴射角度と不活性
ガス噴出量分布のいずれか一方又は両方を適宜調整可能
であることを特徴とするパターン露光装置である。
A second aspect of the present invention includes a mask frame and a work stage which are provided with a light source for exposure, and each of which moves an optical mask for pattern exposure and a work in parallel with each other so as to be spaced apart from or close to each other or in contact with each other. In a pattern exposure apparatus provided with an air nozzle for ejecting an inert gas outside the gap between the optical mask and the workpiece, the air nozzle is provided with one of an inert gas ejection angle and an inert gas ejection amount distribution. Alternatively, the pattern exposure apparatus is characterized in that both can be adjusted appropriately.

【0010】また、本発明の第3の発明は、上記パター
ン露光装置において、平行に離間乃至近接若しくは接触
対向する光学マスクとワークとの外側周囲に2個乃至4
個以上の酸素濃度計を備え、エアーノズルの不活性ガス
噴射角度を調整するエアーノズル噴射角度回転手段と、
エアーノズルの不活性ガス噴出量分布を調整する不活性
ガス噴出量分布調整手段のいずれか一方若しくは両方を
備え、前記酸素濃度計による濃度検出信号に基づいて前
記エアーノズル噴射角度回転手段又は/及び不活性ガス
噴出量分布調整手段を動作して不活性ガス噴射角度又は
/及び不活性ガス噴出量分布を調整するようにしたこと
を特徴とするパターン露光装置である。
Further, a third invention of the present invention is, in the pattern exposure apparatus, two to four are provided around an outer side of an optical mask and a work which are spaced apart from each other in parallel or are in close proximity or in contact with each other.
An air nozzle injection angle rotating means for adjusting the inert gas injection angle of the air nozzle, which comprises at least two oxygen concentration meters,
One or both of the inert gas jetting amount distribution adjusting means for adjusting the inert gas jetting amount distribution of the air nozzle is provided, and the air nozzle jetting angle rotating means or / and based on the concentration detection signal by the oxygen concentration meter. The pattern exposure apparatus is characterized in that the inert gas jetting amount distribution adjusting means is operated to adjust the inert gas jetting angle and / or the inert gas jetting amount distribution.

【0011】[0011]

【実施例】本発明における第1の発明の露光方法を、実
施例に従って以下に詳細に説明すれば、図1は本発明の
不活性ガス置換方式による酸素遮断操作を行なって光学
マスクからワークに対してパターン露光する場合におけ
る本発明方法の一実施例におけるパターン露光方法を示
す側断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The exposure method of the first invention of the present invention will be described in detail below with reference to the embodiments. FIG. It is a sectional side view which shows the pattern exposure method in one Example of the method of this invention in the case of carrying out pattern exposure with respect to it.

【0012】エアーノズル3を適宜回転させて、そのエ
アー噴出口3aの回転方向(図1のエアーノズル3近傍
に記した矢印方向)における位相を適宜角度に設定し
て、光学マスク1とワーク4との離間対向間隙内に噴出
させる不活性ガスN2 (噴出エアーa)の噴射角度(光
学マスク面に対する噴射角度、若しくはワーク面に対す
る噴射角度)を調整した後に、不活性ガスN2 を適宜時
間(例えば数秒間〜数分間)噴出させてパターン露光を
行なう方法である。
By appropriately rotating the air nozzle 3, the phase in the rotation direction of the air jet port 3a (the direction of the arrow shown in the vicinity of the air nozzle 3 in FIG. 1) is set to an appropriate angle, and the optical mask 1 and the work 4 are set. After adjusting the jetting angle of the inert gas N 2 (jetting air a) jetted into the gap facing each other (jetting angle with respect to the optical mask surface or jetting angle with respect to the work surface), the inert gas N 2 is appropriately timed. This is a method of performing pattern exposure by jetting (for example, several seconds to several minutes).

【0013】図1において、マスクフレーム2に装着さ
れた光学マスク(光学的マスク)1と、それに平行に離
間対向するワーク4(例えばガラス基板上に光重合硬化
型感光材を塗布したもの)との対向間隙の左右外側近傍
に、それぞれ1本ずつ2本一対の窒素ガスN2 噴出用の
エアーノズル3(例えば中空バー状のもの)を設け、該
エアーノズル3のワーク4と対向する一方の部位に窒素
ガスN2 を噴出させる小孔状又は細いスリット状のエア
ー噴出口3aを設ける。
In FIG. 1, an optical mask (optical mask) 1 mounted on a mask frame 2 and a work 4 (for example, a glass substrate coated with a photopolymerization curable photosensitive material) facing each other in parallel and spaced from each other. Two pairs of air nozzles 3 (for example, hollow bar-shaped ones) for ejecting nitrogen gas N 2 are provided near the left and right outer sides of the facing gap, and one of the air nozzles 3 faces the work 4. A small hole-shaped or thin slit-shaped air ejection port 3a for ejecting nitrogen gas N 2 is provided at the site.

【0014】図2は図1の概要平面図であり、窒素ガス
2 の噴出量(噴出エアーaの噴出量)は中央部で多い
ことが好ましく、エアー噴出口3aの小孔の口径又はス
リット幅は、中央部から外側にかけて順次細くすること
が好ましいが、本発明においてはこれに限定するもので
はない。
FIG. 2 is a schematic plan view of FIG. 1. It is preferable that the amount of nitrogen gas N 2 ejected (the amount of ejected air a) is large in the central portion, and the diameter or slit of the small hole of the air ejection port 3a. The width is preferably gradually reduced from the central portion to the outer side, but the present invention is not limited to this.

【0015】該エアー噴出口3aからのエアー噴出量
は、該噴出口3aの小孔の口径、又はスリット幅を適宜
調整することによって可能であり、例えば、エアーノズ
ル3(中空パイプ本体)の周壁部に貫設した螺子孔部
に、各種口径又はスリット幅の小孔又はスリットを貫設
したノズルアタッチメント3bを取付け取外し可能に螺
着してエアー噴出口3aを形成し、このノズルアタッチ
メント3bを適宜交換することによってエアー噴出口3
aの口径又はスリット幅を調整するようにしてもよい
し、あるいはエアー噴出口3aの内側に適宜マニュアル
にて若しくは自動的に調整可能な噴出量調整バルブを内
装することによって可能である。
The amount of air ejected from the air ejection port 3a can be adjusted by appropriately adjusting the diameter of the small hole of the ejection port 3a or the slit width, for example, the peripheral wall of the air nozzle 3 (hollow pipe body). A nozzle attachment 3b having small holes or slits of various diameters or slit widths is attached to a screw hole formed through the portion to be detachably screwed to form an air ejection port 3a, and the nozzle attachment 3b is appropriately formed. Air outlet 3 by replacing
The diameter or slit width of a may be adjusted, or it is possible by manually installing an injection amount adjusting valve that can be manually or automatically adjusted inside the air outlet 3a.

【0016】例えば、一実施例において、カラーフィル
ター製造等に使用される光学マスク1は、通常450m
m×450mm以上のサイズであり、上記エアーノズル
3を使用する際におけるマスク1とワーク4との対向間
隙は20mm以下、好ましくは10mm以下である。
For example, in one embodiment, the optical mask 1 used for manufacturing a color filter or the like is usually 450 m.
The size is m × 450 mm or more, and the facing gap between the mask 1 and the work 4 when using the air nozzle 3 is 20 mm or less, preferably 10 mm or less.

【0017】窒素ガスN2 噴出用のエアーノズル3の断
面形状は何ら制限は無いが、外径は極力小さいことが好
ましく、例えば10mm未満が好ましいがこれに限定さ
れるものではない。
The cross-sectional shape of the air nozzle 3 for jetting nitrogen gas N 2 is not limited at all, but the outer diameter is preferably as small as possible, for example, less than 10 mm, but not limited to this.

【0018】次に、エアーノズル3からの窒素ガスN2
の噴出工程から露光工程までを、図1、図2、図3(側
断面図)に従って以下に順を追って説明する。
Next, nitrogen gas N 2 from the air nozzle 3
The process from the ejection process to the exposure process will be sequentially described below with reference to FIGS. 1, 2, and 3 (side sectional views).

【0019】図1において、光学マスク(光学的マス
ク)1と、それに平行に離間対向するワーク4(例えば
ガラス基板上に光重合硬化型感光材を塗布したもの)と
の対向間隙の外側近傍に設置されている1対のエアーノ
ズル3,3のそれぞれエアー噴出口3a(ノズルアタッ
チメント3b)より、ガス噴出流速を高速にして窒素ガ
スN2 (噴出エアーa)を、適宜噴射角度にて(例えば
光学マスク1とワーク4とに対して平行方向、若しくは
光学マスク1又は/及びワーク4に向けて)噴出させ
る。なお、エアーノズル3の移動速度は、例えば100
mm/秒〜200mm/秒が適当であり、移動を終了す
るまでの窒素ガスN2 の噴出時間は、およそ3秒程度で
ある。
In FIG. 1, an optical mask (optical mask) 1 and a work 4 (eg, a glass substrate coated with a photopolymerization-curable photosensitive material) facing each other in parallel and apart from each other are provided in the vicinity of the outside of a facing gap. The nitrogen gas N 2 (jet air a) is jetted at an appropriate jet angle from the air jet port 3a (nozzle attachment 3b) of each of the pair of installed air nozzles 3 and 3 at a high jet velocity. It is jetted in a direction parallel to the optical mask 1 and the work 4 or toward the optical mask 1 and / or the work 4. The moving speed of the air nozzle 3 is, for example, 100
mm / sec to 200 mm / sec is suitable, and the ejection time of nitrogen gas N 2 until the movement is completed is about 3 seconds.

【0020】続いて、エアー噴出を停止した後に、ある
いはエアー噴出を継続した状態で、図3に示すように、
直ちに光学マスク1とワーク4とを接近させてプロキシ
ミティー(近接)状態にして、適宜アライメント工程に
よって光学マスク1とワーク4との互いの対向面内での
相対的位置決め(露光のための見当整合)を素早く行っ
た後に、直ちに紫外線露光、若しくは電子線露光する。
Then, after the air jet is stopped or while the air jet is continued, as shown in FIG.
Immediately, the optical mask 1 and the work 4 are brought close to each other to be in the proximity (proximity) state, and the relative positioning of the optical mask 1 and the work 4 in the mutually opposing surfaces (registration alignment for exposure is performed by an appropriate alignment process. ), Followed by immediate ultraviolet exposure or electron beam exposure.

【0021】なお、プロキシミティー状態にした後のマ
スク1とワーク4との対向間隙は、例えば0.1mm以
下であり、この近接間隙を保持した状態における露光工
程に要する数秒間では、その光学マスク1とワーク4と
の近接対向間隙内に外気の流れはほとんどみられないも
のである。
The facing gap between the mask 1 and the work 4 after the proximity state is, for example, 0.1 mm or less, and the optical mask can be used for a few seconds required for the exposure step in the state where this close gap is held. The flow of the outside air is hardly seen in the closely facing gap between the work 1 and the work 4.

【0022】露光が終了した後は、マスク1とワーク4
とを互いに離反させて、元の平行な離間対向状態(図1
参照)に戻す。なお、ワークステージ5上のワーク4
は、適宜次工程に搬送される。
After the exposure is completed, the mask 1 and the work 4 are
And are separated from each other so as to be in the original parallel and opposed state (see FIG.
Refer to). The work 4 on the work stage 5
Are appropriately conveyed to the next step.

【0023】なお、エアーノズル3は、ワーク4がワー
クステージ5上に搬入される以前にも適宜窒素ガスN2
を噴出させることは可能である。
It should be noted that the air nozzle 3 appropriately uses nitrogen gas N 2 before the work 4 is loaded onto the work stage 5.
It is possible to spout out.

【0024】上記第1の発明のパターン露光方法におけ
る他の実施例としては、図1に示す光学マスク1とワー
ク4との離間対向間隙の外側に、検出センサー先端部を
備えた酸素濃度計6を設け、不活性ガスN2 を噴出させ
ながら、光学マスク1とワーク4との離間対向間隙近傍
の酸素濃度を検出して、その検出信号(又は検出濃度
値)に基づいて、エアーノズル3からの不活性ガスの噴
出量や噴射角度を適宜に調整するようにするものであ
る。
As another embodiment of the pattern exposure method of the first invention, an oxygen concentration meter 6 having a detection sensor tip portion is provided outside the gap between the optical mask 1 and the work 4 shown in FIG. Is provided, the oxygen concentration near the gap between the optical mask 1 and the work 4 is detected while the inert gas N 2 is ejected, and based on the detection signal (or the detected concentration value), the air nozzle 3 The injecting amount and the injecting angle of the inert gas are appropriately adjusted.

【0025】上記酸素濃度計6は、図1、図2、図3に
示すように、例えばワークステージ5の一部に切欠部5
aを設け、該切欠部5a内に酸素濃度計6が嵌挿するよ
うに設置するか、あるいは図示しないがマスクフレーム
2側に支持して取付けるようにしてもよい。
As shown in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3, the oxygen concentration meter 6 has, for example, a notch 5 in a part of the work stage 5.
A may be provided and the oxygen concentration meter 6 may be installed so as to be inserted into the notch portion 5a, or may be supported and mounted on the mask frame 2 side (not shown).

【0026】次に、本発明における第2の発明の露光装
置を、実施例に従って以下に詳細に説明する。図4は、
本発明装置の一実施例の概要側断面図であり、マスクフ
レーム2と、それと平行に離間対向して、互いに相対的
に接近乃至は離反動作するするワークステージ5とを備
える。
Next, the exposure apparatus of the second invention of the present invention will be described in detail below with reference to embodiments. Figure 4
1 is a schematic side cross-sectional view of an embodiment of the device of the present invention, which includes a mask frame 2 and a work stage 5 which is parallel to and spaced apart from each other, and which relatively moves toward and away from each other.

【0027】該マスクフレーム2とワークステージ5の
相対的な接近乃至離反動作は、エアーシリンダー、モー
ターにより駆動動作させ、該マスクフレーム2とワーク
ステージ5との両方に対して垂直方向の適宜ガイド(図
示せず)に沿って、接近乃至離反動作するようにしたも
のである。
The relative approaching or separating operation of the mask frame 2 and the work stage 5 is driven by an air cylinder or a motor, and an appropriate guide (vertical direction) to both the mask frame 2 and the work stage 5 is provided. (Not shown), it is configured to move toward or away from each other.

【0028】マスクフレーム2は、四角形状の露光用窓
部2aを備え、該マスクフレーム2の下面にマスク1を
吸着固定するためのエアー吸着によるマスク装着手段2
0を備え、該マスク装着手段20は、マスクフレーム2
の下面に孔設されたスリット状、長孔状、小孔状の複数
の吸着孔21と、該吸着孔21に連通するエアー通路2
2と、エアー吸引管23とを備え、エアー吸引管23よ
り適宜バキュームポンプ(図示せず)にてエアーを吸引
することによって吸着孔21のバキューム力によってマ
スク1をマスクフレーム下面に吸着固定するものであ
る。なお、吸着孔21の周囲には、適宜弾力性のあるゴ
ム製、プラスチック製のリング状のシール材(図示せ
ず)を設け、吸着孔21とマスク面との間で吸引エアー
の洩れが生じないようにすることは可能である。
The mask frame 2 is provided with a rectangular exposure window portion 2a, and the mask mounting means 2 by air suction for sucking and fixing the mask 1 on the lower surface of the mask frame 2.
0, the mask mounting means 20 includes a mask frame 2
A plurality of slit-shaped, long-hole-shaped, and small-hole-shaped suction holes 21 formed on the lower surface of the air passage 2, and an air passage 2 communicating with the suction holes 21.
2 and an air suction pipe 23, and by appropriately sucking air from the air suction pipe 23 with a vacuum pump (not shown), the mask 1 is sucked and fixed to the lower surface of the mask frame by the vacuum force of the suction holes 21. Is. A ring-shaped sealing material (not shown) made of rubber or plastic having appropriate elasticity is provided around the suction hole 21 so that suction air leaks between the suction hole 21 and the mask surface. It is possible not to.

【0029】前記マスクフレーム2の露光用窓部2a上
方には、ハロゲン、キセノン、アーク等の紫外線照射用
の点光源、若しくは紫外線、電子線照射用の走査光源2
8を備える。
Above the exposure window 2a of the mask frame 2, a point light source for irradiating ultraviolet rays such as halogen, xenon, arc, or a scanning light source 2 for irradiating ultraviolet rays or electron beams.
8 is provided.

【0030】ワークステージ5は、その上面に平坦面を
備え、該平坦面には、ワーク4を吸着固定するためのエ
アー吸着手段14を備え、該エアー吸着手段24は、ワ
ークステージ5上面に孔設された複数の吸引孔25と、
該吸引孔25と連通するエアー流路26と、エアー吸引
管27とを備え、エアー吸引管27よりエアーを吸引す
ることによって吸着孔25のバキューム力によってワー
ク4をワークステージ5上に装着固定するものである。
The work stage 5 has a flat surface on its upper surface, and the flat surface is provided with air suction means 14 for suction-fixing the work 4, and the air suction means 24 has a hole on the top surface of the work stage 5. A plurality of suction holes 25 provided,
An air flow path 26 communicating with the suction hole 25 and an air suction pipe 27 are provided. By sucking air from the air suction pipe 27, the work 4 is mounted and fixed on the work stage 5 by the vacuum force of the suction hole 25. It is a thing.

【0031】図5は本発明装置の他の実施例の概要側断
面図であり、マスクフレーム2と、それと平行に離間対
向して、互いに相対的に接近乃至は離反動作するするワ
ークステージ5とを備え、マスクフレーム2には、該マ
スクフレーム2の下面にマスク1を装着固定するための
メカニカルクランプによるマスク装着手段30を備え
る。
FIG. 5 is a schematic side sectional view of another embodiment of the apparatus of the present invention, which is a mask frame 2 and a work stage 5 which is parallel to the mask frame 2 and is opposed to the mask frame 2 and relatively moves toward or away from each other. The mask frame 2 is provided with mask mounting means 30 by a mechanical clamp for mounting and fixing the mask 1 on the lower surface of the mask frame 2.

【0032】該マスク装着手段30は、マスクフレーム
2の下面と相対する平行なクランプ板31と、該クラン
プ板31を上下動作させる作動シャフト32と、該シャ
フト32を駆動動作させる駆動源33を備える。
The mask mounting means 30 comprises a parallel clamp plate 31 facing the lower surface of the mask frame 2, an actuating shaft 32 for vertically moving the clamp plate 31, and a driving source 33 for driving the shaft 32. .

【0033】作動シャフト32は、例えばエアーシリン
ダーの作動ロッドであり、前記クランプ板31を該作動
シャフト32に取付けることによって、クランプ板31
を上下動作可能にして、マスクフレーム2下面とクラン
プ板31との間にマスク1を挟み込んで装着固定するも
のである。
The operating shaft 32 is, for example, an operating rod of an air cylinder, and by attaching the clamp plate 31 to the operating shaft 32, the clamp plate 31 is
The mask 1 is vertically movable, and the mask 1 is sandwiched and fixed between the lower surface of the mask frame 2 and the clamp plate 31.

【0034】また、例えば、前記作動シャフト32は、
モーターにて駆動回転するネジシャフトであり前記クラ
ンプ板31を該ネジシャフトに螺着し、マスクフレーム
2の一部に適宜垂直ガイド(図示せず)を設けることに
よって、ネジシャフトの正回転、逆回転によってクラン
プ板31を上下動作させることができ、マスクフレーム
2下面とクランプ板31との間にマスク1を挟み込んで
装着固定するようにしてもよい。
Further, for example, the operating shaft 32 is
The screw shaft is a screw shaft driven and rotated by a motor. The clamp plate 31 is screwed onto the screw shaft, and a vertical guide (not shown) is appropriately provided on a part of the mask frame 2 so that the screw shaft can rotate normally and reversely. The clamp plate 31 can be moved up and down by rotation, and the mask 1 may be sandwiched and fixed between the lower surface of the mask frame 2 and the clamp plate 31.

【0035】次に、本発明装置の一実施例において、エ
アーノズル3のエアー噴出量分布を調整するためのエア
ー噴出量調整機構、及びエアー噴射角度を調整するため
の回転機構について以下に説明すれば、図6は2本1対
のエアーノズル3,3のうちの1本のエアーノズル3の
エアー噴出量調整機構を示す概要平面断面図、図7は1
本のエアーノズル3のエアー噴射角度を調整するための
回転機構を示す概要平面図である。
Next, an air jet amount adjusting mechanism for adjusting the air jet amount distribution of the air nozzle 3 and a rotating mechanism for adjusting the air jet angle in one embodiment of the device of the present invention will be described below. For example, FIG. 6 is a schematic plan sectional view showing an air ejection amount adjusting mechanism of one air nozzle 3 of the pair of two air nozzles 3, 3. FIG.
It is a schematic plan view showing a rotation mechanism for adjusting the air injection angle of the air nozzle 3 of the book.

【0036】エアー噴出量調整機構は、図6に示すよう
に、エアーノズル3の一端部及び他端部は、ワークステ
ージ5を昇降可能に支持する装置本体フレームに一体に
支持されたブラケット(図示せず)に取付け支持されて
いる。
In the air ejection amount adjusting mechanism, as shown in FIG. 6, one end portion and the other end portion of the air nozzle 3 are brackets integrally supported by an apparatus main body frame that supports the work stage 5 so that the work stage 5 can be moved up and down (see FIG. (Not shown).

【0037】エアーノズル3の周壁部には、そのエアー
ノズル3の長手方向に沿って、等間隔等の適宜間隔に、
エアー噴出口3aが貫設されたノズルアタッチメント3
bが螺着されている。
On the peripheral wall portion of the air nozzle 3, along the longitudinal direction of the air nozzle 3, at regular intervals such as equal intervals,
Nozzle attachment 3 having an air ejection port 3a formed therethrough
b is screwed on.

【0038】該ノズルアタッチメント3bに貫設したエ
アー噴出口3aは、そのエアーノズル3の中空部3cに
向かって拡がるテーパー孔3dを備え、該テーパー孔3
dと対向するエアーノズル3の周壁部には螺子孔3eを
備え、該螺子孔3eに、該テーパー孔3d内周面に密に
対応する先細り先端部41を備えた螺子シャフト40が
回転可能に螺着され、該螺子シャフト40の末端部に
は、該螺子シャフト40の長手方向を回転軸とする駆動
伝達ギア42が取付け固定され、該伝達ギア42に駆動
ギア43が噛合され、該駆動ギア43を電動モーター、
若しくはロータリーエアーシリンダー等の駆動源44に
よって適宜回転数で正回転、及び逆回転させることによ
って螺子シャフト40を回転させて進退動作させて、そ
の先細り先端部41を前記テーパー孔3d内周面に対し
て接近乃至離間させて、適宜エアー噴出量を調整するも
のである。
The air ejection port 3a penetrating the nozzle attachment 3b is provided with a taper hole 3d extending toward the hollow portion 3c of the air nozzle 3, and the taper hole 3 is formed.
The peripheral wall portion of the air nozzle 3 facing d is provided with a screw hole 3e, and the screw shaft 40 provided with a tapered tip portion 41 closely corresponding to the inner peripheral surface of the tapered hole 3d is rotatable in the screw hole 3e. A drive transmission gear 42 having a rotation axis in the longitudinal direction of the screw shaft 40 is attached and fixed to a distal end portion of the screw shaft 40, and a drive gear 43 is meshed with the transmission gear 42. 43 is an electric motor,
Alternatively, the screw shaft 40 is rotated forward and backward by rotating the screw shaft 40 forward and backward at an appropriate rotational speed by a driving source 44 such as a rotary air cylinder, and the tapered tip portion 41 is moved relative to the inner peripheral surface of the tapered hole 3d. The air ejection amount is adjusted as appropriate by moving them toward or away from each other.

【0039】次に、エアー噴射角度を調整するための回
転機構は、図7に示すように、エアーノズル3の一端部
と他端部がそれぞれベアリング51を介して軸受部5
0,50に回転可能に軸支して取付けられている。
Next, in the rotating mechanism for adjusting the air injection angle, as shown in FIG. 7, one end portion and the other end portion of the air nozzle 3 are respectively provided with bearings 5 through bearings 51.
It is rotatably attached to 0 and 50.

【0040】それぞれ前記軸受部50,50は、ワーク
ステージ5を昇降可能に支持する装置本体フレームに一
体に支持されたブラケット(図示せず)に取付け支持さ
れている。
The bearings 50, 50 are mounted and supported by brackets (not shown) which are integrally supported by the frame of the main body of the apparatus for supporting the work stage 5 so as to be able to move up and down.

【0041】エアーノズル3の一端部はエアー(不活性
ガス)を流入させるホースと接続した流入管45を備
え、その他端部は、エアーノズル3の長手方向を回転軸
方向とする駆動伝達ギア42が取付け固定され、該伝達
ギア42に駆動ギア43が噛合され、該駆動ギア43を
適宜変速ギアを介して電動モーター、若しくはロータリ
ーエアーシリンダー等の駆動源44によって1回転以内
で正回転、及び逆回転させることによってエアーノズル
3を回転させ、適宜エアー噴射角度を調整するものであ
る。
One end of the air nozzle 3 is provided with an inflow pipe 45 connected to a hose for allowing air (inert gas) to flow in, and the other end thereof is a drive transmission gear 42 whose longitudinal axis is the rotational axis direction. Is mounted and fixed, and the drive gear 43 is meshed with the transmission gear 42. The drive gear 43 is rotated forward and backward within one rotation by a drive source 44 such as an electric motor or a rotary air cylinder through a transmission gear as appropriate. By rotating, the air nozzle 3 is rotated and the air injection angle is adjusted appropriately.

【0042】[0042]

【作用】本発明は、露光直前において、光学マスクとワ
ークとの離間対向間隙内に不活性ガスを噴出させて不活
性ガス置換処理する際に、適宜不活性ガス噴出量分布を
適宜調整するか、あるいは適宜不活性ガス噴射角度を適
宜調整した上で、光学マスクとワークとの対向界面に対
する不活性ガスの噴出置換操作を行なうことによって、
対向界面に対してできるかぎり均一な不活性ガスの2次
元的分布をもった置換操作ができ、界面、及び界面直近
に存在する空気、即ち光重合硬化反応を阻害する酸素を
強制的に且つ従来よりも均一に剥ぎ取る作用があり、従
来よりも節約された比較的少量の不活性ガス(窒素ガス
2 )の使用量によって、短時間に均一且つ高濃度の不
活性ガス(窒素ガスN2 )雰囲気を作ることができ、従
来よりも精度のあるガス置換操作ができるものである。
According to the present invention, immediately before exposure, when the inert gas is replaced by injecting the inert gas into the gap between the optical mask and the work, the distribution of the amount of the inert gas is adjusted appropriately. Or, by appropriately adjusting the inert gas injection angle, and then performing the ejection replacement operation of the inert gas to the facing interface between the optical mask and the work,
It is possible to perform a substitution operation with a two-dimensional distribution of an inert gas that is as uniform as possible on the facing interface, and forcibly and conventionally the air existing near the interface, that is, oxygen that inhibits the photopolymerization curing reaction, There is uniformly peeled effect than by the use of a relatively small amount of inert gas is saved over conventional (nitrogen gas N 2), a short time uniform and high concentration of the inert gas (nitrogen gas N 2 ) An atmosphere can be created and a gas replacement operation can be performed with higher accuracy than before.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明のパターン露光方法及び露光装置
は、プロキシミティー(近接)露光方式におけるパター
ン露光において不活性ガス置換方式により酸素の遮断操
作を行なう際において、光学マスク及びワークの界面、
若しくは界面直近に存在する酸素を従来よりも短時間で
効率良く均一に不活性ガスに置換できる効果があり、カ
ラーフィルタパターンの露光形成等の各種パターン形成
に効果的である
According to the pattern exposure method and exposure apparatus of the present invention, an interface between an optical mask and a workpiece is used when an oxygen blocking operation is performed by an inert gas substitution method in pattern exposure in a proximity (proximity) exposure method.
Alternatively, it has an effect that oxygen existing in the vicinity of the interface can be efficiently and uniformly replaced with an inert gas in a shorter time than the conventional one, and is effective for forming various patterns such as the exposure formation of the color filter pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のパターン露光方法及び露光装置を説明
する概要側断面図である。
FIG. 1 is a schematic side sectional view illustrating a pattern exposure method and an exposure apparatus of the present invention.

【図2】本発明のパターン露光方法及び露光装置を説明
する概要平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a pattern exposure method and an exposure apparatus of the present invention.

【図3】本発明のパターン露光方法及び露光装置の動作
を説明する概要平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view explaining the operation of the pattern exposure method and the exposure apparatus of the present invention.

【図4】本発明のパターン露光装置の一実施例を説明す
る概要側断面図である。
FIG. 4 is a schematic side sectional view for explaining an embodiment of the pattern exposure apparatus of the present invention.

【図5】本発明のパターン露光装置の他の実施例を説明
する概要平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view illustrating another embodiment of the pattern exposure apparatus of the present invention.

【図6】本発明のパターン露光装置のエアーノズルのエ
アー噴出量調整機構を説明する概要平面断面図である。
FIG. 6 is a schematic plan sectional view illustrating an air ejection amount adjusting mechanism of an air nozzle of the pattern exposure apparatus of the present invention.

【図7】本発明のパターン露光装置のエアーノズルのエ
アー噴射角度調整機構を説明する概要平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view illustrating an air jet angle adjusting mechanism of an air nozzle of the pattern exposure apparatus of the present invention.

【図8】従来のパターン露光方法及び露光装置を説明す
る概要側断面図である。
FIG. 8 is a schematic side sectional view illustrating a conventional pattern exposure method and exposure apparatus.

【図9】従来のパターン露光方法及び露光装置を説明す
る概要平面図である。
FIG. 9 is a schematic plan view illustrating a conventional pattern exposure method and exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

a…噴出エアー 1…光学マスク 2…マスクフレーム
2a…露光用窓部 3…エアーノズル 3a…エアー噴出口 3b…ノズル
アタッチメント 3c…中空部 3d…テーパー孔 3e…螺子孔 4…
ワーク 5…ワークステージ 5a…切欠部 6…酸素濃度計 12…マスクフレーム 13…ノズル 15…ワークス
テージ 20…マスク装着手段 21…吸引孔 22…エアー流
路 23…吸引管 24…装着固定手段 25…吸引孔 26…エアー流路
27…吸引管 28…露光用光源 30…マスク装着手段 31…クラ
ンプ板 32…作動シャフト 33…駆動源 40…螺子シャフ
ト 41…先細り先端部 42…駆動伝達ギア 43…駆動ギア 44…駆動源
50…軸受部 51…ベアリング 52…駆動伝達ギア 53…駆動ギ
ア 54…駆動源 55…不活性ガス流入管
a ... Jet air 1 ... Optical mask 2 ... Mask frame 2a ... Exposure window 3 ... Air nozzle 3a ... Air jet 3b ... Nozzle attachment 3c ... Hollow part 3d ... Tapered hole 3e ... Screw hole 4 ...
Work 5 ... Work stage 5a ... Notch portion 6 ... Oxygen concentration meter 12 ... Mask frame 13 ... Nozzle 15 ... Work stage 20 ... Mask mounting means 21 ... Suction hole 22 ... Air flow path 23 ... Suction tube 24 ... Mounting fixing means 25 ... Suction hole 26 ... Air flow path 27 ... Suction tube 28 ... Exposure light source 30 ... Mask mounting means 31 ... Clamp plate 32 ... Operating shaft 33 ... Drive source 40 ... Screw shaft 41 ... Tapered tip 42 ... Drive transmission gear 43 ... Drive Gear 44 ... Drive source
50 ... Bearing part 51 ... Bearing 52 ... Drive transmission gear 53 ... Drive gear 54 ... Drive source 55 ... Inert gas inflow pipe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三田 とも子 東京都台東区台東一丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tomoko Mita 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パターン露光用の光学マスクとワークとを
互いに平行に対向させ、該光学マスクとワークとの離間
対向間隙の外側より間隙内にエアーノズルから不活性ガ
スを噴出させて光学マスクとワークとの対向界面を不活
性ガス置換処理した後、該光学マスクをワークの感光材
面に近接乃至接触させて露光する露光方法において、エ
アーノズルからの不活性ガス噴出量分布又は/及び不活
性ガス噴射角度を適宜調整して光学マスクとワークとの
離間対向間隙の外側より間隙内に不活性ガスを噴出させ
ることにより、光学マスクとワークとの平行対向面内で
の不活性ガス噴出量の2次元的分布を均一にしつつ、光
学マスクとワークとの対向界面を不活性ガス置換処理し
た後、紫外線パターン露光若しくは電子線パターン露光
することを特徴とするパターン露光方法。
1. An optical mask for pattern exposure and a work are opposed to each other in parallel, and an inert gas is ejected from an air nozzle into the gap from the outside of the gap facing the separation between the optical mask and the work. In an exposure method of exposing the optical mask in proximity to or in contact with the photosensitive material surface of the work after performing an inert gas displacement treatment on the interface facing the work, the distribution of the amount of the inert gas jetted from the air nozzle and / or the inert gas By adjusting the gas injection angle appropriately and ejecting the inert gas into the gap from the outside of the gap where the optical mask and the workpiece are opposed to each other, the amount of the inert gas ejected in the parallel opposing surface of the optical mask and the workpiece is adjusted. The two-dimensional distribution is made uniform, and the opposing interface between the optical mask and the work is subjected to an inert gas displacement treatment, and then subjected to ultraviolet pattern exposure or electron beam pattern exposure. That pattern exposure method.
【請求項2】露光用光源を備え、且つパターン露光用の
光学マスクとワークとを互いに平行に離間乃至近接若し
くは接触対向動作させるそれぞれマスクフレーム及びワ
ークステージと、該光学マスクとワークとの離間対向間
隙の外側に不活性ガス噴出用のエアーノズルを備えたパ
ターン露光装置において、エアーノズルは、その不活性
ガス噴射角度と不活性ガス噴出量分布のいずれか一方又
は両方を適宜調整可能であることを特徴とするパターン
露光装置。
2. A mask frame and a work stage, which are provided with a light source for exposure, and which move an optical mask for pattern exposure and a work in parallel with each other so as to be spaced apart from each other, close to each other, or in contact with each other, and a space between the optical mask and the work. In a pattern exposure apparatus equipped with an air nozzle for ejecting an inert gas outside the gap, the air nozzle is capable of appropriately adjusting one or both of the inert gas ejection angle and the inert gas ejection amount distribution. A pattern exposure apparatus.
【請求項3】前記パターン露光装置において、平行に離
間乃至近接若しくは接触対向する光学マスクとワークと
の外側周囲に2個乃至4個以上の酸素濃度計を備え、エ
アーノズルの不活性ガス噴射角度を調整するエアーノズ
ル噴射角度回転手段と、エアーノズルの不活性ガス噴出
量分布を調整する不活性ガス噴出量分布調整手段のいず
れか一方若しくは両方を備え、前記酸素濃度計による濃
度検出信号に基づいて前記エアーノズル噴射角度回転手
段又は/及び不活性ガス噴出量分布調整手段を動作して
不活性ガス噴射角度又は/及び不活性ガス噴出量分布を
調整するようにしたことを特徴とするパターン露光装
置。
3. The pattern exposure apparatus is provided with two to four or more oxygen concentration meters around the outer periphery of an optical mask and a workpiece which are parallel to, spaced apart from, close to, or contact with each other, and an inert gas jetting angle of an air nozzle. Air nozzle injection angle rotating means for adjusting the, and one or both of the inert gas injection amount distribution adjusting means for adjusting the inert gas injection amount distribution of the air nozzle, and based on the concentration detection signal by the oxygen concentration meter Pattern exposure, characterized in that the air nozzle injection angle rotating means or / and the inert gas ejection amount distribution adjusting means are operated to adjust the inert gas ejection angle or / and the inert gas ejection amount distribution. apparatus.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104064A (en) * 1996-06-17 1998-01-06 Toshiba Mach Co Ltd Single wafer processing low pressure cvd apparatus
JP2001168027A (en) * 1999-11-05 2001-06-22 Asm Lithography Bv Lithography device
JP2004226897A (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Dainippon Printing Co Ltd Exposure method and exposure apparatus
WO2007094119A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-23 Fujifilm Corporation Method for fabricating color filter, color filter, and display device having such color filter
US7508487B2 (en) 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2012177817A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi High-Technologies Corp Exposure device
WO2016107714A1 (en) * 2014-12-31 2016-07-07 Asml Holding N.V. Reticle cooling by non-uniform gas flow
CN107976868A (en) * 2016-10-21 2018-05-01 上海微电子装备(集团)股份有限公司 A kind of immersion mask cooling device and cooling means
WO2018173344A1 (en) * 2017-03-23 2018-09-27 株式会社Screenホールディングス Exposure device, substrate treatment device, substrate exposure method, and substrate treatment method
JP2019001115A (en) * 2017-06-19 2019-01-10 コニカミノルタ株式会社 Activation energy beam irradiation device and image formation apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102098558B1 (en) * 2012-10-23 2020-04-08 삼성전자 주식회사 Lithography apparatus and method for lithography and stage system

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104064A (en) * 1996-06-17 1998-01-06 Toshiba Mach Co Ltd Single wafer processing low pressure cvd apparatus
JP2001168027A (en) * 1999-11-05 2001-06-22 Asm Lithography Bv Lithography device
US7508487B2 (en) 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2004226897A (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Dainippon Printing Co Ltd Exposure method and exposure apparatus
WO2007094119A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-23 Fujifilm Corporation Method for fabricating color filter, color filter, and display device having such color filter
JP2012177817A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi High-Technologies Corp Exposure device
WO2016107714A1 (en) * 2014-12-31 2016-07-07 Asml Holding N.V. Reticle cooling by non-uniform gas flow
JP2018500597A (en) * 2014-12-31 2018-01-11 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. Reticle cooling with non-uniform gas flow
US10423081B2 (en) 2014-12-31 2019-09-24 Asml Holding N.V. Reticle cooling by non-uniform gas flow
CN107976868A (en) * 2016-10-21 2018-05-01 上海微电子装备(集团)股份有限公司 A kind of immersion mask cooling device and cooling means
WO2018173344A1 (en) * 2017-03-23 2018-09-27 株式会社Screenホールディングス Exposure device, substrate treatment device, substrate exposure method, and substrate treatment method
JP2018159828A (en) * 2017-03-23 2018-10-11 株式会社Screenホールディングス Exposure apparatus, substrate treatment apparatus, method for exposing substrate, and substrate treatment method
JP2019001115A (en) * 2017-06-19 2019-01-10 コニカミノルタ株式会社 Activation energy beam irradiation device and image formation apparatus

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