JPH0787234B2 - Lead frame - Google Patents

Lead frame

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JPH0787234B2 JP2289394A JP28939490A JPH0787234B2 JP H0787234 B2 JPH0787234 B2 JP H0787234B2 JP 2289394 A JP2289394 A JP 2289394A JP 28939490 A JP28939490 A JP 28939490A JP H0787234 B2 JPH0787234 B2 JP H0787234B2
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【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はIC(半導体集積回路)等の半導体装置に用い
られるリードフレームに関する。
The present invention relates to a lead frame used in a semiconductor device such as an IC (semiconductor integrated circuit).

「従来の技術」 ICなどの半導体装置の実装において、信頼性が高く、コ
ストのかからない実装方法が望まれている。しかし、近
年の半導体集積回路の大規模化に応じ、それを搭載する
ICパッケージの多ピン化および狭ピッチ化が加速してい
るために、これに対応した精密半田付け技術の進歩が伴
わない状況が生じてきている。
“Conventional Technology” In mounting semiconductor devices such as ICs, highly reliable and inexpensive mounting methods are desired. However, according to the recent increase in the scale of semiconductor integrated circuits, it will be mounted.
As the number of pins and the pitch of IC packages are accelerating, a situation has arisen where precision soldering technology corresponding to this is not progressing.

即ち、多ピンおよび狭ピッチ化されたICの端子を半田付
けするに際し、微細な半田付け部に一定量の半田を安定
的に供給することが極めて困難であるために、従来、こ
れらのICに対し、手付け作業に負っているところが大き
いのが現状である。
In other words, when soldering terminals of ICs with a large number of pins and a narrow pitch, it is extremely difficult to stably supply a certain amount of solder to the fine soldering parts. On the other hand, it is the current situation that most of the work is done by hand.

ところが手付け作業では、微細な部分に半田を供給する
場合、供給する半田量が一定しない問題がある。このた
め、供給する半田量が少ない場合は、接合部の強度不足
を来し、また、半田量が過多の場合は、隣接する端子ど
うしが半田のブリッジによって接合されて短絡してしま
う不具合を生じていた。
However, in the manual work, when the solder is supplied to the fine portion, the amount of the supplied solder is not constant. For this reason, when the amount of solder supplied is small, the strength of the joint becomes insufficient, and when the amount of solder is excessive, adjacent terminals are joined by a bridge of solder and short circuit occurs. Was there.

そこで、この種の半導体装置の基板への実装方法とし
て、予め半導体装置の端子、例えば、ICのリードに半田
メッキを施しておき、基板の回路への接合の際に、接合
部分に半田を外部から供給して接合する方法がとられて
いる。
Therefore, as a method of mounting a semiconductor device of this type on a substrate, the terminals of the semiconductor device, for example, the leads of the IC are preliminarily subjected to solder plating, and when the substrate is joined to the circuit, solder is externally applied to the joint portion. The method of supplying and joining from is adopted.

ここで、半導体装置の端子に施されている半田メッキ
は、外部から供給される半田との濡れ性を良好にする目
的で設けられたもので、数μm程度の厚さで形成され
る。しかし、この程度の厚さの半田メッキのみでは、接
合強度を不足するので、不足となる半田を以下に説明す
る方法で外部から供給して接合作業を行っていた。
Here, the solder plating applied to the terminals of the semiconductor device is provided for the purpose of improving the wettability with the solder supplied from the outside, and is formed with a thickness of about several μm. However, since the soldering strength is insufficient only with the solder plating having such a thickness, the insufficient solder is supplied from the outside by the method described below to perform the joining work.

半田の供給方法には、糸半田を用いる方法、端子が接合
される基板のパッドに予めスクリーン印刷などによって
半田ペーストを塗布しておく方法、ディスペンサーによ
って基板のパッドに半田ペーストを塗布する方法、溶融
半田槽に基板を浸漬する方法などがある。
As a solder supply method, a method of using a thread solder, a method of previously applying a solder paste to a pad of a substrate to which terminals are joined by screen printing, a method of applying a solder paste to a pad of a substrate by a dispenser, a melting There is a method of immersing the board in a solder bath.

しかし、QFPなどの多ピンで、リードの間隔が狭い本体
部を有するIC、例えば、リード間隔が0.65mm以下のICな
どでは、供給半田量が僅かでも過剰であると、リフロー
(溶融)後にリード間の半田によるブリッジが発生し、
また、少しでも不足すると、接合強度の不足が生じるた
めに、適正な量の半田を供給することが極めて困難であ
った。
However, in an IC with a multi-pin body such as QFP that has a narrow lead interval, for example, an IC with a lead interval of 0.65 mm or less, if the amount of solder supplied is too small, the lead will not flow after reflow (melting). A bridge due to the solder between occurs,
Further, if the amount of solder is insufficient, the bonding strength will be insufficient, and it has been extremely difficult to supply an appropriate amount of solder.

そこで、本願出願人は以下説明するように、ICのリード
に厚膜半田メッキを施すことにより適量な半田をリード
に付着させる方法を提案するに至った。
Therefore, the applicant of the present application has proposed a method of attaching an appropriate amount of solder to the leads by applying thick film solder plating to the leads of the IC, as described below.

第3図はQFPなどに多ピンパッケージICの多数のリード
6に電気半田メッキを施すための治具1を示すものであ
る。この治具1は黄銅などの金属からなる4角形状の上
枠3と非導電体の下枠2とネジ4…とから構成されてい
る。
FIG. 3 shows a jig 1 for applying electric solder plating to many leads 6 of a multi-pin package IC such as QFP. The jig 1 is composed of a square upper frame 3 made of metal such as brass, a non-conductive lower frame 2 and screws 4.

そして、第4図に示すように、その下枠2と上枠3との
間にQFPなどの多ピンパッケージICの本体部5のリード
6,6,…を挾み、ネジ4…で固定したのち、この治具1を
半田メッキ浴Aに浸漬し、リード6,6,…の大部分が半田
メッキ浴A中に浸されるように配置し、治具1を陰極
に、半田インゴット7を陽極として電気メッキすること
によって行なわれる。
Then, as shown in FIG. 4, between the lower frame 2 and the upper frame 3, the lead of the main body portion 5 of the multi-pin package IC such as QFP is provided.
After picking 6,6, ... and fixing them with screws 4, the jig 1 is dipped in the solder plating bath A so that most of the leads 6,6 ,. And the jig 1 is used as a cathode and the solder ingot 7 is used as an anode for electroplating.

「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述したようにしてQFPのリードの半田メッ
キを行った場合、QFPの4隅においてリードの配列の規
則性が失われるため、4隅近傍のリードが他のリードよ
りもメッキ厚が厚くなる傾向にある。このため、QFPを
プリント基板に実装する際にQFPの4隅の近傍における
各リードの間が半田によって橋絡される恐れがあるとい
う問題があった。また、リードのメッキ厚が一定でない
ため、QFPを実装する際の実装強度が安定性に欠けると
いう問題があった。また、QFPに限らず、他のパッケー
ジにおいても、リード間隔が等間隔でない部分がある
と、その部分においてメッキ厚が変化してしまうという
問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, when the solder plating of the QFP leads is performed as described above, the regularity of the lead arrangement is lost at the four corners of the QFP, so that the leads near the four corners may be different. There is a tendency that the plating thickness becomes thicker than that of the lead. Therefore, when the QFP is mounted on the printed circuit board, there is a problem that the leads in the vicinity of the four corners of the QFP may be bridged by the solder. Moreover, since the lead plating thickness is not constant, there is a problem in that the mounting strength when mounting the QFP lacks stability. Further, not only in QFP but also in other packages, if there is a portion where lead intervals are not equal, there is a problem that the plating thickness changes at that portion.

この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、
各リードに対し均一な厚さの半田メッキ層を電析させる
ことができるリードフレームを提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances,
An object of the present invention is to provide a lead frame capable of electrodepositing a solder plating layer having a uniform thickness on each lead.

「課題を解決するための手段」 この発明は、半導体素子搭載部と、この半導体素子搭載
部に搭載される半導体素子の電極と電気的に接続され、
他端が半導体装置本体の外部に延出する複数のリードと
を備え、各リードに実装用半田メッキが施されたリード
フレームにおいて、前記複数のリードに加えて、半田メ
ッキ後に前記半導体装置から分離するための補助リード
を設けてなり、この補助リードとこれに隣接するリード
との間隔が前記複数のリードの各々のそれと一様にさ
れ、前記複数のリードは前記半導体装置の少なくとも一
辺に沿って設けられ、前記補助リードは前記辺の両端の
リードに隣接してその外側に配置されたことを特徴とす
るものである。
"Means for Solving the Problem" The present invention is to electrically connect a semiconductor element mounting portion and electrodes of a semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting portion,
In a lead frame having the other end extending to the outside of the semiconductor device main body, each lead being plated with solder for mounting, in addition to the plurality of leads, separated from the semiconductor device after solder plating An auxiliary lead is provided for ensuring that the distance between the auxiliary lead and a lead adjacent thereto is equal to that of each of the plurality of leads, and the plurality of leads are provided along at least one side of the semiconductor device. It is characterized in that the auxiliary lead is arranged adjacent to the leads at both ends of the side and outside thereof.

「作用」 上記構成によれば、当該半導体装置において使用される
複数のリードの各々は、隣のリードとの間隔が一様にな
る。従って、上記構成のリードフレームに半田メッキを
施した場合、端部であるか否かにかかわらず各リードに
対して均一な膜厚の半田メッキ層が電析される。
[Operation] According to the above configuration, each of the plurality of leads used in the semiconductor device has a uniform interval between the adjacent leads. Therefore, when solder plating is applied to the lead frame having the above structure, a solder plating layer having a uniform film thickness is deposited on each lead regardless of whether it is an end portion or not.

「実施例」 以下、図面を参照し、本発明の一実施例を説明する。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例によるQFP用リードフレー
ム10を用いた半導体集積回路を示す平面図である。この
図においては、リードフレーム10の図示しないアイラン
ド(半導体チップ搭載部)への半導体チップの搭載、お
よび半導体チップの各電極パッドとリード6,6,…とのワ
イヤボンディングを終え、さらにモールドレジンによる
本体部5が形成された状態が示されている。本実施例に
よるリードフレーム10は、QFPの角部に位置する8個の
リード6,6,…のさらにその外側に、半導体チップの電極
パッドとは接続されない8個の補助リード6a〜6bを有し
ている。ここで、補助リード6a〜6hとその隣りのリード
6との間隔は、他のリード6,6,…の配置間隔と同一間隔
になっている。すなわち、4隅のリード6,6,…について
も、他の箇所におけるリード6,6,…と同様、隣接するリ
ーとの間隔が一定になっている。第1図において下方に
図示された1辺に配列する補助リード6a、リード6,6,
…、補助リード6bは、それらの先端部が隣のリードと分
離されずに一体となっている、他の辺についても同様で
あり、両端の補助リードおよびそれらに挟まれたリード
6,6,…の各先端部が分離されず一体となっている。本体
部5の4隅の各々において、補助リード6bおよび6cのい
各基部は連結部11を介して外周フレーム10bに接続さ
れ、補助リード6bおよび6eの各基部は連結部12を介して
外周フレーム10aに接続され、補助リード6fおよび6gの
各基部は連結部13を介して外周フレーム10aに接続さ
れ、さらに補助リード6hおよび6aの各基部はモールドレ
ジンゲート14を介して外周フレーム10bに接続されてい
る。すなわち、すべてのリード6,6,…、補助リード6a〜
6hおよびリードフレーム10は電気的に短絡された状態と
なっている。
FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor integrated circuit using a QFP lead frame 10 according to an embodiment of the present invention. In this figure, mounting of a semiconductor chip on an island (semiconductor chip mounting portion) (not shown) of the lead frame 10 and wire bonding between each electrode pad of the semiconductor chip and the leads 6, 6, ... The state where the main body portion 5 is formed is shown. The lead frame 10 according to this embodiment has eight auxiliary leads 6a to 6b which are not connected to the electrode pads of the semiconductor chip, on the outside of the eight leads 6,6, ... Positioned at the corners of the QFP. is doing. Here, the distance between the auxiliary leads 6a to 6h and the adjacent lead 6 is the same as the arrangement distance of the other leads 6, 6, .... That is, the leads 6, 6, ... At the four corners also have constant intervals between adjacent leads, like the leads 6, 6 ,. In FIG. 1, auxiliary leads 6a, leads 6, 6, arranged on one side shown in the lower part of FIG.
..., the auxiliary leads 6b are the same for the other sides, whose tip portions are not separated from the adjacent leads and are integrated, and the auxiliary leads at both ends and the leads sandwiched between them.
The tips of 6, 6, ... Are not separated but are integrated. At each of the four corners of the main body portion 5, the respective base portions of the auxiliary leads 6b and 6c are connected to the outer peripheral frame 10b via the connecting portion 11, and the respective base portions of the auxiliary leads 6b and 6e are connected to the outer peripheral frame via the connecting portion 12. 10a, each of the bases of the auxiliary leads 6f and 6g is connected to the outer peripheral frame 10a via the connecting portion 13, and each of the bases of the auxiliary leads 6h and 6a is connected to the outer peripheral frame 10b via the molded resin gate 14. ing. That is, all the leads 6, 6, ..., the auxiliary leads 6a ~
6h and the lead frame 10 are electrically short-circuited.

リードに対する厚膜半田メッキを行う前に、リードフォ
ーミングが行われ、第2図に示すようにリード6,6,…お
よび補助リード6a〜6hが所定の形状に曲げられる。その
後、リードフレーム10に陰極を接続すると共に各リード
6,6,…および補助リード6a〜6hに対向するように陽極を
配置させた状態にて電気メッキ液中に浸し、電気メッキ
を行う。この結果、リード6,6,…および補助リード6a〜
6hに半田メッキ層が電析される。ここで、各辺の最も端
に位置する補助リード6a〜6hは、メッキ厚が他よりも厚
くなるが、補助リードでないすべてのリード6,6,…は均
一のメッキ厚となる。
Before performing thick film solder plating on the leads, lead forming is performed, and the leads 6, 6, ... And the auxiliary leads 6a to 6h are bent into a predetermined shape as shown in FIG. After that, connect the cathode to the lead frame 10 and
, And the auxiliary leads 6a to 6h are immersed in an electroplating solution in a state where the anode is arranged to perform electroplating. As a result, the leads 6, 6, ... And the auxiliary leads 6a-
The solder plating layer is electrodeposited at 6h. Here, the auxiliary leads 6a to 6h located at the end of each side have a thicker plating thickness than the others, but all the leads 6, 6, ... Which are not auxiliary leads have a uniform plating thickness.

半田メッキが終了すると、リード6,6,…および補助リー
ド6a〜6hの先端部が切断されることにより各リード間が
分離される。また、連結部11〜13およびモールドレジン
ゲート14の各々が本体部5との境界部において切断され
る。この結果、リード6,6,…のみを本体部5の4辺に有
する半導体集積回路がリードフレーム10から分離され
る。このようにして、すべてのリード6,6,…に均一な厚
さの厚膜半田メッキの施された半導体集積回路が得られ
る。
When the solder plating is completed, the leads 6, 6, ... And the auxiliary leads 6a to 6h are cut at their tip ends to separate the leads from each other. Further, each of the connecting portions 11 to 13 and the mold resin gate 14 is cut at the boundary portion with the main body portion 5. As a result, the semiconductor integrated circuit having only the leads 6, 6, ... On the four sides of the main body 5 is separated from the lead frame 10. In this way, a semiconductor integrated circuit can be obtained in which all leads 6, 6, ... Are plated with thick-film solder with a uniform thickness.

「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、半導体素子搭
載部と、一端が該半導体搭載部に搭載される半導体素子
の電極と電気的に接続され、他端が半導体装置本体の外
部に延出する複数のリードと、を備えたリードフレーム
において、前記複数のリードに加えて、半田メッキ後に
除去される補助リードを両端に設け、前記複数のリード
の各々と該リードの隣のリードとの間隔を一様にしたの
で、半導体装置のリードフレームとして用いた場合に各
リードに一様な膜厚の半田メッキ層を形成することがで
き、実装時において安定した実装強度の得られる半導体
装置を製造することができるという効果が得られる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, the semiconductor element mounting portion, one end is electrically connected to the electrode of the semiconductor element mounted on the semiconductor mounting portion, and the other end is the semiconductor device main body. A lead frame having a plurality of leads extending to the outside of the lead frame, auxiliary leads to be removed after solder plating are provided at both ends in addition to the plurality of leads. Since the distance between the lead and the lead is uniform, it is possible to form a solder plating layer with a uniform thickness on each lead when used as a lead frame of a semiconductor device, and to obtain stable mounting strength during mounting. It is possible to obtain the effect that a semiconductor device to be manufactured can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるリードを用いた半導
体集積回路を示す平面図、第2図は同実施例のリードフ
ォーミング後の形状を示す斜視図、第3図は従来の半田
メッキ治具の構成を示す斜視図、第4図は第3図の従来
の半田メッキ治具を用いた半田メッキを説明する図であ
る。 10……リードフレーム、6……リード、6a〜6h……補助
リード。
FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor integrated circuit using a lead according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a shape after lead forming of the embodiment, and FIG. 3 is a conventional solder plating treatment. FIG. 4 is a perspective view showing the structure of the tool, and FIG. 4 is a view for explaining solder plating using the conventional solder plating jig shown in FIG. 10 ... Lead frame, 6 ... Lead, 6a-6h ... Auxiliary lead.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 篤佳 静岡県浜松市中沢町10番1号 ヤマハ株式 会社内 (56)参考文献 特開 平2−220468(JP,A) 特開 平1−270335(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Atsuka Ota 10-1 Nakazawa-machi, Hamamatsu-shi, Shizuoka Yamaha Stock Company (56) References JP-A-2-220468 (JP, A) JP-A-1- 270335 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体素子搭載部と、この半導体素子搭載
部に搭載される半導体素子の電極と電気的に接続され、
他端が半導体装置本体の外部に延出する複数のリードと
を備え、各リードに実装用半田メッキが施されたリード
フレームにおいて、 前記複数のリードに加えて、半田メッキ後に前記半導体
装置から分離するための補助リードを設けてなり、 この補助リードとこれに隣接するリードとの間隔が前記
複数のリードの各々のそれと一様にされ、 前記複数のリードは前記半導体装置の少なくとも一辺に
沿って設けられ、前記補助リードは前記辺の両端のリー
ドに隣接してその外側に配置されたことを特徴とするリ
ードフレーム。
1. A semiconductor element mounting portion and an electrode of a semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting portion are electrically connected to each other,
A lead frame having a plurality of leads extending to the outside of the semiconductor device body at the other end, wherein each lead is solder-plated for mounting, in addition to the plurality of leads, separated from the semiconductor device after solder-plating. An auxiliary lead for providing a gap between the auxiliary lead and a lead adjacent to the auxiliary lead is made uniform with that of each of the plurality of leads, and the plurality of leads are provided along at least one side of the semiconductor device. The lead frame is provided, and the auxiliary lead is arranged outside the lead adjacent to the lead at both ends of the side.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8843057B2 (en) 1998-09-16 2014-09-23 Dialware Inc. Physical presence digital authentication system
US8935367B2 (en) 1998-10-02 2015-01-13 Dialware Inc. Electronic device and method of configuring thereof
US9219708B2 (en) 2001-03-22 2015-12-22 DialwareInc. Method and system for remotely authenticating identification devices
US9361444B2 (en) 1998-10-02 2016-06-07 Dialware Inc. Card for interaction with a computer
US9489949B2 (en) 1999-10-04 2016-11-08 Dialware Inc. System and method for identifying and/or authenticating a source of received electronic data by digital signal processing and/or voice authentication

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5541447A (en) * 1992-04-22 1996-07-30 Yamaha Corporation Lead frame
JP2016018821A (en) * 2014-07-04 2016-02-01 新電元工業株式会社 Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and lead frame

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02220468A (en) * 1989-02-21 1990-09-03 Oki Electric Ind Co Ltd Lead frame for semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8843057B2 (en) 1998-09-16 2014-09-23 Dialware Inc. Physical presence digital authentication system
US9275517B2 (en) 1998-09-16 2016-03-01 Dialware Inc. Interactive toys
US8935367B2 (en) 1998-10-02 2015-01-13 Dialware Inc. Electronic device and method of configuring thereof
US9361444B2 (en) 1998-10-02 2016-06-07 Dialware Inc. Card for interaction with a computer
US9489949B2 (en) 1999-10-04 2016-11-08 Dialware Inc. System and method for identifying and/or authenticating a source of received electronic data by digital signal processing and/or voice authentication
US9219708B2 (en) 2001-03-22 2015-12-22 DialwareInc. Method and system for remotely authenticating identification devices

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