JPH0785521A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0785521A JPH0785521A JP5229326A JP22932693A JPH0785521A JP H0785521 A JPH0785521 A JP H0785521A JP 5229326 A JP5229326 A JP 5229326A JP 22932693 A JP22932693 A JP 22932693A JP H0785521 A JPH0785521 A JP H0785521A
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- Japan
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- magneto
- substrate
- layer
- optical recording
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造
において、透明基板に対してスパッタエッチング処理を
行い、かつ、Ｓｉターゲットを用いたＮ2 ガスとの反応
性スパッタリングによって誘電体保護膜を形成する。 【効果】 メモリー層に転写されたマークの形状が安定
な、書き込み時ノイズの小さな光磁気記録媒体となる。
において、透明基板に対してスパッタエッチング処理を
行い、かつ、Ｓｉターゲットを用いたＮ2 ガスとの反応
性スパッタリングによって誘電体保護膜を形成する。 【効果】 メモリー層に転写されたマークの形状が安定
な、書き込み時ノイズの小さな光磁気記録媒体となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、交換結合力を利用し
たオーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関
するものである。
たオーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の高度情報化社会の発展とともに、
膨大な量の情報を記録し、これを簡便に利用することを
可能とするための手段として光磁気記録が注目され、実
用的にも重要な役割を果してきている。高密度、大容量
な記録と、高精度、迅速な再生をさらに可能とするため
に、この光磁気記録のための記録媒体についての精力的
な検討が進められてきている。
膨大な量の情報を記録し、これを簡便に利用することを
可能とするための手段として光磁気記録が注目され、実
用的にも重要な役割を果してきている。高密度、大容量
な記録と、高精度、迅速な再生をさらに可能とするため
に、この光磁気記録のための記録媒体についての精力的
な検討が進められてきている。
【０００３】通常、この記録媒体は、記録のための磁性
層とその保護層とが基板に配設された構造を有し、これ
らの層の形成には、スパッタリングによる成膜手段が採
用されてきている。このことは、透明基板上に誘電体保
護膜と少くともメモリー層と記録層の２つの磁性層を有
し、磁性層間の交換結合力を利用してオーバーライト可
能とした光磁気記録媒体についても同様である。
層とその保護層とが基板に配設された構造を有し、これ
らの層の形成には、スパッタリングによる成膜手段が採
用されてきている。このことは、透明基板上に誘電体保
護膜と少くともメモリー層と記録層の２つの磁性層を有
し、磁性層間の交換結合力を利用してオーバーライト可
能とした光磁気記録媒体についても同様である。
【０００４】ここで言うところの「オーバーライト」と
は、前の情報を消去せずに新たな情報を記録することを
意味しており、再生した時には、前の情報は再生されて
はならない。なお、以下の説明においては、「オーバー
ライト」とは、特に記録磁界の向き及び強度を変調せず
に単にレーザービームを記録すべき情報に従いパルス変
調しながら照射することによりオーバーライトすること
を意味するものとして扱っている。
は、前の情報を消去せずに新たな情報を記録することを
意味しており、再生した時には、前の情報は再生されて
はならない。なお、以下の説明においては、「オーバー
ライト」とは、特に記録磁界の向き及び強度を変調せず
に単にレーザービームを記録すべき情報に従いパルス変
調しながら照射することによりオーバーライトすること
を意味するものとして扱っている。
【０００５】光磁気記録媒体についてさらに説明する
と、従来、基板に対するスパッタエッチング処理は、非
オーバーライト媒体の製造においては基板と誘電体保護
膜の密着性の改善や基板の脱ガスを目的として行われる
場合がある。もちろん、誘電体保護膜のスパッタリング
条件を選ぶことにより基板との密着性を向上することも
可能である。また、基板の脱ガスは基板成形後直ちに成
膜を行ったり、基板をアニール処理することによっても
対応が可能である。
と、従来、基板に対するスパッタエッチング処理は、非
オーバーライト媒体の製造においては基板と誘電体保護
膜の密着性の改善や基板の脱ガスを目的として行われる
場合がある。もちろん、誘電体保護膜のスパッタリング
条件を選ぶことにより基板との密着性を向上することも
可能である。また、基板の脱ガスは基板成形後直ちに成
膜を行ったり、基板をアニール処理することによっても
対応が可能である。
【０００６】そして、従来、ターゲットのロット間差が
少なく経時変化が少ないという理由から、非オーバーラ
イト媒体には、Ｓｉターゲットを用いたＮ2 との反応性
スパッタリングによって誘電体保護膜を形成することも
一般的である。また、Ｓｉ3Ｎ4 の焼結タイプのターゲ
ットを用いても実用上十分な特性を得ることは可能であ
る。
少なく経時変化が少ないという理由から、非オーバーラ
イト媒体には、Ｓｉターゲットを用いたＮ2 との反応性
スパッタリングによって誘電体保護膜を形成することも
一般的である。また、Ｓｉ3Ｎ4 の焼結タイプのターゲ
ットを用いても実用上十分な特性を得ることは可能であ
る。
【０００７】一方、交換結合力を利用してレーザー光の
強度を変調することによってオーバーライトを行うに
は、基本的にデータを書き込む記録層とこの記録層から
転写されたデータを保持するメモリー層の２層構成によ
ってこれを実現することができる。この基本的な構成に
対して、媒体の高感度化と記録層の反転磁界の低減のた
めにメモリー層と記録層の間の交換結合力を調整する努
力がなされ、メモリー層と記録層の間に中間層を設ける
との改良がなされ、さらに高密度化に耐え得る信号品質
を得るために、カー回転角の大きな読み出し層をメモリ
ー層よりもピックアップ側に設けることも工夫され、こ
れらの結果から、現在では４層の媒体構成が採用されて
いる。この４層タイプのオーバーライト媒体は、従来
は、ＰＣ基板を真空中で充分な脱ガスを行い、Ｓｉ3 Ｎ
4 の焼結タイプのターゲットを用いて誘電体保護膜を成
膜し、その後読み出し層、メモリー層、中間層、記録層
を順に積層させ、さらにＯ．Ｃ．を成膜し貼り合わせる
ことによって製造されてきている。
強度を変調することによってオーバーライトを行うに
は、基本的にデータを書き込む記録層とこの記録層から
転写されたデータを保持するメモリー層の２層構成によ
ってこれを実現することができる。この基本的な構成に
対して、媒体の高感度化と記録層の反転磁界の低減のた
めにメモリー層と記録層の間の交換結合力を調整する努
力がなされ、メモリー層と記録層の間に中間層を設ける
との改良がなされ、さらに高密度化に耐え得る信号品質
を得るために、カー回転角の大きな読み出し層をメモリ
ー層よりもピックアップ側に設けることも工夫され、こ
れらの結果から、現在では４層の媒体構成が採用されて
いる。この４層タイプのオーバーライト媒体は、従来
は、ＰＣ基板を真空中で充分な脱ガスを行い、Ｓｉ3 Ｎ
4 の焼結タイプのターゲットを用いて誘電体保護膜を成
膜し、その後読み出し層、メモリー層、中間層、記録層
を順に積層させ、さらにＯ．Ｃ．を成膜し貼り合わせる
ことによって製造されてきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら交換結合
力を利用した従来のオーバーライト媒体は、記録層から
メモリー層に転写されたマークの形状が不安定であり、
そのマークの再生信号にはノイズ成分を多く含むという
欠点がある。つまり書き込み時ノイズが高い媒体とな
る。
力を利用した従来のオーバーライト媒体は、記録層から
メモリー層に転写されたマークの形状が不安定であり、
そのマークの再生信号にはノイズ成分を多く含むという
欠点がある。つまり書き込み時ノイズが高い媒体とな
る。
【０００９】この欠点は、メモリー層のプロセス上のパ
ラメータ、たとえばＡｒガス圧等を調整することにより
メモリー層に転写されたマークの形状を安定させること
によって改善することが可能であるが、この場合には、
最大再生パワーが大きく低下し、再生パワーマージンが
小さくなるという重大な問題があった。この傾向は記録
を繰り返すにつれてさらに大きくなる。
ラメータ、たとえばＡｒガス圧等を調整することにより
メモリー層に転写されたマークの形状を安定させること
によって改善することが可能であるが、この場合には、
最大再生パワーが大きく低下し、再生パワーマージンが
小さくなるという重大な問題があった。この傾向は記録
を繰り返すにつれてさらに大きくなる。
【００１０】そこで、この発明は、以上の問題点を解決
するためになされたものであって、書き込み時ノイズが
低いオーバーライト可能な媒体を製造することのできる
新しい方法を提供することを目的としている。
するためになされたものであって、書き込み時ノイズが
低いオーバーライト可能な媒体を製造することのできる
新しい方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決する為の手段】この発明は、上記の課題を
解決するものとして、まず基板に対してスパッタエッチ
ング処理を行い、さらにスパッタエッチングされた基板
上にＳｉターゲットを用いたＮ2 との反応性スパッタリ
ングにより誘電体保護膜を成膜することを特徴とするオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。
解決するものとして、まず基板に対してスパッタエッチ
ング処理を行い、さらにスパッタエッチングされた基板
上にＳｉターゲットを用いたＮ2 との反応性スパッタリ
ングにより誘電体保護膜を成膜することを特徴とするオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。
【００１２】
【作用】この発明の製造方法は、基板に対してスパッタ
エッチング処理を行った後Ｓｉターゲットを用いた反応
性スパッタリングによって誘電体保護膜としてＳｉ3 Ｎ
4 の薄膜を基板上に形成させ、その上に少なくともメモ
リー層と記録層の２層を含むオーバーライト可能な光磁
気記録媒体を積層させる。
エッチング処理を行った後Ｓｉターゲットを用いた反応
性スパッタリングによって誘電体保護膜としてＳｉ3 Ｎ
4 の薄膜を基板上に形成させ、その上に少なくともメモ
リー層と記録層の２層を含むオーバーライト可能な光磁
気記録媒体を積層させる。
【００１３】この方法によって、前述の通りの従来の欠
点は解消される。これ以外の方法により前記媒体を作製
した場合には、メモリー層に転写されたマークの形状が
不安定になるか、マークの形状を安定させるようにプロ
セスパラメータを選択すると最大再生パワーが低下す
る。これに対し、この発明の製造法では、メモリー層に
転写されたマークの形状が安定し、最大再生パワーが低
下するようなプロセスパラメータを選択する必要がな
い。
点は解消される。これ以外の方法により前記媒体を作製
した場合には、メモリー層に転写されたマークの形状が
不安定になるか、マークの形状を安定させるようにプロ
セスパラメータを選択すると最大再生パワーが低下す
る。これに対し、この発明の製造法では、メモリー層に
転写されたマークの形状が安定し、最大再生パワーが低
下するようなプロセスパラメータを選択する必要がな
い。
【００１４】以下、実施例を示し、この発明の製造法に
ついてさらに詳しく説明する。もちろん、この発明は、
以下の例によって限定されるものではない。
ついてさらに詳しく説明する。もちろん、この発明は、
以下の例によって限定されるものではない。
【００１５】
【実施例】この発明の製造法では、円板状のガラス板や
ＰＣ板等の透明基板の一方の面に２Ｐ法やあるいは射出
成形によって、同心円状あるいはスパイラル状に案内溝
を形成する。そして、実施例としては、ガラス２Ｐ基板
をスパッタリング装置内に投入して排気を行う。次に投
入電力１．０Ｗ／ｃｍ2 、Ａｒ圧０．４０Ｐａで１０秒
間基板に対しスパッタエッチングを行う。その後Ｓｉタ
ーゲットに１ＫＷの電力を投入し、Ｎ2 ガスをチャンバ
ー内に導入し、反応性スパッタリングによって誘電体保
護膜を成膜する。この上に次の光磁気記録媒体及びＯ．
Ｃ．を積層し、貼り合わせを行って光磁気ディスクを作
成する。
ＰＣ板等の透明基板の一方の面に２Ｐ法やあるいは射出
成形によって、同心円状あるいはスパイラル状に案内溝
を形成する。そして、実施例としては、ガラス２Ｐ基板
をスパッタリング装置内に投入して排気を行う。次に投
入電力１．０Ｗ／ｃｍ2 、Ａｒ圧０．４０Ｐａで１０秒
間基板に対しスパッタエッチングを行う。その後Ｓｉタ
ーゲットに１ＫＷの電力を投入し、Ｎ2 ガスをチャンバ
ー内に導入し、反応性スパッタリングによって誘電体保
護膜を成膜する。この上に次の光磁気記録媒体及びＯ．
Ｃ．を積層し、貼り合わせを行って光磁気ディスクを作
成する。
【００１６】読み出し層：ＧｄＦｅＣｏ ３００Ａ メモリー層：ＴｂＦｅＣｏ ２００Ａ 中 間 層：ＧｄＦｅＣｏ １００Ａ 記 録 層：ＤｙＦｅＣｏ ６００Ａ また、比較例として次の手順によっても光磁気ディスク
を作成する。
を作成する。
【００１７】１．基板に対するスパッタエッチングを行
うことなく、かつＳｉ3 Ｎ4 の焼結タイプのターゲット
を用いて誘電体保護膜を成膜する。 ２．基板に対するスパッタエッチングを行うことなく、
かつＳｉターゲットを用いて反応性スパッタエッチング
により誘電体保護膜を成膜する。 ３．基板に対してスパッタエッチングを行う。その後Ｓ
ｉ3 Ｎ4 の焼結タイプのターゲットを用いて誘電体保護
膜を成膜する。
うことなく、かつＳｉ3 Ｎ4 の焼結タイプのターゲット
を用いて誘電体保護膜を成膜する。 ２．基板に対するスパッタエッチングを行うことなく、
かつＳｉターゲットを用いて反応性スパッタエッチング
により誘電体保護膜を成膜する。 ３．基板に対してスパッタエッチングを行う。その後Ｓ
ｉ3 Ｎ4 の焼結タイプのターゲットを用いて誘電体保護
膜を成膜する。
【００１８】以上の各方法によって作成された光磁気デ
ィスクについて、以下の条件で記録を行い、再生信号か
らＣＮ比を測定した。 線 速：１１．３ｍ／ｓ、 記録周波数：４ＭＨｚ、 ＤＵＴＹ：５０％（３ＭＨｚ，５０％で記録されたマー
ク上にオーバーライトを行う。） 記録パワー：オーバーライト可能な範囲で前記信号の２
次高調波が最大となるパワー。
ィスクについて、以下の条件で記録を行い、再生信号か
らＣＮ比を測定した。 線 速：１１．３ｍ／ｓ、 記録周波数：４ＭＨｚ、 ＤＵＴＹ：５０％（３ＭＨｚ，５０％で記録されたマー
ク上にオーバーライトを行う。） 記録パワー：オーバーライト可能な範囲で前記信号の２
次高調波が最大となるパワー。
【００１９】記録磁界：３５０（Ｏｅ） 再生パワー：２．２ｍＷ なお、最大再生パワーの小さな媒体をふるい分けるた
め、再生パワーは通常より高めとした。実施例および比
較例１〜３の測定結果を示したものが表１である。この
表１の結果より明らかなように、この発明の実施例の場
合には、ＣＮ比は極めて良好であることがわかる。
め、再生パワーは通常より高めとした。実施例および比
較例１〜３の測定結果を示したものが表１である。この
表１の結果より明らかなように、この発明の実施例の場
合には、ＣＮ比は極めて良好であることがわかる。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明の製
造法により、メモリー層に転写されたマークの形状が安
定な、書き込み時ノイズの小さな光磁気記録媒体が提供
される。
造法により、メモリー層に転写されたマークの形状が安
定な、書き込み時ノイズの小さな光磁気記録媒体が提供
される。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に誘電体保護膜と少なくとも
メモリー層と記録層の２つの磁性層を有し、磁性層間の
交換結合力によりオーバーライト可能な光磁気記録媒体
を製造するにあたり、透明基板に対してスパッタエッチ
ング処理を行い、かつＳｉターゲットを用いたＮ2 ガス
との反応性スパッタリングによって誘電体保護膜を形成
することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229326A JPH0785521A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229326A JPH0785521A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785521A true JPH0785521A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16890403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229326A Withdrawn JPH0785521A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785521A (ja) |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP5229326A patent/JPH0785521A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |