JPH0785408B2 - イオンビ−ムの処理中にウエ−ハを付着冷却させる方法および装置 - Google Patents

イオンビ−ムの処理中にウエ−ハを付着冷却させる方法および装置

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JPH0785408B2
JPH0785408B2 JP62099627A JP9962787A JPH0785408B2 JP H0785408 B2 JPH0785408 B2 JP H0785408B2 JP 62099627 A JP62099627 A JP 62099627A JP 9962787 A JP9962787 A JP 9962787A JP H0785408 B2 JPH0785408 B2 JP H0785408B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウェーハ等のワーク片を粒子ビーム通
路内に位置決めし、イオンビーム処理中にワーク片を付
着冷却させる方法をよび装置に関するものである。
（従来の技術） 好適な方法は半導体材料をドーピングするためのイオン
注入装置と共に用いられる。
シリコン材料の不純物をドーピングして半導体を製造す
る一つの方法としてシリコンウェーハをイオンビームで
照射する方法がある。イオン濃度を制御したイオンはウ
ェーハに当り、ウェーハを特定の不純物濃度にドープす
る。半導体材料をイオンドーピング処理する装置はライ
ディングの米国特許第4,228,358号および同じくライデ
ィングの米国特許第4,234,797号に開示されている。こ
れらの従来技術の特許の開示は本明細書に引用されてい
る。
これらの特許の開示の装置は特別に構成されたイオンド
ーピング室を用いている。制御された所定強さのイオン
ビームを発生させ、このイオンビームを複数個のウェー
ハが円周方向に離間して支持された回転支持体上のウェ
ーハに衝突するよう指向させている。ウェーハ支持体の
動きを制御することによって、ウェーハのイオンドーピ
ング濃度を制御することができる。
ライディングの米国特許第4,228,358号に記載されてい
るように、従来の注入装置は、イオン注入室内に移送す
るために円板状支持体に半導体ウェーハを取付ける取付
けステーションを含む。所定濃度のドーピングが行なわ
れると、円板状支持体は取付けおよび取り外しステーシ
ョンに戻され、ドープ処理したウェーハは、ウェーハ支
持体から取り外されてドープしていないウェーハを取付
けるための空所をウェーハ支持体上に形成する。
これらのドーピング方法では、運動エネルギーがイオン
ビームからウェーハに熱の形で伝達される。この熱がイ
オン注入中に放散されれば、所望のドーピングレベルを
より大きい割合で達成することができる。ウェーハに発
生した熱を放散させる一つの方法として、ウェーハの全
表面にわたってウェーハ支持体を接触させるようにする
ことである。熱を放散させることを問題としてとり上げ
ている２つの従来技術例としてジョーンズ等の米国特許
第4,139,051号およびダコスタ等の米国特許第4,403,567
号がある。これらの二つの米国特許は半導体材料と支持
体との間の付着を真空によって維持する半導体材料取付
け方法を開示している。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、従来の真空保持方法による経験の結果として、
半導体ウェーハをそれぞれの支持体に、また支持体から
移送する場合に何らかの問題があった。特に、ウェーハ
の表面に不均等な圧力状態が作用することによってウェ
ーハが損傷するという問題がある。これは、過大な力が
半導体ウェーハに加わるか、または、ウェーハを支持体
から取り外す際に不均一な圧力が作用することによるも
のである。
このような問題点を解消するため本発明はイオン注入装
置においてウェーハをウェーハ支持体に取付けおよび支
持体から取り外す際にウェーハを傷めることなく、しか
もビーム処理中にウェーハから支持体への熱の伝達を確
実にしてウェーハを付着冷却する方法および装置を提供
することを目的としている。
（問題点を解決するための手段・作用） 上記目的を達成するため本発明は特許請求の範囲第1,7,
10および15項に記載の構成を有している。この構成およ
び作用を以下に説明する。付着手段としての複数のエラ
ストマ基板（140）がウェーハ支持体（20）に連結され
て多数のウェーハ取付位置も画成する。支持体（20）は
イオン注入室に移動され、イオンビーム内で回転されて
エラストマ基板に取付けられているシリコンウェーハを
ドープ処理する。回転中に、エラストマ基板は求心力を
ウェーハに加え、これにより熱をウェーハから該基板に
確実に伝達させる。ウェーハから基板への熱伝達は、本
質的に光学的フラットとなるよう成形したウェーハ接触
外表面を基板に設けることによってウェーハと基板との
間の接触面積を増大させることによって強化される。こ
のような光学的にフラットな外表面を有するエラストマ
基板は成形型の表面の平坦度を約1/4光波長にまでラッ
ピッグ仕上げすることによって得られる。
各基板はエラストマ材料の表面を横切って延びる第１組
の細長い凹みと、エラストマ材料の内側部分から外周縁
に延びる第２組の細長い凹みとを形成する。ウェーハの
取付けおよび取り外し中、第１組の凹みが圧力源に接続
されて第１組の凹み内の圧力が上昇および低下される。
ウェーハの取付け中は、これらの凹み内の圧力は低下さ
れて基板とウェーハとの間に吸引力を加える。ウェーハ
が取り付け終った後は、好適な取付用基板が取付けおよ
び取り外しステーションから遠く離されイオンビーム処
理のための真空室内に移動される。
イオンビーム処理が完了すると、ウェーハ支持体および
この支持体上のウェーハは取付けおよび／または取り外
しステーションに戻されて処理ウェーハは取り外され、
次の組の未処理ウェーハが処理のため取り付けられる。
取り外し工程中に、エラストマ取付表面における第１組
の細長い凹み内の圧力は上昇され、これにより半導体ウ
ェーハはエラストマ取付け表面から押し出される。この
際、取付け表面の外周縁から内側部分に延長している第
２組の細長い凹みはウェーハとエラストマ基板との間の
界面を大気に通気する。この大気への通気によって取り
外し工程中のウェーハに加えられた力を低減する。この
通気は、また、熱伝達を強めるために接触面積を増大さ
せることによって生じているウェーハと前記基板との間
の増大した付着力に打勝つことが必要である。
本発明では、エラストマ材料に形成される凹みは１個以
上のウェーハ取付位置に接続しているウェーハ支持体に
おける導通路を経て圧力源に接続される。
取付けおよび取り外し中、支持体をヒートシンクに対し
て休止させて支持体に伝達した熱を放散させる。支持体
とヒートシンクとの間の接触によって係止機構を半導体
ウェーハから遠ざける方向に回動させてウェーハをそれ
ぞれ支持するエラストマ基板から取り外し得るようにす
る。可撓性の接触カップを用いて各ウェーハを把持して
支持体から取り外す。このようにして全てのウェーハを
取り外した後、未処理ウェーハを取付けることができ
る。
（実施例） 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はイオン注入装置10の全体平面図を示し、イオン
源12からイオンビーム14をイオン注入またはターゲット
ステーション16に指向させるよう構成されている。
ウェーハ支持体20は、図面において、取付けおよび取り
外しステーション21に位置しており、このステーション
21において複数のシリコンウェーハ22が、処理前に、支
持体20に向け移動される。全てのウェーハ22が支持体に
取付けられた後、取付け用腕24は支持体20およびその上
のウェーハ22をターゲットステーション16に移送し、こ
のステーションにおいて、支持体20は水平位置から垂直
位置に回動される。ターゲットステーション16におい
て、支持体20およびウェーハ22はイオン注入室30内に垂
直に配向され、このイオン注入室内の圧力は真空源32に
よって制御され得る。さらに、室30を通気弁34によって
大気に通気されることができ、これにより室30内の圧力
を上げて支持体20を室30内に挿入し、また、取出し得る
ようにしている。
室30内において、支持体20は中心軸線36の周りに回転し
得るよう取付けられる。室30内で支持体20を回転させる
ことによって、ウェーハを回転させてイオンビーム14内
に通し、これにより選択したドーピング濃縮を行なうこ
とができる。好適なイオン注入装置においては、支持体
20は並進移動および回転の両方を行なうことができる。
これらの並進移動および回転運動の組合せによって、支
持体20の外周部分に取付けられた各ウェーハ22のドーピ
ングレベルを制御することができる。
支持体を室30に出し入れする動きおよびドーピングの方
法については上述したライディングの２つの特許明細書
に詳細に開示されている。
これらの特許明細書に記載の方法で、イオン注入処理を
行なった後、支持体20およびその上のウェーハ22は第２
支持腕38によって室30から引き出され、取り付けおよび
取り外しステーション21に運ばれ、このステーション21
においてドープ処理ウェーハ22は支持体20から取り外さ
れる。
上述の作動が終った後、他の未処理ウェーハ22が支持体
20上に取付けられ、ウェーハおよびその支持体をイオン
注入ターゲートステーション16に向け移動する工程を繰
返して行なう。
ウェーハ22はシリコンであり、極めて損なわれ易い。例
えば、人間の手が触れることによって許容することので
きないレベルの不純物がウェーハに生じる。また、不当
な曲げまたは不均一な力がウェーハに加わることによっ
てウェーハが容易に破損される。
従来特に問題となっていた点は、ウェーハの取付けおよ
び取り外しを効率良く安全に行ない、しかも、イオン注
入中にウェーハ22と支持体20との間の適当な付着を確実
にする方法をどのようにするかにあった。
第２〜４図には、単一ウェーハ支持ステーション110が
支持体20の外周近くの位置で示されている。このウェー
ハ支持ステーション110は支持台112を有し、この支持台
の上面が限定する支持面は支持体20の面に対して角度Ａ
（第３図参照）（約７゜）で傾斜している。支持台112
は３個の離間した案内またはゲート120,122,124を支持
しており、これらは支持台112上に置かれたウェーハ22
を押さえている。
ウェーハ22に係合し得る可撓性カップ128を遊端に有す
る真空プローブ126によってウェーハ22はウェーハ支持
ステーション110に送入され、また、送出される。可撓
性カップ128がウェーハ20の底面に接触し得るようにす
るため、支持台112に切欠または溝130を設けてプローブ
126がウェーハ20の外側表面に接触し得るようにする。
第５図は第２図に示すウェーハ支持ステーション110か
らウェーハを除去した状態を示している。各ウェーハ22
は支持台112に固着された円形の付着手段であるエラス
トマ基板140によって支持されている。エラストマ基板1
40は好ましくはシリコンで構成され、２組の細い凹みま
たは溝142a,142bが外側表面に一様に離間して散在して
いる。ウェーハのエラストマ基板への付着および除去が
これらの凹みまたは溝によって容易となる。ウェーハの
付着はエラストマ基板へのウェーハの表面付着によって
さらに容易にしている。表面付着はエラストマ基板の本
質的に光学的フラットの外側表面とウェーハとの相互作
用によってさらに容易になる。
各凹み142aはエラストマ板の内側表面を横切って延在す
る細長い溝を形成している。開口144が凹みの底面から
エラストマ基板を貫通している。この孔つまり開口144
はウェーハの取付け中に凹み142a部分のエアーを部分的
に排気するのを許し、また、ウェーハを支持台112から
除去する際に加圧するのを許している。
ウェーハ22とエラストマ基板140の光学的にフラットな
外側表面との相互作用によって生じるウェーハとエラス
トマ基板との間の増大した付着力に打勝つためには圧力
を加えることが必要である。
第３および６図に示すように、エラストマ基板140に形
成された孔144は空洞150の導通路152を経て連通してお
り、導通路152の一端は狭くて凹み142aの底における孔1
44と同じ直径を有する。第３図に示す例では、排気され
た凹み142aによって加えられる吸引力によってウェーハ
22がエラストマ基板140に付着している状態を示す。
このように吸引力によって付着させるため、空洞150か
ら支持体20を貫通して支持体の外側面にまで半径方向外
方に延びる圧力導管156に空洞150が接続されている。導
管156内の圧力は可動接手160によって導管156に接続さ
れる真空源（図示せず）によって減圧され、可動接手15
6はアクチュエータ162によって動かされて支持体20に係
合されたり切り離されたりされる。接手160はＯ−リン
グシール164が取付けられて接手160と支持体20との間を
接合したとき流体がもれるのを防止している。
ウェーハを支持体から取り外す間、圧力源によって空洞
150を加圧してドープ処理したウェーハ20をエラストマ
基板140から分離し易くする。例えば、米国、コネチカ
ット州、フェアミントン在のモット・メタラジカル・カ
ンパニイによって製造されている焼結多孔質金属製のガ
ス流制限円板170と凹みの加圧中に導管152を互に絶縁す
るガスケット172によって空洞150は囲まれている。この
ように流体を絶縁することによって、ウェーハ22がエラ
ストマ基板140から持ち上がる際に、全ての凹み142aか
ら圧力がなくなるのを防止している。このように圧力絶
縁しない場合には、空洞150が大気に連通してウェーハ2
2によって依然としてカバーされている凹み142a内の圧
力を低下させることになる。
第５図に示すように、エラストマ基板140に形成された
第２組の凹み142bはエラストマ基板の周縁をその内側部
分に接続して大気圧をウェーハ22とエラストマ基板140
との間の内面に導入している。このように大気圧を導入
することによって、ウェーハの外周がエラストマ基板に
依然として付着している際に、ウェーハの内側に圧力が
上昇するのを防止する。このように凹み142bを通気させ
ることなしに、ウェーハ22をエラストマ基板140から取
り外そうとすると、ウェーハ22とエラストマ基板140と
が分離する前に、ウェーハ22が破損してしまうことにな
る。
ウェーハを吸引させてエラストマ基板に接触させること
によってウェーハとエラストマ基板との間を付着させる
方法は、イオン注入のため支持体20を垂直位置にまで回
動させる間、ウェーハを保持するのに常に十分とは限ら
ない。このため余分の保持力を与える保持装置180を第
4,7および８図に示す。この保持装置180は枢支軸182の
周りに回転するよう支持体20に枢着され、スプリング
（図示せず）によって反時計回り方向に押圧されてい
る。保持装置180は枢支軸182から半径方向に延びる２本
の腕180a,180bを有する。第１腕180aの外端には、保持
装置180の係止爪184が設けられ、エラストマ基板から外
れたウェーハを保持するよう構成されている。第２腕18
0bはピン186に係合し、このピンは肩部186aを有してピ
ンを支持体20の孔188内に摺動係合状態に保持するよう
構成されている。係止部材は、支持体20が取付けおよび
取り外しステーション21から注入ステーション16に移動
される際に、ウェーハ22（第４図参照）と係合するよう
押圧されている。イオン注入中（第７図参照）、支持体
20はその中心軸線の周りに回転し、係止爪184は枢支軸1
82の周りに回転してウェーハ全体をイオンビームに対し
て露出するよう構成されている。
取付けおよび／または取り外しステーションでは、係止
部材180が腕180bに対して回動作用を加えるピン186によ
ってウェーハ22との係合が外れるように回動される。こ
のピンは支持体20の底面の下側に延長して支持体20が取
付けおよび／または取り外しステーション21におけるヒ
ートシンク190上に位置する際、ピンが腕180bに対して
上向き力を加えて係止爪184が関連のウェーハから遠ざ
かる方向に回転してウェーハをエラストマ基板140から
除去し得るようにしている。
イオン注入中、支持台112の傾斜表面によってウェーハ2
2は、支持体の回転中にウェーハ上に加わる遠心力によ
り、エラストマ基板140に対して圧着される。案内122,1
24はウェーハが基板140から半径方向に移動するのを防
止し、これにより、円板が十分な速度で回転する際に係
止爪184の回動によりウェーハおよび／または基板の界
面を横切る熱の伝達に悪い影響を与えないようにしてい
る。
シリコン製の基板140は、例えば、厚さが0.04cmで、全
体としての熱伝導率が2.9ミリワット/cm℃である。基板
を成形するために光学的にフラットな成形型表面を用い
ることに加えて、ウェーハを支持する基板の表面に5KeV
のエネルギーで1E14イオン/cm3のドーズでアルゴンを注
入して表面付着性を理想的な状態にする。真空蒸着アル
ミニウムもまたこの機能を有する。直径25インチの支持
体20が950r.p.mの速度で回転される場合に、ウェーハと
基板との間の接触圧力は0.06b/in2に達し得る。この
圧力はウェーハと基板との間に50ミリワット/cm3℃の接
触伝導率を生じる。好適なイオン注入装置の1600ワット
の最大イオンビーム電力で、平均電力密度915ミリワッ
ト/cm3および伝導率50ミリワット/cm3℃の結果として基
板140を横切る平均温度差は約19℃である。
基板を横切る最大温度降下は平均より高く、45℃程度で
あり、この理由は、イオンビームの形状および走査速度
によって決定される瞬間電力密度が平均ビーム電力より
高いからである。
基板を経て伝達される熱は、除々に上昇する温度とし
て、支持体20の熱質量で貯えられる。イオン注入開始時
における支持体の温度が室温である場合、典型的イオン
注入の終りで、ウェーハの温度は90℃に達する。各イオ
ン注入間で支持体の温度を室温に確実に戻すために、ス
テーション21での取付けおよび／または取り外し中に、
支持体と同じ直径の水冷アルミニウム円板で形成される
ヒートシンク190に支持体20を接触されるようになって
いる。
（発明の効果） 本発明はウェーハを支持する支持手段と、エラストマ材
料からなる付着手段を備え、この付着手段には複数の細
長い凹みを設けており、この凹み部分からエアの吸排気
を基板を介して行なうので、確実にウェーハを付着され
ることができ、イオンビーム処理中に熱を支持体のヒー
トシンク側に放散させてウェーハの冷却を行うことがで
きる。
また、付着手段が弾性力を有するエラストマ材料である
ことから、ウェーハの付着および排出時にワーク片であ
るウェーハを損傷から未然に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はウェーハをイオンビーム内に移動させる回転ウ
ェーハ支持体を有するイオンビーム処理装置の概略図、 第２図は多数のウェーハ取付位置の一つにおける各ウェ
ーハを示すウェーハ支持体の一部平面図、 第３図は第２図の３−３線に沿って見た断面図、 第４図は第２図の４−４線に沿って見た断面図、 第５図はウェーハを取除いてウェーハ取付板を示すウェ
ーハ取付位置の平面図、 第６図は第５図の６−６線上で断面として示すウェーハ
取付板の拡大断面図、 第７および８図はウェーハ係止部材の作動を示すウェー
ハ支持体の断面図である。 10……イオン注入装置、12……イオン源 14……イオンビーム、20……ウェーハ支持体 22……ウェーハ、24……取付け用腕 30……イオン注入室、32……真空源 110……ウェーハ支持ステーション 112……支持台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディヴィド エドワーズ ジュニア アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01982，ハミルトン，ノーマン ロード 28 (56)参考文献 特開 昭58−213434（ＪＰ，Ａ)

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ウェーハを処理するよう粒子ビーム通路内
    に１個以上の平らなウェーハを位置決めする装置におい
    て、 １個以上のウェーハをビーム通路内に支持する支持手段
    と、 この支持手段に連結されて１個以上のウェーハ取付位置
    を画成する付着手段とを備え、この付着手段が各取付位
    置にエラストマ材料の薄層を含み、この薄層がエラスト
    マ表面を横切って延びる第１組の細長い凹みと、前記エ
    ラストマ表面の内側部分からエラストマ表面の外周縁に
    延びる第２組の細長い凹みとを有し、また、 前記ウェーハのビーム処理中に支持手段に伝達される熱
    を放散させるヒートシンクと、 ウェーハを１個以上のウェーハ取付位置に、またこれら
    の位置から移動する荷積み手段とを備え、 前記支持手段が前記第１組の細長い凹みに流体連通する
    導通路を形成して前記細長い凹み内の圧力を上昇および
    下降させてウェーハが支持手段上に移動される際に関連
    のウェーハを付着手段に引きつけ、ウェーハが支持手段
    から遠ざかる方向に移動される際に関連のウェーハを付
    着手段からはね返すよう構成したことを特徴とする１個
    以上のウェーハをビーム通路内に位置させる装置。
  2. 【請求項２】支持手段が制御流体圧力源に連通する室を
    形成し、前記導通路が前記室からエラストマ材料におけ
    る第１組の細長い凹みに導くよう構成されている特許請
    求の範囲第１項に記載の装置。
  3. 【請求項３】制御圧力源を室に選択的に接続する手段を
    さらに備える特許請求の範囲第２項に記載の装置。
  4. 【請求項４】前記ウェーハおよび付着手段に両方がほぼ
    円形であり、第１組の細長い凹みが前記付着手段を半径
    方向に横切り、かつ半径方向に対し直角に横切って延長
    してウェーハ表面を関連の付着手段にまたこの手段から
    均一に引きつけて変形させるよう構成してなる特許請求
    の範囲第１項に記載の装置。
  5. 【請求項５】第２組の細長い凹みが前記付着手段の外周
    縁から付着手段の中心部分に延在して前記ウェーハの種
    々の部分を大気に通気させるよう構成してなる特許請求
    の範囲第４項に記載の装置。
  6. 【請求項６】エラストマ材料の前記薄層の外側面が本質
    的に光学的にフラットであってウェーハとエラストマ材
    料との間の接触面積を増大させるよう構成されている特
    許請求の範囲第１項に記載の装置。
  7. 【請求項７】１個以上のワーク片を処理する方法におい
    て、 支持台上の１個以上の位置に、支持表面を横切って一様
    に延びる複数の細長い凹みを有する薄いエラストマ基板
    を固定し、 １個以上のワーク片を１個以上の場所に移動し、そして
    各エラストマ基板の多数の細長い凹み部分のエアーを排
    気することによって各ワーク片を関連のエラストマ基板
    に引き付け、 １個以上のワーク片上にイオンビームを指向させて当て
    ることによってワーク片を処理し、 上記処理工程後に、１個のワーク片とこれに関連するエ
    ラストマ基板との間の界面の部分を大気に連通させる一
    方で、細長い凹みを加圧することによって１個以上のワ
    ーク片をそれぞれの前記関連基板から分離することを特
    徴とする１個以上のワーク片を処理する方法。
  8. 【請求項８】分離工程中に、個々の細長い凹み内の圧力
    が他の細長い凹みから分離されて細長い凹みの１個が大
    気に通気される際に減圧を防止するようにする特許請求
    の範囲第７項に記載の方法。
  9. 【請求項９】エラストマ基板の外側表面が本質的に光学
    的にフラットであってウェーハと前記基板との間の接触
    表面を増大させる特許請求の範囲第７項に記載の方法。
  10. 【請求項１０】ビーム処理装置に使用するための装置で
    あって、 多数のウェーハを処理するために制御されたビーム内を
    移動する多数のウェーハを支持するためのベース部材
    と、 このベース部材に取付けられた、ウェーハのビーム処理
    中にイオンビームに向かわせるようベース部材のビーム
    処理表面の周りに離間して設けられた複数のほぼ平らな
    ウェーハ取付用基板とを備え、この取付用基板がエラス
    トマ材料によって構成され、制御圧力源に接続可能の前
    記ウェーハの下側の第１組の凹みを形成してウェーハ処
    理前にウェーハを関連の前記基板に引き付け、ビーム処
    理後にウェーハを前記基板から分離するように構成さ
    れ、ビーム処理後にウェーハを前記基板から持ち上げる
    際に前記基板と関連のウェーハとの間の界面を大気に連
    通させる第２組の凹みを前記エラストマ材料が形成して
    いることを特徴とするビーム処理装置に使用するための
    装置。
  11. 【請求項１１】ベース部材がほぼ円形であり、複数の平
    坦なウェーハ取付用基板がベース部材の外周のウェーハ
    取付位置で離間して前記ベース部材の中心軸線に向けて
    傾斜して設けられ、ベース部材がビーム処理中に中心軸
    線の周りに回転されるよう構成された特許請求の範囲第
    10項に記載の装置。
  12. 【請求項１２】複数のウェーハ取付位置のそれぞれにお
    いて前記ベース部材に枢着された保持手段をさらに備
    え、これにより保持手段をウェーハから遠ざける方向に
    回転してウェーハのビーム処理のためウェーハの全表面
    を露出させるに十分な速度で前記ベース部材が回転され
    るまで前記ウェーハを所定位置に保持するよう構成した
    特許請求の範囲第11項に記載の装置。
  13. 【請求項１３】エラストマ材料が所定厚みのシリコン装
    置ゴムである特許請求の範囲第10項に記載の装置。
  14. 【請求項１４】ベース部材が互いに絶縁された導通路を
    経て前記第１組の凹みと流体連通する各取付け基板の下
    側に圧力空洞を形成し、ウェーハが他の凹みから持ち上
    げる際にウェーハによってカバーされている凹み内の圧
    力を維持するようになっており、このベース部材がさら
    に前記空洞から前記制御圧力源に接続する導通路を形成
    している特許請求の範囲第10項に記載の装置。
  15. 【請求項１５】イオンビーム処理装置に使用するための
    半導体ウェーハ支持体を製造する方法において、 成形型表面が光の1/4波長内に平坦度になるまで成形型
    表面をラップ仕上げし、 この成形型内でエラストマ基板を成形して前記成形型表
    面でウェーハ支持表面を形成し、 支持表面を不純物で処理してウェーハ支持表面の付着性
    を増すことを特徴とするイオンビーム処理装置に使用す
    る半導体ウェーハ支持体の製造方法。
  16. 【請求項１６】基板がシリコンゴムであり、前記ウェー
    ハ支持表面にアルゴンを注入することによって前記基板
    の付着性が増すことを特徴とする特許請求の範囲第15項
    に記載の方法。
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