JPH0783617A - リード高さ測定装置 - Google Patents
リード高さ測定装置Info
- Publication number
- JPH0783617A JPH0783617A JP22485793A JP22485793A JPH0783617A JP H0783617 A JPH0783617 A JP H0783617A JP 22485793 A JP22485793 A JP 22485793A JP 22485793 A JP22485793 A JP 22485793A JP H0783617 A JPH0783617 A JP H0783617A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラス面上に置かれた半導体素子のリードの高
さを測定する。 【構成】このリード高さ測定装置は、半導体素子４を搭
載し高さ測定時の基準面となるガラス板５と、レーザ光
源１から射出されるレーザ光を走査するミラー２と、こ
の走査レーザ光を光軸に平行にし半導体素子４のリード
１４の裏面に集光する投光レンズ３と、組み合わされた
シリンドリカルレンズ６および７により半導体素子４の
リード１４からの散乱光を受光する位置に配置される一
次元センサ８とを備える。また、この一次元センサ８の
受光面手前でガラス板５からの反射光の集光位置に配置
される液晶素子９と、この液晶素子９の透遮を制御する
液晶制御回路１１と、一次元センサ８の出力信号１８か
らリード１４の高さを演算する高さ演算回路１３とを備
える。
さを測定する。 【構成】このリード高さ測定装置は、半導体素子４を搭
載し高さ測定時の基準面となるガラス板５と、レーザ光
源１から射出されるレーザ光を走査するミラー２と、こ
の走査レーザ光を光軸に平行にし半導体素子４のリード
１４の裏面に集光する投光レンズ３と、組み合わされた
シリンドリカルレンズ６および７により半導体素子４の
リード１４からの散乱光を受光する位置に配置される一
次元センサ８とを備える。また、この一次元センサ８の
受光面手前でガラス板５からの反射光の集光位置に配置
される液晶素子９と、この液晶素子９の透遮を制御する
液晶制御回路１１と、一次元センサ８の出力信号１８か
らリード１４の高さを演算する高さ演算回路１３とを備
える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリード高さ測定装置に関
し、特にガラス面上に置かれた半導体素子のリードの高
さ、すなわち、ガラス面上からのリードの浮き量を測定
するリード高さ測定装置に関する。
し、特にガラス面上に置かれた半導体素子のリードの高
さ、すなわち、ガラス面上からのリードの浮き量を測定
するリード高さ測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のリード高さ測定装置の一
例の構成を示す斜視図である。図４を参照すると、この
リード高さ測定装置は、半導体素子４を搭載し高さ測定
時の基準面となるガラス板５と；レーザ光を出射するレ
ーザ光源１と、レーザ光を一方向に走査するミラー２
と、この走査レーザ光を光軸に平行にし半導体素子４の
リード１４裏面に集光する投光レンズ３と、レーザ光が
リード１４で反射して得られるレーザ光走査方向と凸面
曲率方向に直交して設けられるシリンドリカルレンズ６
と、シリンドリカルレンズ６を通過して得られるレーザ
光走査方向と凸面曲率方向とを平行にして設けられるシ
リンドリカルレンズ７と、レーザ光がシリンドリカルレ
ンズ７で集光して得られるビームスポットを受光してそ
の位置を検出する一次元センサ８と、ガラス板５からの
反射光を一次元センサ８の前で遮光する遮光マスク１２
とから構成される高さ測定光学系２５と；一次元センサ
８の出力信号から高さ信号を演算する高さ演算回路１３
と；高さ測定光学系２５を移動させる副走査移動機構１
０とを含んで構成される。
例の構成を示す斜視図である。図４を参照すると、この
リード高さ測定装置は、半導体素子４を搭載し高さ測定
時の基準面となるガラス板５と；レーザ光を出射するレ
ーザ光源１と、レーザ光を一方向に走査するミラー２
と、この走査レーザ光を光軸に平行にし半導体素子４の
リード１４裏面に集光する投光レンズ３と、レーザ光が
リード１４で反射して得られるレーザ光走査方向と凸面
曲率方向に直交して設けられるシリンドリカルレンズ６
と、シリンドリカルレンズ６を通過して得られるレーザ
光走査方向と凸面曲率方向とを平行にして設けられるシ
リンドリカルレンズ７と、レーザ光がシリンドリカルレ
ンズ７で集光して得られるビームスポットを受光してそ
の位置を検出する一次元センサ８と、ガラス板５からの
反射光を一次元センサ８の前で遮光する遮光マスク１２
とから構成される高さ測定光学系２５と；一次元センサ
８の出力信号から高さ信号を演算する高さ演算回路１３
と；高さ測定光学系２５を移動させる副走査移動機構１
０とを含んで構成される。
【０００３】この従来のリード高さ測定装置は、ガラス
板５の上に半導体素子４を載せ、レーザ光源１からのレ
ーザ光を半導体素子４のリード１４にガラス板５のなな
め下方から投光レンズ３を使って投光し、半導体素子４
のリード１４からの反射光をレンズ６および７により一
次元センサ８上に集光し、その集光像位置を一次元セン
サ８で検出し、一次元センサ８からの出力信号を高さ演
算回路１３で処理し半導体素子４のリード１４の高さを
測定するものである。
板５の上に半導体素子４を載せ、レーザ光源１からのレ
ーザ光を半導体素子４のリード１４にガラス板５のなな
め下方から投光レンズ３を使って投光し、半導体素子４
のリード１４からの反射光をレンズ６および７により一
次元センサ８上に集光し、その集光像位置を一次元セン
サ８で検出し、一次元センサ８からの出力信号を高さ演
算回路１３で処理し半導体素子４のリード１４の高さを
測定するものである。
【０００４】図５は従来のキャリブレーション方法を示
す光路図である。高さ方向のキャリブレーションは、ガ
ラス板５の上に表面の平面度を高精度に出した基準ブロ
ック１５を載せ、その高さを測定することで行う。
す光路図である。高さ方向のキャリブレーションは、ガ
ラス板５の上に表面の平面度を高精度に出した基準ブロ
ック１５を載せ、その高さを測定することで行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のリード高さ
測定装置は、ガラス板の汚れ等によりガラス板を交換す
るときの高さ方向のキャリブレーションを、ガラス板上
に高精度の表面平面度をもつ基準ブロックを載せ、その
高さを測定することで行っているので、高精度で高価な
基準ブロックを必要とし、また、ガラス板と基準ブロッ
クとの間にゴミが入った場合に誤った基準面にキャリブ
レーションされるという欠点がある。
測定装置は、ガラス板の汚れ等によりガラス板を交換す
るときの高さ方向のキャリブレーションを、ガラス板上
に高精度の表面平面度をもつ基準ブロックを載せ、その
高さを測定することで行っているので、高精度で高価な
基準ブロックを必要とし、また、ガラス板と基準ブロッ
クとの間にゴミが入った場合に誤った基準面にキャリブ
レーションされるという欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリード高さ測定
装置は、リード高さ測定時の基準面となるガラス板と；
レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光を走査
するミラーと、この走査レーザ光を光軸に平行にし前記
リード裏面に集光する投光レンズと、前記レーザ光が前
記リード裏面または前記ガラス板表面で反射して得られ
るレーザ光走査方向と凸面曲率方向を直交して設けられ
る第１のシリンドリカルレンズと、この第１のシリンド
リカルレンズを通過して得られるレーザ光走査方向と凸
面曲率方向とを平行にして設けられる第２のシリンドリ
カルレンズと、前記リードからの散乱光を受光する位置
に配置される一次元センサと、この一次元センサ受光面
手前で前記ガラス板からの反射光の集光位置に配置され
る液晶素子とから成る高さ測定光学系と；この液晶素子
の透遮を制御する液晶制御回路と；前記一次元センサ出
力信号から前記リード高さを演算する高さ演算回路と；
前記高さ測定光学系をレーザ走査方向と直交方向に移動
させる副走査移動機構とを備える。
装置は、リード高さ測定時の基準面となるガラス板と；
レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光を走査
するミラーと、この走査レーザ光を光軸に平行にし前記
リード裏面に集光する投光レンズと、前記レーザ光が前
記リード裏面または前記ガラス板表面で反射して得られ
るレーザ光走査方向と凸面曲率方向を直交して設けられ
る第１のシリンドリカルレンズと、この第１のシリンド
リカルレンズを通過して得られるレーザ光走査方向と凸
面曲率方向とを平行にして設けられる第２のシリンドリ
カルレンズと、前記リードからの散乱光を受光する位置
に配置される一次元センサと、この一次元センサ受光面
手前で前記ガラス板からの反射光の集光位置に配置され
る液晶素子とから成る高さ測定光学系と；この液晶素子
の透遮を制御する液晶制御回路と；前記一次元センサ出
力信号から前記リード高さを演算する高さ演算回路と；
前記高さ測定光学系をレーザ走査方向と直交方向に移動
させる副走査移動機構とを備える。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す斜視図である。図１
を参照すると、この実施例のリード高さ測定装置は、半
導体素子４を搭載し高さ測定時の基準面となるガラス板
５と；レーザ光を出射するレーザ光源１と、このレーザ
光を走査するミラー２と、この走査レーザ光を光軸に平
行にし半導体素子４のリード１４の裏面に集光する投光
レンズ３と、レーザ光がリード１４の裏面またはガラス
板５の表面で反射して得られるレーザ光走査方向と凸面
曲率方向を直交して設けられる第１のシリンドリカルレ
ンズ６と、この第１のシリンドリカルレンズ６を通過し
て得られるレーザ光走査方向と凸面曲率方向とを平行に
して設けられる第２のシリンドリカルレンズ７と、半導
体素子４のリード１４からの散乱光を受光する位置に配
置される一次元センサ８と、この一次元センサ８の受光
面手前でガラス板５からの反射光の集光位置に配置され
る液晶素子９とから成る高さ測定光学系２５と；この液
晶素子９の透遮を制御する液晶制御回路１１と；一次元
センサ８の出力信号１８からリード１４の高さを演算す
る高さ演算回路１３と；高さ測定光学系２５をレーザ走
査方向と直交方向に移動させる副走査移動機構１０とか
ら構成される。
る。図１は本発明の一実施例を示す斜視図である。図１
を参照すると、この実施例のリード高さ測定装置は、半
導体素子４を搭載し高さ測定時の基準面となるガラス板
５と；レーザ光を出射するレーザ光源１と、このレーザ
光を走査するミラー２と、この走査レーザ光を光軸に平
行にし半導体素子４のリード１４の裏面に集光する投光
レンズ３と、レーザ光がリード１４の裏面またはガラス
板５の表面で反射して得られるレーザ光走査方向と凸面
曲率方向を直交して設けられる第１のシリンドリカルレ
ンズ６と、この第１のシリンドリカルレンズ６を通過し
て得られるレーザ光走査方向と凸面曲率方向とを平行に
して設けられる第２のシリンドリカルレンズ７と、半導
体素子４のリード１４からの散乱光を受光する位置に配
置される一次元センサ８と、この一次元センサ８の受光
面手前でガラス板５からの反射光の集光位置に配置され
る液晶素子９とから成る高さ測定光学系２５と；この液
晶素子９の透遮を制御する液晶制御回路１１と；一次元
センサ８の出力信号１８からリード１４の高さを演算す
る高さ演算回路１３と；高さ測定光学系２５をレーザ走
査方向と直交方向に移動させる副走査移動機構１０とか
ら構成される。
【０００８】次に、この実施例の一次元センサ上での反
射光の集光像を示す図である図２を図１に併せて参照し
て、この実施例の動作について説明する。図２（ａ）に
示すように、一次元センサ８と液晶素子９とは、液晶素
子９が遮光モードの時に一次元センサ８が半導体素子４
のリード１４からの反射光の集光像１６を受光するが高
さ測定の基準面となるガラス板５からの反射光の集光像
１７を受光しない位置に配置される。また、図２（ｂ）
に示すように、液晶素子９が透光モードの時には一次元
センサ８は高さ測定の基準面となるガラス板５からの反
射光の集光像１７を受光することができる。ガラス板５
からの反射光が液晶素子９上の一点に集光されるように
シリンドリカルレンズ６および７の組合せを設計するこ
とにより、半導体素子４のリード１４からの散乱光は集
光位置測定方向Ａにのみフォーカスされそれと直交方向
に長い楕円の像となる。
射光の集光像を示す図である図２を図１に併せて参照し
て、この実施例の動作について説明する。図２（ａ）に
示すように、一次元センサ８と液晶素子９とは、液晶素
子９が遮光モードの時に一次元センサ８が半導体素子４
のリード１４からの反射光の集光像１６を受光するが高
さ測定の基準面となるガラス板５からの反射光の集光像
１７を受光しない位置に配置される。また、図２（ｂ）
に示すように、液晶素子９が透光モードの時には一次元
センサ８は高さ測定の基準面となるガラス板５からの反
射光の集光像１７を受光することができる。ガラス板５
からの反射光が液晶素子９上の一点に集光されるように
シリンドリカルレンズ６および７の組合せを設計するこ
とにより、半導体素子４のリード１４からの散乱光は集
光位置測定方向Ａにのみフォーカスされそれと直交方向
に長い楕円の像となる。
【０００９】液晶素子９の制御信号１９と高さ信号２０
との関係を表す図である図３を図１および図２に併せて
参照すると、一走査の初めと終わりのタイミングに液晶
制御回路１１は液晶素子９を透光モードｂにし、ガラス
板５からの反射光の集光像１７の受光位置に対応した一
次元センサ８の出力信号１８から高さ演算回路１３は高
さを求めこれを基準高さ２３とする。リード測定時には
液晶素子９を遮光モードａにし、ガラス板５からの反射
光の集光像１７をマスクして一次元センサ８の受光面に
リード１４からの反射光の集光像１６だけを受光するよ
うにし、リード１４からの反射光の位置に対応した一次
元センサ８の出力信号１８から高さ演算回路１３は高さ
を求め、基準高さ２３との差からリード高さ２４を求め
る。このようにして半導体素子４の一方のリード１４の
高さを測定した後、高さ測定光学系２５を副走査移動機
構１０で移動して他方のリード１４の高さを測定する。
との関係を表す図である図３を図１および図２に併せて
参照すると、一走査の初めと終わりのタイミングに液晶
制御回路１１は液晶素子９を透光モードｂにし、ガラス
板５からの反射光の集光像１７の受光位置に対応した一
次元センサ８の出力信号１８から高さ演算回路１３は高
さを求めこれを基準高さ２３とする。リード測定時には
液晶素子９を遮光モードａにし、ガラス板５からの反射
光の集光像１７をマスクして一次元センサ８の受光面に
リード１４からの反射光の集光像１６だけを受光するよ
うにし、リード１４からの反射光の位置に対応した一次
元センサ８の出力信号１８から高さ演算回路１３は高さ
を求め、基準高さ２３との差からリード高さ２４を求め
る。このようにして半導体素子４の一方のリード１４の
高さを測定した後、高さ測定光学系２５を副走査移動機
構１０で移動して他方のリード１４の高さを測定する。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードの高さを測定するときにガラス板からの反射光に
より直接基準面の測定を同時に行う構成にしたので、高
精度で高価な基準ブロックを必要とせず、作業者の手間
を大幅に省くことができ、またゴミ等による基準ブロッ
クの浮きが原因の不正確なキャリブレーションを防ぐこ
とができる。
リードの高さを測定するときにガラス板からの反射光に
より直接基準面の測定を同時に行う構成にしたので、高
精度で高価な基準ブロックを必要とせず、作業者の手間
を大幅に省くことができ、またゴミ等による基準ブロッ
クの浮きが原因の不正確なキャリブレーションを防ぐこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す斜視図である。
【図２】この実施例の一次元センサ上での反射光の集光
像を示す図である。
像を示す図である。
【図３】この実施例の動作を説明するための波形図であ
る。
る。
【図４】従来例の構成を示す斜視図である。
【図５】従来例のキャリブレーション方法を説明するた
めの光路図である。
めの光路図である。
１ レーザ光源 ２ ミラー ３ 投光レンズ ４ 半導体素子 ５ ガラス板 ６、７ シリンドリカルレンズ ８ 一次元センサ ９ 液晶素子 １０ 副走査移動機構 １１ 液晶制御回路 １２ 遮光マスク １３ 高さ演算回路 １４ リード １５ 基準ブロック １６ リードからの反射光の集光像 １７ ガラスからの反射光の集光像 １８ 一次元センサ出力信号 １９ 液晶素子制御信号 ２０ 高さ信号 ２１ ガラス面位置 ２２ リード面の場所 ２３ 基準高さ ２４ リード高さ ２５ 高さ測定光学系
Claims (1)
- 【請求項１】 リード高さ測定時の基準面となるガラス
板と；レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光
を走査するミラーと、この走査レーザ光を光軸に平行に
し前記リード裏面に集光する投光レンズと、前記レーザ
光が前記リード裏面または前記ガラス板表面で反射して
得られるレーザ光走査方向と凸面曲率方向を直交して設
けられる第１のシリンドリカルレンズと、この第１のシ
リンドリカルレンズを通過して得られるレーザ光走査方
向と凸面曲率方向とを平行にして設けられる第２のシリ
ンドリカルレンズと、前記リードからの散乱光を受光す
る位置に配置される一次元センサと、この一次元センサ
受光面手前で前記ガラス板からの反射光の集光位置に配
置される液晶素子とから成る高さ測定光学系と；この液
晶素子の透遮を制御する液晶制御回路と；前記一次元セ
ンサ出力信号から前記リード高さを演算する高さ演算回
路と；前記高さ測定光学系をレーザ走査方向と直交方向
に移動させる副走査移動機構とを備えることを特徴とす
るリード高さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22485793A JPH0783617A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | リード高さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22485793A JPH0783617A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | リード高さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0783617A true JPH0783617A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=16820260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22485793A Pending JPH0783617A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | リード高さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783617A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278111A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Fujitsu Ltd | 光点位置測定装置 |
| JPH04145311A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Nec Corp | 高さ測定装置 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP22485793A patent/JPH0783617A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278111A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Fujitsu Ltd | 光点位置測定装置 |
| JPH04145311A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Nec Corp | 高さ測定装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960723 |