JPH0783171B2 - 半田膜形成方法 - Google Patents

半田膜形成方法

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JPH0783171B2
JPH0783171B2 JP5083697A JP8369793A JPH0783171B2 JP H0783171 B2 JPH0783171 B2 JP H0783171B2 JP 5083697 A JP5083697 A JP 5083697A JP 8369793 A JP8369793 A JP 8369793A JP H0783171 B2 JPH0783171 B2 JP H0783171B2
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solder
electroless
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copper
plating
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栄治 前畑
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NEC Corp
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • HELECTRICITY
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    • HELECTRICITY
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    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半田膜形成方法に関
し、特にプリント配線板の銅回路上への半田膜形成方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】表面実装対応としてファインパターン化
の進むプリント配線板上に予め半田膜を形成するプリコ
ート技術の需要が高まっており、特に膜厚が均一な無電
解半田めっきが注目を集めている。
【0003】従来は、特開昭58−197291に示さ
れる様に、プリント配線板の銅回路を希硫酸水溶液によ
り活性化処理した後、過酸化水素−硫酸水溶液,過酸化
水素−ホウフッ化水素水溶液等により0.01〜1μm
程度粗面化し、然る後に、鉛イオンとスズイオンを含有
する無電解半田めっき液にプリント配線板を浸漬し、銅
回路上に半田めっき膜を形成している。この無電解半田
めっきは、銅回路上に形成された半田めっき膜の空隙部
を鉛イオン及びスズイオンが通過移動し、下地銅との置
換共析反応を生じることにより進行する。従って、半田
めっき膜厚が厚くなると、空隙部を通した鉛及びスズイ
オンの移動が困難となり、通常5μm程度の半田めっき
膜厚で半田めっき析出はほぼ停止してしまう。表面実装
用に要求されるプリント配線板の銅回路上の半田めっき
膜のプリコート厚は20μm以上となっているが、上述
のように従来の無電解半田めっきでは所望の半田めっき
膜厚を得るのは困難である。
【0004】置換共析反応界面面積を大きくするため
に、銅回路表面上のソフトエッチング量を大きくし、銅
粗面上の凹凸を大きくした場合にもソフトエッチングに
より形成される凹凸形状は、ゆるやかなこぶ状となり、
著しい界面面積増加は望めない。また置換共析反応では
銅回路が溶解し銅回路の銅厚が減少するので、所望の回
路断面積を保つためにも厚み1μm以上の銅回路表面の
粗面化処理は望ましくない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した様に、従
来の無電解半田膜形成法では、半田めっき膜の空隙部を
通した鉛,スズイオンの移動が半田めっき膜厚の増加に
伴い困難となるため、無電解半田めっきにより実装上必
要な厚みの半田膜を形成することが困難であるという問
題点があった。
【0006】本発明の目的は、無電解半田めっきにより
実装上必要な厚みの半田膜を容易に形成できる半田膜形
成方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半田膜形成方法
においては、まず、プリント配線板の銅回路上に、次亜
リン酸塩を還元剤とする無電解銅めっき液を用いて無電
解銅めっきによりデンドライト状の銅めっき膜を形成す
る。次に、この銅めっき膜上に無電解半田めっきにより
半田めっき膜を形成する。次に、この半田めっき膜を溶
融することにより銅回路上に半田膜を形成する。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0009】図1(a)〜(d)は本発明の一実施例を
説明する工程順に示した断面図である。まず、図1
(a)に示す様に、銅回路2が形成されたプリント配線
板1を約60℃のアルカリ脱脂液に5分間浸漬して銅回
路2の脱脂を行い、水洗後、液温約30℃の過酸化水素
と硫酸を含有するソフトエッチング液に3分間浸漬し
た。次いで水洗し、10wt%の硫酸溶液に10秒間浸
漬後、水洗処理を行った。
【0010】次に、図1(b)に示す様に、プリント配
線板1の銅回路2に無電解銅めっきを施し、無電解銅め
っき膜3を形成した。この無電解銅めっき液の組成は、
塩化銅0.031M,クエン酸ナトリウム0.053
M,次亜リン酸ナトリウム0.28M,塩化ニッケル
0.0025Mで、無電解銅めっき液のアルカリ度は水
酸化ナトリウムによりpH9に調整した。この60℃の
無電解銅めっき液にて3時間銅めっきを施した結果、銅
回路2上に約20μmの厚みのデンドライト状結晶を有
する無電解銅めっき膜3が形成された。
【0011】次に、図1(c)に示す様に、水洗後、無
電解半田めっきを施し、無電解半田めっき膜4を形成し
た。この無電解半田めっき液の組成は、チオ尿素100
g/l,ホウフッ化水素酸50ml/l,ほう酸20g
/l,酢酸鉛20g/l,塩化スズ20g/l,ペプト
ン2g/l,界面活性剤を少量含んだ水溶液である。こ
の55℃の無電解半田めっき液にて20分間無電解半田
めっきを施した結果、約25μmの無電解半田めっき膜
4が形成された。この様に、無電解半田めっき膜4が厚
付けできたのは、無電解半田めっき膜4が下地のデンド
ライト結晶状の無電解銅めっき膜3の形状の影響により
微細な多孔質形状となるため、鉛,スズイオンの通過が
容易となり、従来技術の無電解半田めっき膜厚増加によ
るめっき析出速度の低下を小さくすることができるため
と考えられる。
【0012】最後に、図1(d)に示す様に、温度20
0℃の溶融油に約20秒間浸漬して無電解半田めっき膜
4を溶融し、実装上必要な膜厚の半田膜5を形成した。
【0013】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、プリント配
線板の銅回路上に無電解銅めっきを施し、デンドライト
状の無電解銅めっき膜を形成することにより、無電解半
田めっき反応界面面積を従来より大きくできるため、実
装上必要な膜厚の半田膜を無電解半田めっきにより短時
間で容易に形成できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は本発明の一実施例を説明する
工程順に示した断面図である。
【符号の説明】
1 プリント配線板 2 銅回路 3 無電解銅めっき膜 4 無電解半田めっき膜 5 半田膜。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント配線板の銅回路上に無電解銅め
    っきによるデンドライト状の銅めっき膜を形成する工程
    と、該銅めっき膜上に無電解半田めっきにより半田めっ
    き膜を形成する工程と、該半田めっき膜を溶融する事に
    より前記銅回路上に半田膜を形成する工程とを有するこ
    とを特徴とする半田膜形成方法。
  2. 【請求項2】 前記銅めっき膜を形成する工程が、次亜
    リン酸塩を還元剤とする無電解銅めっき液を用いること
    を特徴とする請求項1記載の半田膜形成方法。
JP5083697A 1993-04-12 1993-04-12 半田膜形成方法 Expired - Lifetime JPH0783171B2 (ja)

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JP5083697A JPH0783171B2 (ja) 1993-04-12 1993-04-12 半田膜形成方法

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JP5083697A JPH0783171B2 (ja) 1993-04-12 1993-04-12 半田膜形成方法

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JPH06302940A JPH06302940A (ja) 1994-10-28
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JPH03270193A (ja) * 1990-03-20 1991-12-02 Fujitsu Ltd プリント基板の製造方法
JPH0613733A (ja) * 1992-04-13 1994-01-21 Mitsubishi Electric Corp プリント配線板の製造方法

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