JPH0781917B2 - 温度検知素子 - Google Patents
温度検知素子Info
- Publication number
- JPH0781917B2 JPH0781917B2 JP61012797A JP1279786A JPH0781917B2 JP H0781917 B2 JPH0781917 B2 JP H0781917B2 JP 61012797 A JP61012797 A JP 61012797A JP 1279786 A JP1279786 A JP 1279786A JP H0781917 B2 JPH0781917 B2 JP H0781917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- glaze layer
- glass transition
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜の形成等に使用される真空炉の内部に置か
れた基板の表面温度の測定等に使用される温度検知素子
に関する。
れた基板の表面温度の測定等に使用される温度検知素子
に関する。
従来の技術 基板の表面温度を測定する手段としては、一般にはサー
モラベルが使用されている。しかし、このサーモラベル
は測定可能な温度範囲が高温側では400℃どまりなの
で、それ以上の温度に達する炉内に置かれた基板の場合
には、他の測定手段を必要としている。その場合にはサ
ーモクレヨンや熱電対、放射温度計測等が用いられてい
る。
モラベルが使用されている。しかし、このサーモラベル
は測定可能な温度範囲が高温側では400℃どまりなの
で、それ以上の温度に達する炉内に置かれた基板の場合
には、他の測定手段を必要としている。その場合にはサ
ーモクレヨンや熱電対、放射温度計測等が用いられてい
る。
発明が解決しようとする問題点 サーモクレヨンの場合には測定範囲の上限が450℃位ま
でしかないことと、ガスを発生することから真空炉内で
は使用することができない。
でしかないことと、ガスを発生することから真空炉内で
は使用することができない。
熱電対は測定温度範囲が1000℃以上に達し、またガスを
発生しないうえに連続的に使用できるというメリットを
持っているが、基板の表面温度の測定ということになる
と、基板への熱電対の取り付け方が難しく測定値に誤差
が生じ易い。また熱電対は補償導線によって表示部につ
ながれているので、炉内を基板が移動する場合には、補
償導線の引き出し方に制限があって使用することは困難
である。
発生しないうえに連続的に使用できるというメリットを
持っているが、基板の表面温度の測定ということになる
と、基板への熱電対の取り付け方が難しく測定値に誤差
が生じ易い。また熱電対は補償導線によって表示部につ
ながれているので、炉内を基板が移動する場合には、補
償導線の引き出し方に制限があって使用することは困難
である。
放射温度計は、被測定物を直接に測定する場合と、覗き
窓の石英ガラス等を間に挟んで間接に測定する場合とで
は、その指示する値が異なっており、これら２つの値の
相関を取ることは困難である。
窓の石英ガラス等を間に挟んで間接に測定する場合とで
は、その指示する値が異なっており、これら２つの値の
相関を取ることは困難である。
本発明は上記の問題点を解決するために発明されたもの
で、ガスの発生が無く、高温の炉内に置くだけで基板の
表面温度を測定することができ、しかも基板の表面の温
度を容易に視覚的に確認することができる温度検知素子
を提供することを目的としている。
で、ガスの発生が無く、高温の炉内に置くだけで基板の
表面温度を測定することができ、しかも基板の表面の温
度を容易に視覚的に確認することができる温度検知素子
を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明に係る温度検知素子は、測定しようとする温度の
上下近傍にガラス転移温度を有するグレーズ層を基板上
に形成するとともに、前記グレーズ層の上に表面が滑ら
かな光沢を有する薄膜を形成している。
上下近傍にガラス転移温度を有するグレーズ層を基板上
に形成するとともに、前記グレーズ層の上に表面が滑ら
かな光沢を有する薄膜を形成している。
作用 基板上に焼結加工されたグレーズ層は滑らかな表面をし
ているが、グレーズ層に固有のガラス転移温度になると
グレーズ層の表面に変形を生じ、その表面に形成された
薄膜からは滑らかさが消えるので、温度検知素子は基板
表面の温度がガラス転移温度を越えたことを示す。
ているが、グレーズ層に固有のガラス転移温度になると
グレーズ層の表面に変形を生じ、その表面に形成された
薄膜からは滑らかさが消えるので、温度検知素子は基板
表面の温度がガラス転移温度を越えたことを示す。
実施例 第１図は本発明の温度検知素子の一実施例を示す断面図
である。図において基板23は、例えば長方形のアルミナ
板等でつくられ、その表面にはスクリーン印刷によって
塗布された後、1000℃以上の高温で表面が滑らかになる
ように焼結加工された厚さ数10ミクロンのグレーズ層22
m（半導体分野で使用される技術用語であってガラス被
覆層）が形成されている。グレーズ層22mは透明なので
歪による変形を見易くするための、サーメットあるいは
高融点の金属、例えばタングステン等で出来た数千オン
グストローム程の厚さの薄膜21mがグレーズ層22mの上に
形成されている。薄膜21mの表面24mは滑らかな光沢を持
っている。
である。図において基板23は、例えば長方形のアルミナ
板等でつくられ、その表面にはスクリーン印刷によって
塗布された後、1000℃以上の高温で表面が滑らかになる
ように焼結加工された厚さ数10ミクロンのグレーズ層22
m（半導体分野で使用される技術用語であってガラス被
覆層）が形成されている。グレーズ層22mは透明なので
歪による変形を見易くするための、サーメットあるいは
高融点の金属、例えばタングステン等で出来た数千オン
グストローム程の厚さの薄膜21mがグレーズ層22mの上に
形成されている。薄膜21mの表面24mは滑らかな光沢を持
っている。
第２図は基板23の表面温度がガラス転移温度以上に達し
た状態を示す断面図である。グレーズ層22nは自身に固
有のガラス転移温度になると歪み、表面に変形が生じ
る。グレーズ層22nの上につくられた薄膜21nは極めて薄
く、グレーズ層22nの上面の変形に従って波打つので、
薄膜21nの表面24nからは滑らかな光沢が失われ、グレー
ズ層22nが歪んで変形したこと、つまり基板表面の温度
がガラス転移温度以上になったことを示す。またこの変
形は不可逆反応であるため、加熱中に観察しなければな
らないということもなく、冷えてから温度検知素子を取
り出した場合にも、変形を読取ることができる。
た状態を示す断面図である。グレーズ層22nは自身に固
有のガラス転移温度になると歪み、表面に変形が生じ
る。グレーズ層22nの上につくられた薄膜21nは極めて薄
く、グレーズ層22nの上面の変形に従って波打つので、
薄膜21nの表面24nからは滑らかな光沢が失われ、グレー
ズ層22nが歪んで変形したこと、つまり基板表面の温度
がガラス転移温度以上になったことを示す。またこの変
形は不可逆反応であるため、加熱中に観察しなければな
らないということもなく、冷えてから温度検知素子を取
り出した場合にも、変形を読取ることができる。
第３図は実用的な一実施例を示す外観斜視図である。温
度検知器41の底板31の上には、複数枚、例えば６枚の温
度検知素子32が取り付けられ、その基板23上には、測定
しようとする温度およびその上下近傍に互いに異なるガ
ラス転移温度を有するグレーズ層22が、それぞれ形成さ
れている。薄膜21は極めて薄いのでその厚さは無視して
描かれている。そしてグレーズ層22は22aから22fに向か
う程ガラス転移温度が高くなっている。グレーズ層22の
ガラス転移温度を示す表示部33がそれぞれに設けられて
いる。
度検知器41の底板31の上には、複数枚、例えば６枚の温
度検知素子32が取り付けられ、その基板23上には、測定
しようとする温度およびその上下近傍に互いに異なるガ
ラス転移温度を有するグレーズ層22が、それぞれ形成さ
れている。薄膜21は極めて薄いのでその厚さは無視して
描かれている。そしてグレーズ層22は22aから22fに向か
う程ガラス転移温度が高くなっている。グレーズ層22の
ガラス転移温度を示す表示部33がそれぞれに設けられて
いる。
この温度検知器41をウエハ等の基板を加熱する炉内に置
き、加熱を行う。その後温度検知器41を取り出して観察
した結果、温度検知素子32aおよび32bの表面に変形が起
こり、32cの表面が滑らかであれば、炉内の最高温度は
表示部33bと33cとが示す温度の間にあったことを示して
いる。
き、加熱を行う。その後温度検知器41を取り出して観察
した結果、温度検知素子32aおよび32bの表面に変形が起
こり、32cの表面が滑らかであれば、炉内の最高温度は
表示部33bと33cとが示す温度の間にあったことを示して
いる。
なお本発明は上記実施例に限定されず、基板23の材質に
ついてはその他の材質、例えば金属板等を使用すること
が可能である。
ついてはその他の材質、例えば金属板等を使用すること
が可能である。
第２図における温度検知素子32の枚数は６枚に限定され
ず、任意の枚数によって構成することができる。
ず、任意の枚数によって構成することができる。
また温度検知器41は底板31の上に取り付けられた基板23
の表面にグレーズ層22等が形成されているが、一枚の基
板の表面に複数のグレーズ層を形成するようにことも可
能である。
の表面にグレーズ層22等が形成されているが、一枚の基
板の表面に複数のグレーズ層を形成するようにことも可
能である。
発明の効果 本発明に係る温度検知素子は、測定しようとする温度の
上下近傍にガラス転移温度を有するグレーズ層を基板上
に形成するとともに、前記グレーズ層の上に表面が滑ら
かな光沢を有する薄膜を形成しているので、ガスの発生
がなく、高温の炉内に置くだけで基板の表面温度を測定
することができる。また、グレーズ層の変形に伴って滑
らかな光沢を有する薄膜が変形して光沢が失われるの
で、グレーズ層の変形、すなわち基板表面の温度がガラ
ス転移温度以上になったことをきわめて容易に視認する
ことができる。
上下近傍にガラス転移温度を有するグレーズ層を基板上
に形成するとともに、前記グレーズ層の上に表面が滑ら
かな光沢を有する薄膜を形成しているので、ガスの発生
がなく、高温の炉内に置くだけで基板の表面温度を測定
することができる。また、グレーズ層の変形に伴って滑
らかな光沢を有する薄膜が変形して光沢が失われるの
で、グレーズ層の変形、すなわち基板表面の温度がガラ
ス転移温度以上になったことをきわめて容易に視認する
ことができる。
第１図は本発明の温度検知素子の一実施例を示す断面
図、第２図は基板23の表面温度がガラス転移温度以上に
達した状態を示す断面図、第３図は実用的な一実施例を
示す外観斜視図である。 22……グレーズ層 23……基板 32……温度検知素子。
図、第２図は基板23の表面温度がガラス転移温度以上に
達した状態を示す断面図、第３図は実用的な一実施例を
示す外観斜視図である。 22……グレーズ層 23……基板 32……温度検知素子。
Claims (1)
- 【請求項１】測定しようとする温度の上下近傍にガラス
転移温度を有するグレーズ層を基板上に形成するととも
に、前記グレーズ層の上に表面が滑らかな光沢を有する
薄膜を形成したことを特徴とする温度検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012797A JPH0781917B2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 温度検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012797A JPH0781917B2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 温度検知素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169028A JPS62169028A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0781917B2 true JPH0781917B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=11815384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61012797A Expired - Lifetime JPH0781917B2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 温度検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781917B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893320A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置の温度測定方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156083U (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-24 |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP61012797A patent/JPH0781917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893320A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置の温度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62169028A (ja) | 1987-07-25 |
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