JPS62169028A - 温度検知素子 - Google Patents
温度検知素子Info
- Publication number
- JPS62169028A JPS62169028A JP1279786A JP1279786A JPS62169028A JP S62169028 A JPS62169028 A JP S62169028A JP 1279786 A JP1279786 A JP 1279786A JP 1279786 A JP1279786 A JP 1279786A JP S62169028 A JPS62169028 A JP S62169028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- glaze layer
- substrate
- glass transition
- transition temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000003976 Ruta Nutrition 0.000 description 1
- 240000005746 Ruta graveolens Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 235000005806 ruta Nutrition 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工粟↓豊且旦分亘
本発明は薄膜の形成等に使用される真空炉の内部に置か
れた基板の表面温度の測定等に使用される温度検知素子
に関する。
れた基板の表面温度の測定等に使用される温度検知素子
に関する。
従天皇且術
基板の表面温度を測定する手段としては、一般にはサー
モラベルが使用されている。しかし、このサーモラベル
は測定可能な温度範囲が高温側では４００℃どまりなの
で、それ以上の温度に達する炉内に置かれた基板の場合
には、他の測定手段を必要としている。その場合にはサ
ーモクレヨンや熱電対、放射温度計等が用いられている
。
モラベルが使用されている。しかし、このサーモラベル
は測定可能な温度範囲が高温側では４００℃どまりなの
で、それ以上の温度に達する炉内に置かれた基板の場合
には、他の測定手段を必要としている。その場合にはサ
ーモクレヨンや熱電対、放射温度計等が用いられている
。
＜ ゞ しよ゛と る口 １
サーモクレヨンの場合には測定範囲の上限が４５０℃位
までしかないことと、ガスを発生することから真空炉内
では使用することができない。
までしかないことと、ガスを発生することから真空炉内
では使用することができない。
熱電対は測定温度範囲が１０００℃以上に達し、またガ
スを発生しないうえに連続的に使用できるというメリッ
トを持っているが、基板の表面温度の測定ということに
なると、基板への熱電対の取り付は方が難しく測定値に
誤差が生じ易い。また熱電対は補償導線によって表示部
につながれているので、炉内を基板が移動する場合には
、補償導線の引き出し方に制限があって使用することは
困難である。
スを発生しないうえに連続的に使用できるというメリッ
トを持っているが、基板の表面温度の測定ということに
なると、基板への熱電対の取り付は方が難しく測定値に
誤差が生じ易い。また熱電対は補償導線によって表示部
につながれているので、炉内を基板が移動する場合には
、補償導線の引き出し方に制限があって使用することは
困難である。
放射温度計は、被測定物を直接に測定する場合と、覗き
窓の石英ガラス等を間に挟んで間接に測定する場合とで
は、その指示する値が異なっており、これら２つの値の
相関を取ることは困難である。
窓の石英ガラス等を間に挟んで間接に測定する場合とで
は、その指示する値が異なっており、これら２つの値の
相関を取ることは困難である。
本発明は上記の問題点を解決するために発明されたもの
で、ガスの発生が無く、高温の炉内に置くだけで基板の
表面温度を測定することができる温度検知素子を提供す
ることを目的としている。
で、ガスの発生が無く、高温の炉内に置くだけで基板の
表面温度を測定することができる温度検知素子を提供す
ることを目的としている。
韮・占 ” るた の 。
本発明の温度検知素子は、測定しようとする温度の上下
近傍にガラス転移温度を有するグレーズ層を基板上に形
成する。
近傍にガラス転移温度を有するグレーズ層を基板上に形
成する。
作且
基板上に焼結加工されたグレーズ層は滑らかな表面をし
ているが、グレーズ層に固有のガラス転移温度になると
グレーズ表面に変形を生じ、その表面からは滑らかさが
消えるので、温度検知素子は基板表面の温度がガラス転
移温度を越えたことを示す。
ているが、グレーズ層に固有のガラス転移温度になると
グレーズ表面に変形を生じ、その表面からは滑らかさが
消えるので、温度検知素子は基板表面の温度がガラス転
移温度を越えたことを示す。
尖施桝
第１図は本発明の温度検知素子の一実施例を示す断面図
である。図において基板２３は、例えば長方形のアルミ
ナ板等でつくられ、その表面にはスクリーン印刷によっ
て塗布された後、１０００℃以上の高温で表面が滑らか
になるように焼結加工された厚さ数１０ミクロンのグレ
ーズ層２２ｍが形成されている。グレーズ層２２ｍは透
明なので歪による変形を見易くするための、サーメット
あるいは高融点の金属、例えばタングステン等で出来た
数千オングストローム程の厚さの薄膜２１ｍがグレーズ
層２２ｍの上に形成されている。薄膜２１ｍの表面２４
ｍは滑らかな光沢を持っている。
である。図において基板２３は、例えば長方形のアルミ
ナ板等でつくられ、その表面にはスクリーン印刷によっ
て塗布された後、１０００℃以上の高温で表面が滑らか
になるように焼結加工された厚さ数１０ミクロンのグレ
ーズ層２２ｍが形成されている。グレーズ層２２ｍは透
明なので歪による変形を見易くするための、サーメット
あるいは高融点の金属、例えばタングステン等で出来た
数千オングストローム程の厚さの薄膜２１ｍがグレーズ
層２２ｍの上に形成されている。薄膜２１ｍの表面２４
ｍは滑らかな光沢を持っている。
第２図は基板２３の表面温度がガラス転移温度以上に達
した状態を示す断面図である。グレーズ層２２ｎは自身
に固有のガラス転移温度になると歪み、表面に変形が生
じる。グレーズＪｉｉ２２ｎの上につくられた薄膜２１
ｎは極めて薄く、グレーズ層２２ｎの上面の変形に従っ
て波打つので、薄膜２１ｎの表面２４ｎからは滑らかな
光沢が失われ、グレーズ層２２ｎが歪んで変形したこと
、つまり基板表面の温度がガラス転移温度以上になった
ことを示す。またこの変形は不可逆反応であるため、加
熱中に観察しなければならないということもなく、冷え
てから温度検知素子を取り出した場合にも、変形を読み
取ることができる。
した状態を示す断面図である。グレーズ層２２ｎは自身
に固有のガラス転移温度になると歪み、表面に変形が生
じる。グレーズＪｉｉ２２ｎの上につくられた薄膜２１
ｎは極めて薄く、グレーズ層２２ｎの上面の変形に従っ
て波打つので、薄膜２１ｎの表面２４ｎからは滑らかな
光沢が失われ、グレーズ層２２ｎが歪んで変形したこと
、つまり基板表面の温度がガラス転移温度以上になった
ことを示す。またこの変形は不可逆反応であるため、加
熱中に観察しなければならないということもなく、冷え
てから温度検知素子を取り出した場合にも、変形を読み
取ることができる。
第３図は実用的な一実施例を示す外観斜視図である。温
度検知器４１の底板３１の上には、複数枚、例えば６枚
の温度検知素子３２が取り付けられ、その基板２３上に
は、測定しようとする温度およびその上下近傍の互いに
異なるガラス転移温度を有するグレーズ層２２が、それ
ぞれ形成されている。薄膜２１は極めて薄いのでその厚
さは無視して描かれている。そしてグレーズ層２２は２
２ａから２２ｆに向かう程ガラス転移温度が高くなって
いる。グレーズ層２２のガラス転移温度を示す表示部３
３がそれぞれに設けられている。
度検知器４１の底板３１の上には、複数枚、例えば６枚
の温度検知素子３２が取り付けられ、その基板２３上に
は、測定しようとする温度およびその上下近傍の互いに
異なるガラス転移温度を有するグレーズ層２２が、それ
ぞれ形成されている。薄膜２１は極めて薄いのでその厚
さは無視して描かれている。そしてグレーズ層２２は２
２ａから２２ｆに向かう程ガラス転移温度が高くなって
いる。グレーズ層２２のガラス転移温度を示す表示部３
３がそれぞれに設けられている。
この温度検知器４１をウェハ等の基板を加熱する炉内に
置き、加熱を行う。その後温度検知器４１を取り出して
観察した結果、温度検知素子３２ａおよび３２ｂの表面
に変形が起こり、３２ｃの表面が滑らかであれば、炉内
の最高温度は表示部３３ｂと３３ｃとが示す温度の間に
あったことを示している。
置き、加熱を行う。その後温度検知器４１を取り出して
観察した結果、温度検知素子３２ａおよび３２ｂの表面
に変形が起こり、３２ｃの表面が滑らかであれば、炉内
の最高温度は表示部３３ｂと３３ｃとが示す温度の間に
あったことを示している。
なお本発明は上記実施例に限定されず、基板２３の材質
についてはその他の材質、例えば金属板等を使用するこ
とが可能である。
についてはその他の材質、例えば金属板等を使用するこ
とが可能である。
第２図における温度検知素子３２０枚数は６枚に限定さ
れず、任意の枚数によって構成することができる。
れず、任意の枚数によって構成することができる。
また温度検知器４１は底板３１の上に取り付けられた基
板２３の表面にグレーズ層２２等が形成されているが、
一枚の基板の表面に複数のグレーズ層を形成するように
することも可能である。
板２３の表面にグレーズ層２２等が形成されているが、
一枚の基板の表面に複数のグレーズ層を形成するように
することも可能である。
発肌ｑ肱果
基板上に、測定しようとする温度の上下近傍にガラス転
移温度を有するグレーズ層を形成したので、ガスの発生
が無く、高温の炉内に置くだけで基板の表面温度を測定
することができる温度検知素子を提供することが可能に
なる。
移温度を有するグレーズ層を形成したので、ガスの発生
が無く、高温の炉内に置くだけで基板の表面温度を測定
することができる温度検知素子を提供することが可能に
なる。
第１図は本発明の温度検知素子の一実施例を示す断面図
、第２図は基板２３の表面温度がガラス転移温度以上に
達した状態を示す断面図、第３図は実用的な一実施例を
示す外観斜視図である。 ２２・・・グレーズ層 ２３・・・基板 ３２・・・温度検知素子。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 ４ｕ 第２図
、第２図は基板２３の表面温度がガラス転移温度以上に
達した状態を示す断面図、第３図は実用的な一実施例を
示す外観斜視図である。 ２２・・・グレーズ層 ２３・・・基板 ３２・・・温度検知素子。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 ４ｕ 第２図
Claims (1)
- （１）測定しようとする温度の上下近傍にガラス転移温
度を有するグレーズ層を基板上に形成したことを特徴と
する温度検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012797A JPH0781917B2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 温度検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012797A JPH0781917B2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 温度検知素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169028A true JPS62169028A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0781917B2 JPH0781917B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=11815384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61012797A Expired - Lifetime JPH0781917B2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 温度検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781917B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156083U (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-24 | ||
| JPS5893320A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置の温度測定方法 |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP61012797A patent/JPH0781917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156083U (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-24 | ||
| JPS5893320A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置の温度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0781917B2 (ja) | 1995-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100276412B1 (ko) | 무선 온도 보정 장치 및 방법 | |
| US4242907A (en) | Apparatus for monitoring and controlling a flat zone in a furnace | |
| US5553939A (en) | Method and device for calibrating an optical pyrometer and associated reference wafers | |
| JPS60201224A (ja) | 多層薄膜熱伝達ゲ−ジ | |
| US3821895A (en) | Heat flow meter for remote measurement | |
| CA1098337A (en) | Pyrometric sheath and process | |
| KR100677742B1 (ko) | 디지털 온도 센서, 디지털 온도 측정 시스템 및 방법 | |
| JP5769043B2 (ja) | 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置 | |
| Heldenfels et al. | Experimental and theoretical determination of thermal stresses in a flat plate | |
| JPH09329499A (ja) | 赤外線センサ及び赤外線検出器 | |
| JPS62169028A (ja) | 温度検知素子 | |
| KR20000061565A (ko) | 저항형 볼로미터 센서 | |
| US3498133A (en) | Apparatus for measuring high temperatures | |
| JP3953170B2 (ja) | 比熱測定方法及び示差走査熱量計 | |
| US3693447A (en) | Radiant heat flow meter | |
| GB2222885A (en) | Thermal analysis apparatus | |
| Pons et al. | Low-cost high-sensitivity integrated pressure and temperature sensor | |
| JPS61259580A (ja) | サ−モパイル | |
| Kirby | Methods of measuring thermal expansion | |
| US3460378A (en) | Strain gauge measuring techniques | |
| JPH08193891A (ja) | 温度測定用プローブ | |
| Kreider et al. | Calibration of Radiation Thermometers in Rapid Thermal Processing Tools Using Si Wafers with Thin‐film Thermocouples | |
| JPH0469531A (ja) | 放射温度計による温度測定方法 | |
| JPS61270840A (ja) | 半導体ウエハ−の温度測定方法 | |
| Lohrengel | Determination of the surface temperature of poor heat conducting materials by radiation measurements from− 60° C to+ 250° C in vacuum |