KR100276412B1 - 무선 온도 보정 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100276412B1
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에이. 벨로 리노
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윌리엄 비. 켐플러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

하나 이상의 온도 감지기를 보정하는 장치 및 방법이 개시되었다. 150°내지 1150°의 범위 내의 용융점을 갖는 물질의 다수의 제1보정 아일랜드 영역을 갖는 웨이퍼(30)이 제공된다. 웨이퍼의 유효 반사율은 동작시 온도 감지기를 사용하거나 또는 분리된 광 소스를 통해서 측정된다. 제1보정 아일랜드 영역의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 온도 감지기의 출력 신호의 제1단계 변화가 검출된다. 최종적으로, 온도 감지기 보정 변수가 계산된다.
다른 장치, 시스템 및 방법 또한 개시된다.

Description

무선 온도 보정 장치 및 방법
제1도는 다구역 신속 열처리 시스템에 관련하여 도시된 종래 기술의 TC-본드 웨이퍼 보정 시스템의 블록도.
제2도는 본 발명의 양호한 제1실시예를 따르는 온도 보정 웨이퍼의 단면도.
제3(a)도 내지 제3(b)도는 여러 가지 장치 제조 상태에서의 본 발명의 양호한 제1실시예를 따르는 온도 보정 웨이퍼의 단면도.
제4도는 본 발명의 양호한 제2실시예를 따르는 2개의 서로 다른 보정 소자를 갖는 온도 보정 장치의 상면도.
제5도는 본 발명의 양호한 제2실시예를 따르는 2개의 서로 다른 보정 소자를 갖는 온도 보정 장치의 단면도.
제6(a)도는 내지 제6(c)도는 여러 가지 제조 상태에서의 본 발명의 양호한 제2실시예를 따르는 온도 감지 보정 웨이퍼의 단면도.
제7도는 열처리 챔버 내의 느린 온도/전력 상승 동안의 온도 감지기 보정 웨이퍼의 스펙트럼 복사 출력 대 시간을 도시한 그래프.
제8도는 본 발명에 따르는 무선 온도 보정 시스템을 이용한 신속 열 처리기를 도시한 블록도.
제9도는 느린 온도/ 전력 상승 동안의 온도 감지 보정 시스템의 출력 복사 대시간과 보정 웨이퍼 반사율 대 시간을 모두 정성적으로 도시한 그래프.
제10도는 본 발명의 양호한 제3실시예를 따르는 무선 온도 보정 웨이퍼의 상면도.
제11(a)도 내지 제11(b)도는 본 발명의 양호한 제4실시예를 따른 는 온도 보정장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,2,3,4 : 온도 감지기(고온계) 28 : 기판
30,112 : 웨이퍼 32 : 버퍼층
36,46 : 보정물질의 아일랜드 영역 38,48,50 : 캡슐형층
40 : 표면 안정화층 116 : 검출기
본 발명은 일반적으로 감지 기술 특허, 반도체 장치의 열 제조 프로세서를 위한 무선 온도 보정 장치 및 방법에 관한 것이다.
많은 반도체 장치 열 제조 프로세스는 신뢰 및 반복가능 표준에 대한 보정을 요구하는 온도 감지기를 상용한다. 장치 제조 프로세스의 중요한 그룹은 신속열처리(RTP)이다. 대부분의 RTP반응기는 제1도에 도시된 바와 같이 웨이퍼 온도 측정 및 제어를 위한 비접촉 고온계를 사용한다. 그러나, 고온계에 의한 RTP온도 측정의 정확성과 반복성은 웨이퍼 방출율에 강하게 의존한다. 실제적으로, 빈번한 고온계 감지기 보정은 허용가능한 프로세스 반복성을 얻기 위해 요구된다. 이러한 빈번한 상호 보정은 제1도에 도시된 바와 같이, 보통 프로세스 챔버 내의 본드된 열전쌍(TC-본드 웨이퍼)를 가진 별도의 표준 보정 웨이퍼를 배치함에 의해 수행된다. TC-본드 보정 웨이퍼는 석영 윈도우와 가스 샤워헤드 사이의 프로세스 챔버 내에 배치된다. 그러나, TC-본드 보정 웨이퍼는 TC와이어에 외부의 전기적인 접속을 요구한다. 결과적으로, 보정 프로세스는 TC-본드 웨이퍼의 수동적인 로딩 및 언로딩을 필요로한다. 이런 수동 프로세스는 시간 소모적이고 그것의 장치 활용시 유해한 충격을 미침으로써 반도체 장치 제조 환경으로 적당하지 않다. 이런 문제는 다수의 분포된 열전쌍을 갖는 TC-본드 웨이퍼가 다구역 조명기 내에 있는 다중점 고온계 감지기의 보정을 위해 요구될 때 더 심각해진다. 부수적으로, 열전쌍-지워 온도 보정은 높은 온도(>950℃)의 반응성(즉, 산화)환경에서는 부적당하다. 이것은 이런 조건하에서는 열전쌍 접합이 급속히 떨어지기 때문이다. 비활성 조건하에서도 열전쌍은 수명이 제한된다. 따라서, TC-본드 웨이퍼는 제한된 수명을 가지게 되고, 얼마간의 수동 보정 동작을 위해서만 사용될 수 있다. TC-본드 웨이퍼는 또한 열적 로딩에 의해 발생되는 국부적인 온도 오프셋(offset)에 기인한 보정 오차(100℃이상)을 받을 수 있다. 특수한 본딩 과정은 보정 오차 근원을 최소화시키기 위해 요구된다. 상업적인 TC-본드 웨이퍼는 온도 감지기 보정용으로 유용하나, 이러한 TC-본드 웨이퍼는 값이 비싸다. 마지막으로, 수동 열전쌍-지원 보정은 프로세스 챔버 안으로 오염 물질을 유입시킬 수도 있다. 이것은 특히 게이트 유전체 형성 및 에픽텍셜 실리콘 성장과 같은 중요한 프로세스의 장치 생산율을 감소시킨다.
본 발명의 목적은 무선 보정 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 초기 보정을 필요로 하지 않도록 일정한 물리적 변수에 근거한 공지된 정확하고 반복가능한 온도 보정점을 갖는 무선 보정 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 어떤 수동 조작도 필요없이 웨이퍼 조작 프로세스를 자동으로 동작하는 무선 보정 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 비활성 및 반응성 환경하에서 모두 작동하는 무선 보정 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 정확하고 반복가능한 온도 감지기 보정용으로 반복적으로 사용할 수 있는 증가된 수명을 갖는 무선 보정 시스템을 제공하는 것이다.
고온계와 같은 웨이퍼 온도 감지기의 정확하고 반복가능한 보정이 연구되어 왔다. 일반적으로, 또한 본 발명의 한 형태인 적어도 하나의 온도 감지기 보정을 위한 장치 및 방법이 기술된다. 다수의 제1보정 아일랜드(island)영역을 갖는 웨이퍼가 제공된다. 아일랜드 영역은 150℃내지 1150℃범위 내에 용융점을 갖는 물질 중의 아나이다. 무선 장치는 상승된 온도 보정 프로세스 동안 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 각 온도 감지기의 출력에 단계 변화를 유도 하도록 동작될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 서로 다른 도면에서 일치하는 참조 부호 및 기호는 별도의 설명이 없으면 동일한 부분이다.
본 발명의 양호한 실시예가 제1도에 도시된 바와 같이 웨이퍼 온도 측정용 고온측정 감지기를 사용 하는 신속 열 처리(RTP)반응기와 관련하여 기술될 것이다. 본 발명은 열팽창에 근거한 온도 감지기, 음향 감지기 및 타원측정에 근거한 감지기와 같은 다른 장치 제조 설비 및 온도 측정 기술을 선택적으로 사용할 수 있다. 정확한 온도 측정 및 제어를 필요로 하는 전형적인 프로세스는 화학증착(CVD), 열적 산화 및 열적 어닐을 포함한다. 그러나, 본 발명은 반도체 장치 제조 프로세스의 응용에만 제한되지는 않는다. 예를 들러, 본 발명은 플랫패널 디스플레이(FPD)제조 프로세스에 관련하여 사용될 수 있다.
종래 기술의 장치와는 다르게, 본 발명의 보정 웨이퍼는 열전쌍(TC)을 가지지 않으며 정확한 고온측정 보정(또는 다른 온도 감지기의 보정)을 위해 사용하기전 TC본드 웨이퍼에 대한 아무런 초기 보정도 필요로 하지 않는다. 본 발명의 보정 웨이퍼는 일정한 물리적 변수에 근거한 공지된 정확한 온도 보정점을 제공한다. 열전쌍이 없으므로 보정 웨이퍼는 무선이다. 따라서, 보정 프로세스를 위한 자동 웨이퍼 조작이 가능하다. 자동 프로세싱 반응기 내부의 수동 웨이퍼 조작은 필요하지 않다. 이런 특징은 본 발명의 보정 표준을 제품 제조 환경에 맞게 만든다. 더욱이, 본 발명의 보정 웨이퍼는 비활성과 반응성(즉, 산화 및 질화)환경에서 모두 여러번의 온도 보정을 위해 반복적으로 사용 가능하다. 이러한 웨이퍼는 종래의 TC-본드 웨이퍼와 비교하여 더욱 많은 보정 동작을 위해 지속되리라 기대된다.
본 발명은 전용 표준 보정 웨이퍼는 또는 실제의 장치 웨이퍼상에서 모두 구현 될 수 있다. 후자에서, 온도 보정 소자는 각 장치 웨이퍼가 그것의 자체 보정 표준으로 이용되도록 웨이퍼 배면상에 배치된다. 전자에서, 보정 소자는 웨이퍼 전면(광택면) 또는 그것의 배면상에 배치된다.
본 발명은 각 웨이퍼상에 하나 또는 2개(또는 다수)의 보정 소자 형태의 배치를 가능하게 한다. 각 보정 소자 형태는 공지된 정밀한 온도와 관련된다. 2개의 보정 온도점(T1및 T2)는 후술되는 게인(gain)과 오프셋에 대한 그들의 동작 온도 범위 내의 고온측정 감지기를 보정하기 위해서는 충분하다. 본 발명에서, 적절한 소자의 용융점은 보정 온도점으로 사용된다. 순수한 소자 및 비율이 알려진 2개(또는 그 이상)소자의 합금의 용융점은 열 사이클 동안 일어나는 고체-액체 상 전이시 감지기 보정 목적을 위해 사용되는 물리 상수이다. 이론상 전이는 이제부터 기술될 비접촉 수단에 의해 실시간 내에 탐지될 수 있다.
다양한 물질 소자는 용융점에서의 고체-액체 상 전이 동안 광 반사율과 같은 물리적 특성의 급격한 변화를 나타낸다고 알려졌다. 예를 들어, 게르마늄(Ge)의 표면 광 반사율은 용융점(Ge의 Tm=937.4℃)에서 일어나는 고체에서 액체로의 상전이시 단계 변화(증가)를 보여준다. 전자 비저항 및 마이크로파 반사율과 같은 다른 물질 특성 역시 물질의 용융점에서의 급격한 단계 변화를 보여준다. 본 발명의 목적을 위해 이용되는 양호한 물질 특성은 광 반사율 또는 사용된 물질의 용융점에서의 웨이퍼의 방출율이고 급격한 변화는 그것과 관련된다.
본 발명의 양호한 제1실시예의 단면도가 제2도에 도시된다. 웨이퍼(30)은 웨이퍼(30)의 전면 또는 배면상의 어느 한 면(전면이 더 적절한 선택이다)위에 있는 기판(28)에 인접하게 위치한 버퍼층 구조(32)를 포함한다. 보정 물질(즉, 게르마늄)의 아일랜드 영역(36)은 버퍼층 구조(32)에 인접하여 제조된다. 버퍼층 구조(32)는 아일랜드 영역(36)의 보정 물질이 열적 보정 동작 동안 기판과 반응하지 못하도록 예를 들면, 산화물층(33)과 질화물층(34)로 이루어질 수 있다. 캡슐형층(38)은 아일랜드 영역(36)을 커버하는 절연시킨다. 아일랜드 영역(36)이 보정중 녹아서 응고될 것이므로, 캡슐형층(38)은 보정 소자(36)을 포함하도록 각 아일랜드 영역(36)을 밀폐한다. 최종적으로, (질화실리콘와 같은)표면 안정화층(40)은 캡슐형층(38)과 인접하게 위치한다. 표면 안정화층(40)은 산소와 같은 반응성 환경 내에서 아일랜드 영역(36)의 저하를 방지한다.
이제, 양호한 제1실시예를 형성하는 프로세스를 제3(a)도 내지 제3(d)도를 참조하여 설명할 것이다. 제3(a)도에 도시된 바와 같이, 초기 버퍼 장벽층(33 및 34)는 웨이퍼(30)의 기판(28)위에 증착한다. 버퍼 구조는 이산화실리콘(33)층은 도입층과 질화실리콘(34)의 상부층으로 구성될 수 있다. 이산화실리콘(33)층은 예를 들어, 약 1000Å의 두께를 가질 수 있고, 저압 화학 증착(LPCVD)에 의해 형성될 수 있다. 본 기술 분야의 숙련된 기술자들에게는 플라즈마 강화 화학 증착 (PECVD)또는 열적 산화와 같은 다른 방법이 선택적으로 사용될 수 있음이 명백할 것이다. 질화실리콘층(34)역시 약 1000Å의 두께를 가질 수 있고, LPCVD에 의해 형성될 수 있다. 본 기술 분야의 숙련자들에게는 또한 PECVD와 같은 다른 방법이 선택적으로 사용될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 버퍼 구조는 또한 내화 금속과 같은 다른 적절한 물질로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 제3(b)도에 도시된 바와 같이, 게르마늄(Ge)과 같은 원하는 보정 물질(35)의 얇은 층이 증착된다. Ge의 용유점(Tm1)은 937.2℃이다. 증착은 CVD또는 스퍼터링과 같은 물질적 증착(PVD)과 같은 다양한 기술에 의해 달성될 수 있다. 보정층(35)는 200내지 3000Å범위의 두께를 가지며 전형적으로 2000Å정도이다. 보정 물질은 3가지 기준에 의해 선정된다. 먼저, 용융점이 관계되는 온도 범위 내이어야 한다. 전형적으로 이것은 150℃내지 1150℃이다. 둘째, 높은 끓는점 및 낮은 증기압이 오염과 캡슐형층의 응력 감소 제거(stress-induced peeling)를 방지하고 많은 보정 동작을 허용하도록 요구된다. 마지막으로, 보정 물질은 반응기 오염을 방지하기 위한 실리콘 프로세싱 기술에 적합한 양호한 소자 또는 합금을 포함해야만 한다. 표 1은 본발명의 목적을 위한 양호한 물질의 몇가지 예를 도시한다.
[표 1]
보정층(35)는 제3(c)도에 도시된 바와 같이, Ge아일랜드 영역(36)의 어레이를 형성하기 위해 마이크로리소그래피 및 플라즈마 에치(또는 습식 에치)를 통해서 패턴된다. 이것은 제4도에 도시된 바와 같은 웨이퍼 표면을 전부 커버하는 것이 좋다. 그러나, 그것들은 웨이퍼 표면의 부분만을 선택적으로 커버할 수 있다. Ge아일랜드 영역의 전형적인 크기는 25㎛×25㎛(2.5㎛는 인접한 아일랜드영역의 간의 거리)이다. 이보다 더 크거나 도는 더 작은 크기도 사용될 수 있다. 아일랜드 영역은 제4도는 도시된 바와 같이 정사각형이지만, 육각형과 같은 형태도 물론 선택적으로 이용될 수 있다. Ge패터닝 에치는 염소를 함유한(예를 들어, Cl2)또는 플루오르를 함유한(예를 들어, SF6)플라즈마 내에서 수행될 것이다.
SiO2(또는 질화실리콘)의 캡슐형층(38)은 제3(d)도에 도시된 바와 같이 LPCVD또는 PECVD를 통해 증착된다. 본 기술 분야에 숙련된 자들은 스퍼터링같은 다른 방법이 사용될 수도 있다는 것을 알 수 있다. 전형적인 캡슐형중 두께는 1000Å이다.
마지막으로, 표면 안정화층(40)이 증착된다. 표면 안정화층(40)은 두께가 약 1000Å 인 질화실시콘으로 이루어지고 예를 들어, PECVD로써 증착될 수 있다. 표면 안정화층(40)은 반응성 산화 환경에서의 보정 동작중 보정 소자의 산화를 방지한다. 그 최종 구조는 제2도에 도시된다.
본 발명은 양호한 제2실시예의 단면도가 제5도에 도시된다. 웨이퍼(30)은 웨이퍼(30)의 전면 또는 배면 중의 어느 한 면위에 배치된(전면 배치가 더 양호하다) 기판(28)에 인접하여 배치된 적층된 영역은 버퍼층(32)에 인접하여 위치된다. 버퍼층(32)는 예를 들어, 아일랜드 영역(36)의 보정 물질이 열적 보정중 기판과 반응하지 못하도록 산화물층과 질화물층으로 이루어질 수 있다. 캡슐형층(38)은 아일랜드 영역(36)을 커버하여 절연시킨다. 제2보정 물질(46)의 아일랜드 영역은 캡슐형층(38) 위에 위치된다. 캡슐형층(48)은 제 2보정 물질(46)의 아일랜드 영역을 밀폐한다. 마지막으로, 표면 안정화층(40)은 캡슐형층(48)에 인접하게 위치된다. 표면 안정화층(40)(질화실리콘)은 산화 같은 방응성 환경 내에서 아일랜드 영역(36 및 46)의 저하를 방지한다. 질화실리콘의 단일층을 캡슐형층과 표면 안정화층용으로 모두 사용할 수 있다.
이제 양호한 제2실시예를 형성하는 프로세스를 제6(a)도 내지 제6(c)도를 참조하여 기술할 것이다. 제6(a)도는 버퍼층(33 및 34), 제1 보정 아일랜드 영역(36) 및 캡슐형층(38)을 갖는 웨이퍼(30)의 단면도이다. 이러한 층들은 양호한 제1실시예와 관련하여 상술한 것과 동일한 방법으로 형성한다.
제6(b)도에서 도시한 바와 같이, 제2보정 물질(45)의 얇은 층(두께 1000Å)은 캡슐형층(38)위에 증착한다. 이것은 예를 들어, CVD또는 PVD를 사용하여 달성될 것이다. 제2보정 물질은 예를 들어, 주석으로 이루어진다. 제1 및 제2보정 물질에 대한 양호한 선택은 예를 들어, 게르마늄과 주석, 게르마늄과 알루미늄 또는 알루미늄과 주석인 경우를 포함한다. 주석과 게르마늄(Sn, Ge)인 경우, Tm1은 약 237℃이고 Tm2는 약 937℃이다. 이론 조성은 오염의 문제(예를 들어, 신속 열적 산화, 신속 열적 어닐 등등과 같은 응용)없이 연장된 온도 범위에 걸쳐 감지기 보정을 위해 좋다. 게르마늄과 주석은 양쪽 다 IV반도체열이고 실리콘 내에서 오염의 염려가 없다. 알루미늄과 게르마늄은 고온 측정 신호 보정을 위해 Tm1>400℃가 요구될 때 양호한 조성이다. 이것은 소정의 고온측정 감지기가 400℃보다 낮은 온도에 대한 충분한 신호 레벨을 제공하지 않기 때문이다. 주석과 알루미늄의 경우 Tm1은 약 232℃이고 Tm2는 약 660℃이다. 이 조성은 저온 프로세스에서 무선 보정에 유용하다. 실리콘 반응/어닐 프로세스를 포함하는 예는 550℃내지 750℃의 온도 범위 내에서 이루어진다.
제2보정 물질이 증착된 후, 제2페터닝 단계가 제6(c)도에 도시된 바와 같이 제2보정 물질 아일랜드 영역(46)의 어레이를 형성하도록 수행된다. 아일랜드 영역(46)은 제1 아일랜드 영역(36)과 동일한 크기를 가질 수 있다. 아일랜드 영역(46)의 패턴은 제1보정 소자의 새도윙(shadowing)을 발생시키지 않도록 이루어질 것이다. 이것은 어떤 점에서의 웨이퍼의 평균 국부 반사/방출이 양 보정 소자의 반사율에 의해 결정된다는 것을 증명할 것이다.
마지막으로, 제5도는 도시된 바와 같이 제2캡슐형층(50) 및 표면 안정화층(40)이 증착된다. 제2캡슐형층(50)은 약 1000Å두께의 SiO2로 이루어질 수 있다. 표면 안정화층(40)은 약 1000Å두께의 질화실리콘으로 이루어질 수 있다. 양쪽층 다 예를 들면, PECVD에 의해 증착될 수 있다. 표면 안정화층(40)은 산화 환경 내의 보정 동작중 보정 소자의 산화를 방지할 것이다. 질화실리콘의 단일 상부층을 캡슐화와 표면 안정화용으로 모두 사용할 수 있다.
제1 및 제2양호한 실시예는 RTP반응기의 단일점과 다중점 고온측정 감지기용 무성 온도 보정 동작을 위해 이용될 수 있다. 작동시, 버정점(Tm1및 Tm2)는 몇 가지 방법 중 한가지 방법에 의해 검출될 수 있다. Tm1및 Tm2보정점을 검출하는 양호한 방법은 고온측정 신호 또는 신호들을 직접 통하는 것이다. 웨이퍼 온도가 Tm2(또는 Tm1)이상으로 상승할 때, 웨이퍼 반사율의 단계 변화는 제7도에 도시된 바와 같이, 그것의 유효 방출의 단계 변화를 일으키고, 최종 온도측정 신호(들) 역시 작은 단계 변화를 겪게 될 것이다. 느린 온도/전력 상승(예를 들어, 개방 루프 전력 상승 동안)을 가정하자.
T = αI + β (1)
여기서, I는 선형 고온계 출력 전류 또는 전압.
T는 보정된 웨이퍼 온도.
α는 기울기 또는 1차 계수 및
β는 오프셋이다.
양호한 제1실시예에서처럼 만약 하나의 보정 물질이 이용된다면, Tm1및 I1이 결정된다. 기울기가 일반적으로 분리된 열전쌍 보정 동작으로부터 알려지기 때문에, 오프셋은 다음과 같이 계산될 수 있다.
β= Tm1- αI (2)
만약 2개 이상의 보정 물질이 이용된다면, Tm1및 I1은 물론 Tm2및 I2도 알려질 것이기 때문에 기울기의 오프셋이 계산될 수 있다.
무선 보정 웨이퍼는 (만약 고온측정 시스템 역시 방출을 보상을 이용한다면 요구 조건이 중요하지 않더라도) 보통 실제의 장치 웨이퍼와 동일한 배면 방출율을 가진다. 다중점 고온측정 감지기 시스템에서, 동일한 무선 웨이퍼가 모든 고온 측정 감지기의 동시 보정을 위해 사용될 수 있다. (Ti1, Tm1)과 (Ii2, Tm2)간의 거리는 각 감지기에 대해 결정될 것이고 따라서 별개의 기울기(이득) 및 오프셋은 각 감지기에 대해 계산될 수 있다.
(미소한 고온측정 신호 단계 변화를 검출하기 위해 애쓰기보다)고온측정 보정을 위한 Tm1및 Tm2전이를 검출하는 다른 방법은 제8도에 도시된 바와 같이, 표면 반사율값을 모니터하기 위해 전면(또는 배면)으로부터의 레이져 빔(118)을 이용하는 것이다. 레이저 빔(118)은 각 감지기(1내지 4)로부터 웨이퍼(122)쪽으로 향하게 된다. 감지기(1내지 4)는 RTP반응기의 다구역 조명기 내에 위치되고 석영 윈도우(110)에 의해 웨이퍼(112)로부터 분리된다. 웨이퍼(112)의 다른 쪽 면에는 가스 샤워헤드(114)가 있다. 양호한 실시예에서, 감지기(1내지 4)는 고온계이다. 그러나, 감지기 (1내지 4)가 선택적으로 타원측정계, 열팽창 감지기 또는 음향 감지기일 수 있다는 것은 본 분야의 기술자들에게는 명백할 것이다. 레이저는 개선된 정렬을 위해 광섬유 결합부(120)을 가진 저렴한 HeNe레이져(6328Å)일 수도 있다. 반사율 값(R1내지 R2)는 검출기(116)을 사용하는 보정 사이클 전력 상승 보정중 모니터된다. 보정 사이클중에 측정된 표면 반사율 값은 제9도에 도시된 바와 같이, (Ii1,Tm1) 및 (Ii2, Tm2)에 대응하는 시간에 단계 변화를 겪게 될 것이다. 따라서, Tm1, Ii1, Tm2및 Ii2가 결정되고 기울기(이득) 및 오프셋을 위한 위의 계산이 적용된다.
본 발명의 양호한 제3실시예가 제10도에 도시된다. 이 도면은 웨이퍼(62)의 배면상에 있는 좁은 링(60)상의 소자의 형성을 도시한다. 이 링들은 전형적으로 2mm또는 그보다 작은 폭을 가질 수 있고, 다중점 고온측정 감지기의 방사상 탐침 위치에 대응하는 방사상 위치에 배치된다. 이 링들은 하나 이상의 보정 물질로 이루어질 수 있다. (Ii1, Tm1) 및 (Ii2, Tm2)를 위한 2가지 검출 방법 즉, 직접 고온측정 단계 검출 또는 레이저 반사가 이용될수 있다. 이경우에, HeNe레이저 탐침은 웨이퍼 배면상의 특정한 방사상 위치에서 보이도록 조명기기 광파이프(고온계 광파이프와 유사한 구조)내에 배치될 수 있다.
제11(a)도 및 제11(b)도를 참조하면, 양호한 제4실시예가 2개의 분리된 무선 보정 웨이퍼의 상용을 포함한다. 웨이퍼(30A)와 (30B)는 모두 양호한 제1실시예와 관련하여 제2도에 도시되어 있는 상술한 방법으로 형성될 수 있다. 보정 아일랜드 영역(36A 및 36B)는 캡슐형층(38A 및 38B)내에 각각 위치된다. 캡슐형층(38A 및 38B)는 버퍼층(32A 및 32B)에 의한 기판(28A 및 28B)로부터 각각 분리된다. 표면 안정화층(40A 및 40B)는 각각 웨이퍼(30A 및 30B)를 커버한다. 그러나, 각 웨이퍼는 서로 다른 보정 물질을 가질수 있다. 작동시, Ii1및 Tm1은 상술한 2개의 검출 방법 중 하나에 의해 제1웨이퍼를 상용하여 결정된다. (Ii1, Tm1) 및 (Ii2, Tm2)이 알려지면, 기울기와 오프셋이 식(6)과 (7)에 따라 계산될 수 있다.
지금까지 몇 가지의 양호한 실시예가 상세하게 기술되었다. 상세한 설명으로부터 본 발명의 취지를 서로 다른 실시예에 적용할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 특허 청구 범위 내에서만 제한된다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 기술되었지만, 상세한 설명을 제한된 의미로 해석하려는 의도는 아니다. 본 기술 분야의 숙련된 기술자들에게는 본 발명의 다른 실시예뿐만 아니라 예시적인 실시예의 다양한 변형과 조합이 상세한 설명을 참조하여 명백해질 수 있을 것이다. 그러므로, 첨부된 특허 청구는 이러한 변형이나 실시예를 포함하도록 의도되었다.
서열 목록
(1) 일반적 정보
(i) 출원인: 젠-프로브 인코포레이티드
미국 92121 캘리포니아주 샌 디에고 캠퍼스 포인트 드라이브 9880
(ii) 발명의 명칭: 다중 특이적 핵산 서열의 동시 검출 및 정량을 위한 조성물 및 방법
(iii) 서열의 수: 11
(iv) 통신 주소:
(A) 수신인: 리온 엔드 리온 (Lyon & Lyon)
(B) 거리: 웨스트 피프쓰 스트리트 633 수트 4700
(C) 도시: 로스 엔젤레스
(D) 주: 캘리포니아주
(E) 우편번호: '90071-2066
(v) 컴퓨터 판독 형태
(A) 매체 유형: 3.5" 디스켓, 1.44 Mb 저장
(B) 컴퓨터: IBM PC
(C) 작동 시스템: PC DOS (5.1)
(D) 소프트웨어: 워드퍼펙트 (5.1판)
(vi) 현 출원 데이타:
(A) 출원 번호:
(B) 출원인:
(vii) 선행 출원 데이타
(A) 출원 번호: 08/331,107
(B) 출원인: 1994.10.28
(viii) 변리사/대리인 정보
(A) 이름: 헤버, 쉘돈 오.(Heber, Sheldon O.)
(B) 등록 번호: 38,179
(C) 도켓 번호: 210/086-PCT
(ix) 원격 통신 정보
(A) 전화번호: (213) 489-1600
(B) 팩스번호: (213) 955-0440
(C) 텔렉스번호: 67-3510
(2) SEQ ID NO: 1에 대한 정보:
(i) 서열 특성:
(A) 길이: 24 염기쌍
(B) 유형: 핵산
(C) 가닥 수: 단일
(D) 토플로지: 선형
(ii) 서열 표시: SEQ ID NO: 1
ATTCCCTACA ATCCCCAAAG TCAA
(2) SEQ ID NO: 2에 대한 정보:
(i) 서열 특성:
(A) 길이: 49 염기쌍
(B) 유형: 핵산
(C) 가닥 수: 단일
(D) 토플로지: 선형
(xi) 서열 표시: SEQ ID NO: 2
(2) SEQ ID NO: 2에 대한 정보:
(i) 서열 특성:
(A) 길이: 49 염기쌍
(B) 유형: 핵산
(C) 가닥 수: 단일
(D) 토플로지: 선형
(xi) 서열 표시: SEQ ID NO: 2

Claims (24)

  1. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 무선 장치에 있어서, 상기 하나 이상의 온도 감지기는 상기 무선 장치의 온도 의존 특성을 검출하여 상기 온도 의존 특성에 대응하는 신호를 출력하도록 작동하며, 복수의 보정 아일랜드(calibration islands)를 갖는 웨이퍼를 포함하고, 상기 아일랜드는 작동시에 상기 온도 의존 특성의 단계 변화가 상승된 온도 보정 프로세스 동안 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 일어나도록 150°내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질로 이루어진 무선 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도 감지기는 고온계(pyrometer)인 무선 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼에 레이저 빔을 유도하기 위한 레이저광 소스 및 광 반사율 측정 장치를 더 포함하며, 상기 레이저 광 소스는 상승된 온도 보정 동작 동안 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 상기 온도 의존 특성의 상기 단계 변화에 대응하는 상기 광 반사율 측정 장치의 출력의 단계 변화를 유도 하도록 동작하는 무선 장치.
  4. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 전면(frontside) 및 배면(backside)을 가지는 무선 장치에 있어서, 상기 하나 이상의 온도 감지기는 상기 무선 장치의 온도 의존 특성을 검출하여 상기 온도 의존 특성에 대응하는 신호를 출력하도록 동작하며, a.기판;b.기판의 오염 및 열반응을 방지하기 위해 상기 기판에 인접하여 그 위에 배치된 버퍼층; c. 상기 버퍼층에 인접하게 배치된 복수의 제1보정 아일랜드-상기 제1보정 아일랜드는 작동시 상기 온도 의존 특성의 제1단계 변화가 상승된 온도 보정 프로세스 동안 상기 제1보정 아일랜드의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 발생하도록 150°내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질로 이루어짐 -; 및 d. 상기 보정 동안 상기 보정 아일랜드의 형태와 상태 보전을 유지하고 밀폐하기 위해 상기 보정 아일랜드에 인접하게 배치된 제1캡슐형층을 포함하는 무선장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 보정 아일랜드를 반응 환경의 열화로부터 방지하기 위해 상기 제1캡슐형층 상부에 배치된 패시베이션층을 더 포함하는 무선 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1보정 아일랜드, 상기 제1캡슐형층 및 상기 패시베이션층은 상기 장치의 전면상에 형성되는 무선 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1보정 아일랜드, 상기 제1캡슐형층 및 상기 패시베이션층은 상기 장치의 배면상에 형성되는 무선 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제1보정 아일랜드는 게르마늄, 주석, 알루미늄, 또는 이들의 합금으로 된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 무선 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1캡슐형층 및 상기 패시베이션층이 질화실리콘을 포함하는 무선 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 버퍼층은 이산화실리콘층을 더 포함하는 무선장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 제1캡슐형층 및 상기 패시베이션층이 이산화실리콘을 포함하는 무선장치.
  12. 제4항에 있어서, 상기 온도 감지기는 고온계인 무선장치.
  13. 제5항에 있어서, a. 상기 제1캡슐형층에 인접하게 배치된 복수의 제2보정 아일랜드-상기 제2보정 아일랜드는 상기 제1보정 물질과는 다르며 작동시에 상기 온도 의존 특성의 제2단계 변화가 상기 상승된 온도 보정 프로세스 동안 상기 제2보정 아일랜드의 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 발생하도록 150°내지 1150℃의 범위내의 용융점을 갖는 물질로 이루어짐 -; 및 b. 상기 제2보정 아일랜드의 상태 보전을 유지하고 밀봉하기 위해 상기 제2보정 아일랜드와 상기 패시베이션층 사이에 배치된 제2캡슐형층을 포함하는 무선장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 2보정 아일랜드는 각각 주석과 게르마늄을 포함하는 무선 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2보정 아일랜드는 각각 게르마늄과 알루미늄을 포함하는 무선 장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2보정 아일랜드는 각각 안티몬과 주석을 포함하는 무선 장치.
  17. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 시스템에 있어서, 상기 하나 이상의 온도 감지기는 상기 시스템의 온도 의존 특성을 검출하도록 동작하고, a. 복수의 보정링을 가진 웨이퍼-상기 링의 각각은 작동시에 상기 온도 의존 특성의 단계와 변화가 상승된 온도 보정 프로세스 동안 상기 보정링의 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 발생하도록, 150° 내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 하나 이상의 물질을 포함함-; b. 상기 웨이퍼 상의 상기 보정 링중 하나의 링에서 각각 유도된 복수의 광빔; 및 c. 상기 각 광빔의 웨이퍼 반사율 값을 검출하기 위한 복수의 검출기를 포함하는 보정 시스템.
  18. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 방법에 있어서, a. 150°내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질로 이루어진 복수의 제1보정 아일랜드를 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계, b. 상기 웨이퍼의 온도를 상승시키는 단계, c. 상기 웨이퍼 온도가 보정될 각 온도 감지기에 대해 변화되는 동안 상기 하나 이상의 온도 감지기로 상기 웨이퍼의 온도 의존 특성을 측정하는 단계, d. 보정될 각 온도 감지기에 대해 상기 제1보정 아일랜드의 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 상기 온도 의존 특성을 제1단계 변화를 검출하는 단계, 및 e. 보정될 각 온도 감지기에 대해 보정 변수를 계산하는 단계를 포함하는 보정 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 제1보정 아일랜드와는 다르고 150°내지 1150℃의 범위의 용융점을 갖는 물질로 이루어진 복수의 제2보정 아일랜드를 더 갖는 보정 방법.
  20. 제19항에 있어서, 보정될 각 온도 감지기에 대해 상기 제2보정 물질의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 물리적 특성의 제2단계 변화를 검출하는 단계를 더포함하는 보정 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 온도 의존 특성은 표면 반사율인 보정 방법.
  22. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하는 방법에 있어서, a. 150°내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질의 복수의 보정 구조들중 적어도 하나의 보정 구조를 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계로서, 상기 하나 이상의 온도 감지기가 웨이퍼의 반사율을 검출하며 상기 반사율에 대응하는 신호를 출력도록 동작하는 웨이퍼 제공 단계. b. 상기 웨이퍼에서 광 빔을 검출하는 단계, c. 각 광 빔이 유도된 점에서 상기 웨이퍼 반사율을 측정하는 단계, d. 상기 보정 구조의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 상기 검출된 반사율의 제1단계 변화를 검출하는 단계, e. 상기 제1단계 변화에 대응하는 상기 신호의 제1전류 레벨을 결정하는 단계, 및 f. 보정될 각 온도 감지기에 대해 보정 변수를 계산하는 단계를 포함하는 보정 방법.
  23. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 방법에 있어서, a. 150°내지 1150℃의 범위 내에 용융점을 갖는 제1물질의 복수의 제1보정 아일랜드를 갖는 제1웨이퍼를 제공하는 단계, b. 상기 제1웨이퍼의 온도를 천천히 상승하는 단계, c. 각 온도 감지기로 상기 변화하는 온도에 응답하여 상기 제1웨이퍼의 온도 의존 특성을 측정하는 단계, d. 각 온도 감지기에 대해 상기 제1보정 아일랜드의 상기 용융점과 동일한 제1웨이퍼 온도에 대응하는 상기 온도 의존 특성의 제1단계 변화를 검출하는 단계, e. 상기 제1물질과는 다르며, 150°내지 1150℃내의 범위의 용융점을 갖는 제2물질의 다수의 제2보정 아일랜드를 갖는 제2웨이퍼를 제공하는 단계, f. 상기 제2웨이퍼의 온도를 천천히 상승시키는 단계, g.각 온도 감지기로 상기 증가하는 온도에 응답하여 상기 제2웨이퍼의 상기 온도 의존 특성을 측정하는 단계. h. 각 온도 감지기로 상기 제2보정 아일랜드의 상기 용융점과 동일한 제2웨이퍼 온도에 대응하는 상기 온도 의존 특성의 제2단계 변화를 검출하는 단계, 및 i. 보정될 각 온도 감지기에 대해 보정 변수를 계산하는 단계를 포함하는 보정 방법.
  24. 제23항에 있어서, a. 상기 웨이퍼에 하나 이상의 광 빔을 유도하는 단계, 및 b. 상기 제1 및 제2단계 변화가 상기 검출기의 출력 신호에서 검출될 때, 상기 반사율을 검출하기 위해 각각의 광 빔에 대해 검출기를 제공하는 단계를 포함하는 보정방법.
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU87933A1 (fr) * 1991-05-02 1992-12-15 Europ Communities Procede et dispositif d'etalonnage d'un pyrometre optique et plaquettes etalons correspondantes
US5265957A (en) * 1992-08-11 1993-11-30 Texas Instruments Incorporated Wireless temperature calibration device and method
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
WO1997003342A1 (en) * 1995-07-10 1997-01-30 Cvc Products, Inc. Automated calibration of temperature sensors in rapid thermal processing
US6179465B1 (en) 1996-03-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system using multiple light sources
US5820261A (en) * 1995-07-26 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a rapid thermal processing system
US5762419A (en) * 1995-07-26 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system
US5938335A (en) * 1996-04-08 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Self-calibrating temperature probe
US6536944B1 (en) * 1996-10-09 2003-03-25 Symyx Technologies, Inc. Parallel screen for rapid thermal characterization of materials
US5902044A (en) * 1997-06-27 1999-05-11 International Business Machines Corporation Integrated hot spot detector for design, analysis, and control
US6169271B1 (en) 1998-07-13 2001-01-02 Mattson Technology, Inc. Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing
US6561694B1 (en) 1998-07-28 2003-05-13 Steag Rtp Systems Gmbh Method and device for calibrating measurements of temperatures independent of emissivity
DE19934299C2 (de) * 1998-07-28 2003-04-03 Steag Ast Elektronik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Kalibrieren von emissivitätsunabhängigen Temperaturmessungen
JP4056148B2 (ja) * 1998-10-09 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 放射温度計を用いた温度測定方法
US6200023B1 (en) * 1999-03-15 2001-03-13 Steag Rtp Systems, Inc. Method for determining the temperature in a thermal processing chamber
US6293696B1 (en) * 1999-05-03 2001-09-25 Steag Rtp Systems, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US6616332B1 (en) 1999-11-18 2003-09-09 Sensarray Corporation Optical techniques for measuring parameters such as temperature across a surface
US7234862B2 (en) * 2000-10-13 2007-06-26 Tokyo Electron Limited Apparatus for measuring temperatures of a wafer using specular reflection spectroscopy
US6666577B2 (en) * 2000-11-02 2003-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for predicting temperature, test wafer for use in temperature prediction, and method for evaluating lamp heating system
US6517235B2 (en) 2001-05-31 2003-02-11 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Using refractory metal silicidation phase transition temperature points to control and/or calibrate RTP low temperature operation
US20050224902A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-13 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US20050233770A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-20 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US7289230B2 (en) * 2002-02-06 2007-10-30 Cyberoptics Semiconductors, Inc. Wireless substrate-like sensor
DE10325602B3 (de) * 2003-06-05 2004-09-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur temperaturgeregelten Prozessierung von Substraten
FR2874285B1 (fr) * 2004-08-13 2006-10-13 Commissariat Energie Atomique METHOD FOR PRODUCING ISLET STACKS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL ENCAPSULATED IN ANOTHER SEMICONDUCTOR MATERIAL
US7406397B2 (en) * 2004-09-02 2008-07-29 International Business Machines Corporation Self heating monitor for SiGe and SOI CMOS devices
DE102004051409B4 (de) * 2004-10-21 2010-01-07 Ivoclar Vivadent Ag Brennofen
US8547521B1 (en) * 2004-12-01 2013-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Systems and methods that control liquid temperature in immersion lithography to maintain temperature gradient to reduce turbulence
US7275861B2 (en) * 2005-01-31 2007-10-02 Veeco Instruments Inc. Calibration wafer and method of calibrating in situ temperatures
US7380982B2 (en) * 2005-04-01 2008-06-03 Lam Research Corporation Accurate temperature measurement for semiconductor applications
DE102005049477A1 (de) * 2005-10-13 2007-04-19 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Kristallzüchtung mittels kombinierter Heizerregelung
DE112007000433T5 (de) * 2006-02-21 2009-01-02 Cyberoptics Semiconductor, Inc., Beaverton Kapazitive Abstandsmessung bei Halbleiterverarbeitungswerkzeugen
US7893697B2 (en) 2006-02-21 2011-02-22 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools
GB2455006A (en) * 2006-09-29 2009-05-27 Cyberoptics Semiconductor Inc Substrate-like particle sensor
US7778793B2 (en) * 2007-03-12 2010-08-17 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Wireless sensor for semiconductor processing systems
JP4991390B2 (ja) * 2007-05-21 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ マイクロサンプル加熱用試料台
US8047706B2 (en) * 2007-12-07 2011-11-01 Asm America, Inc. Calibration of temperature control system for semiconductor processing chamber
US8523427B2 (en) * 2008-02-27 2013-09-03 Analog Devices, Inc. Sensor device with improved sensitivity to temperature variation in a semiconductor substrate
WO2012031051A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-08 Canon U.S. Life Sciences, Inc. Compound calibrator for thermal sensors
US8749629B2 (en) 2011-02-09 2014-06-10 Siemens Energy, Inc. Apparatus and method for temperature mapping a turbine component in a high temperature combustion environment
DE102015106805A1 (de) 2015-04-30 2016-11-03 Anton Paar Optotec Gmbh Temperaturkalibration für Messgerät

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3077539A (en) * 1961-08-28 1963-02-12 Little Inc A Radiation reference standard
US4309901A (en) * 1979-12-18 1982-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Heat transfer calibration plate
US4387301A (en) * 1981-04-20 1983-06-07 Hughes Aircraft Company Target for calibrating and testing infrared detection devices
US4627740A (en) * 1984-04-06 1986-12-09 Digital Dynamics, Inc. Self-calibrating temperature probe apparatus and method for use thereof
FR2570825B1 (fr) * 1984-09-26 1987-02-06 Commissariat Energie Atomique THERMAL MEASUREMENT APPARATUS FOR THE TEXTURE OF A POROUS BODY
US4761539A (en) * 1987-04-13 1988-08-02 The Tappan Company Oven calibration system having variable stored calibration value
US5258602A (en) * 1988-02-17 1993-11-02 Itt Corporation Technique for precision temperature measurements of a semiconductor layer or wafer, based on its optical properties at selected wavelengths
US4956538A (en) * 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
US4984902A (en) * 1989-04-13 1991-01-15 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for compensating for errors in temperature measurement of semiconductor wafers during rapid thermal processing
US5092674A (en) * 1989-07-10 1992-03-03 General Atomics Micropipette adaptor for spectrophotometers with temperature control
US5092679A (en) * 1990-12-14 1992-03-03 Brotz Gregory R Melting point determination apparatus and method
US5102231A (en) * 1991-01-29 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer temperature measurement system and method
US5156461A (en) * 1991-05-17 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Multi-point pyrometry with real-time surface emissivity compensation
US5221142A (en) * 1991-05-20 1993-06-22 Peak Systems, Inc. Method and apparatus for temperature measurement using thermal expansion
US5265957A (en) * 1992-08-11 1993-11-30 Texas Instruments Incorporated Wireless temperature calibration device and method

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