JPH0778682A - エレクトロルミネッセンス素子及びディスプレイ装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子及びディスプレイ装置Info
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- JPH0778682A JPH0778682A JP5223073A JP22307393A JPH0778682A JP H0778682 A JPH0778682 A JP H0778682A JP 5223073 A JP5223073 A JP 5223073A JP 22307393 A JP22307393 A JP 22307393A JP H0778682 A JPH0778682 A JP H0778682A
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- Japan
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- light emitting
- light
- rod
- substrate
- emitting layer
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】輝度の低いＥＬ材料でも単純マトリクスＥＬデ
ィスプレイを構成できる輝度の発光素子となるデバイス
構造を提供し、安価なＥＬディスプレイを提供する。 【構成】棒状基体３の周囲を発光素子で包み端部から発
光した光を放出させることにより光を放出する部分の輝
度を高くした発光素子を集めてディスプレイを作る。 【効果】輝度の低いＥＬ材料でも単純マトリクスＥＬデ
ィスプレイを構成できる。
ィスプレイを構成できる輝度の発光素子となるデバイス
構造を提供し、安価なＥＬディスプレイを提供する。 【構成】棒状基体３の周囲を発光素子で包み端部から発
光した光を放出させることにより光を放出する部分の輝
度を高くした発光素子を集めてディスプレイを作る。 【効果】輝度の低いＥＬ材料でも単純マトリクスＥＬデ
ィスプレイを構成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平面型のディスプレイ装
置に関わり特にパーソナルコンピュータやポータブルテ
レビ等に用いられるディスプレイであって、自発光素子
を集積したディスプレイ装置に関する。
置に関わり特にパーソナルコンピュータやポータブルテ
レビ等に用いられるディスプレイであって、自発光素子
を集積したディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面板状ディスプレイとしては液晶ディ
スプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイな
どが実用化されているが、このうちＥＬディスプレイで
は有機薄膜ＥＬの発明により低電圧、カラー化が可能と
なり、特開平２−６６８７３号公報記載の様に画像ディ
スプレイとして用いることが可能となった。しかし、単
純マトリクス駆動するには輝度が低く、特にデュウティ
ータイムが短い高分解能のディスプレイでは特開平２−
１４８６８７号公報記載の様にアクティブマトリクス化
が不可欠であった。しかしアクティブマトリクスは１画
素当たり２〜３個の制御デバイスを作り込む必要があ
り、構造も複雑で大変高価な物となっていた。単純マト
リクス駆動しても充分な輝度とするためには現状の１０
〜１００倍の明るさが必要である。しかし有機薄膜ＥＬ
は有機薄膜の絶縁耐圧があまり高くないため印加できる
電圧にも限界があり、１００００Ｃｄ／ｍ2の輝度にす
るのは大変困難であった。
スプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイな
どが実用化されているが、このうちＥＬディスプレイで
は有機薄膜ＥＬの発明により低電圧、カラー化が可能と
なり、特開平２−６６８７３号公報記載の様に画像ディ
スプレイとして用いることが可能となった。しかし、単
純マトリクス駆動するには輝度が低く、特にデュウティ
ータイムが短い高分解能のディスプレイでは特開平２−
１４８６８７号公報記載の様にアクティブマトリクス化
が不可欠であった。しかしアクティブマトリクスは１画
素当たり２〜３個の制御デバイスを作り込む必要があ
り、構造も複雑で大変高価な物となっていた。単純マト
リクス駆動しても充分な輝度とするためには現状の１０
〜１００倍の明るさが必要である。しかし有機薄膜ＥＬ
は有機薄膜の絶縁耐圧があまり高くないため印加できる
電圧にも限界があり、１００００Ｃｄ／ｍ2の輝度にす
るのは大変困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この様に、従来技術で
は、単純マトリクスの有機薄膜ＥＬディスプレイを作製
するためには輝度が不足していた。本発明の目的は、単
純マトリクスで充分な明るさを有する安価な有機薄膜Ｅ
Ｌディスプレイを大量生産することを可能にすることに
ある。
は、単純マトリクスの有機薄膜ＥＬディスプレイを作製
するためには輝度が不足していた。本発明の目的は、単
純マトリクスで充分な明るさを有する安価な有機薄膜Ｅ
Ｌディスプレイを大量生産することを可能にすることに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、１画素当たりの輝度を１００倍近く向上できる構造
を考案し、これを用いることにより単純マトリクスでも
充分な画面の明るさを確保した。即ち、画素の大きさに
相当する直径の透明材料でできた棒状基体に透明電極、
発光層、金属電極を順次被覆しこれに電圧を印加して発
光させる。光は棒状基体中を伝送され端部より放射され
る。このような構造により、発光面積に対しディスプレ
イ上の画面面積は１００分１にする事ができ、画面単位
面積あたりの発光強度を１００倍にすることができる。
これを１画素としてたくさんの発光素子を配列すること
により高輝度のディスプレイを得る。
に、１画素当たりの輝度を１００倍近く向上できる構造
を考案し、これを用いることにより単純マトリクスでも
充分な画面の明るさを確保した。即ち、画素の大きさに
相当する直径の透明材料でできた棒状基体に透明電極、
発光層、金属電極を順次被覆しこれに電圧を印加して発
光させる。光は棒状基体中を伝送され端部より放射され
る。このような構造により、発光面積に対しディスプレ
イ上の画面面積は１００分１にする事ができ、画面単位
面積あたりの発光強度を１００倍にすることができる。
これを１画素としてたくさんの発光素子を配列すること
により高輝度のディスプレイを得る。
【０００５】基体の形状としては棒状でなく帯状であっ
ても良い。この場合、ディスプレイの画素の横方向に光
が漏れるためコントラストが低下する。これを防止する
ためには各画素間の分離が必要となる。その１つの方法
としては画素と画素の間にくびれを設け光が伝送しない
ようにすれば良い。
ても良い。この場合、ディスプレイの画素の横方向に光
が漏れるためコントラストが低下する。これを防止する
ためには各画素間の分離が必要となる。その１つの方法
としては画素と画素の間にくびれを設け光が伝送しない
ようにすれば良い。
【０００６】棒状基体の材料としては例えばグラスファ
イバーや透明プラスチックのファイバー等が使用でき
る。また、帯状基体の材料としては例えば透明なプラス
チックフィルム等が使用できる。これに上記電極や発光
層を形成した後で適当な長さに切断すれば良い。画素の
大きさはモノクロの画面で直径０．３ｍｍカラーではそ
の３分の１である。発光部分の長さは面積を１００倍と
してモノクロで７．５ｍｍでよく、配線の取り合いなど
を含めても光を伝送する距離は１ｃｍ程度である。従っ
て厚さ１ｃｍ程度のディスプレイとすることができる。
また、かなり伝送損失の大きい材料でも使用可能であ
る。具体的には石英ファイバー、珪ほう酸ガラスファイ
バー、ポリエチレンテレフタレートやポリメタクリル酸
メチル等が使用できる。
イバーや透明プラスチックのファイバー等が使用でき
る。また、帯状基体の材料としては例えば透明なプラス
チックフィルム等が使用できる。これに上記電極や発光
層を形成した後で適当な長さに切断すれば良い。画素の
大きさはモノクロの画面で直径０．３ｍｍカラーではそ
の３分の１である。発光部分の長さは面積を１００倍と
してモノクロで７．５ｍｍでよく、配線の取り合いなど
を含めても光を伝送する距離は１ｃｍ程度である。従っ
て厚さ１ｃｍ程度のディスプレイとすることができる。
また、かなり伝送損失の大きい材料でも使用可能であ
る。具体的には石英ファイバー、珪ほう酸ガラスファイ
バー、ポリエチレンテレフタレートやポリメタクリル酸
メチル等が使用できる。
【０００７】カラー化する場合、発光スペクトルの幅が
広いと輝度純度が低下し、鮮やかな色表現ができなくな
る。そこでこのような場合は透明基体に着色しこれをフ
ィルターとして用い、余分な波長の光を吸収させること
によりスペクトル幅を狭くして輝度純度を上げれば良
い。
広いと輝度純度が低下し、鮮やかな色表現ができなくな
る。そこでこのような場合は透明基体に着色しこれをフ
ィルターとして用い、余分な波長の光を吸収させること
によりスペクトル幅を狭くして輝度純度を上げれば良
い。
【０００８】透明電極の材料としてはＩＴＯ（インジウ
ムと錫の酸化物）、酸化錫等が使用できる。これらを蒸
着や、スパッタ等により透明基体上に被覆するか、これ
ら金属のアルコキシド等の溶液に浸してから加熱乾燥し
て透明導電膜を形成すれば良い。後者の場合加熱温度は
通常３００℃以上になるのでグラスファイバーなど耐熱
性の高いものを用いいる必要がある。
ムと錫の酸化物）、酸化錫等が使用できる。これらを蒸
着や、スパッタ等により透明基体上に被覆するか、これ
ら金属のアルコキシド等の溶液に浸してから加熱乾燥し
て透明導電膜を形成すれば良い。後者の場合加熱温度は
通常３００℃以上になるのでグラスファイバーなど耐熱
性の高いものを用いいる必要がある。
【０００９】次に発光層の形成方法について述べる。従
来、有機薄膜ＥＬ素子の発光層の形成方法としては蒸着
法が主たる方法であった。これは発光層の膜厚が素子の
特性上、重要な要素であり、膜厚が１００ｎｍ以下で、
ピンホールがなく、均一性の高い膜を形成する方法とし
て蒸着法が適していたからに他ならない。本発明の発光
層の形成方法としてもちろん従来の蒸着法は適用でき
る。しかしもっと生産性の高い浸漬法も利用できる。浸
漬法を使用可能にするためには膜厚を約０．５〜１μｍ
くらいにする必要があるがそうすると駆動電圧が約１０
０Ｖとなり汎用集積回路で駆動できなくなる。これは膜
の抵抗値が高くなり、電流が流れなくなるためである。
従って、膜を構成する有機物の抵抗率が１０6Ω・ｃｍ
以下であれば膜厚１μｍであっても１０Ｖくらいで充分
な電流を得ることができ実用可能な発光強度を得ること
ができる。そこで導電性ポリマーをベースに用いてこれ
に発光剤、電子輸送剤などを混合した物を溶媒にとかし
浸漬すれば膜厚が厚くても低電圧で駆動できる発光素子
が形成できる。
来、有機薄膜ＥＬ素子の発光層の形成方法としては蒸着
法が主たる方法であった。これは発光層の膜厚が素子の
特性上、重要な要素であり、膜厚が１００ｎｍ以下で、
ピンホールがなく、均一性の高い膜を形成する方法とし
て蒸着法が適していたからに他ならない。本発明の発光
層の形成方法としてもちろん従来の蒸着法は適用でき
る。しかしもっと生産性の高い浸漬法も利用できる。浸
漬法を使用可能にするためには膜厚を約０．５〜１μｍ
くらいにする必要があるがそうすると駆動電圧が約１０
０Ｖとなり汎用集積回路で駆動できなくなる。これは膜
の抵抗値が高くなり、電流が流れなくなるためである。
従って、膜を構成する有機物の抵抗率が１０6Ω・ｃｍ
以下であれば膜厚１μｍであっても１０Ｖくらいで充分
な電流を得ることができ実用可能な発光強度を得ること
ができる。そこで導電性ポリマーをベースに用いてこれ
に発光剤、電子輸送剤などを混合した物を溶媒にとかし
浸漬すれば膜厚が厚くても低電圧で駆動できる発光素子
が形成できる。
【００１０】発光層は電子輸送層やホール輸送層と分離
して設ける場合と高分子中にこれらを分散して１層とす
る場合がある。生産効率は後者が明らかに高いが、青色
発光に関しては発光剤へのキャリア注入が難しく、薄い
発光層を形成し、外部電界を印加してトンネル効果によ
るキャリア注入をする必要がある場合もある。
して設ける場合と高分子中にこれらを分散して１層とす
る場合がある。生産効率は後者が明らかに高いが、青色
発光に関しては発光剤へのキャリア注入が難しく、薄い
発光層を形成し、外部電界を印加してトンネル効果によ
るキャリア注入をする必要がある場合もある。
【００１１】発光層に用いる材料としては表１、表２に
示したような物が利用できる。
示したような物が利用できる。
【００１２】金属電極材料としてはＭｇ、Ｉｎ、ＭｇＡ
ｇ、Ａｌ等比較的仕事関数が小さい金属が電子を注入す
るのに都合がよい。ＡｌはＭｇと比べると駆動電圧がや
や高くなる。これら金属は真空蒸着法により成膜する。
ｇ、Ａｌ等比較的仕事関数が小さい金属が電子を注入す
るのに都合がよい。ＡｌはＭｇと比べると駆動電圧がや
や高くなる。これら金属は真空蒸着法により成膜する。
【００１３】これらを適当な形状、長さに切断して発光
素子を作る。切断は物理的に刃物で切っても良いが、レ
ーザなどのエネルギービームで切断した方が切り口が丸
くなり光の放射方向が拡散されるため視野角が広くな
る。また、外光も散乱されるため画面のコントラストも
高くなる。またグラスファイバーを用いれば有機物や金
属電極に対しガラスや透明電極材料の沸点が高いために
切り口から発光層や金属電極が後退し、配線にも都合が
よい。
素子を作る。切断は物理的に刃物で切っても良いが、レ
ーザなどのエネルギービームで切断した方が切り口が丸
くなり光の放射方向が拡散されるため視野角が広くな
る。また、外光も散乱されるため画面のコントラストも
高くなる。またグラスファイバーを用いれば有機物や金
属電極に対しガラスや透明電極材料の沸点が高いために
切り口から発光層や金属電極が後退し、配線にも都合が
よい。
【００１４】このようにして作製した発光素子を隙間無
く配列してディスプレイパネルを作製する。配線は棒状
基体を用いた場合は切断前にファイバーを片面に金属を
蒸着した絶縁フィルムのテープ上に並べて固定し、デー
タ配線とする。帯状北の場合データ配線は初めからフィ
ルム上に形成しておくと良い。その後切断して、柔らか
い金属や、導電ゴムを被覆した走査線配線を形成した基
板に透明電極が接触するように並べて置き走査線とする
ればよい。
く配列してディスプレイパネルを作製する。配線は棒状
基体を用いた場合は切断前にファイバーを片面に金属を
蒸着した絶縁フィルムのテープ上に並べて固定し、デー
タ配線とする。帯状北の場合データ配線は初めからフィ
ルム上に形成しておくと良い。その後切断して、柔らか
い金属や、導電ゴムを被覆した走査線配線を形成した基
板に透明電極が接触するように並べて置き走査線とする
ればよい。
【００１５】有機薄膜ＥＬは発光時蛍光剤や電荷輸送剤
が励起状態となるため酸化されやすい従って発光層を酸
素から守るパッシベーションの配慮が必要である。簡単
には酸素を遮断する能力のおおきい高分子のフィルムを
パッシベーション膜としてパネル全体を被う方法があ
る。窒素等の不活性気体中でパッケージすればかなり有
効な方法である。また、他の簡単な方法としては溶けた
パラフィンに浸してパラフィンで被ってもよい。この場
合パラフィン中に脱酸素剤を混入しておけば更に有効な
パッシベーション法となる。
が励起状態となるため酸化されやすい従って発光層を酸
素から守るパッシベーションの配慮が必要である。簡単
には酸素を遮断する能力のおおきい高分子のフィルムを
パッシベーション膜としてパネル全体を被う方法があ
る。窒素等の不活性気体中でパッケージすればかなり有
効な方法である。また、他の簡単な方法としては溶けた
パラフィンに浸してパラフィンで被ってもよい。この場
合パラフィン中に脱酸素剤を混入しておけば更に有効な
パッシベーション法となる。
【００１６】
【作用】棒状の透明基体は表面に形成された発光層から
の光を屈折や反射を繰り返して解放された端部に伝送す
る。これに着色することにより発光スペクトルの１部を
吸収し輝度純度の高い光とする事ができる。端部は丸く
することにより光の放射方向が拡散されるため視野角が
広くなる。また、外光も散乱されるため画面のコントラ
ストも高くなる。発光層は透明電極から注入されたホー
ルと、金属電極から注入された電子を再結合させて発光
する。
の光を屈折や反射を繰り返して解放された端部に伝送す
る。これに着色することにより発光スペクトルの１部を
吸収し輝度純度の高い光とする事ができる。端部は丸く
することにより光の放射方向が拡散されるため視野角が
広くなる。また、外光も散乱されるため画面のコントラ
ストも高くなる。発光層は透明電極から注入されたホー
ルと、金属電極から注入された電子を再結合させて発光
する。
【００１７】透明電極は発光層からの光を透明基体に透
過すると同時に発光層にホールを注入する作用がある。
過すると同時に発光層にホールを注入する作用がある。
【００１８】発光層に導電性ポリマーをベースに用いて
これに発光剤、電子輸送剤などを混合した物を用いるこ
とにより膜厚が約０．５〜１μｍくらいでも１０Ｖくら
いで充分な電流を得ることができ実用可能な発光強度を
得ることができる。このくらいの膜厚であれば生産性の
高い浸漬法も利用できる。
これに発光剤、電子輸送剤などを混合した物を用いるこ
とにより膜厚が約０．５〜１μｍくらいでも１０Ｖくら
いで充分な電流を得ることができ実用可能な発光強度を
得ることができる。このくらいの膜厚であれば生産性の
高い浸漬法も利用できる。
【００１９】金属電極は電子を発光層に注入する作用が
ある。従って、仕事関数が小さい金属を用いる。
ある。従って、仕事関数が小さい金属を用いる。
【００２０】棒状基体の側面に金属電極、端部に透明電
極が露出する形となるので、この側面が絶縁性フィルム
のテープ上に形成した金属膜と接触するように絶縁性フ
ィルムのテープの上に並べ、棒状基体を載せたテープを
走査線の数だけ重ねることにより画面を形成する。この
テープ上に形成した金属膜を走査線配線とする。一方、
基板上にデータ線パターンを柔らかな金属出形成したも
のやパターン上に導電ゴムを被覆したものを棒状基体の
端部に押しつけるようにして接触させデータ線配線とす
る。この走査線、データ線に電気信号を送り、各画素を
光らせて画像を表示する。
極が露出する形となるので、この側面が絶縁性フィルム
のテープ上に形成した金属膜と接触するように絶縁性フ
ィルムのテープの上に並べ、棒状基体を載せたテープを
走査線の数だけ重ねることにより画面を形成する。この
テープ上に形成した金属膜を走査線配線とする。一方、
基板上にデータ線パターンを柔らかな金属出形成したも
のやパターン上に導電ゴムを被覆したものを棒状基体の
端部に押しつけるようにして接触させデータ線配線とす
る。この走査線、データ線に電気信号を送り、各画素を
光らせて画像を表示する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例についてのべる。
【００２２】（実施例１）実施例１を図１〜２により説
明する。これは棒状基体上に作製した発光素子を並べて
単純マトリクスのモノクロミック画面を作った例であ
る。図１のように表面に走査線、データ線を形成した基
板で挟み込んで接触をとっている。
明する。これは棒状基体上に作製した発光素子を並べて
単純マトリクスのモノクロミック画面を作った例であ
る。図１のように表面に走査線、データ線を形成した基
板で挟み込んで接触をとっている。
【００２３】図２に発光素子の断面図を示す。棒状基体
３としては石英ファイバーを用い、４エチルオキシ錫と
３エチルオキシインジウムの混合エタノール溶液に浸漬
し、３００℃で加熱乾燥して透明電極７を形成し、多数
並べて端部を粘着材の付いた紐に固定し、レーザーで１
０ｍｍの長さに揃えて切断した。切断した端部をつぎつ
ぎと紐上に固定して切断し、棒状基体３の片端を紐に固
定した物を多数作った。つぎにポリビニルカルバゾール
とＰＢＤ（ｔ−ブチルフェニルビフェニルオキサジアゾ
−ル）およびテトラカルボン酸ピレン誘導体のジクロロ
メタン溶液に片端を紐に固定した棒状基体を浸漬し、室
温で乾燥後さらに７０℃で加熱乾燥して発光層８を形成
したこの上にマグネシウムに５％の銀を加えた組成の金
属電極９を蒸着法で形成した。こうして透明電極部分で
紐に固定された多数の発光素子ができた。これを間に絶
縁フィルム６を挟んで積み重ね透明電極２をデータ線パ
ターンに形成した表基板１と金属電極４を走査線パター
ンに形成した裏基板５の間にはさんで図１の単純マトリ
クスディスプレイとした。
３としては石英ファイバーを用い、４エチルオキシ錫と
３エチルオキシインジウムの混合エタノール溶液に浸漬
し、３００℃で加熱乾燥して透明電極７を形成し、多数
並べて端部を粘着材の付いた紐に固定し、レーザーで１
０ｍｍの長さに揃えて切断した。切断した端部をつぎつ
ぎと紐上に固定して切断し、棒状基体３の片端を紐に固
定した物を多数作った。つぎにポリビニルカルバゾール
とＰＢＤ（ｔ−ブチルフェニルビフェニルオキサジアゾ
−ル）およびテトラカルボン酸ピレン誘導体のジクロロ
メタン溶液に片端を紐に固定した棒状基体を浸漬し、室
温で乾燥後さらに７０℃で加熱乾燥して発光層８を形成
したこの上にマグネシウムに５％の銀を加えた組成の金
属電極９を蒸着法で形成した。こうして透明電極部分で
紐に固定された多数の発光素子ができた。これを間に絶
縁フィルム６を挟んで積み重ね透明電極２をデータ線パ
ターンに形成した表基板１と金属電極４を走査線パター
ンに形成した裏基板５の間にはさんで図１の単純マトリ
クスディスプレイとした。
【００２４】（実施例２）実施例２を図３〜４により説
明する。これは棒状基体上に作製した発光素子を並べて
図３に示す単純マトリクスのカラー画面を作った例であ
る。実施例１と同様に棒状基体２６としては石英ファイ
バーを用い、４エチルオキシ錫と３エチルオキシインジ
ウムの混合エタノール溶液に浸漬し、３００℃で加熱乾
燥して透明電極２９を形成した。つぎにポリビニルカル
バゾールとＰＢＤおよび赤、青、緑それぞれの発光剤を
いれたジクロロメタン溶液にそれぞれ浸漬し、室温で乾
燥後さらに７０℃で加熱乾燥して発光層２８を形成し
た。この上にマグネシウムに５％の銀を加えた組成の金
属電極２７を蒸着法で形成した。このようにして赤、
青、緑それぞれの発光素子２３ができた。それぞれの色
毎に並べて片面に金属膜を形成した幅８ｍｍの絶縁フィ
ルム２２のテープ上に導電性接着剤で固定しレーザーで
テープより広く１０ｍｍに切断した。このようにすると
金属電極２７、発光層２８は容易に蒸発するので切断部
に近い部分は石英と透明電極材料のみが残る。こうして
できたテープ上にならんだ発光素子を赤、緑、青の順に
積み重ね、走査線パターンに形成した金属電極２５を有
する基板２４と透明基板２１のあいだに挟み、絶縁フィ
ルムの片面に形成された金属膜をデータ線として使用す
ることにより図３に示した単純マトリクスのカラーディ
スプレイを作った。
明する。これは棒状基体上に作製した発光素子を並べて
図３に示す単純マトリクスのカラー画面を作った例であ
る。実施例１と同様に棒状基体２６としては石英ファイ
バーを用い、４エチルオキシ錫と３エチルオキシインジ
ウムの混合エタノール溶液に浸漬し、３００℃で加熱乾
燥して透明電極２９を形成した。つぎにポリビニルカル
バゾールとＰＢＤおよび赤、青、緑それぞれの発光剤を
いれたジクロロメタン溶液にそれぞれ浸漬し、室温で乾
燥後さらに７０℃で加熱乾燥して発光層２８を形成し
た。この上にマグネシウムに５％の銀を加えた組成の金
属電極２７を蒸着法で形成した。このようにして赤、
青、緑それぞれの発光素子２３ができた。それぞれの色
毎に並べて片面に金属膜を形成した幅８ｍｍの絶縁フィ
ルム２２のテープ上に導電性接着剤で固定しレーザーで
テープより広く１０ｍｍに切断した。このようにすると
金属電極２７、発光層２８は容易に蒸発するので切断部
に近い部分は石英と透明電極材料のみが残る。こうして
できたテープ上にならんだ発光素子を赤、緑、青の順に
積み重ね、走査線パターンに形成した金属電極２５を有
する基板２４と透明基板２１のあいだに挟み、絶縁フィ
ルムの片面に形成された金属膜をデータ線として使用す
ることにより図３に示した単純マトリクスのカラーディ
スプレイを作った。
【００２５】（実施例３）実施例３を図５〜７により説
明する。これは図５に示すように帯状基体上に作製した
発光素子を並べて単純マトリクスのカラー画面を作った
例である。基体３５としてはポリエチレンテレフタレー
トのフィルムを用い、インジウム錫酸化物をスパッタ法
で裏表に透明電極３７を形成した。これを帯状に切断し
て帯状基体３５を作った。つぎにポリビニルカルバゾー
ルとＰＢＤおよび赤、青、緑それぞれの発光剤をいれた
ジクロロメタン溶液にそれぞれ浸漬し、室温で乾燥後さ
らに７０℃で加熱乾燥して発光層３８を形成した。この
とき青の発光スペクトルはブロードでピークは４７０ｎ
ｍにあるものの、長波長成分が多く緑がかった色であっ
た。そこで青の発光素子に用いるフィルムのみ５００ｎ
ｍより長波長の光を吸収する染料を混ぜた。これにより
青の輝度純度は８０％以上となった。この上にマグネシ
ウムに１０％のインジウムを加えた組成の金属電極３６
を蒸着法で形成した。０．３ｍｍおきにレーザー光線を
集光して走引し金属電極と発光層を蒸散させて除去して
図６の様に分離した。このようにして赤、青、緑それぞ
れの発光素子ができた。間に絶縁フィルム３３を挟んで
赤、緑、青の順に繰り返し重ねて、走査線パターンに形
成した金属電極３２を有する基板３４上に配置し、端部
に露出した透明電極部分３５をデータ線として図５のよ
うな単純マトリクスのカラーディスプレイを作った。
明する。これは図５に示すように帯状基体上に作製した
発光素子を並べて単純マトリクスのカラー画面を作った
例である。基体３５としてはポリエチレンテレフタレー
トのフィルムを用い、インジウム錫酸化物をスパッタ法
で裏表に透明電極３７を形成した。これを帯状に切断し
て帯状基体３５を作った。つぎにポリビニルカルバゾー
ルとＰＢＤおよび赤、青、緑それぞれの発光剤をいれた
ジクロロメタン溶液にそれぞれ浸漬し、室温で乾燥後さ
らに７０℃で加熱乾燥して発光層３８を形成した。この
とき青の発光スペクトルはブロードでピークは４７０ｎ
ｍにあるものの、長波長成分が多く緑がかった色であっ
た。そこで青の発光素子に用いるフィルムのみ５００ｎ
ｍより長波長の光を吸収する染料を混ぜた。これにより
青の輝度純度は８０％以上となった。この上にマグネシ
ウムに１０％のインジウムを加えた組成の金属電極３６
を蒸着法で形成した。０．３ｍｍおきにレーザー光線を
集光して走引し金属電極と発光層を蒸散させて除去して
図６の様に分離した。このようにして赤、青、緑それぞ
れの発光素子ができた。間に絶縁フィルム３３を挟んで
赤、緑、青の順に繰り返し重ねて、走査線パターンに形
成した金属電極３２を有する基板３４上に配置し、端部
に露出した透明電極部分３５をデータ線として図５のよ
うな単純マトリクスのカラーディスプレイを作った。
【００２６】（実施例４）実施例４を図８〜９により説
明する。これは図８に示すように帯状基体の間に作製し
た発光素子を並べて単純マトリクスのカラー画面を作っ
た例である。基体４１としてはポリエチレンテレフタレ
ートのフィルムを用い、表にインジウム錫酸化物をスパ
ッタ法で透明電極４２を形成した。裏にはマグネシウム
に１０％のインジウムを加えた組成の金属電極４３を蒸
着法で形成した。０．３ｍｍおきにレーザー光線を集光
して走引し金属電極４３を蒸散させて除去しこれを帯状
に切断して帯状基体４１を作った。つぎにポリビニルカ
ルバゾールとＰＢＤおよび赤、青、緑それぞれの発光剤
をいれたジクロロメタン溶液にそれぞれ浸漬し、室温で
乾燥後さらに７０℃で加熱乾燥して発光層４４を形成し
た。これを赤、緑、青の順に繰り返し重ねた後、１２０
℃に加熱しプレスして板状に固めた。この時、図９のよ
うに傾きを付けることにより走査線パターン４５との接
触をとった。基板４６上に形成された金属電極４５を走
査線とし、端部に露出した透明電極４２部分をデータ線
として図８のような単純マトリクスのカラーディスプレ
イを作った。
明する。これは図８に示すように帯状基体の間に作製し
た発光素子を並べて単純マトリクスのカラー画面を作っ
た例である。基体４１としてはポリエチレンテレフタレ
ートのフィルムを用い、表にインジウム錫酸化物をスパ
ッタ法で透明電極４２を形成した。裏にはマグネシウム
に１０％のインジウムを加えた組成の金属電極４３を蒸
着法で形成した。０．３ｍｍおきにレーザー光線を集光
して走引し金属電極４３を蒸散させて除去しこれを帯状
に切断して帯状基体４１を作った。つぎにポリビニルカ
ルバゾールとＰＢＤおよび赤、青、緑それぞれの発光剤
をいれたジクロロメタン溶液にそれぞれ浸漬し、室温で
乾燥後さらに７０℃で加熱乾燥して発光層４４を形成し
た。これを赤、緑、青の順に繰り返し重ねた後、１２０
℃に加熱しプレスして板状に固めた。この時、図９のよ
うに傾きを付けることにより走査線パターン４５との接
触をとった。基板４６上に形成された金属電極４５を走
査線とし、端部に露出した透明電極４２部分をデータ線
として図８のような単純マトリクスのカラーディスプレ
イを作った。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【発明の効果】以上、本発明によればまた発光強度のあ
まり高くないＥＬ材料を用いて輝度の高い発光素子を作
ることができ、単純マトリクスのＥＬディスプレイを作
ることができる。またマトリクスの配線も位置合わせが
不要のため容易にできる。
まり高くないＥＬ材料を用いて輝度の高い発光素子を作
ることができ、単純マトリクスのＥＬディスプレイを作
ることができる。またマトリクスの配線も位置合わせが
不要のため容易にできる。
【図１】実施例１のモノクロミックディスプレイの概略
図である。
図である。
【図２】実施例１のモノクロミックディスプレイに用い
た発光素子の断面図である。
た発光素子の断面図である。
【図３】実施例２のカラーディスプレイの概略図であ
る。
る。
【図４】実施例２のカラーディスプレイに用いた発光素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図５】実施例３のカラーディスプレイの概略図であ
る。
る。
【図６】実施例３のカラーディスプレイに用いた帯状発
光素子の概略図である。
光素子の概略図である。
【図７】実施例３のカラーディスプレイに用いた発光素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図８】実施例４のカラーディスプレイの概略図であ
る。
る。
【図９】実施例４のカラーディスプレイに用いた発光素
子の断面図である。
子の断面図である。
１…ガラス基板、 ２…透明電極、 ３…棒状基体、 ４…金属電極、 ５…裏基板、 ６…絶縁フィルム、 ７…透明電極、 ８…発光層、 ９…金属電極、 ２１…透明基板、 ２２…絶縁フィルム、 ２３…発光素子、 ２４…裏基板、 ２５…金属電極、 ２６…棒状基体、 ２７…金属電極、 ２８…発光層、 ２９…透明電極、 ３１…発光素子、 ３２…金属電極、 ３３…絶縁フィルム、 ３４…裏基板、 ３５…帯状基体、 ３６…金属電極、 ３７…透明電極、 ３８…発光層、 ３９…金属電極、 ４１…帯状基体、 ４２…透明電極、 ４３…金属電極、 ４４…発光層、 ４５…金属電極、 ４６…裏基板。
Claims (11)
- 【請求項１】透明な材料の表面を１部を残して発光層及
び反射材で被い、発光素子を作り、発光させた際の光を
残した場所からのみ外部に放射させることにより、光が
外部に出てくる部分の輝度を高くすることを特徴とする
発光素子 - 【請求項２】請求項１記載の発光素子を多数配置してな
るディスプレイ装置 - 【請求項３】請求項１記載の透明な材料に特定波長に吸
収を有する材料を用い、発光色の輝度純度を向上するこ
と特徴とする発光素子。 - 【請求項４】電界発光する材料を透明電極と金属電極の
間に挟み電圧を印加して発光させるエレクトロルミネッ
センス素子であって、透光性の棒状基体の周囲に透明電
極、発光層、金属電極を形成し、棒状基体の端部から外
部へ光を発する発光素子を多数配置してなることを特徴
とするエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置。 - 【請求項５】少なくとも片側の基板に配線パターンを形
成した２枚の基板の間に上記発光素子を挟持してなるこ
とを特徴とする請求項４記載のエレクトロルミネッセン
スディスプレイ装置。 - 【請求項６】電界発光する材料を透明電極と金属電極の
間に挟み電圧を印加して発光させるエレクトロルミネッ
センス素子であって、透光性の帯状基体の周囲に透明電
極、発光層、金属電極を形成し、帯状基体の端部から外
部へ光を発する発光素子を多数積層してなることを特徴
とするエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置。 - 【請求項７】少なくとも片側の基板に配線パターンを形
成した２枚の基板の間に請求項３記載の発光素子を挟持
してなることを特徴とするエレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイ装置。 - 【請求項８】請求項１記載の発光素子であって、棒状発
光素子両端より電力を供給することを特徴とする棒状発
光素子。 - 【請求項９】請求項１記載の発光素子であって、棒状発
光素子の端部と側面より電力を供給することを特徴とす
る棒状発光素子。 - 【請求項１０】請求項３記載の発光素子であって、帯状
発光素子の端部と表面より電力を供給することを特徴と
する帯状発光素子。 - 【請求項１１】透明なフィルムの片面に透明電極、反対
の面には金属電極を形成し、間に発光層を挟んで積層し
てなるエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223073A JPH0778682A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | エレクトロルミネッセンス素子及びディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223073A JPH0778682A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | エレクトロルミネッセンス素子及びディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778682A true JPH0778682A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16792414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223073A Pending JPH0778682A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | エレクトロルミネッセンス素子及びディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778682A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003271077A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2007080576A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| EP2419932A1 (en) * | 2009-04-17 | 2012-02-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transparent oled device with high intensity |
| CN104244487A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 上海科斗电子科技有限公司 | 电致发光片及其电致发光显示器和生产工艺 |
| CN109545994A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP5223073A patent/JPH0778682A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003271077A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| US7250636B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and method for producing the same |
| US7309880B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and method for producing the same |
| JP2007080576A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| JP4613765B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2011-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| EP2419932A1 (en) * | 2009-04-17 | 2012-02-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transparent oled device with high intensity |
| JP2012524368A (ja) * | 2009-04-17 | 2012-10-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高い明度を有する、透明な有機発光デバイス |
| CN104244487A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 上海科斗电子科技有限公司 | 电致发光片及其电致发光显示器和生产工艺 |
| CN109545994A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
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