JPH0777044B2 - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0777044B2 JPH0777044B2 JP60163661A JP16366185A JPH0777044B2 JP H0777044 B2 JPH0777044 B2 JP H0777044B2 JP 60163661 A JP60163661 A JP 60163661A JP 16366185 A JP16366185 A JP 16366185A JP H0777044 B2 JPH0777044 B2 JP H0777044B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- alkali metal
- protective layer
- thin film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生を行う光
学式記録・再生装置に用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、耐久性に優れたプラスチック
製高密度情報記録担体に関するものであり、さらに、光
磁気特性に優れた光磁気記録・再生用高密度情報記録担
体に関するものである。
学式記録・再生装置に用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、耐久性に優れたプラスチック
製高密度情報記録担体に関するものであり、さらに、光
磁気特性に優れた光磁気記録・再生用高密度情報記録担
体に関するものである。
（従来技術） 光磁気ディスクにおいて、現在技術的に最も重要な点
は、プラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわち
信頼性の向上をいかにして上げるかということである。
は、プラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわち
信頼性の向上をいかにして上げるかということである。
すなわち、ガラス基板に比較して種々の利点を有するプ
ラスチック基板上に形成した記録層はプラスチック基板
中に残留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基
板を通して侵入する水分等によって劣化を受け、あるい
は変質してしまうという欠点があった。
ラスチック基板上に形成した記録層はプラスチック基板
中に残留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基
板を通して侵入する水分等によって劣化を受け、あるい
は変質してしまうという欠点があった。
本発明者は、昭和60年６月18日提出の「光ディスク」と
題する特許願昭60−132148号に於て上記欠点を解決する
方法としてプラスチック基板と記録層との間に無アルカ
リガラスの薄膜を設けることを提案した。この方法は、
光ディスクの耐久性を驚異的にのばし、完全に満足のい
くものであるが、光磁気効果は従来のままであるため、
実用的なC/N値が得られなかった。
題する特許願昭60−132148号に於て上記欠点を解決する
方法としてプラスチック基板と記録層との間に無アルカ
リガラスの薄膜を設けることを提案した。この方法は、
光ディスクの耐久性を驚異的にのばし、完全に満足のい
くものであるが、光磁気効果は従来のままであるため、
実用的なC/N値が得られなかった。
（発明の目的） 本発明の目的は上述の問題を解決するために、上記発明
をさらに発展させ、耐久性を維持させたまま高いC/N値
を有する光磁気ディスクを提供することにある。
をさらに発展させ、耐久性を維持させたまま高いC/N値
を有する光磁気ディスクを提供することにある。
（発明の構成） 本発明の特徴は上記の無アルカリガラス保護膜とカー効
果エンハンスメント薄膜層とを併用することによって実
用的耐久性とC/N値とを同時に満足させた光磁気ディス
クにある。すなわち、本発明による高密度情報記録担体
は透明プラスチック基板と、この基板上に形成された無
機ガラス薄膜より成る中間保護層と、この中間保護層上
に形成された光磁気記録材層と、必要に応じて設けられ
る前記光磁気記録材層上に形成された無機ガラス薄膜よ
り成る表面保護層とを有する光磁気を用いた高密度情報
記録担体において、上記光磁気記録材層の少なくとも一
方の表面と上記保護層との間にカー効果エンハンスメン
ト薄膜層が設けられていることを特徴とする。
果エンハンスメント薄膜層とを併用することによって実
用的耐久性とC/N値とを同時に満足させた光磁気ディス
クにある。すなわち、本発明による高密度情報記録担体
は透明プラスチック基板と、この基板上に形成された無
機ガラス薄膜より成る中間保護層と、この中間保護層上
に形成された光磁気記録材層と、必要に応じて設けられ
る前記光磁気記録材層上に形成された無機ガラス薄膜よ
り成る表面保護層とを有する光磁気を用いた高密度情報
記録担体において、上記光磁気記録材層の少なくとも一
方の表面と上記保護層との間にカー効果エンハンスメン
ト薄膜層が設けられていることを特徴とする。
本発明で用いられる上記透明プラスチック基板と高密度
情報記録層は、本出願人による前記特願昭59−32230号
明細書に詳細に説明されているので、ここではそれを引
用し、詳細は省略する。
情報記録層は、本出願人による前記特願昭59−32230号
明細書に詳細に説明されているので、ここではそれを引
用し、詳細は省略する。
また、本発明で用いる上記の中間および表面保護層を構
成する無機ガラス薄膜層は本出願人による昭和60年６月
18日提出の「光ディスク」と題する特願昭60−132148号
に記載されたものであり、この無機ガラス薄膜層はアル
カリ金属、すなわちLi,Na,K,Rb,Csをアルカリ金属酸化
物に換算して１重量％以下、好ましくは0.8重量％以下
しか含まない無アルカリガラスで構成されているのが好
ましい。
成する無機ガラス薄膜層は本出願人による昭和60年６月
18日提出の「光ディスク」と題する特願昭60−132148号
に記載されたものであり、この無機ガラス薄膜層はアル
カリ金属、すなわちLi,Na,K,Rb,Csをアルカリ金属酸化
物に換算して１重量％以下、好ましくは0.8重量％以下
しか含まない無アルカリガラスで構成されているのが好
ましい。
上記の無アルカリガラス薄膜は理論的にはプラスチック
基板上でアルカリ金属成分がアルカリ金属酸化物換算で
１重量％以下、好ましくは0.8重量％以下となるような
任意の方法、例えば、複数の蒸着源から上記無アルカリ
ガラスの各成分を同時に蒸着させて形成してもよいが工
業的には上記特性の無アルカリガラスを用意し、それを
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理
蒸着法を用いてプラスチック基板上へ形成するのが好ま
しい。
基板上でアルカリ金属成分がアルカリ金属酸化物換算で
１重量％以下、好ましくは0.8重量％以下となるような
任意の方法、例えば、複数の蒸着源から上記無アルカリ
ガラスの各成分を同時に蒸着させて形成してもよいが工
業的には上記特性の無アルカリガラスを用意し、それを
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理
蒸着法を用いてプラスチック基板上へ形成するのが好ま
しい。
アルカリ金属の量がアルカリ金属酸化物換算で１重量％
を超えると、記録層に亀裂が生じ、BERが大きくなる。
この理由は明らかではないが、アルカリ金属がプラスチ
ック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中の
水分と反応して記録層を劣化するのではないかと考えら
れる。このアルカリ金属の量はアルカリ金属酸化物換算
で0.8重量％以下であることがさらに好ましく、ガラス
として性質を損わない限り少ない方が好ましい。しか
し、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難であ
り、１重量％以下であれば実用上問題はない。
を超えると、記録層に亀裂が生じ、BERが大きくなる。
この理由は明らかではないが、アルカリ金属がプラスチ
ック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中の
水分と反応して記録層を劣化するのではないかと考えら
れる。このアルカリ金属の量はアルカリ金属酸化物換算
で0.8重量％以下であることがさらに好ましく、ガラス
として性質を損わない限り少ない方が好ましい。しか
し、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難であ
り、１重量％以下であれば実用上問題はない。
なお、上記の無アルカリガラスにはSiO2のみから成る、
いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。すなわち、耐湿用
保護層として従来からSiO2を単独で蒸着することは周知
であるが、このケイ酸ガラス薄膜では耐湿性はほとんど
無い。
いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。すなわち、耐湿用
保護層として従来からSiO2を単独で蒸着することは周知
であるが、このケイ酸ガラス薄膜では耐湿性はほとんど
無い。
上記の無アルカリガラス薄膜の厚さは100〜2,000Åが好
ましく、100Å未満では保護の役目が不足し、2,000Åを
超えるとレーザーの吸収等の問題が生じ、また経済的で
もない。本発明は、高密度情報記録層としては、例えば
TbFeCoのような希土類−遷移金属のアモルファス合金よ
りなる光磁気記録材を用いた光ディスクに適用するのが
特に好ましいが、プラスチック中のモノマーや水分およ
び／または外部からの水分等によって劣化を受ける記録
材を用いた他の高密度記録担体全てに適用可能であるこ
とは明らかである。
ましく、100Å未満では保護の役目が不足し、2,000Åを
超えるとレーザーの吸収等の問題が生じ、また経済的で
もない。本発明は、高密度情報記録層としては、例えば
TbFeCoのような希土類−遷移金属のアモルファス合金よ
りなる光磁気記録材を用いた光ディスクに適用するのが
特に好ましいが、プラスチック中のモノマーや水分およ
び／または外部からの水分等によって劣化を受ける記録
材を用いた他の高密度記録担体全てに適用可能であるこ
とは明らかである。
本発明の特徴は少なくとも光磁気記録材層と上記中間保
護層との間にカー効果エンハンスメント薄膜層を設けて
C/N値を大きくした点にある。
護層との間にカー効果エンハンスメント薄膜層を設けて
C/N値を大きくした点にある。
なお、前記の表面保護層は必要に応じて設けられるもの
で、２枚の光磁気ディスクを貼合せる場合および／また
は耐湿式反射層を用いる場合には省略することもでき
る。
で、２枚の光磁気ディスクを貼合せる場合および／また
は耐湿式反射層を用いる場合には省略することもでき
る。
上記カー効果エンハンスメント薄膜自体は公知であり、
その作用は一般に誘電体層を設けて、その繰り返し反射
によりみかけのカー回転角を増加させるもので、一般に
はSiO,Al2O3,AlN,ZnS,SiN等が用いられる。これらのカ
ー効果エンハンスメント薄膜層は周知の物理蒸着法、例
えばスパッタリングで形成でき、その膜厚は材料によっ
ても異るが、一般には50〜150nmである。
その作用は一般に誘電体層を設けて、その繰り返し反射
によりみかけのカー回転角を増加させるもので、一般に
はSiO,Al2O3,AlN,ZnS,SiN等が用いられる。これらのカ
ー効果エンハンスメント薄膜層は周知の物理蒸着法、例
えばスパッタリングで形成でき、その膜厚は材料によっ
ても異るが、一般には50〜150nmである。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
（実施例） プラスチック基板として直径が130mmで厚さが1.2mmのア
クリル基板（PMMA）とポリカーボネート基板（PC）とを
用意した。これらの基板上にスパッタリング装置（日本
真空技術（株）製RFマグネトロンパッタリング装置）を
用いて表１に示す各組成の無機ガラスをスパッタリング
で、膜厚500Åの薄膜に形成した後、カー効果エンハン
スメント層としてZnSをスパッタリングによって900Åの
薄膜にし、その上にGd 0.12 Tb 0.12 Fe 0.76の記録層
を上記スパッタリング装置を用いて膜厚1000Åに形成
し、さらに、その上に上記と同じ方法で同じ各無機ガラ
スをスパッタリングして膜厚1000Åの薄膜層を形成した
（サンプルA,B,C）。
クリル基板（PMMA）とポリカーボネート基板（PC）とを
用意した。これらの基板上にスパッタリング装置（日本
真空技術（株）製RFマグネトロンパッタリング装置）を
用いて表１に示す各組成の無機ガラスをスパッタリング
で、膜厚500Åの薄膜に形成した後、カー効果エンハン
スメント層としてZnSをスパッタリングによって900Åの
薄膜にし、その上にGd 0.12 Tb 0.12 Fe 0.76の記録層
を上記スパッタリング装置を用いて膜厚1000Åに形成
し、さらに、その上に上記と同じ方法で同じ各無機ガラ
スをスパッタリングして膜厚1000Åの薄膜層を形成した
（サンプルA,B,C）。
得られた光磁気ディスクの評価はC/N値（書込み周波数
＝1MHz、分解能帯域幅＝30KHz）とディスクを45℃、90R
H％に30日間維持した後のC/N変化量で判断し、その結果
を表１に示した。
＝1MHz、分解能帯域幅＝30KHz）とディスクを45℃、90R
H％に30日間維持した後のC/N変化量で判断し、その結果
を表１に示した。
なお、比較例として、上記ZnS層を形成しない他は上記
サンプルＡと全く同じ操作を行ったディスク（サンプル
Ｄ）を作った。その結果も表１に示してある。
サンプルＡと全く同じ操作を行ったディスク（サンプル
Ｄ）を作った。その結果も表１に示してある。
表１からわかるように、アルカリ金属（Na）がアルカリ
金属酸化物（Na2O）換算で１重量％以下の場合にC/N変
化量が小さくなり且つ本発明のカー効果エンハンスメン
ト層によってC/N値を大きくすることができるというこ
とがわかる。
金属酸化物（Na2O）換算で１重量％以下の場合にC/N変
化量が小さくなり且つ本発明のカー効果エンハンスメン
ト層によってC/N値を大きくすることができるというこ
とがわかる。
Claims (2)
- 【請求項１】透明プラスチック基板と、この基板上に形
成されたアルカリ金属をアルカリ金属酸化物換算で１重
量％以下しか含まない無アルカリガラスの薄膜より成る
中間保護層と、この中間保護層上に形成された稀土類−
遷移金属アモルファス合金よりなる光磁気記録層とを有
する高密度光磁気情報記録担体において、 光磁気記録層と中間保護層との間にSiO,SiO2,Al2O3,Al
N,ZnSおよびSiNよりなる群の中から選択される少なくと
も一つの材料で作られたカーエンハンスメント薄膜層が
設けられていることを特徴とする高密度光磁気情報記録
担体。 - 【請求項２】中間保護層とは反対側の光磁気記録層の表
面上にアルカリ金属をアルカリ金属酸化物換算で１重量
％以下しか含まない無アルカリガラスの薄膜から成る表
面保護層をさらに有する特許請求の範囲第１項に記載の
高密度光磁気情報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163661A JPH0777044B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163661A JPH0777044B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224458A JPS6224458A (ja) | 1987-02-02 |
| JPH0777044B2 true JPH0777044B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15778179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60163661A Expired - Lifetime JPH0777044B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777044B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231049A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-10 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2558011B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1996-11-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気光学記憶媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788537A (en) * | 1980-11-19 | 1982-06-02 | Toshiba Corp | Optical disc |
| JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60163661A patent/JPH0777044B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6224458A (ja) | 1987-02-02 |
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