JPH0775880A - 抵抗溶接装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】溶接条件の変更、各コンポーネントの配置替え
若しくはそれらのメンテナンス作業を軽減できる抵抗溶
接装置を提供する。 【構成】溶接電極により所定の電力でもって溶接を行な
う溶接手段ＷＣＴと、この溶接手段に着脱自在に結合さ
れるものであってこの溶接手段の溶接条件を決定する制
御手段ＷＣＵとを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は溶接装置あるいは溶接
システムの改良に関し、とくに抵抗溶接装置を構成する
溶接制御トランスと溶接制御ユニットとのコンパクトな
組み合わせに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に抵抗溶接器やアーク溶接器等の溶
接装置が広く用いられている。このような溶接器は工場
等で多く使われており、特に自動車工場では自動車ボデ
ィに薄い鋼板を溶接する際に必要不可欠のものとなって
いる。

【０００３】図１１は従来の抵抗溶接器の基本構成を示
すもので、溶接電極を備えたガン１と、溶接制御トラン
ス２と、溶接制御ユニット３とからなっている。近年は
抵抗溶接器の小型化に対する要求が高まってきている
が、この種の小型抵抗溶接器は、例えばガン１およびト
ランス２のアセンブリと制御ユニット３といった２つの
コンポーネントから構成できる。

【０００４】自動車工場で通常用いられる抵抗溶接装置
では、図１２に示すように、溶接制御トランス２、シー
ケンサ４およびプログラムユニット５がコンベアライン
Ｃに沿って配設され、溶接制御ユニット３のみがコンベ
アラインＣから離れた位置にある制御／監視室に設置さ
れる。このため、多くの場合制御ユニット３とコンベア
ラインＣとは物理的に数十メーター以上離れることにな
る。すると、ユニット３とトランス２との間に長尺のパ
ワーケーブル６が必要になり、ユニット３とシーケンサ
４との間に長尺の信号ケーブル７が必要になり、ユニッ
ト３とユニット５との間に長尺の信号ケーブル８が必要
になる。

【０００５】ところで、最近の自動車工場ではマルチス
ポット溶接が多く用いられる。このマルチスポット溶接
では、自動車ボディすなわち溶接しようとするワークピ
ースが治具に取り付けられ、多くの溶接電極を備えたガ
ンを持つ工業用ロボットにより、ワークピースに対して
多数のスポット溶接が同時に行なわれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の溶接装
置では、ガン、溶接制御トランス、溶接制御ユニット、
シーケンサ、プログラムユニットがバラバラに配置され
ているため、溶接制御トランスと各ユニット間の信号伝
送用に多くの長尺ケーブルの設置が必要になる。このた
め、その設置コストおよび設置スペース等が問題になっ
ている。さらにマルチスポット溶接を行なう場合では、
ガン、トランス、シーケンサ、プログラムユニットと言
った多くのコンポーネントが所定の相互関連をもって配
設されねばならないので、溶接条件の変更、各コンポー
ネントの配置替え若しくはそれらのメンテナンスは大変
な作業になる。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、上記従来の問題を軽減若しくは除去できる抵抗溶接
装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る抵抗溶接
装置は、溶接電極により所定の電力でもって溶接を行な
う溶接手段ＷＣＴと；この溶接手段に着脱自在に結合さ
れるものであって、この溶接手段の溶接条件を決定する
制御手段ＷＣＵとを具備している。

【０００９】

【作用】このような溶接装置では、従来のシーケンサや
プログラムユニットの機能は制御手段ＷＣＵに吸収され
る。この制御手段ＷＣＵでは溶接条件等の設定／変更が
個別かつ自由にできる。また制御手段ＷＣＵは溶接手段
ＷＣＴと着脱自在なので、個々の重量／サイズは相対的
に小さくなり、工場内での手作業による配置替えが容易
になる。

【００１０】ここで制御手段ＷＣＵと溶接手段ＷＣＴと
の結合部分を規格化しておけば、種々の制御手段ＷＣＵ
のどれでも複数の溶接手段ＷＣＴいずれかに自由に接続
できる。また個々の制御手段ＷＣＵを通信線を介してホ
ストコンピュータ（または機器制御インターフェイスＭ
ＣＩ）に接続することにより、多数の溶接装置を総括的
に制御できる。さらに、制御手段ＷＣＵおよび溶接手段
ＷＣＴからなる全てのアセンブリにおいて、制御手段Ｗ
ＣＵと溶接手段ＷＣＴとの間の配線ケーブルが不要にな
る。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。なお説明にあたり、各図において共通部分には
共通の参照符号を用いることにより、説明済み部分の重
複説明を避けることにする。

【００１２】図１はこの発明の一実施例に係る抵抗溶接
器のアセンブリを示す斜視図である。このアセンブリは
溶接制御トランス１０（以下単にＷＣＴと略記する）お
よび溶接制御ユニット１７＋１８（以下単にＷＣＵと略
記する）からなっている。溶接電極１Ｘを持つガン１は
ケーブル２を介してＷＣＴ１０に接続される。ここでは
図示しないが、ＷＣＴ１０およびＷＣＵ１７＋１８はそ
れぞれ冷却器を備えており、ＷＣＴの冷却器は冷却水パ
イプ２６０を介してＷＣＵの冷却器に接続されている。
外部からの冷却水はまずＷＣＵの冷却器に注入され、Ｗ
ＣＵを通過した冷却水は続いてＷＣＴの冷却器に送られ
る。ＷＣＵ内のＳＣＲ（サイリスタ）およびＷＣＴ内の
トランスにより温ためられた冷却水はＷＣＴから外部へ
流れ出るようになっている。

【００１３】図１の冷却構造では、１本の冷却水パイブ
だけで溶接器アセンブリのＷＣＵおよびＷＣＴ双方を充
分に冷却できる。

【００１４】図２は図１に示す溶接制御トランスＷＣＴ
１０の一側面を示す。また図３はこのＷＣＴ１０の底面
を示す。ＷＣＴ１０の底端面１４には金属スタッド１１
ａ，１１ｂと、サーモスタット信号線１２と、タッピン
グネジ穴１５とが設けられている。スタッド１１ａ，１
１ｂは、ＷＣＴ１０の一次巻線をＷＣＵの一部を構成す
る電源モジュール（１７）内のＳＣＲ（サイリスタ）に
接続するのに用いられる。ＷＣＴ１０内のサーモスタッ
ト（図示せず）からの信号線１２はＷＣＵの一部を構成
する制御モジュール（１８）に接続される。このサーモ
スタットは、ＷＣＴ１０がオーバーヒートするのを防止
するために用いられる。

【００１５】図４は図１に示す溶接器アセンブリの上側
面を示す。また、図５は図４のＷＣＵの一側面を示す。
図示するように、溶接制御ユニットＷＣＵは電源モジュ
ール１７および制御モジュール１８からなっている。電
源モジュール１７および制御モジュール１８からなるＷ
ＣＵは、ＷＣＴ１０の底端面１４にマウントされ、ネジ
１９（図５）とタッピングネジ穴１５（図３）により固
定される。

【００１６】図６は電源モジュール１７の内部の詳細を
示す。図５のネジ１９はネジ穴２０ａ−２０ｄを通して
図３のタッピングネジ穴１５にねじ込まれる。その他の
タッピングネジ穴２１ａ−２１ｄは制御モジュール１８
を電源モジュール１７に固定するためのもので、この固
定には他のネジ（図９の２１０ａ−２１０ｄ）が用いら
れる。

【００１７】図６において、高圧電源ライン２２Ｌ１は
ＳＣＲモジュール２３の端子Ｌ１に接続される。端子Ｌ
１およびＨ１は、ＳＣＲモジュール２３のプラスチック
ハウジングに内装される逆並列接続されたＳＣＲに接続
される。（このＳＣＲに関する詳細な回路構成は図１７
を参照して後述する。）端子Ｈ１およびＨ２は、ＷＣＴ
１０の一次巻線につながった図３のスタッド１１ａおよ
び１１ｂに接続される。端子Ｌ１およびＨ２には、電源
ライン２２Ｌ１および２２Ｈ２を介して、例えば４８０
Ｖ程度の高圧ＡＣ電力が供給される。

【００１８】ＷＣＴ１０からのサーモスタット信号線１
２は、低圧コネクタ２５のターミナルブロック２４に接
続される。この低圧ターミナルブロック２４には、シャ
ントトリップ信号その他の信号線も接続される。低圧タ
ーミナルブロック２４は、例えばプラスチック製の絶縁
板２５０により、高圧ターミナルＬ１，Ｈ１，Ｈ２から
隔離される。絶縁板２５０により、低圧信号線（１２）
のリードチップが高圧ターミナルに誤って触れてしまう
事故が防止される。

【００１９】図６のＳＣＲモジュール２３は一対の逆並
列接続ＳＣＲと共にその冷却構造を含んでいる。冷却水
はニップル２６ａ，２６ｂの一方から流入しその他方か
ら流出する。

【００２０】図７の（Ａ）は冷却水が通るＳＣＲ冷却容
器２３０の側面を示す。また、図７の（Ｂ）はこの冷却
容器２３０の内部構造例を示す。冷却容器２３０は銅等
の金属でできている。ＳＣＲモジュール２３のプラスチ
ックハウジング内に配設されたＳＣＲ−１，ＳＣＲ−２
は、例えばマイカまたはマイラー（登録商標）製の絶縁
シート２３２を介して、冷却容器２３０の冷却面に間接
的に熱結合される。

【００２１】図７の（Ｂ）に示すような構成により、冷
却容器２３０を、ＳＣＲモジュール２３のプラスチック
ハウジング内でＳＣＲとともに一体化できる。これによ
り冷却容器２３０がＳＣＲと近接配置され、ＳＣＲモジ
ュール２３をコンパクトなものにできる。

【００２２】加えて、高圧を扱うＳＣＲが電気的絶縁製
の良いプラスチックハウジング内に密封されるから、Ｓ
ＣＲモジュール２３を含む電源モジュール１７を金属ケ
ースに収める場合でも、この金属ケースの壁面とＳＣＲ
モジュール２３のプラスチックハウジングとの間隔を大
きく採る必要がなくなる。このことも、電源モジュール
１７の小型化に寄与する。

【００２３】図８は図４の制御モジュール１８の内部構
造を部分的に示す。この制御モジュール１８には、ＥＰ
ＲＯＭ３０，ＬＥＤ３５Ａ，マイクロプロセサＭＰＵ
（図示せず），ポテンシオメータ（図示せず）等が取り
付けられたプリント基板（ＰＣボード）３３が内装され
ている。このＰＣボード３３は、柔らかなゴムなどのク
ッション材３４により、制御モジュール１８内の所定の
空間に保持されている。制御モジュール１８は、軽量プ
ラスチックのモールドで作ることができる。

【００２４】ＰＣボード３３に取り付けられたＬＥＤ３
５Ａの直上には、プラスチックレンズ３５Ｂが配置され
ている。このレンズを介してＬＥＤ３５Ａの点灯状態を
見ることにより、溶接装置の使用者はそのＷＣＵが動作
しているかどうかを知ることができる。なお、このレン
ズ３５Ｂは、制御モジュールの外部との光データ通信イ
ンターフェイスとして利用することもできる。

【００２５】各ＷＣＵの動作は、そこに内臓されたＥＰ
ＲＯＭ３０の記憶内容に依存する。すなわち、ＥＰＲＯ
Ｍ３０の記憶内容を書き替えるか、これを他のＥＰＲＯ
Ｍ３０と交換することにより、そのＷＣＵの動作を容易
に変更／修正できる。

【００２６】図９は図８の制御モジュール１８の底面を
示す。ＰＣボード３３のポテンシオメータのノブ３２
ａ、３２ｂおよび３２ｃは、溶接電流、最大溶接電流お
よび最小溶接電流をプリセットするのに用いられる。ア
ドレススイッチ３１は、各制御モジュール１８にそれぞ
れ固有のユニット番号（例えば０〜１５）を付与すると
きに用いられる。なお多数のＷＣＵが機器制御インター
フェイス（ホストコンピュータ）ＭＣＩに接続された場
合、このＭＣＩはスイッチ３１により付与された各ＷＣ
Ｕに固有のユニット番号を識別することができる。

【００２７】ＰＣボード３３上の回路の信号線は、図９
に示される低圧コネクタ３６に接続されている。制御モ
ジュール１８が電源モジュール１７に結合されるときに
は、図９の低圧コネクタ３６は図６の低圧コネクタ２５
に差し込まれる。ここで、ネジ２１０ａ−２１０ｄとタ
ッピングネジ穴２１ａ−２１ｄとにより、制御モジュー
ル１８は電源モジュール１７に機械的に固定される。

【００２８】なお、コネクタ２５とコネクタ３６との間
の電気的な接続インターフェイスと共に、モジュール１
７とモジュール１８との間の機械的な接続インターフェ
イスは、規格化されている。従って、任意のＷＣＵをど
のＷＣＴにも接続できる。このため、あるプログラムを
持つＥＰＲＯＭ（またはＥＥＰＲＯＭ）３０を含むＷＣ
Ｕをその他のプログラムを持つＥＰＲＯＭ（またはＥＥ
ＰＲＯＭ）３０を含む他のＷＣＵと交換した場合、この
簡単な交換作業だけで、そのＷＣＵに結合されたＷＣＴ
の溶接特性を容易に変更できる。

【００２９】図１０はこの発明に係る抵抗溶接装置を利
用した溶接システムの概要を示す。ここでは、ＷＣＴと
ＷＣＵとのアセンブリが３組並列接続され、この並列ア
センブリが機器制御インターフェイス（ＭＣＩ）４２に
接続されている。このＭＣＩ４２には端末装置４３がさ
らに接続されている。なお、これらのＷＣＴ／ＷＣＵア
センブリは、例えばＲＳ−２３２またはＲＳ−４２２規
格の一般的なシリアル通信ラインを介して、デジーチェ
イン接続される。

【００３０】ＷＣＵの電源モジュール１７はワイアード
オア接続され、かつ、マスターしゃ断器４０内のシャン
トトリップ回路４１に接続される。端末装置４４はＷＣ
Ｕのいくつかに適宜接続される。仮に、いくつかのＷＣ
Ｕ内のＳＣＲが壊れて短絡してしまったとすると、この
ような壊れたＳＣＲを含むＷＣＵからシャントトリップ
回路４１へシャントトリップ信号が送られ、これにより
ＷＣＴへの給電がしゃ断される。

【００３１】図１０の実施例では、ＭＣＩ４２に対する
ラダープログラムおよび複数ＷＣＵの各制御モジュール
１８内に記憶された溶接プログラムを、端末装置４３を
用いて実行させることができる。たとえ多数のＷＣＵを
同時に使用する場合であっても、各ＷＣＵに固有のユニ
ット番号をＭＣＩ４２を介して指定することにより．端
末装置４３は所望の制御モジュール１８と交信すること
ができる。

【００３２】直列伝送線路を用いて所定の溶接シーケン
スを実行しようとするときは、ＭＣＩ４２は作動させよ
うとする制御モジュール１８のユニット番号を直列伝送
されるテキストに付加し、これを直列伝送線路へ送出す
る。このテキストは全ての制御モジュール１８に転送さ
れるが、このテキストに付加されたユニット番号と合致
する１つの制御モジュールだけが、このテキストに応答
する。そして、この１つの制御モジュール１８だけが、
送られてきたテキストの中味にしたがって溶接を行な
う。

【００３３】２以上のＷＣＴで同時に溶接を行なおうと
するときは、ＭＣＩ４２は２以上のユニット番号を含む
アドレスデータを全ての制御モジュールに送る。する
と、送られたユニット番号に対応したＷＣＴだけがそれ
らの溶接を実行する。もし全てのＷＣＴを同時に作動さ
せたいときは、全てのユニット番号を指定する特別なア
ドレスデータ（例えばデータ９９）を、ＭＣＩ４２から
全ての制御モジュール１８に送る。

【００３４】またＭＣＩ４２は、各制御モジュール１８
に対して、溶接が完了したかどうか、あるいは良好な溶
接が行なわれたかどうか等の問い合わせを発するように
もなっている。

【００３５】図１３は多数のＷＣＴ／ＷＣＵアセンブリ
が用いられる抵抗溶接システムを示すもので、例えば自
動車工場で用いられる。このシステムには従来技術と本
願発明が混在しており、この発明に係る部分が実線で示
され、従来からの部分が破線で示されている。

【００３６】図１３の破線で示すように、この従来シス
テム部分では、溶接コントローラ１つにつき３つのタッ
プスイッチ付き溶接トランスがジャンクションボックス
を介して結合され、これらの溶接コントローラが溶接バ
スを介してＭＣＩ（図示せず）に並列に接続される。

【００３７】この従来システムの構成では１つの溶接コ
ントローラが３つの溶接トランスに共通している。この
ため、これら３つの溶接トランスの溶接特性が互いに異
なるときは、この溶接コントローラの制御特性を１つの
溶接トランスに合わせたとしても、残りの２つの溶接ト
ランスに対しては特性ミスマッチとなる。

【００３８】図１３の実線で示すように、この発明に係
る溶接システム部分では、１つのＷＣＵ（溶接コントロ
ーラ）が１つのＷＣＴ（タップレス溶接制御トランス）
に専用に設けられており、かつＷＣＵとＷＣＴとのアセ
ンブリの全てが単一のシリアルデータ伝送線路（例えば
ＲＳ−４２２準拠のもの）を介してＭＣＩ（図示せず）
に接続されている。そして、各ＷＣＵの制御特性は、図
９に示したＥＰＲＯＭ３０内のプログラムに応じて、任
意に決定できる。

【００３９】ＭＣＩは全てのＷＣＵからの全溶接データ
を集め、各ＷＣＵに指令若しくは溶接データを個別に送
ることができる。従って、仮に全てのＷＣＴの溶接特性
が互いに異なるものであっても、各ＷＣＴに対して最良
の特性を得ることができる。

【００４０】図１４は、おのおのがタップスイッチ１４
２を備えた３つのＷＣＴと１つのＷＣＵとの組み合わせ
を示す。この図では、ジャンクションボックス１４１の
選択によって、ＷＣＴと１つのＷＣＵとの接続を行なっ
ている。

【００４１】この発明のＷＣＵは、図１４に示すような
構成の溶接器にも適用できる汎用性を備えている。すな
わち、プログラムの可変性とコンパクトさというこの発
明のＷＣＵが持つ特徴は、ジャンクションボックス１４
１およびタップスイッチ１４２を用いた場合にもなお、
価値を失わない。

【００４２】図１５はこの発明に係る抵抗溶接システム
の概要を示すもので，デジーチェーン接続のシリアル通
信線（ＲＳ−４２２）を介して、ＷＣＴ／ＷＣＵの複数
アセンブリが機器制御インターフェイスＭＣＩに接続さ
れる場合を示す。ここで、ＭＣＩ４２Ａはプログラマブ
ルロジックコントローラＰＬＣ４２Ｂを備えており、Ｐ
ＬＣ４２Ｂは、各ＷＣＴの溶接電極１Ｘのオン／オフや
図１２に示すようなコンベアＣの作動を制御するのに用
いられる。

【００４３】図１６は、図１５の機器制御インターフェ
イスＭＣＩと併用される代表的な周辺機器を示す。ここ
では、ファイルサーバ用バードディスク装置４３Ａや他
のＭＣＩ等が、例えばイーサネットのようなローカルエ
リアネットワークを介して、ＭＣＩ４２Ａに接続されて
いる。その他、ＭＣＩ４２Ａには、ファイルサーバアク
セス機器４３Ｂ、ＷＣＵ用アクセス機器４３Ｃ、リモー
トＩ／Ｏ端末４３Ｄ等が接続されている。このような構
成の下で、ＭＣＩ４２Ａは多くの周辺機器から種々な情
報を収集できる。

【００４４】図１７は溶接制御トランスＷＣＴの一次回
路およびシャントトリップ回路に係る溶接制御ユニット
ＷＣＵの回路構成例を示す。ＷＣＴの一次巻線の一端
は、逆並列接続されたＳＣＲ−およびＳＣＲ−２のター
ミナルＨ１に接続される。ＳＣＲ−１のゲートおよびカ
ソードは、高圧コネクタのコンタクトＧ１およびＫ１を
介して、駆動トランスＴＤの第１の二次巻線に接続され
る。ＳＣＲ−２のゲートおよびカソードは、高圧コネク
タのコンタクトＧ２およびＫ２を介して、駆動トランス
ＴＤの第２の二次巻線に接続される。

【００４５】ＷＣＴの一次巻線の他端は、ターミナルＨ
２に接続される。ターミナルＨ２は、高圧コネクタのコ
ンタクトＬ２を介して、電源トランスＴＰの二次巻線の
一端に接続される。電源トランスＴＰの二次巻線の他端
は、高圧コネクタのコンタクトＬ１を介して、ターミナ
ルＬ１に接続される。電源トランスＴＰの一次巻線は、
例えばＡＣ１１０Ｖの電源ラインに接続される。

【００４６】ターミナルＨ１およびＨ２はしゃ断器４０
の電源回路に接続される。ターミナルＨ１は、抵抗Ｒを
介して、シャントトリップリレーＣＲ１のコイルＣＲの
一端に接続される。ターミナルＨ２は、シャントトリッ
プリレーＣＲ２のリレー接点を介して、シャントトリッ
プリレーＣＲ１のコイルＣＲの他端に接続される。リレ
ーＣＲ２のコイルＣＲの駆動は図１５その他に示したＭ
ＣＩ（４２）により行なわれる。

【００４７】リレーＣＲ１のリレー接点は、全てのＷＣ
Ｕにより形成されるシャントトリップループの中に挿入
されている。このシャントトリップループはシャントト
リップ制御リレー４１のコイルおよび２４ＶのＡＣ電源
も含む。リレー４１のリレー接点はしゃ断器４０のシャ
ントトリップコイルと１１０ＶのＡＣ電源との間に挿入
される。

【００４８】ＷＣＴの一次巻線に生じる電圧信号は、低
圧コネクタ２５を介して、ＰＣボード３３内の電気回路
に導かれる。ＳＣＲに流れる電流は、変流器ＣＴにより
検出される。検出されたＳＣＲ電流信号は、低圧コネク
タ２５を介して、ＰＣボード３３内に送られる。

【００４９】図１８は、図８に示されるＰＣボード３３
に組み込まれる回路構成を示す。ＷＣＴの一次巻線（ま
たはターミナルＬ１，Ｌ２間）の電圧信号は、第１電圧
検出器３３２を介してマイクロプロセサ（以下単にＭＰ
Ｕと略記する）３３１に供給される。ＳＣＲの両端に現
われる電圧の信号は、第２電圧検出器３３３を介してＭ
ＰＵ３３１に供給される。ＳＣＲに流れる電流の信号
は、整流器３３５を介してＭＰＵ３３１に供給される。

【００５０】ＭＰＵ３３１は、ＲＳ−４２２シリアル通
信インターフェイス３３０を介して、図１５等に示すＭ
ＣＩ４２Ａと結合される。ＭＰＵ３３１に所定の動作シ
ーケンスは，ＲＯＭ３０Ａに格納しておくことができ
る。ＭＣＩ４２Ａへ送ろうとするデータおよびＭＣＩ４
２Ａから送られてくるデータは、ＲＡＭ３０Ｂに格納で
きる。

【００５１】ＰＣボード３３内のＭＰＵ３３１は、ＷＣ
ＴおよびＳＣＲの電圧／電流の情報を受け取り、受け取
った情報から、溶接電流の大きさを検出したり、電圧／
電流の位相差からその力率を算出したりする。ＭＰＵ３
３１が検出したデータは、ＲＳ−４２２通信線を介し
て、ＭＣＩ４２Ａに送られる。ＭＰＵ３３１はまた、点
弧回路３３４を介して、ＳＣＲを点弧制御する。

【００５２】ＭＰＵ３３１からの電流データから、ＭＣ
Ｉ４２Ａは、例えばＳＣＲの破壊によって引き起こされ
た過大電流を検出できる。この過大電流が検出される
と、ＭＣＩ４２ＡはシャントトリップリレーＣＲ２への
シャントトリップ禁止信号の送出を停止し、これにより
ＣＲ２のリレー接点が閉じる。このとき、ＷＣＴの一次
巻線にある程度の電圧が出ているときは、シャントトリ
ップリレーＣＲ１が励起され、ＣＲ１のリレー接点が閉
じる。すると、図１７のシャントトリップループが切
れ、全てのＷＣＵおよびＷＣＴへの給電が、しゃ断器４
０により中断される。

【００５３】図１９は溶接条件データＤｃｏｎのフォー
マット例を示す。この例では、データＤｃｏｎの１キャ
ラクタが６つのチャネルＣＨ１−ＣＨ６の垂直データ群
ＶＤＧで表され、データＤｃｏｎの１テキストが６つの
水平データ群ＨＤＧとともに開始コードＳＴＸ、終了コ
ードＥＸＴおよびパリティコードＨＰＣで表されてい
る。チャネルＣＨ１−ＣＨ６のデータは、ＷＣＵからＭ
ＣＩへ、またはＭＣＩからＷＣＵへ、シリアル伝送され
る。

【００５４】図２０はシリアル伝送されるデータＤｃｏ
ｎのパリティチェック手順を示すフローチャート（パリ
ティチェック手段）を示す。

【００５５】まず、ＭＣＩ（図１５）内のマイクロコン
ピュータは、パリティコードＨＰＣをゼロに初期化する
（ＳＴ１０）。次に、マイクロコンピュータは、図１９
に示すような現在のテキストの１キャラクタを読み取る
（ＳＴ１２）。続いて、マイクロコンピュータはキャラ
クタのチャネルＣＨ１−ＣＨ６のイクスクルーシブオア
（ＥＸ−ＯＲ）をとって、キャラクタの垂直パリティ
（例えば偶数パリティ）をチェックする（ＳＴ１４）。
このパリティチェックがＯＫであれば（ＳＴ１４のＯ
Ｋ）、マイクロコンピュータは読み取ったデータ（ＶＤ
Ｇ）が終了コードＥＸＴの次のものであるかどうかをチ
ェックする（ＳＴ１６）。

【００５６】もし読み取った電流データが終了コードＥ
ＸＴの次のものでないときは（ＳＴ１６のノー）、現在
のＨＰＣと現在のＶＤＧのＥＸ−ＯＲとの論理和から、
新たなパリティコードＨＰＣが作り出される。こうして
作り出された新パリティコードＨＰＣにより現在のパリ
ティコードＨＰＣが置換され（ＳＴ１８）、フローはス
テップＳＴ１２へ戻る。

【００５７】パリティコードＨＰＣのチャネルＣＨ１の
内容は、チャネルＣＨ１の水平データ群ＨＤＧ内の全ビ
ットのＥＸ−ＯＲを示す。同様に、パリティコードＨＰ
ＣのチャネルＣＨ２〜ＣＨ６の内容は、それぞれ、チャ
ネルＣＨ２〜ＣＨ６の水平データ群ＨＤＧ内の全ビット
のＥＸ−ＯＲを示す。

【００５８】ステップＳＴ１４におけるパリティチェッ
クの結果が否定的（ＮＧ）であるときは、例えば図１６
の端末装置４３ＡのＣＲＴにおいてエラーメッセージが
表示され（ＳＴ２４）、その後の処理で同じデータが再
送される。

【００５９】もし読み取った電流データが終了コードＥ
ＸＴの次のものであるときは（ＳＴ１６のイエス）、マ
イクロコンピュータは現在の読み取りデータが現在のパ
リティチェックコードＨＰＣと一致するかどうかチェッ
クする（ＳＴ２０）。ここで、現在の読み取りデータが
現在のパリティチェックコードＨＰＣと一致するときは
（ＳＴ２０のイエス）、マイクロコンピュータは伝送さ
れてきたテキストにエラーなしと判定する（ＳＴ２
２）。現在の読み取りデータが現在のパリティチェック
コードＨＰＣと一致しないときは（ＳＴ２０のノー）、
マイクロコンピュータは伝送されてきたテキストにエラ
ーありと判定する（ＳＴ２４）。この場合は、同じデー
タの伝送が再び行なわれる。

【００６０】図２１はシリアル伝送されるデータＤｃｏ
ｎのパリティチェック手順の他例を示すフローチャート
である。まず、溶接条件データＤｃｏｎの１テキストが
ＭＣＩ４２のマイクロコンピュータに入力される（ＳＴ
３０）。マイクロコンピュータは、データＤｃｏｎの１
キャラクタ（ＶＤＧ）内の全ビットのＥＸ−ＯＲを検出
して、水平パリティチェックコードＨＰＣを発生し（Ｓ
Ｔ３２）、次に現在のキャラクタ内にある" １" データ
の総数Ｎｖを計算する（ＳＴ３４）。

【００６１】マイクロコンピュータは計算された数Ｎｖ
が偶数であるかどうかをチェックする（ＳＴ３６）。数
Ｎｖが偶数であるときは（ＳＴ３６のイエス）、マイク
ロコンピュータは現在のデータＤｃｏｎのチャネル（Ｃ
Ｈ１〜ＣＨ６）に１パリティビット加える（ＳＴ３
８）。そして現在のチャネル（ＣＨ１〜ＣＨ６）内にあ
る" １" データの総数Ｎｈを計算する（ＳＴ４０）。

【００６２】マイクロコンピュータは計算された数Ｎｈ
が偶数であるかどうかをチェックする（ＳＴ４２）。数
Ｎｈが偶数であるときは（ＳＴ４２のイエス）、マイク
ロコンピュータは現在のテキストの後に次のテキストが
あるかどうかをチェックする（ＳＴ４４）。現在のテキ
ストの後に次のテキストがあるときは（ＳＴ４４のイエ
ス）、フローはステップＳＴ３０へ戻る。現在のテキス
トの後に次のテキストがないときは（ＳＴ４４のノ
ー）、マイクロコンピュータは伝送されたテキストにエ
ラーがなかったものとの判定を下す（ＳＴ４６）。

【００６３】仮に、数Ｎｖが奇数であるか（ＳＴ３６の
ノー）または数Ｎｈが奇数であるときは（ＳＴ４２のノ
ー）、エラーメッセージが表示され（ＳＴ４８）、同じ
データの再送が行なわれる。

【００６４】なお、図２０、図２１のパリティチェック
は、各ＷＣＵのＭＰＵ３３１（図１８）でも行なうこと
ができる。

【００６５】図２２は溶接条件データＤｃｏｎの確認手
順を示すフローチャートである。ＭＣＩ４２Ａのマイク
ロコンピュータは溶接条件データＤｃｏｎをＷＣＵへシ
リアル伝送する。図１８に示すＷＣＵのＰＣボード３３
内のＭＰＵ３３１は、このデータＤｃｏｎを受信する
（ＳＴ５０）。続いて、このデータＤｃｏｎに対する許
容エラー値ＤｅｒｒがＭＰＵ３３１に入力される（ＳＴ
５２）。通常、データＤｃｏｎの値の１０％位を許容エ
ラー値Ｄｅｒｒとして採用できる。ＭＰＵ３３１にはま
た、実際の溶接データＤｗｅｌも入力される（ＳＴ５
４）。

【００６６】ＷＣＴの一次溶接電流および力率などは溶
接データＤｗｅｌに含まれている。この一次溶接電流は
図１８の変流器ＣＴにより検出できる。また、力率は、
検出器３３２で検出された一次巻線電圧と上記一次溶接
電流との位相差から算出できる。

【００６７】ＭＰＵ３３１は次にデータＤｗｅｌとデー
タＤｃｏｎとの差を検出する（ＳＴ５６）。そして検出
した差の大きさ＃Ｄｗｅｌ−Ｄｃｏｎ＃が許容エラー値
Ｄｅｒｒより小さいかどうかがチェックされる（ＳＴ５
８）。この＃Ｄｗｅｌ−Ｄｃｏｎ＃がＤｅｒｒより小さ
いときは（ＳＴ５８のイエス）、ＭＰＵ３３１は実際の
溶接が溶接条件データＤｃｏｎに従って正常に行なわれ
たものと判定する。もし＃Ｄｗｅｌ−Ｄｃｏｎ＃がＤｅ
ｒｒ以上であるときは（ＳＴ５８のノー）、この判定結
果は例えば図１６のＭＣＩ４２Ａに送られ、端末装置４
３ＡのＣＲＴにエラーメッセージが表示される（ＳＴ６
０）。この場合、ＭＣＩ４２Ａは、同じ溶接を再実行さ
せる指令をＭＰＵ３３１に送ることができる。

【００６８】図２３は所定の設定値データＤｓｅｔに基
づく溶接動作の確認手順を示すフローチャートである。
実際の溶接電流（ＷＣＴの一次電流）を決定する設定値
データＤｓｅｔは、図１８のＭＰＵ３３１に入力される
（ＳＴ７０）。ＭＰＵ３３１は図１８の変流器ＣＴで検
出した溶接電流データＤｃｕｒを受ける（ＳＴ７２）。
ＭＰＵ３３１は、例えばデータＤｃｕｒの値を溶接電流
の１サイクルに渡り積分（累算）し、この１サイクルの
間に得られたデータＤｃｕｒの平均値Ｄａｖｅを計算す
る（ＳＴ７４）。

【００６９】ＭＰＵ３３１は平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄ
ｓｅｔの９０％より大きいかどうかチェックする（ＳＴ
７６）。平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０％より
大きいときは（ＳＴ７６のイエス）、ＭＰＵ３３１はＷ
ＣＴが良好な溶接を行なったものと判定する（ＳＴ７
８）。この場合は再溶接は行なわれない（ＳＴ８０）。
もし平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０％以下であ
ったときは（ＳＴ７６のノー）、ＭＰＵ３３１はＷＣＴ
による溶接が不良であったものと判定する（ＳＴ８
２）。この場合は再溶接が行なわれる（ＳＴ８４）。

【００７０】ＭＰＵ３３１により溶接不良が検出される
と、ＭＣＩ４２Ａはこの溶接不良を認知し、不良溶接を
行なったＷＣＴのＭＰＵ３３１に再溶接指令を送る。正
常な溶接を行なったＷＣＴのＭＰＵがＭＣＩ４２Ａから
このような再溶接指令を受けることはない。

【００７１】図２４は溶接電流Ｄｃｕｒの確認手順を示
すフローチャートである。ＭＣＩ４２Ａは最大電流限デ
ータＤｍａｘおよび最小電流限データＤｍｉｎを出力す
る。図１８のＭＰＵ３３１は、これらのデータＤｍａｘ
およびＤｍｉｎを受ける（ＳＴ９０，ＳＴ９２）。この
あとＭＰＵ３３１は変流器ＣＴから実際の溶接電流デー
タＤｃｕｒを受ける（ＳＴ９４）。

【００７２】ＭＰＵ３３１は溶接電流データＤｃｕｒの
値が最大電流限データＤｍａｘと最小電流限データＤｍ
ｉｎとの間に収まっているかどうかチェックする（ＳＴ
９６）。データＤｃｕｒの値がＤｍａｘとＤｍｉｎの間
に収まっていたときは（ＳＴ９６のイエス）、ＭＰＵ３
３１はＷＣＴに正常な溶接電流が流れたと判定する（Ｓ
Ｔ９８）。もしデータＤｃｕｒの値がＤｍａｘとＤｍｉ
ｎの間に収まっていなかったときは（ＳＴ９６のノ
ー）、ＭＰＵ３３１はＷＣＴの溶接電流が異常であった
と判定する（ＳＴ１００）。この場合は、ＭＰＵ３３１
はＭＣＩ４２Ａへアラーム信号を送る（ＳＴ１０２）。

【００７３】図２５は、図１７、図１８のＳＣＲに対す
る新たな点弧角データＤｆｉａ＊を決定する制御手順を
示すフローチャートである。また図２６は図２５の制御
手順を実行する構成を示すブロック図である。なお、図
２６はＭＰＵ３３１を示していないが、図２６の構成の
動作は図１８のＭＰＵ３３１で制御できる。

【００７４】設定値発生器５０から得られた設定値デー
タＤｓｅｔは、加算点５２の正入力に与えられる（ＳＴ
１１０）。ＳＣＲ用の点弧角データＤｆｉａおよび導通
角データＤｃｏａは、ＰＩＤゲインパラメータ発生器５
８からＰＩＤ制御回路５６へ送られる（ＳＴ１１２，Ｓ
Ｔ１１４）。溶接電流データＤｃｕｒは、変流器ＣＴか
ら電流帰還増幅回路５４を介して加算点５２の負入力へ
送られる（ＳＴ１１６）。

【００７５】データＤｓｅｔとデータＤｃｕｒとの差分
データＤｄｉｆは加算点５２で検出され（ＳＴ１１
８）、このデータＤｄｉｆはＰＩＤ制御回路５６へ送ら
れる。ＰＩＤ制御回路５６は、データＤｃｕｒ、Ｄｆｉ
ａおよびＤｃｏａから、力率角データＤｐｆａを算出す
る。（ＳＴ１２０）。算出された力率角データＤｐｆａ
は、点弧角制御回路６０に入力される。この点弧角制御
回路６０において、ＰＩＤ制御の下で、データＤｆｉ
ａ、ＤｐｆａおよびＤｄｉｆに基づきその後に用いる点
弧角データＤｆｉａ＊が算出される。ＳＣＲユニット
（ＳＣＲモジュール）２３は、この算出されたデータＤ
ｆｉａ＊により決定される新たな点弧角で動作する。

【００７６】以上述べたような溶接装置では、従来のシ
ーケンサやプログラムユニットの機能は制御ユニットＷ
ＣＵに吸収される。この制御ユニットＷＣＵでは溶接条
件等の設定／変更が個別かつ自由にできる。また制御ユ
ニットＷＣＵは溶接トランスＷＣＴと着脱自在なので、
ＷＣＵ，ＷＣＴ個々の重量／サイズは相対的に小さくな
り、工場内での配置替えが容易になる。

【００７７】

【発明の効果】この発明は、その実施態様に応じて以下
のような効果を奏する。

【００７８】（１）ＷＣＵはＷＣＴに着脱自在にマウン
トでき、またＷＣＴの機能をＷＣＵから分離できるか
ら、その応用範囲が広がって量産効果を得やすくなり、
コスト的に有利になる。

【００７９】（２）電源モジュール１７および制御モジ
ュール１８をＷＣＵのコンパクトなプラスチックハウジ
ングに収めるようにすると、ＷＣＵのサイズを従来の同
クラスの抵抗溶接器よりも小さくできる。このことから
溶接装置のスペースファクタがよくなる。

【００８０】（３）着脱自在なＷＣＵとＷＣＴとの間の
電気的／機械的インターフェイスを標準化できるので、
どのＷＣＵも任意のＷＣＴに接続可能となる。

【００８１】（４）全てのＷＣＵは共通の電気的構成を
持つことができ、これにより制御系一群あたり１台の中
央制御部（ホストコンピュータ若しくはプログラマブル
ロジックコントローラを備えた機器制御インターフェイ
ス）に各ＷＣＵの溶接データを集めることができる。こ
の場合、中央制御部は、集められたデータ若しくはプリ
セットされたデータに応じて、各ＷＣＵの動作の統制を
とることができる。

【００８２】（５）各ＷＣＴはそれ自身のＷＣＵを備え
ており、このＷＣＴはＷＣＵに含まれるマイクロコンピ
ュータの内臓プログラムにより制御される。このプログ
ラムの内容は各ＷＣＴに合わせて自由に決定できるか
ら、例えば３つのＷＣＴを１つのコントローラで制御す
る従来装置の場合の不利を伴わずに、全ての溶接につい
てより良い結果が得られる。

【００８３】（６）電力および冷却水の供給はＷＣＴと
ＷＣＵとのアセンブリ内でうまくまかなわれる。すなわ
ち、電力および冷却水の供給は１箇所に設置されるＷＣ
Ｔ／ＷＣＵアセンブリに対して一括して行なうことがで
きる。

【００８４】（７）各ＷＣＴはそれ自身のＷＣＵを備え
ており、各ＷＣＵはそこに内臓された特定のプログラム
により制御され、各プログラムの内容は各ＷＣＴの特性
に応じて決定できるから、各ＷＣＴが持つべき動作条件
を特定のプログラムにより診断／決定できる。これによ
り、各ＷＣＴを破壊から保護することも可能になる。

【００８５】（８）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備え
ているときは、コストが掛かり取扱の面倒なタップスイ
ッチをＷＣＴに設ける必要性がなくなる。このタップス
イッチは、通常、多数のＷＣＴを用いるときに各ＷＣＴ
への電力バランスをとるために使うが、このタップスイ
ッチの機能は各ＷＣＵの制御機能で賄えるからである。

【００８６】（９）図６の実施例のように構成すれば、
低圧部分（２４，２５）を高圧部分（Ｌ１，Ｈ１，Ｈ
２）から絶縁板（プラスチック板）２５０により隔離で
きる。このようにすれば、ユーザーが低圧信号線（１
２）をＷＣＵ内部に接続する際に、この信号線が誤って
高圧部分に触れてしまうという事故がなくなる。

【００８７】（１０）溶接設定情報を複数箇所、すなわ
ちＭＣＩのメモリと各ＷＣＵのメモリの双方に保存でき
る。この場合、ＭＣＩのメモリと各ＷＣＵのメモリの双
方が同じ情報を記憶するので、溶接制御情報がＭＣＩ側
で変更されると、この変更は自動的かつ正確に各ＷＣＵ
側に伝わる。

【００８８】（１１）溶接設定情報がＭＣＩおよび各Ｗ
ＣＵそれぞれのメモリに格納される場合、ＭＣＩや各Ｗ
ＣＵは、時々刻々と、互いの記憶内容が異なっていない
かどうかを確認し合うことができる。

【００８９】（１２）ＷＣＴ、電源モジュール、制御モ
ジュール等は全てパーツ化され、また各々のパーツを軽
量でコンパクトなプラスチック容器に収めることができ
るので、従来の同クラスの溶接器と較べて小型軽量化し
やすい。

【００９０】（１３）ＭＣＩとＷＣＵとの間の信号伝送
では、例えばパリティチェック法（図１９〜図２１）に
よりエラーチェックできる。この場合、ＭＣＩと各ＷＣ
Ｕとの間の通信エラーを取り除くことができ、正確な溶
接制御シーケンスを確実に行ない得、これにより溶接不
良または不良とは判定されなくても不良ギリギリの低品
質溶接がなされることを防止できる。（この点、従来か
らの直接的な配線法では、配線の一部が断線したりする
と溶接制御シーケンスがおかしくなり、不良溶接または
低品質溶接が起きやすかった。） （１４）ＷＣＴ／ＷＣＵのアセンブリを所定の場所に取
り付ける際に大型のリフトを用意する必要はない。（従
来の溶接器ではこのような大型リフトが必要となること
が多かった。） （１５）ＷＣＵをＷＣＴに直接取り付けることができる
ので、これらの間の入出力配線やその接続プラグ等が不
要になり、この点からも製品コスト的に有利となる。

【００９１】（１６）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備
えているときは、複数のＷＣＴを用いるときに従来必要
であったジャンクションボックスを省略できる。

【００９２】（１７）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備
えており、各ＷＣＵをそこに格納されたプログラムによ
り制御できる。このプログラムは各ＷＣＴ毎の力率制御
に特定できるから、ＷＣＴを大電力で動作させる際にこ
のＷＣＴが飽和しないような力率制御が可能となる。

【００９３】（１８）溶接を定電流で行なおうとすると
きは、定電流補償の対象が１トランス／１ガンとシンプ
ルであるため、電流補償が容易となる。（なお、この種
の定電流補償は、例えば特願昭６１−２１７９２１号に
開示されている。） （１９）ＷＣＵが図１８の３３２で示すような電圧検出
器を備えているときは、ＡＣ電源ラインとＷＣＵとの間
の電圧降下の影響を受けることなく、正確なＡＣ電源ラ
イン電圧の検出が可能となる。すなわち、検出したサン
プル値があたかもＷＣＴから得られたものであるかのご
とく、かつ全ての電源ライン電圧降下がこのＷＣＴの位
置で観測されているかのごとく、ＡＣ電源ライン電圧を
より確実に検出できる。

【００９４】（２０）溶接用に集めるデータは多数の溶
接作業の平均に合せたものでなく、個々の溶接作業に特
に合せたものとなっている。このため溶接の品質判定に
対してより正確なデータを採用できる。

【００９５】（２１）各ＷＣＵは良好な溶接が行なわれ
たかどうかチェックできる（図２３）。行なわれた溶接
が不良であったときは、ＭＣＩは不良溶接を行なったＷ
ＣＴのＷＣＵ（１つまたは複数）にのみ再溶接指令を送
る。これにより、せっかく良好な溶接を行なったＷＣＴ
で無駄な再溶接が行なわれるのを防止できる。

【００９６】（２２）１つの溶接に対して１つのＷＣＵ
を用意できるから、各ＷＣＵの動作の診断に厳密な電流
制限値を採用できる（図２４）。

【００９７】（２３）ＷＣＴ／ＷＣＵ収納用にモールド
プラスチックを採用したことにより、金属キャビネット
を用いた従来の溶接器よりも生産性が高くなる。

【００９８】（２４）シャントトリップループが開とな
ったときにしゃ断器をトリップするようにシャントトリ
ップ回路を改良（図１７）できる。この改良により、い
わゆる「フェイルセーフ状態」が得られる。

【００９９】（２５）ＷＣＵがどんなときでもシャント
トリップを実行してしまうことを防止するよう改良し
た。すなわち、シャントトリップは、次の２条件が同時
に成立したときにのみ機能する： （ｉ）ＳＣＲの出力（図１７のターミナルＨ１，Ｈ２）
にある程度の電圧が出ていること。

【０１００】（ii）シャントトリップ禁止状態が解けて
いること（つまり図１７の実施例ではリレーＣＲ２の接
点が閉じていること）。

【０１０１】（２６）各ＷＣＵはそれぞれの特定番号
（アドレス番号）で識別できるから、たとえ数多くのＷ
ＣＵが１つのＭＣＩに単一のシリアル伝送線を介して接
続されていても、このＭＣＩは正確に各ＷＣＵの動作の
統制をとることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る抵抗溶接装置の外観
斜視図であって溶接制御トランスＷＣＴと溶接制御ユニ
ットＷＣＵとのアセンブリを示す。

【図２】図１に示す溶接制御トランスＷＣＴの一側面
図。

【図３】図１に示す溶接制御トランスＷＣＴの底面図。

【図４】図１に示す抵抗溶接装置アセンブリの上側面図
であって溶接制御ユニットＷＣＵに含まれる電源モジュ
ール（１７）および制御モジュール（１８）を示す。

【図５】図４に示す溶接制御ユニットＷＣＵの一側面
図。

【図６】図４に示す電源モジュール（１７）の内部構造
を例示する図。

【図７】図６のＳＣＲモジュール（２３）の構造を例示
するもので、図７の（Ａ）はこのＳＣＲモジュールの冷
却部側面を例示し、図７の（Ｂ）はこのＳＣＲ冷却部の
内部構造を例示する図。

【図８】図４の制御モジュール（１８）の内部構造を部
分的に例示する図。

【図９】図８の制御モジュール（１８）の底面を例示す
る図。

【図１０】この発明に係る抵抗溶接装置を利用した溶接
システムの概要を示すものでＷＣＴとＷＣＵとのアセン
ブリが複数並列に機器制御インターフェイスＭＣＩに接
続された場合を示す。

【図１１】従来の抵抗溶接装置の基本構成を示す。

【図１２】自動車工場等で用いられる従来の抵抗溶接シ
ステムの例を示す。

【図１３】多数のＷＣＴ／ＷＣＵアセンブリが用いられ
る抵抗溶接システムの例であってこの発明に係る部分
（実線部分）と従来システム（破線部分）とが混在する
場合を示す。

【図１４】１つのＷＣＵに３つのタップスイッチ付きＷ
ＣＴを組み合わせた構成の斜視図であってジャンクショ
ンボックスにより選択されたＷＣＴがＷＣＵに接続され
る場合を示す。

【図１５】この発明に係る抵抗溶接システムの概要を示
すもので機器制御インターフェイスＭＣＩにＷＣＴ／Ｗ
ＣＵの複数アセンブリがデジーチェーン接続のシリアル
通信線により接続される場合を示す。

【図１６】図１５の機器制御インターフェイスＭＣＩの
代表的な周辺機器を示す。

【図１７】溶接制御トランスＷＣＴの一次回路およびシ
ャントトリップ回路に係る溶接制御ユニットＷＣＵの回
路構成例を示す。

【図１８】図８に示されるＰＣボード（３３）に組み込
まれる回路構成と共に図６のＳＣＲモジュール（２３）
の点弧回路（３３５）を示す。

【図１９】溶接条件データＤｃｏｎのフォーマット例を
示す。

【図２０】シリアル伝送されるデータ（Ｄｃｏｎ）のパ
リティチェック手順を例示するフローチャート。

【図２１】直列伝送されるデータ（Ｄｃｏｎ）のパリテ
ィチェック手順の他例を示すフローチャート。

【図２２】溶接条件データＤｃｏｎの確認手順を例示す
るフローチャート。

【図２３】所定のデータＤｓｅｔに基づく溶接動作の確
認手順を例示するフローチャート。

【図２４】溶接電流Ｄｃｕｒの確認手順を例示するフロ
ーチャート。

【図２５】図１７、図１８のＳＣＲに対する新たな点弧
角データＤｆｉａ＊を決定する制御手順を例示するフロ
ーチャート。

【図２６】図２５の制御手順を実行する構成を例示する
ブロック図である。

【符号の説明】

１０…溶接制御トランス（ＷＣＴ；溶接手段モジュー
ル）、１７…電源モジュール（電源手段モジュール）、
１８…制御モジュール（制御手段モジュール）、１７＋
１８…溶接制御ユニット（ＷＣＵ）、１…ガン、１Ｘ…
溶接電極、２…ケーブル、２６０…冷却水パイブ（冷却
手段）、１４…底端面、１１ａ，１１ｂ…スタッド、１
２…サーモスタット信号線、１５，２１ａ〜２１ｄ…タ
ッピングネジ穴、１７…電源モジュール、１８…制御モ
ジュール、１９，２１０ａ〜２１０ｄ…ネジ、２３…Ｓ
ＣＲモジュール、Ｌ１，Ｌ２，Ｈ１，Ｈ２…高圧ターミ
ナル、２２Ｌ１，２２Ｈ２…高圧電源ライン、２４…低
圧ターミナルブロック、２５…低圧コネクタ（信号接続
手段）、２５０…絶縁板（分離手段）、２６ａ，２６ｂ
…ニップル、２３０…冷却容器、２３２…絶縁シート、
３０…ＥＰＲＯＭ、３１…アドレススイッチ、３２ａ〜
３２ｃ…ノブ、３３…ＰＣボード、３４…クッション
材、３５Ａ…ＬＥＤ３５Ａ、３５Ｂ…プラスチックレン
ズ、３６…低圧コネクタ、４０…マスターしゃ断器、４
１…シャントトリップ回路、４２，４２Ａ…機器制御イ
ンターフェイス（ＭＣＩ；主制御手段）、４２Ｂ…プロ
グラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）、４３，４
４…端末装置、４３Ａ…ファイルサーバ用バードディス
ク装置、４３Ｂ…ファイルサーバアクセス機器、４３Ｃ
…ＷＣＵ用アクセス機器、４３Ｄ…リモートＩ／Ｏ端
末、１４１…ジャンクションボックス、１４２…タップ
スイッチ、ＴＤ…駆動トランス、ＴＰ…電源トランス、
ＣＲ１，ＣＲ２…シャントトリップリレー、ＣＴ…変流
器、３３０…シリアル通信インターフェイス、３３１…
マイクロプロセサ（ＭＰＵ）、３３２…第１電圧検出
器、３３３…第２電圧検出器、３３４…点弧回路、３３
５…整流器、Ｄｃｏｎ…溶接条件データ、ＣＨ１〜ＣＨ
６…チャネル、ＶＤＧ…垂直データ群、ＨＤＧ…水平デ
ータ群、ＳＴＸ…開始コード、ＥＸＴ…終了コード、Ｈ
ＰＣ…パリティコード、Ｄｅｒｒ…許容エラー値、Ｄｗ
ｅｌ…溶接データ、Ｄｓｅｔ…設定値データ、Ｄａｖｅ
…溶接電流平均値、Ｄｍａｘ…最大電流限データ、Ｄｍ
ｉｎ…最小電流限データ、Ｄｆｉａ…点弧角データ、Ｄ
ｃｏａ…導通角データ、Ｄｐｆａ…力率角データ、Ｄｄ
ｉｆ…差分データ、Ｄｆｉａ＊…点弧角データ、５０…
設定値発生器、５２…加算点、５４…電流帰還増幅回
路、５６…ＰＩＤ制御回路、５８…ＰＩＤゲインパラメ
ータ発生器、６０…点弧角制御回路、５０〜６０…力率
補償手段、ＳＴ１４…パリティチェック手段。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 個別の溶接を行う複数の溶接ユニット
   と、これらの溶接ユニット各々に接続されそれらの溶接
   条件のデータを収集し収集した溶接条件データに基づき
   前記溶接ユニット各々の溶接を管理する主制御手段とを
   備えたものにおいて、 前記溶接ユニット各々が、 溶接電極および溶接トランスを有し所定の溶接電力を用
   いて溶接電極において溶接を行う溶接手段モジュール
   と；前記溶接手段モジュールに取り付けられ取り付けら
   れた溶接手段モジュールの溶接条件を決定する制御手段
   モジュールと；前記溶接手段モジュールおよび前記制御
   手段モジュールに取り付けられこれらのモジュールそれ
   ぞれに電力を供給する電源手段モジュールとを備え、 前記溶接手段モジュール、前記制御手段モジュールおよ
   び前記電源手段モジュールを一定の電気的および機械的
   接続インターフェイスを用いて一体化することにより、
   前記溶接手段モジュール、前記制御手段モジュールおよ
   び前記電源手段モジュールそれぞれが、同じ電気的およ
   び機械的接続インターフェイスを採用する他の前記溶接
   手段モジュール、前記制御手段モジュールおよび前記電
   源手段モジュールと互換性を持つように構成したことを
   特徴とする溶接システム。
2. 【請求項２】 個別の溶接を行う複数の溶接ユニット
   と、これらの溶接ユニット各々に接続されそれらの溶接
   条件のデータを収集し収集した溶接条件データに基づき
   前記溶接ユニット各々の溶接を管理する主制御手段とを
   備えたものにおいて、 前記溶接ユニット各々が、 溶接電極および溶接トランスを有し所定の溶接電力を用
   いて溶接電極において溶接を行う溶接手段モジュール
   と；前記溶接手段モジュールに取り付けられ、取り付け
   られた溶接手段モジュールの溶接条件を決定する制御手
   段モジュールと；前記溶接手段モジュールおよび前記制
   御手段モジュールに取り付けられ、これらのモジュール
   それぞれに電力を供給する電源手段モジュールとを備
   え、 前記電源手段モジュールに接続され、この電源手段モジ
   ュールに電力を供給する電源の力率を補償する力率補償
   手段をさらに備えたことを特徴とする溶接装置。
3. 【請求項３】 各々が溶接制御トランスを持ち溶接を行
   う複数の溶接ユニットと；これらの溶接ユニット各々に
   接続され、それらの溶接条件のデータを収集し、収集し
   た溶接条件データに基づき前記溶接ユニット各々の溶接
   を管理する主制御手段と；複数の前記溶接ユニットそれ
   ぞれに電力を供給する複数の電源手段モジュールと；前
   記電源手段モジュールに取り付けられ、この電源手段モ
   ジュールおよび前記溶接制御トランスを冷却する冷却手
   段とを備えたことを特徴とする溶接装置。
4. 【請求項４】 各々が溶接制御トランスを持ち溶接を行
   う複数の溶接ユニットと、これらの溶接ユニット各々に
   接続されそれらの溶接条件のデータを収集し収集した溶
   接条件データに基づき前記溶接ユニット各々の溶接を管
   理する主制御手段とを備えたものにおいて、 前記主制御手段が、複数の前記溶接ユニットへ供給され
   る溶接条件データおよびこれらの溶接ユニットから得ら
   れる溶接条件データのエラーの有無をチェックするパリ
   ティチェック手段と；複数の前記溶接ユニットへ所定の
   電力を供給する複数の電源手段モジュールとを備えたこ
   とを特徴とする溶接装置。
5. 【請求項５】 各々が溶接制御トランスを持ち溶接を行
   う複数の溶接ユニットと；これらの溶接ユニット各々に
   接続されそれらの溶接条件のデータを収集し収集した溶
   接条件データに基づき前記溶接ユニット各々の溶接を管
   理する主制御手段と；複数の前記溶接ユニットへ所定の
   電力を供給する複数の電源手段モジュールと；複数の前
   記溶接ユニットをデジーチェーン直列接続しこれらの溶
   接ユニットと前記主制御手段との間で通信を行うための
   デジーチェーン直列通信線とを備えたことを特徴とする
   溶接システム。