JPH0538586A - 抵抗溶接システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 多数の溶接制御ユニットＷＣＵをホストコン
ピュータＭＣＩに集中接続し、これらを総括的に管理す
る。 【構成】 この発明の抵抗溶接システムは、溶接電極を
備えた溶接部ＷＣＴと、この溶接部ＷＣＴに着脱自在に
結合され溶接部ＷＣＴにて行なわれる溶接の条件を設定
する制御部ＷＣＵとで構成されるアセンブリと；複数の
前記アセンブリに接続されるものであって複数アセンブ
リ各々の前記制御部ＷＣＵの動作および溶接条件を総括
管理するホストコンピュータＭＣＩとを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は複数の抵抗溶接装置を
管理する抵抗溶接システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に抵抗溶接器やアーク溶接器等の溶
接装置が広く用いられている。このような溶接装置は工
場等で多く使われており、特に自動車工場では自動車ボ
ディに薄い鋼板を溶接する際に必要不可欠のものとなっ
ている。

【０００３】図１１は従来の抵抗溶接装置の基本構成を
示すもので、溶接電極を備えたガン１と、溶接制御トラ
ンス２と、溶接制御ユニット３とからなる。近年は抵抗
溶接装置の小型化に対する要求が高まってきているが、
この種の小型抵抗溶接装置は、例えばガン１およびトラ
ンス２のアセンブリと制御ユニット３といった２つのコ
ンポーネントから構成できる。

【０００４】自動車工場で通常用いられる抵抗溶接装置
では、図１２に示すように、溶接制御トランス２、シー
ケンサ４およびプログラムユニット５がコンベアライン
Ｃに沿って配設され、溶接制御ユニット３のみがコンベ
アラインＣから離れた位置にある制御／監視室に設置さ
れる。このため、多くの場合制御ユニット３とコンベア
ラインＣとは物理的に数十メーター以上離れることにな
る。すると、ユニット３とトランス２との間に長尺のパ
ワーケーブル６が必要になり、ユニット３とシーケンサ
４との間に長尺の信号ケーブル７が必要になり、ユニッ
ト３とユニット５との間に長尺の信号ケーブル８が必要
になる。

【０００５】ところで、最近の自動車工場ではマルチス
ポット溶接が多く用いられる。このマルチスポット溶接
では、自動車ボディすなわち溶接しようとするワークピ
ースが治具に取り付けられ、多くの溶接電極を備えたガ
ンを持つ工業用ロボットにより、ワークピースに対して
多数のスポット溶接が同時に行なわれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の溶接装
置では、ガン、溶接制御トランス、溶接制御ユニット、
シーケンサ、プログラムユニットがバラバラに配置され
ているため、溶接制御トランスと各ユニット間の信号伝
送用に多くの長尺ケーブルの設置が必要になる。このた
め、その設置コストおよび設置スペース等が問題になっ
ている。さらにマルチスポット溶接を行なう場合では、
ガン、トランス、シーケンサ、プログラムユニットと言
った多くのコンポーネントが所定の相互関連をもって配
設されねばならないので、溶接条件の変更、各コンポー
ネントの配置替え若しくはそれらのメンテナンスは大変
な作業になる。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、上記従来の問題を軽減若しくは除去できる抵抗溶接
システムを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る抵抗溶
接システムは、溶接電極を備えた溶接部（ＷＣＴ）と、
前記溶接部（ＷＣＴ）に着脱自在に結合され前記溶接部
（ＷＣＴ）にて行なわれる溶接の条件を設定する制御部
（ＷＣＵ）とで構成されるアセンブリと；複数の前記ア
センブリに接続されるものであって複数アセンブリ各々
の前記制御部（ＷＣＵ）の動作および溶接条件を総括管
理するホストコンピュータ（ＭＣＩ）とを備えている。

【０００９】第２の発明に係る抵抗溶接システムは、溶
接電極を備えた溶接制御トランス（ＷＣＴ）と、前記溶
接制御トランス（ＷＣＴ）が行なう溶接の条件を設定す
る溶接設定情報を格納するメモリ（３０，３０Ａ，３０
Ｂ）を持つ溶接制御ユニット（ＷＣＵ）とで構成される
アセンブリと；複数の前記アセンブリに通信回線を介し
て接続されるものであって複数アセンブリ各々の前記溶
接制御ユニット（ＷＣＵ）を前記溶接設定情報の操作に
より一括管理する機器制御インターフェイス（ＭＣＩ）
とを備えている。

【００１０】

【作用】第１の発明の溶接システムでは、従来のシーケ
ンサやプログラムユニットの機能は制御部ＷＣＵに吸収
される。この制御部ＷＣＵでは溶接条件等の設定／変更
が個別かつ自由にできる。また制御部ＷＣＵは溶接部Ｗ
ＣＴと着脱自在なので、個々の重量／サイズは相対的に
小さくなり、工場内での手作業による配置替えが容易に
なる。

【００１１】ここで個々の制御部ＷＣＵがホストコンピ
ュータに接続されているので、多数の溶接アセンブリを
総括的に制御できる。また制御部ＷＣＵと溶接部ＷＣＴ
との結合部分を規格化しておけば、種々の制御部ＷＣＵ
のどれでも複数の溶接部ＷＣＴいずれかに自由に接続で
きる。

【００１２】第２の発明では、前記溶接設定情報が複数
アセンブリ各々の前記メモリ（３０，３０Ａ，３０Ｂ）
および前記機器制御インターフェイス（ＭＣＩ）の双方
に保存される。これにより、前記溶接設定情報を前記機
器制御インターフェイス（ＭＣＩ）側で変更すれば、こ
の変更を自動的に複数アセンブリ各々の前記溶接制御ユ
ニット（ＷＣＵ）に伝えることができる。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。なお説明にあたり、各図において共通部分には
共通の参照符号を用いることにより、説明済み部分の重
複説明を避けることにする。

【００１４】図１はこの発明に係る抵抗溶接装置を利用
した溶接システムの概要を示す。ここでは、ＷＣＴとＷ
ＣＵとのアセンブリが３組並列接続され、この並列アセ
ンブリが機器制御インターフェイス（ＭＣＩ）４２に接
続されている。このＭＣＩ４２には端末装置４３がさら
に接続されている。なお、これらのＷＣＴ／ＷＣＵアセ
ンブリは、例えばＲＳ−２３２またはＲＳ−４２２規格
の一般的なシリアル通信ラインを介して、デジーチェイ
ン接続される。

【００１５】ＷＣＵの電源モジュール１７はワイアード
オア接続され、かつ、マスターしゃ断器４０内のシャン
トトリップ回路４１に接続される。端末装置４４はＷＣ
Ｕのいくつかに適宜接続される。仮に、いくつかのＷＣ
Ｕ内のＳＣＲが壊れて短絡してしまったとすると、この
ような壊れたＳＣＲを含むＷＣＵからシャントトリップ
回路４１へシャントトリップ信号が送られ、これにより
ＷＣＴへの給電がしゃ断される。

【００１６】図１の実施例では、ＭＣＩ４２に対するラ
ダープログラムおよび複数ＷＣＵの各制御モジュール１
８内に記憶された溶接プログラムを、端末装置４３を用
いて実行させることができる。たとえ多数のＷＣＵを同
時に使用する場合であっても、各ＷＣＵに固有のユニッ
ト番号をＭＣＩ４２を介して指定することにより．端末
装置４３は所望の制御モジュール１８と交信することが
できる。

【００１７】直列伝送線路を用いて所定の溶接シーケン
スを実行しようとするときは、ＭＣＩ４２は作動させよ
うとする制御モジュール１８のユニット番号を直列伝送
されるテキストに付加し、これを直列伝送線路へ送出す
る。このテキストは全ての制御モジュール１８に転送さ
れるが、このテキストに付加されたユニット番号と合致
する１つの制御モジュールだけが、このテキストに応答
する。そして、この１つの制御モジュール１８だけが、
送られてきたテキストの中味にしたがって溶接を行な
う。

【００１８】２以上のＷＣＴで同時に溶接を行なおうと
するときは、ＭＣＩ４２は２以上のユニット番号を含む
アドレスデータを全ての制御モジュールに送る。する
と、送られたユニット番号に対応したＷＣＴだけがそれ
らの溶接を実行する。もし全てのＷＣＴを同時に作動さ
せたいときは、全てのユニット番号を指定する特別なア
ドレスデータ（例えばデータ９９）を、ＭＣＩ４２から
全ての制御モジュール１８に送る。

【００１９】またＭＣＩ４２は、各制御モジュール１８
に対して、溶接が完了したかどうか、あるいは良好な溶
接が行なわれたかどうか等の問い合わせを発するように
もなっている。

【００２０】図２はこの発明の一実施例に係る抵抗溶接
装置のアセンブリを示す斜視図である。このアセンブリ
は溶接制御トランス１０（以下単にＷＣＴと略記する）
および溶接制御ユニット１７＋１８（以下単にＷＣＵと
略記する）からなっている。溶接電極１Ｘを持つガン１
はケーブル２を介してＷＣＴ１０に接続される。ここで
は図示しないが、ＷＣＴ１０およびＷＣＵ１７＋１８は
それぞれ冷却器を備えており、ＷＣＴの冷却器は冷却水
パイプ２６０を介してＷＣＵの冷却器に接続されてい
る。外部からの冷却水はまずＷＣＵの冷却器に注入さ
れ、ＷＣＵを通過した冷却水は続いてＷＣＴの冷却器に
送られる。ＷＣＵ内のＳＣＲ（サイリスタ）およびＷＣ
Ｔ内のトランスにより温ためられた冷却水はＷＣＴから
外部へ流れ出るようになっている。

【００２１】図２の冷却構造では、１本の冷却水パイブ
だけで溶接装置アセンブリのＷＣＵおよびＷＣＴ双方を
充分に冷却できる。

【００２２】図３は図２に示す溶接制御トランスＷＣＴ
１０の一側面を示す。また図４はこのＷＣＴ１０の底面
を示す。ＷＣＴ１０の底端面１４には金属スタッド１１
ａ，１１ｂと、サーモスタット信号線１２と、タッピン
グネジ穴１５とが設けられている。スタッド１１ａ，１
１ｂは、ＷＣＴ１０の一次巻線をＷＣＵの一部を構成す
る電源モジュール（１７）内のＳＣＲ（サイリスタ）に
接続するのに用いられる。ＷＣＴ１０内のサーモスタッ
ト（図示せず）からの信号線１２はＷＣＵの一部を構成
する制御モジュール（１８）に接続される。このサーモ
スタットは、ＷＣＴ１０がオーバーヒートするのを防止
するために用いられる。

【００２３】図５は図２に示す溶接装置アセンブリの上
側面を示す。また、図６は図５のＷＣＵの一側面を示
す。図示するように、溶接制御ユニットＷＣＵは電源モ
ジュール１７および制御モジュール１８からなってい
る。電源モジュール１７および制御モジュール１８から
なるＷＣＵは、ＷＣＴ１０の底端面１４にマウントさ
れ、ネジ１９（図６）とタッピングネジ穴１５（図４）
により固定される。

【００２４】図７は電源モジュール１７の内部の詳細を
示す。図６のネジ１９はネジ穴２０ａ−２０ｄを通して
図４のタッピングネジ穴１５にねじ込まれる。その他の
タッピングネジ穴２１ａ−２１ｄは制御モジュール１８
を電源モジュール１７に固定するためのもので、この固
定には他のネジ（図１０の２１０ａ−２１０ｄ）が用い
られる。

【００２５】図７において、高圧電源ライン２２Ｌ１は
ＳＣＲモジュール２３の端子Ｌ１に接続される。端子Ｌ
１およびＨ１は、ＳＣＲモジュール２３のプラスチック
ハウジングに内装される逆並列接続されたＳＣＲに接続
される。（このＳＣＲに関する詳細な回路構成は図１７
を参照して後述する。）端子Ｈ１およびＨ２は、ＷＣＴ
１０の一次巻線につながった図４のスタッド１１ａおよ
び１１ｂに接続される。端子Ｌ１およびＨ２には、電源
ライン２２Ｌ１および２２Ｈ２を介して、例えば４８０
Ｖ程度の高圧ＡＣ電力が供給される。

【００２６】ＷＣＴ１０からのサーモスタット信号線１
２は、低圧コネクタ２５のターミナルブロック２４に接
続される。この低圧ターミナルブロック２４には、シャ
ントトリップ信号その他の信号線も接続される。低圧タ
ーミナルブロック２４は、例えばプラスチック製の絶縁
板２５０により、高圧ターミナルＬ１，Ｈ１，Ｈ２から
隔離される。絶縁板２５０により、低圧信号線（１２）
のリードチップが高圧ターミナルに誤って触れてしまう
事故が防止される。

【００２７】図７のＳＣＲモジュール２３は一対の逆並
列接続ＳＣＲと共にその冷却構造を含んでいる。冷却水
はニップル２６ａ，２６ｂの一方から流入しその他方か
ら流出する。

【００２８】図８（Ａ）は冷却水が通るＳＣＲ冷却容器
２３０の側面を示す。また、図８（Ｂ）はこの冷却容器
２３０の内部構造例を示す。冷却容器２３０は銅等の金
属でできている。ＳＣＲモジュール２３のプラスチック
ハウジング内に配設されたＳＣＲ−１，ＳＣＲ−２は、
例えばマイカまたはマイラー（登録商標）製の絶縁シー
ト２３２を介して、冷却容器２３０の冷却面に間接的に
熱結合される。

【００２９】図８（Ｂ）に示すような構成により、冷却
容器２３０を、ＳＣＲモジュール２３のプラスチックハ
ウジング内でＳＣＲとともに一体化できる。これにより
冷却容器２３０がＳＣＲと近接配置され、ＳＣＲモジュ
ール２３をコンパクトなものにできる。

【００３０】加えて、高圧を扱うＳＣＲが電気的絶縁製
の良いプラスチックハウジング内に密封されるから、Ｓ
ＣＲモジュール２３を含む電源モジュール１７を金属ケ
ースに収める場合でも、この金属ケースの壁面とＳＣＲ
モジュール２３のプラスチックハウジングとの間隔を大
きく採る必要がなくなる。このことも、電源モジュール
１７の小型化に寄与する。

【００３１】図９は図５の制御モジュール１８の内部構
造を部分的に示す。この制御モジュール１８には、ＥＰ
ＲＯＭ３０，ＬＥＤ３５Ａ，マイクロプロセサＭＰＵ
（図示せず），ポテンシオメータ（図示せず）等が取り
付けられたプリント基板（ＰＣボード）３３が内装され
ている。このＰＣボード３３は、柔らかなゴムなどのク
ッション材３４により、制御モジュール１８内の所定の
空間に保持されている。制御モジュール１８は、軽量プ
ラスチックのモールドで作ることができる。

【００３２】ＰＣボード３３に取り付けられたＬＥＤ３
５Ａの直上には、プラスチックレンズ３５Ｂが配置され
ている。このレンズを介してＬＥＤ３５Ａの点灯状態を
見ることにより、溶接装置の使用者はそのＷＣＵが動作
しているかどうかを知ることができる。なお、このレン
ズ３５Ｂは、制御モジュールの外部との光データ通信イ
ンターフェイスとして利用することもできる。

【００３３】各ＷＣＵの動作は、そこに内臓されたＥＰ
ＲＯＭ３０の記憶内容に依存する。すなわち、ＥＰＲＯ
Ｍ３０の記憶内容を書き替えるか、これを他のＥＰＲＯ
Ｍ３０と交換することにより、そのＷＣＵの動作を容易
に変更／修正できる。

【００３４】図１０は図９の制御モジュール１８の底面
を示す。ＰＣボード３３のポテンシオメータのノブ３２
ａ、３２ｂおよび３２ｃは、溶接電流、最大溶接電流お
よび最小溶接電流をプリセットするのに用いられる。ア
ドレススイッチ３１は、各制御モジュール１８にそれぞ
れ固有のユニット番号（例えば０〜１５）を付与すると
きに用いられる。なお多数のＷＣＵが機器制御インター
フェイス（ホストコンピュータ）ＭＣＩに接続された場
合、このＭＣＩはスイッチ３１により付与された各ＷＣ
Ｕに固有のユニット番号を識別することができる。

【００３５】ＰＣボード３３上の回路の信号線は、図１
０に示される低圧コネクタ３６に接続されている。制御
モジュール１８が電源モジュール１７に結合されるとき
には、図１０の低圧コネクタ３６は図７の低圧コネクタ
２５に差し込まれる。ここで、ネジ２１０ａ−２１０ｄ
とタッピングネジ穴２１ａ−２１ｄとにより、制御モジ
ュール１８は電源モジュール１７に機械的に固定され
る。

【００３６】なお、コネクタ２５とコネクタ３６との間
の電気的な接続インターフェイスと共に、モジュール１
７とモジュール１８との間の機械的な接続インターフェ
イスは、規格化されている。従って、任意のＷＣＵをど
のＷＣＴにも接続できる。このため、あるプログラムを
持つＥＰＲＯＭ３０を含むＷＣＵをその他のプログラム
を持つＥＰＲＯＭ３０を含む他のＷＣＵと交換した場
合、この簡単な交換作業だけで、そのＷＣＵに結合され
たＷＣＴの溶接特性を容易に変更できる。

【００３７】図１３は多数のＷＣＴ／ＷＣＵアセンブリ
が用いられる抵抗溶接システムを示すもので、例えば自
動車工場で用いられる。このシステムには従来技術と本
願発明が混在しており、この発明に係る部分が実線で示
され、従来からの部分が破線で示されている。

【００３８】図１３の破線で示すように、この従来シス
テム部分では、溶接コントローラ１つにつき３つのタッ
プスイッチ付き溶接トランスがジャンクションボックス
を介して結合され、これらの溶接コントローラが溶接バ
スを介してＭＣＩ（図示せず）に並列に接続される。

【００３９】この従来システムの構成では１つの溶接コ
ントローラが３つの溶接トランスに共通している。この
ため、これら３つの溶接トランスの溶接特性が互いに異
なるときは、この溶接コントローラの制御特性を１つの
溶接トランスに合わせたとしても、残りの２つの溶接ト
ランスに対しては特性ミスマッチとなる。

【００４０】図１３の実線で示すように、この発明に係
る溶接システム部分では、１つのＷＣＵ（溶接コントロ
ーラ）が１つのＷＣＴ（タップレス溶接制御トランス）
に専用に設けられており、かつＷＣＵとＷＣＴとのアセ
ンブリの全てが単一のシリアルデータ伝送線路（例えば
ＲＳ−４２２準拠のもの）を介してＭＣＩ（図示せず）
に接続されている。そして、各ＷＣＵの制御特性は、図
１０に示したＥＰＲＯＭ３０内のプログラムに応じて、
任意に決定できる。

【００４１】ＭＣＩは全てのＷＣＵからの全溶接データ
を集め、各ＷＣＵに指令若しくは溶接データを個別に送
ることができる。従って、仮に全てのＷＣＴの溶接特性
が互いに異なるものであっても、各ＷＣＴに対して最良
の特性を得ることができる。

【００４２】図１４は、おのおのがタップスイッチ１４
２を備えた３つのＷＣＴと１つのＷＣＵとの組み合わせ
を示す。この図では、ジャンクションボックス１４１の
選択によって、ＷＣＴと１つのＷＣＵとの接続を行なっ
ている。

【００４３】この発明のＷＣＵは、図１４に示すような
構成の溶接装置にも適用できる汎用性を備えている。す
なわち、プログラムの可変性とコンパクトさというこの
発明のＷＣＵが持つ特徴は、ジャンクションボックス１
４１およびタップスイッチ１４２を用いた場合にもな
お、価値を失わない。

【００４４】図１５はこの発明に係る抵抗溶接システム
の概要を示すもので，デジーチェーン接続のシリアル通
信線（ＲＳ−４２２）を介して、ＷＣＴ／ＷＣＵの複数
アセンブリが機器制御インターフェイスＭＣＩに接続さ
れる場合を示す。ここで、ＭＣＩ４２Ａはプログラマブ
ルロジックコントローラＰＬＣ４２Ｂを備えており、Ｐ
ＬＣ４２Ｂは、各ＷＣＴの溶接電極１Ｘのオン／オフや
図１２に示すようなコンベアＣの作動を制御するのに用
いられる。

【００４５】図１６は、図１５の機器制御インターフェ
イスＭＣＩと併用される代表的な周辺機器を示す。ここ
では、ファイルサーバ用バードディスク装置４３Ａや他
のＭＣＩ等が、例えばイーサネットのようなローカルエ
リアネットワークを介して、ＭＣＩ４２Ａに接続されて
いる。その他、ＭＣＩ４２Ａには、ファイルサーバアク
セス機器４３Ｂ、ＷＣＵ用アクセス機器４３Ｃ、リモー
トＩ／Ｏ端末４３Ｄ等が接続されている。このような構
成の下で、ＭＣＩ４２Ａは多くの周辺機器から種々な情
報を収集できる。

【００４６】図１７は溶接制御トランスＷＣＴの一次回
路およびシャントトリップ回路に係る溶接制御ユニット
ＷＣＵの回路構成例を示す。ＷＣＴの一次巻線の一端
は、逆並列接続されたＳＣＲ−およびＳＣＲ−２のター
ミナルＨ１に接続される。ＳＣＲ−１のゲートおよびカ
ソードは、高圧コネクタのコンタクトＧ１およびＫ１を
介して、駆動トランスＴＤの第１の二次巻線に接続され
る。ＳＣＲ−２のゲートおよびカソードは、高圧コネク
タのコンタクトＧ２およびＫ２を介して、駆動トランス
ＴＤの第２の二次巻線に接続される。

【００４７】ＷＣＴの一次巻線の他端は、ターミナルＨ
２に接続される。ターミナルＨ２は、高圧コネクタのコ
ンタクトＬ２を介して、電源トランスＴＰの二次巻線の
一端に接続される。電源トランスＴＰの二次巻線の他端
は、高圧コネクタのコンタクトＬ１を介して、ターミナ
ルＬ１に接続される。電源トランスＴＰの一次巻線は、
例えばＡＣ１１０Ｖの電源ラインに接続される。

【００４８】ターミナルＨ１およびＨ２はしゃ断器４０
の電源回路に接続される。ターミナルＨ１は、抵抗Ｒを
介して、シャントトリップリレーＣＲ１のコイルＣＲの
一端に接続される。ターミナルＨ２は、シャントトリッ
プリレーＣＲ２のリレー接点を介して、シャントトリッ
プリレーＣＲ１のコイルＣＲの他端に接続される。リレ
ーＣＲ２のコイルＣＲの駆動は図１５その他に示したＭ
ＣＩ（４２）により行なわれる。

【００４９】リレーＣＲ１のリレー接点は、全てのＷＣ
Ｕにより形成されるシャントトリップループの中に挿入
されている。このシャントトリップループはシャントト
リップ制御リレー４１のコイルおよび２４ＶのＡＣ電源
も含む。リレー４１のリレー接点はしゃ断器４０のシャ
ントトリップコイルと１１０ＶのＡＣ電源との間に挿入
される。

【００５０】ＷＣＴの一次巻線に生じる電圧信号は、低
圧コネクタ２５を介して、ＰＣボード３３内の電気回路
に導かれる。ＳＣＲに流れる電流は、変流器ＣＴにより
検出される。検出されたＳＣＲ電流信号は、低圧コネク
タ２５を介して、ＰＣボード３３内に送られる。

【００５１】図１８は、図９に示されるＰＣボード３３
に組み込まれる回路構成を示す。ＷＣＴの一次巻線（ま
たはターミナルＬ１，Ｌ２間）の電圧信号は、第１電圧
検出器３３２を介してマイクロプロセサ（以下単にＭＰ
Ｕと略記する）３３１に供給される。ＳＣＲの両端に現
われる電圧の信号は、第２電圧検出器３３３を介してＭ
ＰＵ３３１に供給される。ＳＣＲに流れる電流の信号
は、整流器３３５を介してＭＰＵ３３１に供給される。

【００５２】ＭＰＵ３３１は、ＲＳ−４２２シリアル通
信インターフェイス３３０を介して、図１５等に示すＭ
ＣＩ４２Ａと結合される。ＭＰＵ３３１に所定の動作シ
ーケンスは，ＲＯＭ３０Ａに格納しておくことができ
る。ＭＣＩ４２Ａへ送ろうとするデータおよびＭＣＩ４
２Ａから送られてくるデータは、ＲＡＭ３０Ｂに格納で
きる。

【００５３】ＰＣボード３３内のＭＰＵ３３１は、ＷＣ
ＴおよびＳＣＲの電圧／電流の情報を受け取り、受け取
った情報から、溶接電流の大きさを検出したり、電圧／
電流の位相差からその力率を算出したりする。ＭＰＵ３
３１が検出したデータは、ＲＳ−４２２通信線を介し
て、ＭＣＩ４２Ａに送られる。ＭＰＵ３３１はまた、点
弧回路３３４を介して、ＳＣＲを点弧制御する。

【００５４】ＭＰＵ３３１からの電流データから、ＭＣ
Ｉ４２Ａは、例えばＳＣＲの破壊によって引き起こされ
た過大電流を検出できる。この過大電流が検出される
と、ＭＣＩ４２ＡはシャントトリップリレーＣＲ２への
シャントトリップ禁止信号の送出を停止し、これにより
ＣＲ２のリレー接点が閉じる。このとき、ＷＣＴの一次
巻線にある程度の電圧が出ているときは、シャントトリ
ップリレーＣＲ１が励起され、ＣＲ１のリレー接点が閉
じる。すると、図１７のシャントトリップループが切
れ、全てのＷＣＵおよびＷＣＴへの給電が、しゃ断器４
０により中断される。

【００５５】図１９は溶接条件データＤｃｏｎのフォー
マット例を示す。この例では、データＤｃｏｎの１キャ
ラクタが６つのチャネルＣＨ１−ＣＨ６の垂直データ群
ＶＤＧで表され、データＤｃｏｎの１テキストが６つの
水平データ群ＨＤＧとともに開始コードＳＴＸ、終了コ
ードＥＸＴおよびパリティコードＨＰＣで表されてい
る。チャネルＣＨ１−ＣＨ６のデータは、ＷＣＵからＭ
ＣＩへ、またはＭＣＩからＷＣＵへ、シリアル伝送され
る。

【００５６】図２０はシリアル伝送されるデータＤｃｏ
ｎのパリティチェック手順を示すフローチャートであ
る。まず、ＭＣＩ（図１５）内のマイクロコンピュータ
は、パリティコードＨＰＣをゼロに初期化する（ＳＴ１
０）。次に、マイクロコンピュータは、図１９に示すよ
うな現在のテキストの１キャラクタを読み取る（ＳＴ１
２）。続いて、マイクロコンピュータはキャラクタのチ
ャネルＣＨ１−ＣＨ６のイクスクルーシブオア（ＥＸ−
ＯＲ）をとって、キャラクタの垂直パリティ（例えば偶
数パリティ）をチェックする（ＳＴ１４）。このパリテ
ィチェックがＯＫであれば（ＳＴ１４のＯＫ）、マイク
ロコンピュータは読み取ったデータ（ＶＤＧ）が終了コ
ードＥＸＴの次のものであるかどうかをチェックする
（ＳＴ１６）。

【００５７】もし読み取った電流データが終了コードＥ
ＸＴの次のものでないときは（ＳＴ１６のノー）、現在
のＨＰＣと現在のＶＤＧのＥＸ−ＯＲとの論理和から、
新たなパリティコードＨＰＣが作り出される。こうして
作り出された新パリティコードＨＰＣにより現在のパリ
ティコードＨＰＣが置換され（ＳＴ１８）、フローはス
テップＳＴ１２へ戻る。

【００５８】パリティコードＨＰＣのチャネルＣＨ１の
内容は、チャネルＣＨ１の水平データ群ＨＤＧ内の全ビ
ットのＥＸ−ＯＲを示す。同様に、パリティコードＨＰ
ＣのチャネルＣＨ２〜ＣＨ６の内容は、それぞれ、チャ
ネルＣＨ２〜ＣＨ６の水平データ群ＨＤＧ内の全ビット
のＥＸ−ＯＲを示す。

【００５９】ステップＳＴ１４におけるパリティチェッ
クの結果が否定的（ＮＧ）であるときは、例えば図１６
の端末装置４３ＡのＣＲＴにおいてエラーメッセージが
表示され（ＳＴ２４）、その後の処理で同じデータが再
送される。

【００６０】もし読み取った電流データが終了コードＥ
ＸＴの次のものであるときは（ＳＴ１６のイエス）、マ
イクロコンピュータは現在の読み取りデータが現在のパ
リティチェックコードＨＰＣと一致するかどうかチェッ
クする（ＳＴ２０）。ここで、現在の読み取りデータが
現在のパリティチェックコードＨＰＣと一致するときは
（ＳＴ２０のイエス）、マイクロコンピュータは伝送さ
れてきたテキストにエラーなしと判定する（ＳＴ２
２）。現在の読み取りデータが現在のパリティチェック
コードＨＰＣと一致しないときは（ＳＴ２０のノー）、
マイクロコンピュータは伝送されてきたテキストにエラ
ーありと判定する（ＳＴ２４）。この場合は、同じデー
タの伝送が再び行なわれる。

【００６１】図２１はシリアル伝送されるデータＤｃｏ
ｎのパリティチェック手順の他例を示すフローチャート
である。まず、溶接条件データＤｃｏｎの１テキストが
ＭＣＩ４２のマイクロコンピュータに入力される（ＳＴ
３０）。マイクロコンピュータは、データＤｃｏｎの１
キャラクタ（ＶＤＧ）内の全ビットのＥＸ−ＯＲを検出
して、水平パリティチェックコードＨＰＣを発生し（Ｓ
Ｔ３２）、次に現在のキャラクタ内にある“１”データ
の総数Ｎｖを計算する（ＳＴ３４）。

【００６２】マイクロコンピュータは計算された数Ｎｖ
が偶数であるかどうかをチェックする（ＳＴ３６）。数
Ｎｖが偶数であるときは（ＳＴ３６のイエス）、マイク
ロコンピュータは現在のデータＤｃｏｎのチャネル（Ｃ
Ｈ１〜ＣＨ６）に１パリティビット加える（ＳＴ３
８）。そして現在のチャネル（ＣＨ１〜ＣＨ６）内にあ
る“１”データの総数Ｎｈを計算する（ＳＴ４０）。

【００６３】マイクロコンピュータは計算された数Ｎｈ
が偶数であるかどうかをチェックする（ＳＴ４２）。数
Ｎｈが偶数であるときは（ＳＴ４２のイエス）、マイク
ロコンピュータは現在のテキストの後に次のテキストが
あるかどうかをチェックする（ＳＴ４４）。現在のテキ
ストの後に次のテキストがあるときは（ＳＴ４４のイエ
ス）、フローはステップＳＴ３０へ戻る。現在のテキス
トの後に次のテキストがないときは（ＳＴ４４のノ
ー）、マイクロコンピュータは伝送されたテキストにエ
ラーがなかったものとの判定を下す（ＳＴ４６）。

【００６４】仮に、数Ｎｖが奇数であるか（ＳＴ３６の
ノー）または数Ｎｈが奇数であるときは（ＳＴ４２のノ
ー）、エラーメッセージが表示され（ＳＴ４８）、同じ
データの再送が行なわれる。

【００６５】なお、図２０，図２１のパリティチェック
は、各ＷＣＵのＭＰＵ３３１（図１８）でも行なうこと
ができる。

【００６６】図２２は溶接条件データＤｃｏｎの確認手
順を示すフローチャートである。ＭＣＩ４２Ａのマイク
ロコンピュータは溶接条件データＤｃｏｎをＷＣＵへシ
リアル伝送する。図１８のＷＣＵのＰＣボード３３内の
ＭＰＵ３３１はこのデータＤｃｏｎを受信する（ＳＴ５
０）。続いて、このデータＤｃｏｎに対する許容エラ−
値ＤｅｒｒがＭＰＵ３３１に入力される（ＳＴ５２）。
通常、データＤｃｏｎの値の１０％位を許容エラー値Ｄ
ｅｒｒとして採用できる。ＭＰＵ３３１にはまた、実際
の溶接データＤｗｅｌも入力される（ＳＴ５４）。

【００６７】ＷＣＴの一次溶接電流および力率などは溶
接データＤｗｅｌに含まれている。この一次溶接電流は
図１８の変流器ＣＴにより検出できる。また、力率は、
検出器３３２で検出された一次巻線電圧と上記一次溶接
電流との位相差から算出できる。

【００６８】ＭＰＵ３３１は次にデータＤｗｅｌとデー
タＤｃｏｎとの差を検出する（ＳＴ５６）。そして検出
した差の大きさ｜Ｄｗｅｌ−Ｄｃｏｎ｜が許容エラー値
Ｄｅｒｒより小さいかどうかがチェックされる（ＳＴ５
８）。この｜Ｄｗｅｌ−Ｄｃｏｎ｜がＤｅｒｒより小さ
いときは（ＳＴ５８のイエス）、ＭＰＵ３３１は実際の
溶接が溶接条件データＤｃｏｎに従って正常に行なわれ
たものと判定する。もし｜ＤｗｅｌーＤｃｏｎ｜がＤｅ
ｒｒ以上であるときは（ＳＴ５８のノー）、この判定結
果は例えば図１６のＭＣＩ４２Ａに送られ、端末装置４
３ＡのＣＲＴにエラーメッセージが表示される（ＳＴ６
０）。この場合、ＭＣＩ４２Ａは、同じ溶接を再実行さ
せる指令をＭＰＵ３３１に送ることができる。

【００６９】図２３は所定の設定値データＤｓｅｔに基
づく溶接動作の確認手順を示すフローチャートである。
実際の溶接電流（ＷＣＴの一次電流）を決定する設定値
データＤｓｅｔは、図１８のＭＰＵ３３１に入力される
（ＳＴ７０）。ＭＰＵ３３１は図１８の変流器ＣＴで検
出した溶接電流データＤｃｕｒを受ける（ＳＴ７２）。
ＭＰＵ３３１は、例えばデータＤｃｕｒの値を溶接電流
の１サイクルに渡り積分（累算）し、この１サイクルの
間に得られたデータＤｃｕｒの平均値Ｄａｖｅを計算す
る（ＳＴ７４）。

【００７０】ＭＰＵ３３１は平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄ
ｓｅｔの９０％より大きいかどうかチェックする（ＳＴ
７６）。平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０％より
大きいときは（ＳＴ７６のイエス）、ＭＰＵ３３１はＷ
ＣＴが良好な溶接を行なったものと判定する（ＳＴ７
８）。この場合は再溶接は行なわれない（ＳＴ８０）。
もし平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０％以下であ
ったときは（ＳＴ７６のノー）、ＭＰＵ３３１はＷＣＴ
による溶接が不良であったものと判定する（ＳＴ８
２）。この場合は再溶接が行なわれる（ＳＴ８４）。

【００７１】ＭＰＵ３３１により溶接不良が検出される
と、ＭＣＩ４２Ａはこの溶接不良を認知し、不良溶接を
行なったＷＣＴのＭＰＵ３３１に再溶接指令を送る。正
常な溶接を行なったＷＣＴのＭＰＵがＭＣＩ４２Ａから
このような再溶接指令を受けることはない。

【００７２】図２４は溶接電流Ｄｃｕｒの確認手順を示
すフローチャートである。ＭＣＩ４２Ａは最大電流限デ
ータＤｍａｘおよび最小電流限データＤｍｉｎを出力す
る。図１８のＭＰＵ３３１は、これらのデータＤｍａｘ
およびＤｍｉｎを受ける（ＳＴ９０，ＳＴ９２）。この
あとＭＰＵ３３１は変流器ＣＴから実際の溶接電流デー
タＤｃｕｒを受ける（ＳＴ９４）。

【００７３】ＭＰＵ３３１は溶接電流データＤｃｕｒの
値が最大電流限データＤｍａｘと最小電流限データＤｍ
ｉｎとの間に収まっているかどうかチェックする（ＳＴ
９６）。データＤｃｕｒの値がＤｍａｘとＤｍｉｎの間
に収まっていたときは（ＳＴ９６のイエス）、ＭＰＵ３
３１はＷＣＴに正常な溶接電流が流れたと判定する（Ｓ
Ｔ９８）。もしデータＤｃｕｒの値がＤｍａｘとＤｍｉ
ｎの間に収まっていなかったときは（ＳＴ９６のノ
ー）、ＭＰＵ３３１はＷＣＴの溶接電流が異常であった
と判定する（ＳＴ１００）。この場合は、ＭＰＵ３３１
はＭＣＩ４２Ａへアラーム信号を送る（ＳＴ１０２）。

【００７４】図２５は図１７，図１８のＳＣＲに対する
新たな点弧角データＤｆｉａ＊を決定する制御手順を示
すフローチャートである。図２６は図２５の制御手順を
実行する構成を示すブロック図である。なお、図２６は
ＭＰＵ３３１を示していないが、図２６の構成の動作は
図１８のＭＰＵ３３１で制御できる。

【００７５】設定値発生器５０から得られた設定値デー
タＤｓｅｔは、加算点５２の正入力に与えられる（ＳＴ
１１０）。ＳＣＲ用の点弧角データＤｆｉａおよび導通
角データＤｃｏａは、ＰＩＤゲインパラメータ発生器５
８からＰＩＤ制御回路５６へ送られる（ＳＴ１１２，Ｓ
Ｔ１１４）。溶接電流データＤｃｕｒは、変流器ＣＴか
ら電流帰還増幅回路５４を介して加算点５２の負入力へ
送られる（ＳＴ１１６）。

【００７６】データＤｓｅｔとデータＤｃｕｒとの差分
データＤｄｉｆは加算点５２で検出され（ＳＴ１１
８）、このデータＤｄｉｆはＰＩＤ制御回路５６へ送ら
れる。ＰＩＤ制御回路５６は、データＤｃｕｒ、Ｄｆｉ
ａおよびＤｃｏａから、力率角データＤｐｆａを算出す
る。（ＳＴ１２０）。算出された力率角データＤｐｆａ
は、点弧角制御回路６０に入力される。この点弧角制御
回路６０において、ＰＩＤ制御の下で、データＤｆｉ
ａ、ＤｐｆａおよびＤｄｉｆに基づきその後に用いる点
弧角データＤｆｉａ＊が算出される。ＳＣＲユニット
（ＳＣＲモジュール）２３は、この算出されたデータＤ
ｆｉａ＊により決定される新たな点弧角で動作する。

【００７７】以上述べたような溶接装置では、従来のシ
ーケンサやプログラムユニットの機能は制御ユニットＷ
ＣＵに吸収される。この制御ユニットＷＣＵでは溶接条
件等の設定／変更が個別かつ自由にできる。また制御ユ
ニットＷＣＵは溶接トランスＷＣＴと着脱自在なので、
ＷＣＵ，ＷＣＴ個々の重量／サイズは相対的に小さくな
り、工場内での配置替えが容易になる。

【００７８】

【発明の効果】この発明は、その実施態様に応じて以下
のような効果を奏する。

【００７９】（１）全てのＷＣＵは共通の電気的構成を
持つことができ、これにより制御系一群あたり１台の中
央制御部（ホストコンピュータ若しくはプログラマブル
ロジックコントローラを備えた機器制御インターフェイ
ス）に各ＷＣＵの溶接データを集めることができる。こ
の場合、中央制御部は、集められたデータ若しくはプリ
セットされたデータに応じて、各ＷＣＵの動作の統制を
とることができる。

【００８０】（２）溶接設定情報を複数箇所、すなわち
ＭＣＩのメモリと各ＷＣＵのメモリの双方に保存でき
る。この場合、ＭＣＩのメモリと各ＷＣＵのメモリの双
方が同じ情報を記憶するので、溶接制御情報がＭＣＩ側
で変更されると、この変更は自動的かつ正確に各ＷＣＵ
側に伝わる。

【００８１】（３）溶接設定情報がＭＣＩおよび各ＷＣ
Ｕそれぞれのメモリに格納される場合、ＭＣＩや各ＷＣ
Ｕは、時々刻々と、互いの記憶内容が異なっていないか
どうかを確認し合うことができる。

【００８２】（４）ＭＣＩとＷＣＵとの間の信号伝送で
は、例えばパリティチェック法（図１９〜図２１）によ
りエラーチェックできる。この場合、ＭＣＩと各ＷＣＵ
との間の通信エラーを取り除くことができ、正確な溶接
制御シーケンスを確実に行ない得、これにより溶接不良
または不良とは判定されなくても不良ギリギリの低品質
溶接がなされることを防止できる。（この点、従来から
の直接的な配線法では、配線の一部が断線したりすると
溶接制御シーケンスがおかしくなり、不良溶接または低
品質溶接が起きやすかった。） （５）各ＷＣＵはそれぞれの特定番号（アドレス番号）
で識別できるから、たとえ数多くのＷＣＵが１つのＭＣ
Ｉに単一のシリアル伝送線を介して接続されていても、
このＭＣＩは正確に各ＷＣＵの動作の統制をとることが
できる。

【００８３】（６）各ＷＣＴはそれ自身のＷＣＵを備え
ており、各ＷＣＵはそこに内臓された特定のプログラム
により制御され、各プログラムの内容は各ＷＣＴの特性
に応じて決定できるから、各ＷＣＴが持つべき動作条件
を特定のプログラムにより診断／決定できる。これによ
り、各ＷＣＴを破壊から保護することも可能になる。

【００８４】（７）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備え
ており、各ＷＣＵをそこに格納されたプログラムにより
制御できる。このプログラムは各ＷＣＴ毎の力率制御に
特定できるから、ＷＣＴを大電力で動作させる際にこの
ＷＣＴが飽和しないような力率制御が可能となる。

【００８５】（８）溶接用に集めるデータは多数の溶接
作業の平均に合せたものでなく、個々の溶接作業に特に
合せたものとなっている。このため溶接の品質判定に対
してより正確なデータを採用できる。

【００８６】（９）各ＷＣＵは良好な溶接が行なわれた
かどうかチェックできる（図２３）。行なわれた溶接が
不良であったときは、ＭＣＩは不良溶接を行なったＷＣ
ＴのＷＣＵ（１つまたは複数）にのみ再溶接指令を送
る。これにより、せっかく良好な溶接を行なったＷＣＴ
で無駄な再溶接が行なわれるのを防止できる。

【００８７】（１０）１つの溶接に対して１つのＷＣＵ
を用意できるから、各ＷＣＵの動作の診断に厳密な電流
制限値を採用できる（図２４）。

【００８８】（１１）ＷＣＵはＷＣＴに着脱自在にマウ
ントでき、またＷＣＴの機能をＷＣＵから分離できるか
ら、その応用範囲が広がって量産効果を得やすくなり、
コスト的に有利になる。

【００８９】（１２）電源モジュール１７および制御モ
ジュール１８をＷＣＵのコンパクトなプラスチックハウ
ジングに収めるようにすると、ＷＣＵのサイズを従来の
同クラスの抵抗溶接装置よりも小さくできる。このこと
から溶接装置のスペースファクタがよくなる。

【００９０】（１３）着脱自在なＷＣＵとＷＣＴとの間
の電気的／機械的インターフェイスを標準化できるの
で、どのＷＣＵも任意のＷＣＴに接続可能となる。

【００９１】（１４）各ＷＣＴはそれ自身のＷＣＵを備
えており、このＷＣＴはＷＣＵに含まれるマイクロコン
ピュータの内臓プログラムにより制御される。このプロ
グラムの内容は各ＷＣＴに合わせて自由に決定できるか
ら、例えば３つのＷＣＴを１つのコントローラで制御す
る従来装置の場合の不利を伴わずに、全ての溶接につい
てより良い結果が得られる。

【００９２】（１５）電力および冷却水の供給はＷＣＴ
とＷＣＵとのアセンブリ内でうまくまかなわれる。すな
わち、電力および冷却水の供給は１箇所に設置されるＷ
ＣＴ／ＷＣＵアセンブリに対して一括して行なうことが
できる。

【００９３】（１６）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備
えているときは、コストが掛かり取扱の面倒なタップス
イッチをＷＣＴに設ける必要性がなくなる。このタップ
スイッチは、通常、多数のＷＣＴを用いるときに各ＷＣ
Ｔへの電力バランスをとるために使うが、このタップス
イッチの機能は各ＷＣＵの制御機能で賄えるからであ
る。

【００９４】（１７）図７の実施例のように構成すれ
ば、低圧部分（２４，２５）を高圧部分（Ｌ１，Ｈ１，
Ｈ２）から絶縁板（プラスチック板）２５０により隔離
できる。このようにすれば、ユーザーが低圧信号線（１
２）をＷＣＵ内部に接続する際に、この信号線が誤って
高圧部分に触れてしまうという事故がなくなる。

【００９５】（１８）ＷＣＴ、電源モジュール、制御モ
ジュール等は全てパーツ化され、また各々のパーツを軽
量でコンパクトなプラスチック容器に収めることができ
るので、従来の同クラスの溶接装置と較べて小型軽量化
しやすい。

【００９６】（１９）ＷＣＴ／ＷＣＵのアセンブリを所
定の場所に取り付ける際に大型のリフトを用意する必要
はない。（従来の溶接装置ではこのような大型リフトが
必要となることが多かった。） （２０）ＷＣＵをＷＣＴに直接取り付けることができる
ので、これらの間の入出力配線やその接続プラグ等が不
要になり、この点からも製品コスト的に有利となる。

【００９７】（２１）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備
えているときは、複数のＷＣＴを用いるときに従来必要
であったジャンクションボックスを省略できる。

【００９８】（２２）溶接を定電流で行なおうとすると
きは、定電流補償の対象が１トランス／１ガンとシンプ
ルであるため、電流補償が容易となる。（なお、この種
の定電流補償は、例えば特願昭６１−２１７９２１号に
開示されている。） （２３）ＷＣＵが図１８の３３２で示すような電圧検出
器を備えているときは、ＡＣ電源ラインとＷＣＵとの間
の電圧降下の影響を受けることなく、正確なＡＣ電源ラ
イン電圧の検出が可能となる。すなわち、検出したサン
プル値があたかもＷＣＴから得られたものであるかのご
とく、かつ全ての電源ライン電圧降下がこのＷＣＴの位
置で観測されているかのごとく、ＡＣ電源ライン電圧を
より確実に検出できる。

【００９９】（２４）ＷＣＴ／ＷＣＵ収納用にモールド
プラスチックを採用したことにより、金属キャビネット
を用いた従来の溶接装置よりも生産性が高くなる。

【０１００】（２５）シャントトリップループが開とな
ったときにしゃ断器をトリップするようにシャントトリ
ップ回路を改良（図１７）できる。この改良により、い
わゆる「フェイルセーフ状態」が得られる。

【０１０１】（２６）ＷＣＵがどんなときでもシャント
トリップを実行してしまうことを防止するよう改良し
た。すなわち、シャントトリップは、次の２条件が同時
に成立したときにのみ機能する： （ｉ）ＳＣＲの出力（図１７のターミナルＨ１，Ｈ２）
にある程度の電圧が出ていること。

【０１０２】（ｉｉ）シャントトリップ禁止状態が解け
ていること（つまり図１７の実施例ではリレーＣＲ２の
接点が閉じていること）。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はこの発明の一実施例に係る抵抗溶接シス
テムの概要を示すものでＷＣＴとＷＣＵとのアセンブリ
が複数並列に機器制御インターフェイスＭＣＩに接続さ
れた場合を示す。

【図２】図２は図１のシステムに用いられる抵抗溶接装
置の外観斜視図であって溶接制御トランスＷＣＴと溶接
制御ユニットＷＣＵとのアセンブリを示す。

【図３】図３は図２に示す溶接制御トランスＷＣＴの一
側面図。

【図４】図４は図２に示す溶接制御トランスＷＣＴの底
面図。

【図５】図５は図２に示す抵抗溶接装置アセンブリの上
側面図であって溶接制御ユニットＷＣＵに含まれる電源
モジュール（１７）および制御モジュール（１８）を示
す。

【図６】図６は図５に示す溶接制御ユニットＷＣＵの一
側面図。

【図７】図７は図５に示す電源モジュール（１７）の内
部構造を例示する図。

【図８】図８は図７のＳＣＲモジュール（２３）に含ま
れる冷却部を例示する図。

【図９】図９は図５の制御モジュール（１８）の内部構
造を部分的に例示する図。

【図１０】図１０は図９の制御モジュール（１８）の底
面を例示する図。

【図１１】図１１は従来の抵抗溶接装置の基本構成を示
す。

【図１２】図１２は自動車工場等で用いられる従来の抵
抗溶接システムの例を示す。

【図１３】図１３は多数のＷＣＴ／ＷＣＵアセンブリが
用いられる抵抗溶接システムの例であってこの発明に係
る部分（実線部分）と従来システム（破線部分）とが混
在する場合を示す。

【図１４】図１４は１つのＷＣＵに３つのタップスイッ
チ付きＷＣＴを組み合わせた構成の斜視図であってジャ
ンクションボックスにより選択されたＷＣＴがＷＣＵに
接続される場合を示す。

【図１５】図１５はこの発明に係る抵抗溶接システムの
概要を示すもので機器制御インターフェイスＭＣＩにＷ
ＣＴ／ＷＣＵの複数アセンブリがデジーチェーン接続の
シリアル通信線により接続される場合を示す。

【図１６】図１６は図１５の機器制御インターフェイス
ＭＣＩの代表的な周辺機器を示す。

【図１７】図１７は溶接制御トランスＷＣＴの一次回路
およびシャントトリップ回路に係る溶接制御ユニットＷ
ＣＵの回路構成例を示す。

【図１８】図１８は図９に示されるＰＣボード（３３）
に組み込まれる回路構成とともに図７のＳＣＲモジュー
ル（２３）の点弧回路（３３５）を示す。

【図１９】図１９は溶接条件データＤｃｏｎのフォーマ
ット例を示す。

【図２０】図２０はシリアル伝送されるデータ（Ｄｃｏ
ｎ）のパリティチェック手順を例示するフローチャー
ト。

【図２１】図２１は直列伝送されるデータ（Ｄｃｏｎ）
のパリティチェック手順の他例を示すフローチャート。

【図２２】図２２は溶接条件データＤｃｏｎの確認手順
を例示するフローチャート。

【図２３】図２３は所定のデータＤｓｅｔに基づく溶接
動作の確認手順を例示するフローチャート。

【図２４】図２４は溶接電流Ｄｃｕｒの確認手順を例示
するフローチャート。

【図２５】図２５は図１７，図１８のＳＣＲに対する新
たな点弧角データＤｆｉａ＊を決定する制御手順を例示
するフローチャート。

【図２６】図２６は図２５の制御手順を実行する構成を
例示するブロック図。

【符号の説明】

１０…溶接制御トランス（ＷＣＴ）；１７＋１８…溶接
制御ユニット（ＷＣＵ）；１…ガン；１Ｘ…溶接電極；
２…ケーブル；２６０…冷却水パイブ；１４…底端面；
１１ａ，１１ｂ…スタッド；１２…サーモスタット信号
線；１５，２１ａ〜２１ｄ…タッピングネジ穴；１７…
電源モジュール；１８…制御モジュール；１９，２１０
ａ〜２１０ｄ…ネジ；２３…ＳＣＲモジュール；Ｌ１，
Ｌ２，Ｈ１，Ｈ２…高圧ターミナル；２２Ｌ１，２２Ｈ
２…高圧電源ライン；２４…低圧ターミナルブロック；
２５…低圧コネクタ；２５０…絶縁板；２６ａ，２６ｂ
…ニップル；２３０…冷却容器；２３２…絶縁シート；
３０…ＥＰＲＯＭ；３１…アドレススイッチ；３２ａ〜
３２ｃ…ノブ；３３…ＰＣボード；３４…クッション
材；３５Ａ…ＬＥＤ３５Ａ；３５Ｂ…プラスチックレン
ズ；３６…低圧コネクタ；４０…マスターしゃ断器；４
１…シャントトリップ回路；４２，４２Ａ…機器制御イ
ンターフェイス（ＭＣＩ）；４２Ｂ…プログラマブルロ
ジックコントローラ（ＰＬＣ）；４３，４４…端末装
置；４３Ａ…ファイルサーバ用バードディスク装置；４
３Ｂ…ファイルサーバアクセス機器；４３Ｃ…ＷＣＵ用
アクセス機器；４３Ｄ…リモートＩ／Ｏ端末；１４１…
ジャンクションボックス；１４２…タップスイッチ；Ｔ
Ｄ…駆動トランス；ＴＰ…電源トランス；ＣＲ１，ＣＲ
２…シャントトリップリレー；ＣＴ…変流器；３３０…
シリアル通信インターフェイス；３３１…マイクロプロ
セサ（ＭＰＵ）；３３２…第１電圧検出器；３３３…第
２電圧検出器；３３４…点弧回路；３３５…整流器；Ｄ
ｃｏｎ…溶接条件データ；ＣＨ１〜ＣＨ６…チャネル；
ＶＤＧ…垂直データ群；ＨＤＧ…水平データ群；ＳＴＸ
…開始コード；ＥＸＴ…終了コード；ＨＰＣ…パリティ
コード；Ｄｅｒｒ…許容エラー値；Ｄｗｅｌ…溶接デー
タ；Ｄｓｅｔ…設定値データ；Ｄａｖｅ…溶接電流平均
値；Ｄｍａｘ…最大電流限データ；Ｄｍｉｎ…最小電流
限データ；Ｄｆｉａ…点弧角データ；Ｄｃｏａ…導通角
データ；Ｄｐｆａ…力率角データ；Ｄｄｉｆ…差分デー
タ；Ｄｆｉａ＊…点弧角データ；５０…設定値発生器；
５２…加算点；５４…電流帰還増幅回路；５６…ＰＩＤ
制御回路；５８…ＰＩＤゲインパラメータ発生器；６０
…点弧角制御回路

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】溶接電極を備えた溶接部と、前記溶接部に
   着脱自在に結合され前記溶接部にて行なわれる溶接の条
   件を設定する制御部とで構成されるアセンブリと；複数
   の前記アセンブリに接続されるものであって、複数アセ
   ンブリ各々の前記制御部の動作および溶接条件を総括管
   理するホストコンピュータとを備えたことを特徴とする
   抵抗溶接システム。
2. 【請求項２】溶接電極を備えた溶接制御トランスと、前
   記溶接制御トランスが行なう溶接の条件を設定する溶接
   設定情報を格納するメモリを持つ溶接制御ユニットとで
   構成されるアセンブリと；複数の前記アセンブリに通信
   回線を介して接続されるものであって、複数アセンブリ
   各々の前記溶接制御ユニットを前記溶接設定情報の操作
   により一括管理する機器制御インターフェイスとを備
   え、 前記溶接設定情報を複数アセンブリ各々の前記メモリお
   よび前記機器制御インターフェイスの双方に保存するこ
   とにより、前記溶接制御情報が前記機器制御インターフ
   ェイス側で変更されると、この変更が自動的に複数アセ
   ンブリ各々の前記溶接制御ユニットに伝わるように構成
   したことを特徴とする抵抗溶接システム。