JPH0774432A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0774432A JPH0774432A JP6170683A JP17068394A JPH0774432A JP H0774432 A JPH0774432 A JP H0774432A JP 6170683 A JP6170683 A JP 6170683A JP 17068394 A JP17068394 A JP 17068394A JP H0774432 A JPH0774432 A JP H0774432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser device
- semiconductor laser
- diffraction grating
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導体レ
ーザ装置であって、ｎ−ＧａＡｓ基板１上のｎ−ＧａＡ
ｓ電流ブロック層９の上にｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエ
ピタキシャルサポート層１６とｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓ光ガイド層５上の回折格子１４とを有する構成であ
る。 【効果】 発振閾値電流が小さく、安定な単一横モード
発振および単一軸モード発振でき、歩留まりよく製造で
きる。
ーザ装置であって、ｎ−ＧａＡｓ基板１上のｎ−ＧａＡ
ｓ電流ブロック層９の上にｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエ
ピタキシャルサポート層１６とｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓ光ガイド層５上の回折格子１４とを有する構成であ
る。 【効果】 発振閾値電流が小さく、安定な単一横モード
発振および単一軸モード発振でき、歩留まりよく製造で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分布帰還型半導体レー
ザ装置およびその製造方法に関する。
ザ装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体レーザ装置の利得は比較
的広いスペクトル幅を持っており、横モードが制御され
ていても、幅モードが完全に単一になることはほとんど
ない。直流動作を行った場合に、一見軸モードが単一で
あるように見えても、実際は、温度変化などにより、多
軸モード発振状態になる。
的広いスペクトル幅を持っており、横モードが制御され
ていても、幅モードが完全に単一になることはほとんど
ない。直流動作を行った場合に、一見軸モードが単一で
あるように見えても、実際は、温度変化などにより、多
軸モード発振状態になる。
【０００３】そこで、共振器に波長選択性を持たせたの
が分布帰還型半導体レーザ装置である。この半導体レー
ザ装置では、活性領域の近傍に設けた回折格子により、
利得スペクトル幅の範囲内で単一波長のレーザ光が選択
的に反射されて単一軸モード発振が得られる。
が分布帰還型半導体レーザ装置である。この半導体レー
ザ装置では、活性領域の近傍に設けた回折格子により、
利得スペクトル幅の範囲内で単一波長のレーザ光が選択
的に反射されて単一軸モード発振が得られる。
【０００４】従来、安定な単一横モード発振および単一
軸モード発振が得られる分布帰還型半導体レーザ装置と
して、例えば図３に示すような半導体レーザ装置が提案
されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３４
（１１），ｐｐ．７５２〜７５５（１９７９）を参
照）。この半導体レーザ装置は、ストライプ埋め込み型
のヘテロ構造を有するので、ＳＢＨ−ＤＦＢレーザ装置
と呼ばれている。
軸モード発振が得られる分布帰還型半導体レーザ装置と
して、例えば図３に示すような半導体レーザ装置が提案
されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３４
（１１），ｐｐ．７５２〜７５５（１９７９）を参
照）。この半導体レーザ装置は、ストライプ埋め込み型
のヘテロ構造を有するので、ＳＢＨ−ＤＦＢレーザ装置
と呼ばれている。
【０００５】すなわち、共振器方向に形成されたストラ
イプ状のＧａＡｓ活性層２３が、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64
Ａｓ第１埋め込み層３０によって両側を埋め込まれ、か
つ、それらの下側に形成されたｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａ
ｓ光ガイド層２５と共に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第
１クラッド層２２と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２ク
ラッド層２６とによって挟み込まれている。そして、分
布帰還構造である回折格子３４は、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ光ガイド層２５と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ
第１埋め込み層３０との界面に形成されている。
イプ状のＧａＡｓ活性層２３が、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64
Ａｓ第１埋め込み層３０によって両側を埋め込まれ、か
つ、それらの下側に形成されたｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａ
ｓ光ガイド層２５と共に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第
１クラッド層２２と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２ク
ラッド層２６とによって挟み込まれている。そして、分
布帰還構造である回折格子３４は、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ光ガイド層２５と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ
第１埋め込み層３０との界面に形成されている。
【０００６】このような構造を有する半導体レーザ装置
では、ＧａＡｓ活性層２３で発生したレーザ光は、その
下側のｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み
出して導波される。ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド
層２５はＧａＡｓ活性層２３に比べて大きい屈折率を有
するので、ＧａＡｓ活性層２３の部分で実効的な屈折率
が大きくなった緩やかな屈折率分布が共振器方向に対し
て垂直横方向に形成される。したがって、高出力動作時
においても、安定な基本横モード発振が得られる。 ま
た、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み出
したレーザ光は、回折格子３４によって形成される共振
器方向の屈折率分布と相互作用し、回折格子３４の周期
に依存するブラッグ波長のレーザ光が選択的に反射され
る。したがって、駆動電流が発振閾値電流の約３倍程度
に大きくなっても、発振波長が変化せず、安定な単一軸
モード発振が得られる。
では、ＧａＡｓ活性層２３で発生したレーザ光は、その
下側のｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み
出して導波される。ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド
層２５はＧａＡｓ活性層２３に比べて大きい屈折率を有
するので、ＧａＡｓ活性層２３の部分で実効的な屈折率
が大きくなった緩やかな屈折率分布が共振器方向に対し
て垂直横方向に形成される。したがって、高出力動作時
においても、安定な基本横モード発振が得られる。 ま
た、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み出
したレーザ光は、回折格子３４によって形成される共振
器方向の屈折率分布と相互作用し、回折格子３４の周期
に依存するブラッグ波長のレーザ光が選択的に反射され
る。したがって、駆動電流が発振閾値電流の約３倍程度
に大きくなっても、発振波長が変化せず、安定な単一軸
モード発振が得られる。
【０００７】しかし、このような従来のＳＢＣ−ＤＦＢ
レーザ装置は、その製造工程が繁雑であるので、歩留ま
りが悪く、しかも素子特性の再現性に乏しいという問題
点がある。図３に示すＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置は、例
えば以下のようにして製造される。
レーザ装置は、その製造工程が繁雑であるので、歩留ま
りが悪く、しかも素子特性の再現性に乏しいという問題
点がある。図３に示すＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置は、例
えば以下のようにして製造される。
【０００８】まず、エピタキシャル成長法によって、ｎ
−ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第
１クラッド層２２と、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイ
ド層２５と、ＧａＡｓ活性層２３と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ
0.64Ａｓ第２クラッド層２６と、ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層２７とを順次成長させる。
−ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第
１クラッド層２２と、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイ
ド層２５と、ＧａＡｓ活性層２３と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ
0.64Ａｓ第２クラッド層２６と、ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層２７とを順次成長させる。
【０００９】次いで、選択的エッチング法によって、Ｇ
ａＡｓ活性層２３と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２ク
ラッド層２６と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２７とをス
トライプ状態にエッチングし、メサ構造を形成する。続
いて、ホトレジストマスクを用いた化学エッチング法に
よって、メサ構造の両側に露出したｎ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ光ガイド層２５の表面に回折格子３４を形成す
る。
ａＡｓ活性層２３と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２ク
ラッド層２６と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２７とをス
トライプ状態にエッチングし、メサ構造を形成する。続
いて、ホトレジストマスクを用いた化学エッチング法に
よって、メサ構造の両側に露出したｎ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ光ガイド層２５の表面に回折格子３４を形成す
る。
【００１０】そして、液相エピタキシャル成長法によっ
て、メサ構造の両側に、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１
埋め込み層３０と、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２埋め
込み層３１とを順次成長させて、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85
Ａｓ光ガイド層２５の表面を被覆すると共に、メサ構造
を埋め込む。
て、メサ構造の両側に、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１
埋め込み層３０と、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２埋め
込み層３１とを順次成長させて、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85
Ａｓ光ガイド層２５の表面を被覆すると共に、メサ構造
を埋め込む。
【００１１】最後に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２埋
め込み層３１上の所定領域に、電流注入領域を制限する
ための誘電体層３７を設け、さらにｎ−ＧａＡｓ基板２
１の裏面にはｎ側電極３２を、誘電体層３７および電流
注入領域の表面にはｐ側電極３３を形成した後、ウエハ
を壁開して共振器端面を形成することにより、図３に示
すようなＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置が得られる。
め込み層３１上の所定領域に、電流注入領域を制限する
ための誘電体層３７を設け、さらにｎ−ＧａＡｓ基板２
１の裏面にはｎ側電極３２を、誘電体層３７および電流
注入領域の表面にはｐ側電極３３を形成した後、ウエハ
を壁開して共振器端面を形成することにより、図３に示
すようなＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置が得られる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上で述べたように、こ
のＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置では、光学的な帰還は、ｎ
−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み出したレ
ーザ光が、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５
と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１埋め込み層３０との
界面に形成された回折格子３４によって選択的に反射さ
れることによって行われる。レーザ光と回折格子３４と
の結合効率は、ＧａＡｓ活性層２３で発生したレーザ光
がｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み出す
割合に依存する。
のＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置では、光学的な帰還は、ｎ
−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み出したレ
ーザ光が、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５
と、ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１埋め込み層３０との
界面に形成された回折格子３４によって選択的に反射さ
れることによって行われる。レーザ光と回折格子３４と
の結合効率は、ＧａＡｓ活性層２３で発生したレーザ光
がｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５へ浸み出す
割合に依存する。
【００１３】したがって、単一横モードでの発振特性を
高めるために、共振器方向に対して垂直横方向の屈折率
差を大きくすると、レーザ光の浸み出しが少なくなるの
で、その結合効率が小さくなり、単一軸モードでの発振
特性が低くなる。逆に、単一軸モードの発振特性を高め
るために、レーザ光の浸み出しを多くすると、基本横モ
ードでの発振安定性が劣化する。
高めるために、共振器方向に対して垂直横方向の屈折率
差を大きくすると、レーザ光の浸み出しが少なくなるの
で、その結合効率が小さくなり、単一軸モードでの発振
特性が低くなる。逆に、単一軸モードの発振特性を高め
るために、レーザ光の浸み出しを多くすると、基本横モ
ードでの発振安定性が劣化する。
【００１４】このような問題点を解決するために、図４
に示すようなＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置が提案されてい
る。この半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ活性層２３と、
その下側のｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５と
の界面にも、回折格子３４が形成されていること以外
は、図３に示すＳＢＣ−ＤＢＦレーザ装置と同様であ
る。
に示すようなＳＢＣ−ＤＦＢレーザ装置が提案されてい
る。この半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ活性層２３と、
その下側のｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５と
の界面にも、回折格子３４が形成されていること以外
は、図３に示すＳＢＣ−ＤＢＦレーザ装置と同様であ
る。
【００１５】しかし、このような構造では、まず、ｎ−
ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１
クラッド層２２と、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド
層２５とを順次成長させた後、いったん成長を中止して
ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５の表面上に回
折格子３４を形成する必要があるので、成長工程が３つ
必要となり、製造工程が繁雑になる。また、回折格子３
４上に、ＧａＡｓ活性層２３を成長させるので、その結
晶性が低下し、発振閾値電流が大きくなるなど、素子特
性に悪影響を及ぼす可能性がある。
ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１
クラッド層２２と、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド
層２５とを順次成長させた後、いったん成長を中止して
ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層２５の表面上に回
折格子３４を形成する必要があるので、成長工程が３つ
必要となり、製造工程が繁雑になる。また、回折格子３
４上に、ＧａＡｓ活性層２３を成長させるので、その結
晶性が低下し、発振閾値電流が大きくなるなど、素子特
性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００１６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、その目的とするところは、発振閾値電流が小
さく安定な単一横モード発振および単一軸モード発振が
得られる分布帰還型半導体レーザ装置と、このような半
導体レーザ装置を、歩留まりよく、しかも素子特性の再
現性よく製造する方法とを提供することにある。
のであり、その目的とするところは、発振閾値電流が小
さく安定な単一横モード発振および単一軸モード発振が
得られる分布帰還型半導体レーザ装置と、このような半
導体レーザ装置を、歩留まりよく、しかも素子特性の再
現性よく製造する方法とを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導体レーザ
装置であって、半導体基板の上方に形成されたレーザ発
振用の活性層と、該活性層の上方に形成された光ガイド
層と、該光ガイド層の上方に形成され、共振器方向に平
行なストライプ溝を有する電流狭窄用の電流ブロック層
と、上記ストライプ溝の底部における上記光ガイド層の
表面上に形成された回折格子と、上記ストライプ溝内の
結晶成長を均一化する上記電流ブロック層上に形成され
たエピタキシャルサポート層とを有することを特徴とす
る。
置は、電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導体レーザ
装置であって、半導体基板の上方に形成されたレーザ発
振用の活性層と、該活性層の上方に形成された光ガイド
層と、該光ガイド層の上方に形成され、共振器方向に平
行なストライプ溝を有する電流狭窄用の電流ブロック層
と、上記ストライプ溝の底部における上記光ガイド層の
表面上に形成された回折格子と、上記ストライプ溝内の
結晶成長を均一化する上記電流ブロック層上に形成され
たエピタキシャルサポート層とを有することを特徴とす
る。
【００１８】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導体レーザ装置の
製造方法であって、半導体基板上に、活性層、光ガイド
層、電流ブロック層、エピタキシャルサポート層の順に
半導体層を成長させる工程と、上記エピタキシャルサポ
ート層及び上記電流ブロック層を選択的にエッチングし
て、共振器方向に平行なストライプ溝を形成し、該スト
ライプ溝の底部に上記光ガイド層を露出させる工程と、
上記ストライプ溝の底部における上記光ガイド層の表面
上に回折格子を形成する工程と、上記ストライプ溝を埋
め込むようにクラッド層を形成する工程と、を包含する
ことを特徴とする。
電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導体レーザ装置の
製造方法であって、半導体基板上に、活性層、光ガイド
層、電流ブロック層、エピタキシャルサポート層の順に
半導体層を成長させる工程と、上記エピタキシャルサポ
ート層及び上記電流ブロック層を選択的にエッチングし
て、共振器方向に平行なストライプ溝を形成し、該スト
ライプ溝の底部に上記光ガイド層を露出させる工程と、
上記ストライプ溝の底部における上記光ガイド層の表面
上に回折格子を形成する工程と、上記ストライプ溝を埋
め込むようにクラッド層を形成する工程と、を包含する
ことを特徴とする。
【００１９】
【作用】本発明の分布帰還型半導体レーザ装置では、活
性層上に形成された光ガイド層の表面上に回折格子が形
成されているので、活性層で発生したレーザ光と回折格
子との結合効率を損なうことなく、共振器方向に対して
垂直横方向の屈折率差を大きくすることができる。した
がって、安定な単一横モード発振および単一軸モード発
振が得られる。また、回折格子上に活性層を形成してい
ないので、活性層の結晶性が低下せず、発振閾値電流が
小さくなるなど、素子特性が向上する。さらに、エピタ
キシャルサポート層を設けているのでストライプ溝を埋
めこみ形状の変化が防止され、半導体レーザ装置の素子
特性の再現性が向上する。
性層上に形成された光ガイド層の表面上に回折格子が形
成されているので、活性層で発生したレーザ光と回折格
子との結合効率を損なうことなく、共振器方向に対して
垂直横方向の屈折率差を大きくすることができる。した
がって、安定な単一横モード発振および単一軸モード発
振が得られる。また、回折格子上に活性層を形成してい
ないので、活性層の結晶性が低下せず、発振閾値電流が
小さくなるなど、素子特性が向上する。さらに、エピタ
キシャルサポート層を設けているのでストライプ溝を埋
めこみ形状の変化が防止され、半導体レーザ装置の素子
特性の再現性が向上する。
【００２０】本発明による半導体レーザ装置の製造方法
は、２つの成長工程しか必要としない。すなわち、半導
体基板上に、活性層，光ガイド層，電流ブロック層、お
よびエピタキシャルサポート層の順に成長させる第１の
成長工程と、回折格子を形成した後、電流ブロック層の
ストライプ溝を埋め込むように、第２クラッド層および
コンタクト層を順次成長させる第２の成長工程とであ
る。さらに、エピタキシャルサポート層を設けているの
で、ストライプ溝の埋め込みを精度よく再現できるの
で、したがって、製造工程が簡略化され、歩留まりが高
くなると共に、素子特性の再現性が向上する。
は、２つの成長工程しか必要としない。すなわち、半導
体基板上に、活性層，光ガイド層，電流ブロック層、お
よびエピタキシャルサポート層の順に成長させる第１の
成長工程と、回折格子を形成した後、電流ブロック層の
ストライプ溝を埋め込むように、第２クラッド層および
コンタクト層を順次成長させる第２の成長工程とであ
る。さらに、エピタキシャルサポート層を設けているの
で、ストライプ溝の埋め込みを精度よく再現できるの
で、したがって、製造工程が簡略化され、歩留まりが高
くなると共に、素子特性の再現性が向上する。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。
【００２２】（実施例１）図１に本発明の半導体レーザ
装置を示す。この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ電
流ブロック層９表面上に、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエ
ピタキシャルサポート層１６を有し、この半導体レーザ
装置は次のようにして作製された。
装置を示す。この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ電
流ブロック層９表面上に、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエ
ピタキシャルサポート層１６を有し、この半導体レーザ
装置は次のようにして作製された。
【００２３】まず、エピタキシャル成長法によって、ｎ
−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１ク
ラッド層２、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層３、ｐ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層４、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ光ガイド層５、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５
≦ｘ≦０．７）エッチングストップ層８、およびｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層９、そしてさらにｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６を順次成長さ
せた。
−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１ク
ラッド層２、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層３、ｐ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層４、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ光ガイド層５、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５
≦ｘ≦０．７）エッチングストップ層８、およびｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層９、そしてさらにｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６を順次成長さ
せた。
【００２４】次いで、ホトリソグラフィおよび化学エッ
チング法によって、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキ
シャルサポート層１６、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９
およびｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓエッチングストップ層８を
選択的に順次エッチングして、共振器方向に平行なスト
ライプ溝１５（幅約５μｍ）を形成することにより、そ
の底部にｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５を露出
させた。エッチャントとしては、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓエピタキシャルサポート層１６およびｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層９に対しては、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2
Ｏ との混合溶液を用いた。この場合、ＮＨ4ＯＨとＨ2
Ｏ2 との混合比を適当に調整すれば、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６およびｎ−Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層９のみを同時にかつ選択的にエッチ
ングすることが可能である。他方、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡ
ｓエッチングストップ層８に対しては、ＨＦ系エッチャ
ントを用いた。
チング法によって、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキ
シャルサポート層１６、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９
およびｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓエッチングストップ層８を
選択的に順次エッチングして、共振器方向に平行なスト
ライプ溝１５（幅約５μｍ）を形成することにより、そ
の底部にｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５を露出
させた。エッチャントとしては、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓエピタキシャルサポート層１６およびｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層９に対しては、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2
Ｏ との混合溶液を用いた。この場合、ＮＨ4ＯＨとＨ2
Ｏ2 との混合比を適当に調整すれば、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６およびｎ−Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層９のみを同時にかつ選択的にエッチ
ングすることが可能である。他方、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡ
ｓエッチングストップ層８に対しては、ＨＦ系エッチャ
ントを用いた。
【００２５】続いて、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタ
キシャルサポート層１６および露出したｐ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ光ガイド層５の表面にホトレジストを塗布し
た後、紫外光レーザを光源として用いた二光束干渉露光
法および化学エッチング法によって、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６および露出した
ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５の表面に、回折
格子１４（周期３０００Å）を形成した。なお、回折格
子１４の周期は、３０００Åに限定されることなく、通
常、２０００〜４０００Åの範囲内で選択される。
キシャルサポート層１６および露出したｐ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ光ガイド層５の表面にホトレジストを塗布し
た後、紫外光レーザを光源として用いた二光束干渉露光
法および化学エッチング法によって、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６および露出した
ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５の表面に、回折
格子１４（周期３０００Å）を形成した。なお、回折格
子１４の周期は、３０００Åに限定されることなく、通
常、２０００〜４０００Åの範囲内で選択される。
【００２６】そして、液相エピタキシャル成長法によっ
て、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート
層１６の表面上に、およびストライプ溝１５を埋め込む
ように、ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６およ
びｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を順次成長させた。な
お、ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６およびｐ
−ＧａＡｓコンタクト層７の成長には液相エピタキシャ
ル成長法に代えて、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
などを用いてもよい。
て、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート
層１６の表面上に、およびストライプ溝１５を埋め込む
ように、ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６およ
びｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を順次成長させた。な
お、ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６およびｐ
−ＧａＡｓコンタクト層７の成長には液相エピタキシャ
ル成長法に代えて、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
などを用いてもよい。
【００２７】最後に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ
側電極１２を、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の表面には
ｐ側電極１３を形成した後、ウエハを劈開して共振器端
面を形成することにより、図１に示すような分布帰還型
の半導体レーザ装置を得た。このようにして得られた半
導体レーザ装置は、発振波長が７８０ｎｍであり、発振
閾値電流が４０ｍＡであり、単一軸モード発振が得られ
る温度範囲がΔＴ＝７０℃という良好な素子特性を有す
る半導体レーザ装置を、歩留まりよく、しかも素子特性
の再現性よく製造することができた。
側電極１２を、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の表面には
ｐ側電極１３を形成した後、ウエハを劈開して共振器端
面を形成することにより、図１に示すような分布帰還型
の半導体レーザ装置を得た。このようにして得られた半
導体レーザ装置は、発振波長が７８０ｎｍであり、発振
閾値電流が４０ｍＡであり、単一軸モード発振が得られ
る温度範囲がΔＴ＝７０℃という良好な素子特性を有す
る半導体レーザ装置を、歩留まりよく、しかも素子特性
の再現性よく製造することができた。
【００２８】本実施例の半導体レーザ装置では、ｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層９に形成されたストライプ溝１５
の部分にのみ電流が注入される電流狭窄構造を有するの
で、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層３を含む活性領域がス
トライプ溝１５の下側に形成され、そこで発生し、共振
器方向に対して垂直縦方向に広がったレーザ光は、ｎ−
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１クラッド層２およびｐ−Ａｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６によって閉じ込められ
る。ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５へ浸み出し
たレーザ光は、その割合に応じて、回折格子１４から光
学的に帰還し、連続的なレーザ発振が起こる。他方、共
振器方向に対して垂直横方向に広がったレーザ光は、ｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層９がこのレーザ光を吸収する
ので、ストライプ溝１５の幅で閉じ込められる。したが
って、ストライプ溝１５が利得／損失ガイド光導波路と
して機能し、単一横モード発振が得られる。
ａＡｓ電流ブロック層９に形成されたストライプ溝１５
の部分にのみ電流が注入される電流狭窄構造を有するの
で、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層３を含む活性領域がス
トライプ溝１５の下側に形成され、そこで発生し、共振
器方向に対して垂直縦方向に広がったレーザ光は、ｎ−
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１クラッド層２およびｐ−Ａｌ
0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６によって閉じ込められ
る。ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５へ浸み出し
たレーザ光は、その割合に応じて、回折格子１４から光
学的に帰還し、連続的なレーザ発振が起こる。他方、共
振器方向に対して垂直横方向に広がったレーザ光は、ｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層９がこのレーザ光を吸収する
ので、ストライプ溝１５の幅で閉じ込められる。したが
って、ストライプ溝１５が利得／損失ガイド光導波路と
して機能し、単一横モード発振が得られる。
【００２９】本実施例では、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層９の表面上に、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層
５と同じＡｌ混晶比を有するｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
エピタキシャルサポート層１６を設けているので、スト
ライプ溝１５を埋め込むように、ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ第２クラッド層６を成長させる際に、ストライプ溝１
５の底部に露出したｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド
層５の表面上と、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシ
ャルサポート層１６の表面上とにおけるエピタキシャル
サポート成長速度が等しくなる。また、特に液相エピタ
キシャル成長法を用いた場合には、メルトバックによる
ストライプ溝１５の形状変化が防止される。したがっ
て、本実施例によれば、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９
にストライプ溝１５を極めて精度よく形成することがで
き、得られた半導体レーザ装置の素子特性の再現性がさ
らに向上する。
層９の表面上に、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層
５と同じＡｌ混晶比を有するｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
エピタキシャルサポート層１６を設けているので、スト
ライプ溝１５を埋め込むように、ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ第２クラッド層６を成長させる際に、ストライプ溝１
５の底部に露出したｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド
層５の表面上と、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシ
ャルサポート層１６の表面上とにおけるエピタキシャル
サポート成長速度が等しくなる。また、特に液相エピタ
キシャル成長法を用いた場合には、メルトバックによる
ストライプ溝１５の形状変化が防止される。したがっ
て、本実施例によれば、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９
にストライプ溝１５を極めて精度よく形成することがで
き、得られた半導体レーザ装置の素子特性の再現性がさ
らに向上する。
【００３０】なお、本実施例では、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ光ガイド層５およびｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
エピタキシャルサポート層１６は同じＡｌ混晶比を有す
るが、これらのＡｌ混晶比が異なると、エピタキシャル
成長速度に差が生じる。この場合、ストライプ溝１５を
埋め込むように成長させたｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２
クラッド層６の表面をより平坦にできるので、得られた
半導体レーザ装置の素子特性がさらに向上する。
0.75Ａｓ光ガイド層５およびｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
エピタキシャルサポート層１６は同じＡｌ混晶比を有す
るが、これらのＡｌ混晶比が異なると、エピタキシャル
成長速度に差が生じる。この場合、ストライプ溝１５を
埋め込むように成長させたｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２
クラッド層６の表面をより平坦にできるので、得られた
半導体レーザ装置の素子特性がさらに向上する。
【００３１】（実施例２）図２に本発明の他の半導体レ
ーザ装置を示す。この半導体レーザ装置は、以下の２つ
のエピタキシャルサポート層を有すること以外は、実施
例１の半導体レーザ装置と同様である。つまり、ｐ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５の表面上に存在するｐ
−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサポート層１７
と、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート
層１６の表面上に存在するｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエ
ピタキシャルサポート層１８である。この半導体レーザ
装置は次のようにして作製された。
ーザ装置を示す。この半導体レーザ装置は、以下の２つ
のエピタキシャルサポート層を有すること以外は、実施
例１の半導体レーザ装置と同様である。つまり、ｐ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５の表面上に存在するｐ
−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサポート層１７
と、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート
層１６の表面上に存在するｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエ
ピタキシャルサポート層１８である。この半導体レーザ
装置は次のようにして作製された。
【００３２】まず、エピタキシャル成長法によって、ｎ
−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１ク
ラッド層２、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層３、ｐ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層４、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ光ガイド層５、ｐ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピ
タキシャルサポート層１７（厚さ約５０Å）、ｎ−Ａｌ
xＧａ1-xＡｓ（０．５≦ｘ≦０．７）エッチングストッ
プ層８、およびｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９、ｎ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６、そ
してさらにｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサ
ポート層１８（厚さ約５０Å）を順次成長させた。
−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１ク
ラッド層２、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層３、ｐ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓキャリアバリア層４、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ光ガイド層５、ｐ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピ
タキシャルサポート層１７（厚さ約５０Å）、ｎ−Ａｌ
xＧａ1-xＡｓ（０．５≦ｘ≦０．７）エッチングストッ
プ層８、およびｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９、ｎ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６、そ
してさらにｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサ
ポート層１８（厚さ約５０Å）を順次成長させた。
【００３３】次いで、ホトリソグラフィおよび化学エッ
チング法によって、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキ
シャルサポート層１８、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピ
タキシャルサポート層１６、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層９、およびｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓエッチングストップ
層８を選択的に順次エッチングして、共振器方向に平行
なストライプ溝１５（幅約５μｍ）形成することによ
り、その底部にｐ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャ
ルサポート層１７を露出させた。ここで、エッチャント
としては、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサ
ポート層１８、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャ
ルサポート層１６、およびｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層
９に対しては、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとの混合溶液
を用いた。この場合、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2との混合比を
適当に調整すれば、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキ
シャルサポート層１８、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピ
タキシャルサポート層１６、およびｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層９のみを同時にかつ選択的にエッチングするこ
とが可能である。他方、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓエッチン
グストップ層８に対しては、ＨＦ系エッチャントを用い
た。
チング法によって、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキ
シャルサポート層１８、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピ
タキシャルサポート層１６、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層９、およびｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓエッチングストップ
層８を選択的に順次エッチングして、共振器方向に平行
なストライプ溝１５（幅約５μｍ）形成することによ
り、その底部にｐ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャ
ルサポート層１７を露出させた。ここで、エッチャント
としては、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサ
ポート層１８、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャ
ルサポート層１６、およびｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層
９に対しては、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとの混合溶液
を用いた。この場合、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2との混合比を
適当に調整すれば、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキ
シャルサポート層１８、ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピ
タキシャルサポート層１６、およびｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層９のみを同時にかつ選択的にエッチングするこ
とが可能である。他方、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓエッチン
グストップ層８に対しては、ＨＦ系エッチャントを用い
た。
【００３４】そして、以下、実施例１と同様にして、図
２に示すような分布帰還型の半導体レーザ装置を得た。
２に示すような分布帰還型の半導体レーザ装置を得た。
【００３５】本実施例では、ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
光ガイド層５およびｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキ
シャルサポート層１６の表面上に、それぞれｐ−Ａｌ
0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサポート層１７および
ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサポート層１
８を設けているので、二光束干渉露光法および化学エッ
チング法によって回折格子１４を形成すると、その凸部
にこれらのエピタキシャルサポート層が残存することに
なる。それゆえ、ストライプ溝１５を埋め込むように、
ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６を容易にエピ
タキシャル成長させることができる。これは、下地とな
るエピタキシャルサポート層のＡｌ混晶比が小さいほ
ど、その上へのエピタキシャル成長が容易になるからで
あり、液晶エピタキシャル成長法の場合には、この傾向
が特に顕著となる。したがって、本実施例によれば、ｐ
−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５およびｎ−Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６の表面
上に形成された回折格子１４を、第２の成長工程におい
て容易に埋め込むことができ、成長不良や結晶欠陥を発
生させることなく、素子特性の優れた半導体レーザ装置
を歩留まりよく製造することができる。
光ガイド層５およびｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキ
シャルサポート層１６の表面上に、それぞれｐ−Ａｌ
0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサポート層１７および
ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓエピタキシャルサポート層１
８を設けているので、二光束干渉露光法および化学エッ
チング法によって回折格子１４を形成すると、その凸部
にこれらのエピタキシャルサポート層が残存することに
なる。それゆえ、ストライプ溝１５を埋め込むように、
ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層６を容易にエピ
タキシャル成長させることができる。これは、下地とな
るエピタキシャルサポート層のＡｌ混晶比が小さいほ
ど、その上へのエピタキシャル成長が容易になるからで
あり、液晶エピタキシャル成長法の場合には、この傾向
が特に顕著となる。したがって、本実施例によれば、ｐ
−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層５およびｎ−Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓエピタキシャルサポート層１６の表面
上に形成された回折格子１４を、第２の成長工程におい
て容易に埋め込むことができ、成長不良や結晶欠陥を発
生させることなく、素子特性の優れた半導体レーザ装置
を歩留まりよく製造することができる。
【００３６】なお、本実施例では、エピタキシャルサポ
ート層１７および１８を構成するＡｌＧａＡｓ混晶のＡ
ｌ混晶比を０．０５としたが、これに限定されることな
く、例えばＡｌ混晶比が０のＧａＡｓ混晶を用いてもよ
い。ＧａＡｓ混晶を用いれば、液晶エピタキシャル成長
法による第２の成長工程において、これらのＧａＡｓエ
ピタキシャルサポート層をメルトバックによって除去し
た後、回折格子１４をｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラ
ッド層６によって埋め込むことができる。この場合も、
上記の実施例と同様の効果が得られ、素子特性の優れた
半導体レーザ装置を歩留まりよく製造することができ
る。
ート層１７および１８を構成するＡｌＧａＡｓ混晶のＡ
ｌ混晶比を０．０５としたが、これに限定されることな
く、例えばＡｌ混晶比が０のＧａＡｓ混晶を用いてもよ
い。ＧａＡｓ混晶を用いれば、液晶エピタキシャル成長
法による第２の成長工程において、これらのＧａＡｓエ
ピタキシャルサポート層をメルトバックによって除去し
た後、回折格子１４をｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラ
ッド層６によって埋め込むことができる。この場合も、
上記の実施例と同様の効果が得られ、素子特性の優れた
半導体レーザ装置を歩留まりよく製造することができ
る。
【００３７】また、上記の実施例１〜２では、ＡｌＧａ
Ａｓ系の分布帰還型半導体レーザ装置について説明した
が、たとえば、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系の分布帰還型
半導体レーザ装置についても、同様の結果が得られた。
Ａｓ系の分布帰還型半導体レーザ装置について説明した
が、たとえば、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系の分布帰還型
半導体レーザ装置についても、同様の結果が得られた。
【００３８】
【発明の効果】このように、本発明によれば、活性層の
上方に形成された光ガイド層の表面上に回折格子が形成
され、しかもエピタキシャルサポート層を有しているの
で、発振閾値電流が小さく安定な単一横モード発振およ
び単一軸モード発振が可能な信頼性の高い分布帰還型半
導体レーザ装置が得られる。さらに、この半導体レーザ
装置を作製する際には、歩留まりよく、しかも素子特性
の再現性よく製造する方法が提供される。
上方に形成された光ガイド層の表面上に回折格子が形成
され、しかもエピタキシャルサポート層を有しているの
で、発振閾値電流が小さく安定な単一横モード発振およ
び単一軸モード発振が可能な信頼性の高い分布帰還型半
導体レーザ装置が得られる。さらに、この半導体レーザ
装置を作製する際には、歩留まりよく、しかも素子特性
の再現性よく製造する方法が提供される。
【図１】実施例１に係る本発明の半導体レーザ装置の一
部破断斜視図である。
部破断斜視図である。
【図２】実施例２に係る本発明の半導体レーザ装置の一
部破断斜視図である。
部破断斜視図である。
【図３】ストライプ埋め込み型のヘテロ構造を有する従
来の半導体レーザ装置を示す一部破断斜視図である。
来の半導体レーザ装置を示す一部破断斜視図である。
【図４】ストライプ埋め込み型のヘテロ構造を有する他
の従来の半導体レーザ装置を示す一部破断斜視図であ
る。
の従来の半導体レーザ装置を示す一部破断斜視図であ
る。
１，２１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ第１クラッド層 ３ Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層 ５ ｐ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ光ガイド層 ６ ｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ第２クラッド層 ９ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層 １４，３４ 回折格子 １５ ストライプ溝 ２２ ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１クラッド層 ２３ ＧａＡｓ活性層 ２５ ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層 ２６ ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２クラッド層 ３０ ｐ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第１埋め込み層 ３１ ｎ−Ａｌ0.36Ｇａ0.64Ａｓ第２埋め込み層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中西 千登勢 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 菅原 ▲聡▼ 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導
体レーザ装置であって、 半導体基板の上方に形成されたレーザ発振用の活性層
と、該活性層の上方に形成された光ガイド層と、該光ガ
イド層の上方に形成され、共振器方向に平行なストライ
プ溝を有する電流狭窄用の電流ブロック層と、上記スト
ライプ溝の底部における上記光ガイド層の表面上に形成
された回折格子と、上記ストライプ溝内の結晶成長を均
一化する上記電流ブロック層上に形成されたエピタキシ
ャルサポート層とを有する、半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導
体レーザ装置の製造方法であって、 半導体基板上に、活性層、光ガイド層、電流ブロック
層、エピタキシャルサポート層の順に半導体層を成長さ
せる工程と、 上記エピタキシャルサポート層及び上記電流ブロック層
を選択的にエッチングして、共振器方向に平行なストラ
イプ溝を形成し、該ストライプ溝の底部に上記光ガイド
層を露出させる工程と、 上記ストライプ溝の底部における上記光ガイド層の表面
上に回折格子を形成する工程と、 上記ストライプ溝を埋め込むようにクラッド層を形成す
る工程と、 を包含する半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6170683A JPH0774432A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6170683A JPH0774432A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2240770A Division JP2810518B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774432A true JPH0774432A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=15909464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6170683A Pending JPH0774432A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774432A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228281A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-03 | Fujitsu Ltd | Light emitting semiconductor device |
| JPH02206191A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP6170683A patent/JPH0774432A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228281A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-03 | Fujitsu Ltd | Light emitting semiconductor device |
| JPH02206191A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0526128B1 (en) | A method for producing a distributed feedback semiconductor laser device | |
| JP3510305B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ | |
| JPH0656906B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| EP0666625B1 (en) | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode | |
| US5303255A (en) | Distributed feedback semiconductor laser device and a method of producing the same | |
| JPH05129720A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2003243767A (ja) | 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子の製造方法 | |
| JP2810518B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH0774432A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2002057405A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| US6707835B2 (en) | Process for producing semiconductor laser element including S-ARROW structure formed by etching through mask having pair of parallel openings | |
| US4360920A (en) | Terraced substrate semiconductor laser | |
| JP2928578B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2000340887A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3274710B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子および分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3205589B2 (ja) | 半導体薄膜の成長方法 | |
| JPH0537070A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3022351B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11346033A (ja) | 半導体レ―ザ装置及びその製造方法 | |
| JPH11284276A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH0936491A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH03185889A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH06252508A (ja) | 半導体レーザ |