JPH0774003A - 抵抗材料と抵抗率制御法 - Google Patents
抵抗材料と抵抗率制御法Info
- Publication number
- JPH0774003A JPH0774003A JP5242171A JP24217193A JPH0774003A JP H0774003 A JPH0774003 A JP H0774003A JP 5242171 A JP5242171 A JP 5242171A JP 24217193 A JP24217193 A JP 24217193A JP H0774003 A JPH0774003 A JP H0774003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistivity
- resistance material
- batio
- resistance
- coo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電力密度に適合させるために、抵抗率を広範
囲に制御できる抵抗材料を提供する。 【構成】 式、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3 と式、Ｂａ1-y
Ｌａy ＴｉＯ3 （式中、ｘは０．５以上、ｙは１以下）
とからなる抵抗材料としたものであり、該抵抗材料は、
Ｌａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ3 との粉体をモ
ル比０．０５〜０．９５の範囲で混合し、高温で反応さ
せて製造することができ、モル比を変えることにより抵
抗率の異なる抵抗材料とすることができる。
囲に制御できる抵抗材料を提供する。 【構成】 式、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3 と式、Ｂａ1-y
Ｌａy ＴｉＯ3 （式中、ｘは０．５以上、ｙは１以下）
とからなる抵抗材料としたものであり、該抵抗材料は、
Ｌａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ3 との粉体をモ
ル比０．０５〜０．９５の範囲で混合し、高温で反応さ
せて製造することができ、モル比を変えることにより抵
抗率の異なる抵抗材料とすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗材料に係り、特に
電気加熱の材料として抵抗率が１０-4〜１０5 Ω・ｃｍ
と広範囲に制御できる材料とその製造法に関する。この
抵抗材料は、家電、食品、粉体、化学工業等の分野に利
用可能である。
電気加熱の材料として抵抗率が１０-4〜１０5 Ω・ｃｍ
と広範囲に制御できる材料とその製造法に関する。この
抵抗材料は、家電、食品、粉体、化学工業等の分野に利
用可能である。
【０００２】
【従来の技術】電気加熱の熱量は（電流）2 ×（抵抗）
であり、抵抗は（抵抗率）×（抵抗体の長さ）／（抵抗
体の断面積）であることは周知の通りである。抵抗率は
材料固有の物性であり必要な熱量は長さ及び断面積を変
えることにより得る。一方、限定された表面積に必要な
熱量を投入したいとき、即ち、電力密度が指定されたと
きは抵抗率が適当な値を持つ材料を利用した方が便利で
ある。
であり、抵抗は（抵抗率）×（抵抗体の長さ）／（抵抗
体の断面積）であることは周知の通りである。抵抗率は
材料固有の物性であり必要な熱量は長さ及び断面積を変
えることにより得る。一方、限定された表面積に必要な
熱量を投入したいとき、即ち、電力密度が指定されたと
きは抵抗率が適当な値を持つ材料を利用した方が便利で
ある。
【０００３】しかし、金属系のそれは１０-4Ω・ｃｍオ
ーダであり小さすぎ、又セラミックス系発熱体、例えば
ＳｉＣは１０0 〜１０-2Ω・ｃｍだが温度係数が正、負
混在の為不便である。又金属と絶縁物を混合して見掛け
上抵抗率を制御する方法があるが、絶縁物が多くなるほ
ど電気的に不連続になり、信頼性にかける欠点があっ
た。同様な考え方でカーボンを含有させた混合物もある
が、発熱体としては安全性に不安がある。また、抵抗率
が何ケタも異なる材料を混合した物質のそれは、パーコ
レーション理論よりある組成のところで急激な変化を起
すといわれているため、安定性に欠ける。
ーダであり小さすぎ、又セラミックス系発熱体、例えば
ＳｉＣは１０0 〜１０-2Ω・ｃｍだが温度係数が正、負
混在の為不便である。又金属と絶縁物を混合して見掛け
上抵抗率を制御する方法があるが、絶縁物が多くなるほ
ど電気的に不連続になり、信頼性にかける欠点があっ
た。同様な考え方でカーボンを含有させた混合物もある
が、発熱体としては安全性に不安がある。また、抵抗率
が何ケタも異なる材料を混合した物質のそれは、パーコ
レーション理論よりある組成のところで急激な変化を起
すといわれているため、安定性に欠ける。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の問題点を解決し、電力密度に適合させるた
めに、抵抗率を広範囲に制御できる抵抗材料を提供する
ことと、それを用いた抵抗率の制御法を提供することを
課題とする。
な従来技術の問題点を解決し、電力密度に適合させるた
めに、抵抗率を広範囲に制御できる抵抗材料を提供する
ことと、それを用いた抵抗率の制御法を提供することを
課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、式、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3 と式、Ｂ
ａ1-y Ｌａy ＴｉＯ3 （式中、ｘは０．５以上、ｙは１
以下）とからなる抵抗材料としたものである。また、本
発明では、前記抵抗材料の製造方法として、Ｌａ0.5 Ｂ
ａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ3 との粉体をモル比０．０
５〜０．９５の範囲で混合し、高温で反応させて製造す
ることとしたものである。
に、本発明では、式、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3 と式、Ｂ
ａ1-y Ｌａy ＴｉＯ3 （式中、ｘは０．５以上、ｙは１
以下）とからなる抵抗材料としたものである。また、本
発明では、前記抵抗材料の製造方法として、Ｌａ0.5 Ｂ
ａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ3 との粉体をモル比０．０
５〜０．９５の範囲で混合し、高温で反応させて製造す
ることとしたものである。
【０００６】上記製造方法において、反応温度は８００
〜１５００℃の範囲がよい。さらに、前記抵抗材料にお
いては、原料モル比をそれぞれ変えることにより抵抗率
の相違する抵抗材料が得られるので、それらを任意に用
いることにより抵抗率を制御することができる。
〜１５００℃の範囲がよい。さらに、前記抵抗材料にお
いては、原料モル比をそれぞれ変えることにより抵抗率
の相違する抵抗材料が得られるので、それらを任意に用
いることにより抵抗率を制御することができる。
【０００７】
【作用】反応前の混合比、Ｌａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 を
０．４、ＢａＴｉＯ3 を０．６用いて反応させ、その生
成物をＸ線回折した。Ｘ線回折パターンは斜方晶のＬａ
0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 系と正方晶のＢａＴｉＯ3 系の混
合物として解析を行った。その結果の焼結体の格子定数
を表１に示す。
０．４、ＢａＴｉＯ3 を０．６用いて反応させ、その生
成物をＸ線回折した。Ｘ線回折パターンは斜方晶のＬａ
0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 系と正方晶のＢａＴｉＯ3 系の混
合物として解析を行った。その結果の焼結体の格子定数
を表１に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】この結果から、Ｌａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3
はＬａよりもイオン半径の大きいＢａがＬａと置換して
格子定数が増大したことから、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3
のｘは０．５以上であり、またＢａＴｉＯ3 のＢａが一
部Ｌａと置換してＴｉ4+がＴｉ3+となり、格子定数が変
化して立方晶へと結晶系が転移したものと推定された。
従って、Ｂａ1-y Ｌａy ＴｉＯ3 のｙは１以上である。
また、金属や半導体の抵抗係数は、前者は“正”、後者
は“負”であが、本発明の抵抗材の内、ＢａＴｉＯ3 の
混合比０．１〜０．２の間で生成したそれは、抵抗の温
度係数がほとんど変らないことが特徴点である。
はＬａよりもイオン半径の大きいＢａがＬａと置換して
格子定数が増大したことから、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3
のｘは０．５以上であり、またＢａＴｉＯ3 のＢａが一
部Ｌａと置換してＴｉ4+がＴｉ3+となり、格子定数が変
化して立方晶へと結晶系が転移したものと推定された。
従って、Ｂａ1-y Ｌａy ＴｉＯ3 のｙは１以上である。
また、金属や半導体の抵抗係数は、前者は“正”、後者
は“負”であが、本発明の抵抗材の内、ＢａＴｉＯ3 の
混合比０．１〜０．２の間で生成したそれは、抵抗の温
度係数がほとんど変らないことが特徴点である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 実施例１ 出発物質としてＬａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ
3 を選んだ。前者の抵抗率は１０-4Ω・ｃｍ（室温）で
あり、後者は１０12Ω・ｃｍであるが、本研究では、原
子価制御してＰＴＣＲ効果を示すものを用いた。Ｌａ
0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 は、構成金属の硝酸塩水溶液から
共沈及び固相反応（１１５０℃、１２ｈ）法により調製
した。ＢａＴｉＯ3 は、ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）・４Ｈ
2 Ｏに０．２ｍｏｌ％のＳｂ3+を加えたものを１１５０
℃で６時間熱処理することにより調製した。それぞれの
粉体を所定のモル比でよく混合し、加圧成形（３ｔ／ｃ
ｍ2）後、１３５０℃、１時間焼結させた。焼結体を５
×３×１５ｍｍに整形した後、直流４端子法で抵抗率を
測定した。
るが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 実施例１ 出発物質としてＬａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ
3 を選んだ。前者の抵抗率は１０-4Ω・ｃｍ（室温）で
あり、後者は１０12Ω・ｃｍであるが、本研究では、原
子価制御してＰＴＣＲ効果を示すものを用いた。Ｌａ
0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 は、構成金属の硝酸塩水溶液から
共沈及び固相反応（１１５０℃、１２ｈ）法により調製
した。ＢａＴｉＯ3 は、ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）・４Ｈ
2 Ｏに０．２ｍｏｌ％のＳｂ3+を加えたものを１１５０
℃で６時間熱処理することにより調製した。それぞれの
粉体を所定のモル比でよく混合し、加圧成形（３ｔ／ｃ
ｍ2）後、１３５０℃、１時間焼結させた。焼結体を５
×３×１５ｍｍに整形した後、直流４端子法で抵抗率を
測定した。
【００１１】Ｌａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ3
の混合比を１０：０，９：１，７：３，５：５，４：
６，８：２及び０：１０とした。抵抗率の測定は、２０
〜２５０℃で行った。直流４端子法で測定した試料抵抗
率を図１に示す。原子価制御したＢａＴｉＯ3 を除きｌ
ｏｇρとＢａＴｉＯ3 の混合比は線形となった。Ｌａ
0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 は測定温度範囲内で金属伝導性を
示すが、ＢａＴｉＯ3 の混合比が０．３以上になると半
導体となった。なお、図中の数値はＢａＴｉＯ3 の混合
比である。図２にＢａＴｉＯ3 混合比０．６のＸ線回折
パターンを示す。
の混合比を１０：０，９：１，７：３，５：５，４：
６，８：２及び０：１０とした。抵抗率の測定は、２０
〜２５０℃で行った。直流４端子法で測定した試料抵抗
率を図１に示す。原子価制御したＢａＴｉＯ3 を除きｌ
ｏｇρとＢａＴｉＯ3 の混合比は線形となった。Ｌａ
0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 は測定温度範囲内で金属伝導性を
示すが、ＢａＴｉＯ3 の混合比が０．３以上になると半
導体となった。なお、図中の数値はＢａＴｉＯ3 の混合
比である。図２にＢａＴｉＯ3 混合比０．６のＸ線回折
パターンを示す。
【００１２】
【発明の効果】本発明の抵抗材料は、抵抗率が１０-4〜
１０5 Ω・ｃｍのものが得られ、また、抵抗率の対数が
組成と線形関係となるので、目的に応じて、抵抗率を制
御でき、それぞれの分野に有効に利用できる。
１０5 Ω・ｃｍのものが得られ、また、抵抗率の対数が
組成と線形関係となるので、目的に応じて、抵抗率を制
御でき、それぞれの分野に有効に利用できる。
【図１】混合比を変えた場合の温度と抵抗率の関係を示
すグラフ。
すグラフ。
【図２】ＢａＴｉＯ3 混合比０．６のＸ線回折パターン
図。
図。
Claims (4)
- 【請求項１】 式、Ｌａ1-x Ｂａx ＣｏＯ3 と式、Ｂａ
1-y Ｌａy ＴｉＯ3（式中、ｘは０．５以上、ｙは１以
下）とからなる抵抗材料。 - 【請求項２】 Ｌａ0.5 Ｂａ0.5 ＣｏＯ3 とＢａＴｉＯ
3 との粉体をモル比０．０５〜０．９５の範囲で混合
し、高温で反応させて製造することを特徴とする請求項
１記載の抵抗材料の製造方法。 - 【請求項３】 前記反応温度は、８００〜１５００℃で
あることを特徴とする請求項２記載の抵抗材料の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項１記載の抵抗材料において、それ
ぞれの成分比を変えて抵抗率の異なる材料とすることを
特徴とする抵抗率制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24217193A JP3307732B2 (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 抵抗材料と抵抗率制御法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24217193A JP3307732B2 (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 抵抗材料と抵抗率制御法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774003A true JPH0774003A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3307732B2 JP3307732B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17085380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24217193A Expired - Fee Related JP3307732B2 (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 抵抗材料と抵抗率制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307732B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996011878A1 (en) * | 1994-10-18 | 1996-04-25 | The Regents Of The University Of California | The combinatorial synthesis of novel materials |
| US6004617A (en) * | 1994-10-18 | 1999-12-21 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP24217193A patent/JP3307732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996011878A1 (en) * | 1994-10-18 | 1996-04-25 | The Regents Of The University Of California | The combinatorial synthesis of novel materials |
| US5776359A (en) * | 1994-10-18 | 1998-07-07 | Symyx Technologies | Giant magnetoresistive cobalt oxide compounds |
| US5985356A (en) * | 1994-10-18 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
| US6004617A (en) * | 1994-10-18 | 1999-12-21 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
| US6346290B1 (en) | 1994-10-18 | 2002-02-12 | Symyx Technologies, Inc. | Combinatorial synthesis of novel materials |
| CN1082936C (zh) * | 1994-10-18 | 2002-04-17 | 加利福尼亚大学董事会 | 制备材料阵列的方法和材料阵列 |
| US6649413B1 (en) | 1994-10-18 | 2003-11-18 | Lawrence Berkeley National Laboratory | Synthesis and screening combinatorial arrays of zeolites |
| US6686205B1 (en) | 1994-10-18 | 2004-02-03 | Lawrence Berkeley National Laboratory | Screening combinatorial arrays of inorganic materials with spectroscopy or microscopy |
| US6794052B2 (en) | 1994-10-18 | 2004-09-21 | The Regents Of The University Of California | Polymer arrays from the combinatorial synthesis of novel materials |
| US6864201B2 (en) | 1994-10-18 | 2005-03-08 | The Regents Of The University Of California | Preparation and screening of crystalline zeolite and hydrothermally-synthesized materials |
| US7034091B2 (en) | 1994-10-18 | 2006-04-25 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis and screening of non-biological polymers |
| US7442665B2 (en) | 1994-10-18 | 2008-10-28 | The Regents Of The University Of California | Preparation and screening of crystalline inorganic materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3307732B2 (ja) | 2002-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nobre et al. | Dielectric properties of Bi3Zn2Sb3O14 ceramics at high temperature | |
| JPWO2008050875A1 (ja) | 半導体磁器組成物とその製造方法 | |
| JP3039513B2 (ja) | チタン酸バリウム粉末、および半導体セラミック、ならびに半導体セラミック素子 | |
| US3928837A (en) | Ceramic oxide resistor element | |
| Rao et al. | Effect of Cr impurity on the dc resistivity of Mn‐Zn ferrites | |
| CN101580386A (zh) | 热敏陶瓷电阻材料及电阻元件及该电阻元件的制备方法 | |
| Rafiq et al. | Impedance analysis and conduction mechanism of Ba doped Mn 1.75 Ni 0.7 Co 0.5− x Cu 0.05 O 4 NTC thermistors | |
| JPH068210B2 (ja) | バリスタ材料及びその製法 | |
| CN110423112B (zh) | 一种温区与b值可调的双钙钛矿相复合热敏电阻材料及其制备方法 | |
| JP3307732B2 (ja) | 抵抗材料と抵抗率制御法 | |
| Yüksel Price et al. | Preparation and characterization of Ni–Co–Zn–Mn–O negative temperature coefficient thermistors with B 2 O 3 addition | |
| JPH0562805A (ja) | 高温用サーミスタ材料 | |
| CN112851335A (zh) | 一种类钙钛矿基复合高温热敏电阻材料及其制备方法 | |
| JP2588951B2 (ja) | 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 | |
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JP3320122B2 (ja) | 半導体化ビスマス層状構造酸化物およびｐｔｃサーミスタ素子 | |
| JPH06183734A (ja) | 高温ｐｔｃ材料及びその製造法 | |
| Reddy et al. | Synthesis of zinc oxide varistors with bismuth oxide additive by the sol–gel route | |
| JPH07277825A (ja) | 導電性セラミックス | |
| Bera et al. | Diffuse phase transition in Ca-modified Pb (Li1/4La1/4Mo1/2) O3 ferroelectric ceramics | |
| JPS5948521B2 (ja) | 正特性半導体磁器の製造方法 | |
| JPH06135723A (ja) | 一般式ＰｂＰｄＯ２で示される斜方晶系の構造を有する鉛・パラジウム酸化物化合物からなる電気伝導材料 | |
| KR0147968B1 (ko) | Ptc 써미스터용 세라믹 조성물 | |
| JP3564577B2 (ja) | 導電性セラミックス | |
| JPH0220571B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080517 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100517 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110517 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |