JPH0773991A - Substrate carrying device - Google Patents
Substrate carrying deviceInfo
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- JPH0773991A JPH0773991A JP24067693A JP24067693A JPH0773991A JP H0773991 A JPH0773991 A JP H0773991A JP 24067693 A JP24067693 A JP 24067693A JP 24067693 A JP24067693 A JP 24067693A JP H0773991 A JPH0773991 A JP H0773991A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、搬送中の物品に発生す
る静電気を高速度で除去する搬送装置に係わり、特に液
晶製造におけるガラス大型基板の搬送途上で発生する帯
電の除去に威力を発揮するガラス基板の搬送装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer device for removing static electricity generated in an article being transferred at a high speed, and is particularly effective in removing charges generated during the transfer of a large glass substrate in liquid crystal manufacturing. The present invention relates to a glass substrate transport device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ノートブック型のパソコンあるい
は液晶テレビの普及とともに、TFT(薄膜トランジス
タ)を用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレイ
(AM−LCD)の量産技術の確立が要求されている。
AM−LCD製造工程は、ガラス基板上にアモルファス
シリコン、絶縁体、導電体などの各種薄膜を堆積しパタ
ーン加工してTFTや液晶駆動用の表示電極や配線を形
成するTFT工程、TFT基板とカラーフィルタ(C
F)基板とを位置合わせして重ね隙間に液晶を注入する
パネル工程、パネル周辺に駆動回路ICを接続しバック
ライトなどを実装するモジュール工程からなる。2. Description of the Related Art In recent years, with the spread of notebook type personal computers or liquid crystal televisions, establishment of mass production technology of active matrix liquid crystal displays (AM-LCD) using TFTs (thin film transistors) is required.
The AM-LCD manufacturing process is a TFT process of depositing various thin films of amorphous silicon, insulators, conductors, etc. on a glass substrate and patterning them to form display electrodes and wiring for driving TFTs and liquid crystals, TFT substrate and color. Filter (C
F) A panel process of aligning a substrate and injecting liquid crystal into the overlapping gap, and a module process of connecting a drive circuit IC around the panel and mounting a backlight and the like.
【0003】ところで、LCDの量産を押し進めるため
には、静電気対策が、類似の製造工程を有するLSI製
造の場合よりも、遥かに重要で、歩留まり確保のための
最大の問題点である。すなわち、LCDの基板材料は絶
縁性のガラスであるため、LSIの基板材料であるシリ
コン単結晶(半導体)と比べて、静電気による帯電が遥
かに生じやすく、パーティクルの吸着や、堆積膜の絶縁
破壊を招きやすいからである。In the meantime, in order to promote mass production of LCDs, measures against static electricity are much more important than in the case of LSI manufacturing having a similar manufacturing process, and are the biggest problems for securing the yield. That is, since the substrate material of the LCD is an insulating glass, electrostatic charging is much more likely to occur as compared with the silicon single crystal (semiconductor) which is the substrate material of the LSI, and adsorption of particles and dielectric breakdown of the deposited film. Because it is easy to invite.
【0004】しかしながら、LCD製造はLSI製造と
比較して、次のような固有の問題を有している。すなわ
ち、第1に、LCDの基板形状は角型で、大きく、重い
ことから、バッチ処理が困難であり、搬送など取扱いも
難しい。第2に、線幅、線間隔などのパターン加工精度
はLSIに比べて1桁緩いものの、シリコン基板の数倍
に及ぶ広い面積での加工の均一性が必要である。第3
に、歩留まりの概念が相違する。すなわち、1MDRA
Mに相当する10型クラスのTFT−LCDでは1枚の
ガラス基板上に2パネル分しか面付けできず、歩留まり
は0%、50%、100%の3値しか取り得ない。LS
Iが、1枚のシリコン基板上に数百チップを配置できる
のとは対象的である。However, LCD manufacturing has the following inherent problems as compared with LSI manufacturing. That is, first, since the LCD substrate is rectangular, large and heavy, batch processing is difficult and handling such as transportation is also difficult. Secondly, although the pattern processing accuracy such as the line width and the line interval is one digit less than that of the LSI, the processing uniformity in a wide area which is several times as large as that of the silicon substrate is required. Third
In addition, the concept of yield is different. That is, 1 MDRA
In a 10-inch class TFT-LCD corresponding to M, only 2 panels can be mounted on one glass substrate, and the yield can be three values of 0%, 50% and 100%. LS
In contrast, I can place hundreds of chips on a single silicon substrate.
【0005】したがって、LCD製造工程における静電
対策を確立するためには、上記のような固有の問題の解
決をあわせて考える必要がある。このような観点を踏ま
えた帯電物体の除電技術として、従来よりコロナ放電を
利用した各種のイオナイザが知られている。また最近で
は、帯電物体の周囲雰囲気の空気に軟X線を照射してそ
の空気を電離・イオン化し、帯電を中和する方法も開発
されている。これらの除電技術の原理は、いずれも空気
を電離して(コロナ、軟X線を問わない)発生する空気
イオンで帯電電荷を中和する方法である。Therefore, in order to establish a countermeasure against static electricity in the LCD manufacturing process, it is necessary to consider the solution of the above-mentioned inherent problems together. Various ionizers utilizing corona discharge have been conventionally known as a static elimination technology for a charged object based on this viewpoint. Recently, a method has also been developed in which air in the atmosphere surrounding a charged object is irradiated with soft X-rays to ionize and ionize the air to neutralize the charge. The principle of these static elimination techniques is a method in which air is ionized (whether corona or soft X-ray is generated) to neutralize the charge with air ions generated.
【0006】これらの技術のうち、本願発明者らが先に
出願した特願平5−88172号に開示されている液晶
用イオナイザの概要を、図5に示す。このイオナイザ1
00は、搬送装置101上を運ばれてくる大型ガラス基
板102(300×400mm2)の帯電(数kV)
を、3秒間で、全面にわたってムラなく一様に、99%
以上除電できるものである。その特徴を以下に示す。Of these techniques, FIG. 5 shows an outline of the liquid crystal ionizer disclosed in Japanese Patent Application No. 5-88172 filed by the inventors of the present application. This ionizer 1
00 is the charging (several kV) of the large glass substrate 102 (300 × 400 mm 2 ) carried on the carrier device 101.
99% evenly over the entire surface in 3 seconds
The charge can be removed as described above. The features are shown below.
【0007】1)イオンコントローラ103により制御
可能なパワーユニットトランス部104よりAC電圧を
放電電極105に印加するとともにDC電圧を対極10
6に印加し、同時に送風ユニット107より除塵された
空気を供給することにより、空気イオンを含んだ気流が
スリットノズル108から吹き出して、その気流が大型
ガラス基板102の表面全面を覆いつくすように広がる
ため、除電ムラがない。気流速度はノズル出口において
12m/s、ノズル出口から15cm離れた位置で2〜
3m/sである。ノズル出口からの気流がガラス基板に
到達するまでの時間は、十分の一秒以下と短く、この気
流を数秒だけガラス基板に照射するだけで、数kVの帯
電の90%以上を除去できる。1) An AC voltage is applied to the discharge electrode 105 from the power unit transformer section 104 which can be controlled by the ion controller 103, and a DC voltage is applied to the counter electrode 10.
6 and simultaneously supplying dust-removed air from the blower unit 107, an air flow containing air ions blows out from the slit nozzle 108, and the air flow spreads so as to cover the entire surface of the large glass substrate 102. Therefore, there is no charge removal unevenness. The air velocity is 12 m / s at the nozzle outlet and 2 to 15 cm away from the nozzle outlet.
It is 3 m / s. The time required for the air flow from the nozzle outlet to reach the glass substrate is as short as one tenth of a second or less, and by irradiating the glass substrate with this air flow for only a few seconds, 90% or more of the electrification of several kV can be removed.
【0008】2)また、スリットノズル108吹出口に
配置される上記金属製の放電極105を石英ガラスで被
覆することにより、放電に伴う電極の劣化と発塵を防止
することが可能である。2) Further, by covering the metallic discharge electrode 105 arranged at the outlet of the slit nozzle 108 with quartz glass, it is possible to prevent the deterioration and dust generation of the electrode due to the discharge.
【0009】3)さらに、放電極の下流側に穴開きステ
ンレス板を対極106として設けた。ノズルから吹き出
したイオン気流はこの開口部を通過する。この際、正と
負のイオン濃度を均衡させるために、対極に+30V〜
+500Vの直流電圧を印加して、気流中に過剰に含ま
れる負イオンを対極に吸収することが可能である。3) Further, a perforated stainless plate was provided as the counter electrode 106 on the downstream side of the discharge electrode. The ion stream blown out from the nozzle passes through this opening. At this time, in order to balance the positive and negative ion concentrations, +30 V to the counter electrode
By applying a DC voltage of +500 V, it is possible to absorb negative ions excessively contained in the airflow in the counter electrode.
【0010】つぎに、最近開発された軟X線による除電
技術について簡単に説明する。この技術は、帯電体近傍
に軟X線を照射して空気を電離し、発生する空気イオン
のうち、帯電と逆極性のイオンがクローン力によって帯
電体に吸収され、帯電を除去するものである。その特徴
を以下に示す。Next, a brief description will be given on the recently developed static elimination technology using soft X-rays. This technique irradiates soft X-rays in the vicinity of a charged body to ionize air, and among the generated air ions, ions having a polarity opposite to that of the charge are absorbed by the charged body by the Cloning force, and the charge is removed. . The features are shown below.
【0011】1)イオナイザ(コロナ放電方式)では不
可欠の、発生イオンを放電極から帯電物体まで搬送する
ための気流を全く必要としない。1) The ionizer (corona discharge method), which is indispensable, does not require any air flow for transporting the generated ions from the discharge electrode to the charged object.
【0012】2)イオナイザのように発生した正と負の
イオンを気流で搬送する場合には、帯電物体にイオンが
到達するまでの搬送途上で、正負イオンが結合・中和し
てイオン濃度が減衰してしまう。一方、軟X線では、帯
電物体近傍の空気を直接電離するため、電離直後の高濃
度イオンが、減衰することなく帯電物体に到達して、除
電に利用される。軟X線方式がコロナ放電方式よりも除
電時間が大幅に短い所以である。2) When the positive and negative ions generated like an ionizer are transported by an air flow, the positive and negative ions are bound and neutralized during the transportation until the ions reach the charged object, and the ion concentration is increased. Will decay. On the other hand, with soft X-rays, the air in the vicinity of the charged object is ionized directly, so that the high-concentration ions immediately after ionization reach the charged object without being attenuated and are used for static elimination. This is why the soft X-ray method has a significantly shorter static elimination time than the corona discharge method.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な液晶用イオナイザは空気イオンを気流で搬送するた
め、気流速度によっては除電の対象となる帯電物体周辺
の雰囲気をかき乱すことになる。清浄度があまり高くな
いクリーンルーム内で使用する場合、周囲表面に沈着し
たゴミを舞い上げ、結晶パネル表面を汚すことになる。By the way, since the above-mentioned liquid crystal ionizer conveys air ions in a stream of air, depending on the velocity of the stream of air, it disturbs the atmosphere around the charged object to be discharged. When it is used in a clean room where the cleanliness is not so high, dust deposited on the surrounding surface is thrown up and the surface of the crystal panel is polluted.
【0014】一方、軟X線による除電法では、軟X線が
薄い空気層によっても容易に吸収されてしまう特性を有
するものの、作業者の被曝を完全に防止するためには、
照射空間全体を厚み1〜2mmの塩ビ板のようなもので
覆う必要がある。液晶パネルは遮蔽板で覆われた閉空間
内部を搬送されることになり、クリーンルーム全体の清
浄化技術に加え、この閉空間の清浄化技術が新たに必要
となる。そのため、液晶パネルをクリーンルーム内の清
浄空気に対して開放された状態で搬送するという従来形
式搬送法のコスト面での有利性が失われてしまう。On the other hand, the static elimination method using soft X-rays has a characteristic that the soft X-rays are easily absorbed even by a thin air layer, but in order to completely prevent exposure of workers,
It is necessary to cover the entire irradiation space with something like a PVC plate having a thickness of 1 to 2 mm. The liquid crystal panel will be transported inside the closed space covered with the shielding plate, and in addition to the cleaning technology for the entire clean room, this cleaning technology for the closed space is newly required. Therefore, the cost advantage of the conventional type transfer method, in which the liquid crystal panel is transferred to the clean air in the clean room, is lost.
【0015】さらに、イオナイザと軟X線のいずれの除
電法も剥離帯電とその瞬間に起こる素子の絶縁破壊を防
止することは不可能である。その理由を図6を用いて説
明する。図6は大型ガラス基板の搬送装置120の概要
で、一端で搬送ベルト121上に搭載されたガラス基板
122は他端において搬送アーム123の吸着チャック
124で持ち上げられる。搬送途上において、互いに接
触したガラス面とベルト面がわずかでも擦れ合うと、ガ
ラス面は正に、ベルト面は負に帯電する。この段階では
異符号に帯電した面は密着しており、見かけ上互いに中
和した状態にある。ところが、真空チャック124で両
面を分離すると、剥離帯電によって瞬時にガラス基板1
25の厚み方向に正帯電に起因する電界が現れ、ガラス
基板125上に形成された素子を絶縁破壊する。Furthermore, neither the ionizer nor the soft X-ray neutralization method can prevent the peeling charge and the dielectric breakdown of the element occurring at that moment. The reason will be described with reference to FIG. FIG. 6 is an outline of a large glass substrate transfer device 120. A glass substrate 122 mounted on a transfer belt 121 at one end is lifted by a suction chuck 124 of a transfer arm 123 at the other end. If the glass surface and the belt surface that are in contact with each other rub against each other even during transportation, the glass surface is charged positively and the belt surface is charged negatively. At this stage, the oppositely charged surfaces are in close contact with each other and apparently neutralized with each other. However, when both surfaces are separated by the vacuum chuck 124, the glass substrate 1 is instantaneously peeled off and charged.
An electric field due to positive charging appears in the thickness direction of 25, and the element formed on the glass substrate 125 is dielectrically broken down.
【0016】また、イオナイザや軟X線のように空気イ
オンによって帯電を中和する方法では、剥離帯電によっ
てガラス基板に生じた帯電を除去するのに0.5秒〜数
秒も要し、素子の絶縁破壊防止には役立たない。また、
ガラス基板に生じた帯電を空気イオンを利用して中和し
ようとする場合には、図7に示すようにガラス基板13
0の表面130Aに帯電物品の中和装置131により形
成された空気イオンが吸着すると、剥離帯電によってガ
ラス基板の裏面130Bに生じた帯電とは異なる極性の
帯電がガラス基板の表面に生じることになる。電界はガ
ラス基板内部にのみ収束するので、見かけ上、帯電は中
和されたようになるが、基板内部の素子の劣化や液晶分
子の配向ムラの原因となる。Further, in the method of neutralizing the charge by the air ions such as the ionizer and the soft X-ray, it takes 0.5 seconds to several seconds to remove the charge generated on the glass substrate by the peeling charge, and the element It does not help prevent dielectric breakdown. Also,
When it is attempted to neutralize the charge generated on the glass substrate using air ions, as shown in FIG.
When air ions formed by the neutralization device 131 of the charged article are adsorbed on the surface 130A of 0, the surface of the glass substrate is charged with a different polarity from the charge generated on the back surface 130B of the glass substrate due to peeling charging. . Since the electric field converges only inside the glass substrate, the charge appears to be neutralized, but this causes deterioration of the elements inside the substrate and uneven alignment of liquid crystal molecules.
【0017】さらに、イオナイザと軟X線源のいずれの
除電装置も、装置1台当たりの除電可能な範囲は限定さ
れている。そのため、搬送経路の帯電が発生する可能性
のある全ての箇所に多数の除電装置を設置しなければな
らず、多数の除電装置を同時に稼働させれば、個々の除
電装置の故障、メンテナンスの煩雑さが必然的に生じる
ことになる。Further, in both of the ionizer and the soft X-ray source, the range of charge removal per device is limited. Therefore, it is necessary to install a large number of static eliminators at all the places where the charging of the transport path may occur, and if a large number of static eliminators are operated at the same time, the breakdown and maintenance of each static eliminator will be complicated. Will inevitably occur.
【0018】したがって、本発明は、ガラス基板の搬送
時に使用される従来の除電装置が有するこのような問題
を解決し、高品質のLCDの量産を可能にすることを課
題としたものである。Therefore, an object of the present invention is to solve such a problem of a conventional static eliminator used when a glass substrate is transported and to enable mass production of high quality LCDs.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に基づいて構成された基板搬送装置は、除電
対象基板との接触面が導電性または半導電性材料からな
りかつ接地された基板支持部を備えた搬送機構と、少な
くともその基板支持部から基板が離れる直前に基板に対
して搬送空間よりも相対湿度の高いエアを吹き掛けるた
めの送気手段とを備えたことを特徴としている。In order to solve the above problems, in a substrate transfer device constructed according to the present invention, a contact surface with a substrate to be neutralized is made of a conductive or semiconductive material and is grounded. A transport mechanism having a substrate supporting portion, and an air supply unit for blowing air having a relative humidity higher than that of the transport space onto the substrate at least immediately before the substrate is separated from the substrate supporting portion. I am trying.
【0020】また本発明装置に使用可能な送気手段に
は、風量調節手段、調湿手段、調温手段、あるいは空気
濾過手段を設けることが可能である。さらに送気手段
に、基板に対して一様気流、ジェット気流またはカーテ
ン気流を吹き付けるための送気口を設けることも可能で
ある。あるいは、基板支持台の近傍の相対湿度を検出す
るためのセンサを設け、そのセンサからの信号に応じて
送気手段から送気される空気の温湿度を制御する構成に
することも可能である。Further, the air supply means usable in the apparatus of the present invention may be provided with an air volume adjusting means, a humidity adjusting means, a temperature adjusting means, or an air filtering means. Further, the air supply means may be provided with an air supply port for blowing a uniform air flow, a jet air flow or a curtain air flow onto the substrate. Alternatively, it is possible to provide a sensor for detecting the relative humidity in the vicinity of the substrate support and to control the temperature and humidity of the air supplied from the air supply means according to the signal from the sensor. .
【0021】さらにまた、送気手段の上流側に、コロナ
放電電極や軟X線照射装置などの空気を電離して発生す
る空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物中和装置
を設ける構成を採用することも可能である。Furthermore, a configuration is provided on the upstream side of the air supply means, such as a corona discharge electrode or a soft X-ray irradiation device, in which a charged substance neutralizing device for neutralizing the charged electric charge by air ions generated by ionizing the air. It is also possible to adopt.
【0022】[0022]
【作用】本発明装置は、本願発明者らが知見した、物体
表面上の静電荷がその物体の表面を通じて接地側に漏洩
する現象を利用したものであり、さらには、空気中の湿
度が大きい場合に物体表面の静電荷が直接空気中に漏洩
する、いわゆる「気中漏洩」による静電荷の減衰を利用
したものである。The device of the present invention utilizes the phenomenon found by the inventors of the present invention that the electrostatic charge on the surface of an object leaks to the ground side through the surface of the object. Furthermore, the humidity in the air is large. In this case, the electrostatic charge on the surface of the object leaks directly into the air, that is, the attenuation of the electrostatic charge due to so-called “air leakage” is used.
【0023】このように相対湿度が増すと表面帯電の減
衰が著しくなる主な理由は、ガラス表面の水の吸着量が
増加して表面抵抗値が減少するためである。すなわち、
ガラスの主成分であるSiO2のO原子は孤立電子対を
持つため、水分子のHと水素結合し易いため、ガラス表
面に水分子層が形成されやすく、その水分子層から基板
支持台を経由して接地側に漏洩を生じさせることができ
る。なお、TFT−LCDの製造工程は、ガラス基板上
に薄膜電極、絶縁膜を形成するものであり、複数層の電
極を絶縁膜で保護していくため、工程のなかで絶縁膜形
成工程の占める割合は大きい。しかしながら、絶縁膜
は、SiN、SiO2、Al2O3、Ta2O5等であり、
OやN原子はSiO2のO原子と同様に孤立電子対を持
つことを考慮すれば、このような絶縁膜付きガラス基板
に対しても本発明装置は有効である。さらに、相対湿度
が80%以上では、表面電荷の気中漏洩による減衰もガ
ラス基板表面の除電に効果的に作用する。The main reason why the surface charge is greatly attenuated as the relative humidity increases is that the amount of water adsorbed on the glass surface increases and the surface resistance value decreases. That is,
Since the O atom of SiO 2 which is the main component of glass has a lone pair of electrons, it easily forms a hydrogen bond with H of a water molecule, so that a water molecule layer is easily formed on the glass surface, and the water molecule layer forms a substrate support. Leakage can occur on the ground side via the via. In the manufacturing process of the TFT-LCD, a thin film electrode and an insulating film are formed on a glass substrate, and since a plurality of layers of electrodes are protected by the insulating film, the insulating film forming process occupies the process. The proportion is high. However, the insulating film is SiN, SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5, etc.,
Considering that O and N atoms have a lone electron pair like the O atom of SiO 2, the device of the present invention is effective for such a glass substrate with an insulating film. Further, when the relative humidity is 80% or more, the attenuation of surface charges due to air leakage also effectively acts on the charge removal of the glass substrate surface.
【0024】すなわち本発明によれば、送気手段から吐
出される周囲雰囲気よりも大きな相対湿度を有する気流
を基板に吹き掛けることにより、気流が触れた基板面近
傍は、周囲雰囲気よりも大きな相対湿度の雰囲気に包ま
れ、基板面の帯電電荷の大部分は基板面に付着した水分
子層と基板支持台を経由して接地側へ漏洩し、基板面の
帯電電荷の一部は気中へ直接漏洩する。この結果、短時
間に基板面に帯電した静電荷が除電されるので、基板を
支持台から離した場合であっても剥離帯電現象が生じ
ず、基板に形成された素子の絶縁破壊を有効に防止する
ことができる。That is, according to the present invention, an air flow having a relative humidity higher than that of the ambient atmosphere discharged from the air supply means is blown onto the substrate, so that the vicinity of the surface of the substrate touched by the air flow has a relative humidity higher than that of the ambient atmosphere. Enclosed in an atmosphere of humidity, most of the charge on the substrate surface leaks to the ground side via the water molecule layer attached to the substrate surface and the substrate support, and part of the charge on the substrate surface is released into the air. It leaks directly. As a result, the electrostatic charges charged on the surface of the substrate are eliminated in a short time, so that the peeling charging phenomenon does not occur even when the substrate is separated from the support table, and the dielectric breakdown of the element formed on the substrate is effectively performed. Can be prevented.
【0025】送気手段に、風量調節手段、調湿手段、調
温手段、あるいは空気濾過手段を設けることにより、風
量、湿度、温度を搬送環境に応じて調節することが可能
となり、あるいはULPAフィルタなどにより除塵した
空気を用いることにより、気中の微粒子による基板の汚
染を防止することができる。また、送気口を工夫するこ
とにより、搬送環境に応じて、吹出エアを一様気流、ジ
ェット気流またはカーテン気流として基板に吹き掛ける
ことができる。例えば、通常の搬送時には低風速かつ大
流量の一様気流としてエアを吹き掛け、周囲雰囲気の清
浄度が高くゴミの舞い上げによるパネル表面の汚染の心
配がない場合には高風速かつ小流量のカーテン気流ない
しジェット気流としてエアを吹き掛け、あるいは基板の
両面が帯電している場合には基板に対して平行な一様流
を吹き掛けることにより所望の除電効果を得ることがで
きる。さらにセンサにより基台近傍の相対湿度を検出
し、その信号に応じて、風量、湿度、温度をフィードバ
ック制御することにより、より安定した除電環境を提供
することができる。By providing the air supply means with the air volume adjusting means, the humidity adjusting means, the temperature adjusting means, or the air filtering means, it becomes possible to adjust the air volume, the humidity, and the temperature according to the transport environment, or the ULPA filter. By using the air that has been removed by dusting, it is possible to prevent the substrate from being contaminated by fine particles in the air. Further, by devising the air supply port, blown air can be blown onto the substrate as a uniform air flow, a jet air flow, or a curtain air flow according to the transport environment. For example, when air is blown as a uniform air stream with a low wind speed and a large flow rate during normal transportation, and when the surrounding atmosphere is highly clean and there is no risk of contamination of the panel surface due to dust flying up, a high wind speed and a small flow rate will be used. A desired static elimination effect can be obtained by blowing air as a curtain air flow or a jet air flow, or by blowing a uniform flow parallel to the substrate when both sides of the substrate are charged. Further, the sensor detects the relative humidity in the vicinity of the base, and feedback control of the air volume, the humidity, and the temperature according to the signal can provide a more stable static elimination environment.
【0026】さらにまた、本発明装置は、送気手段の上
流側に設置された、コロナ放電電極や軟X線照射装置な
どの空気を電離して発生する空気イオンにより帯電電荷
を中和する帯電物中和装置と組み合わせて使用すること
もできる。かかる組合わせにより、帯電物中和装置によ
り基板に帯電したあらかたの静電荷を前処理として除電
し、相対湿度の高いエアにより基板を基台から離した場
合に生じる剥離電荷を主として除電することにより、よ
り完全な除電効果を得ることができる。Furthermore, the apparatus of the present invention is a charging device for neutralizing the charging charge by air ions generated by ionizing air such as a corona discharge electrode or a soft X-ray irradiating device, which is installed on the upstream side of the air supply means. It can also be used in combination with a substance neutralizer. By this combination, static electricity of the new one charged on the substrate by the charged object neutralizer is eliminated as a pretreatment, and peeling charge generated when the substrate is separated from the base by air with high relative humidity is mainly eliminated. , A more complete static elimination effect can be obtained.
【0027】[0027]
【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明に基づ
いて構成された基板搬送装置の好適な実施例について説
明する。まず本発明の理解を容易にするために、周囲雰
囲気の湿度とガラス表面の汚れに注目して、これらが接
地導体に接して置かれたLCD用ガラス基板の帯電電荷
の漏洩特性にどのような影響を及ぼすかを調べた実験に
ついて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of a substrate transfer apparatus constructed according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. First, in order to facilitate the understanding of the present invention, paying attention to the humidity of the ambient atmosphere and the dirt on the glass surface, what are the leakage characteristics of the charged charges of the glass substrate for LCD placed in contact with the ground conductor? The experiment which investigated whether it had an influence is demonstrated.
【0028】1.実験方法 (1)ガラス基板 実験に使用したガラス基板は全て、コーニング社製の無
アルカリガラス(Fusion7059)である。その
比誘電率は5.84[−]であり、その成分はSi
O2:49%、BaO:25%、B2O3:15、Al2O
3:10%、その他:1%であった。1. Experimental Method (1) Glass Substrate All glass substrates used in the experiment were non-alkali glass (Fusion 7059) manufactured by Corning. Its relative permittivity is 5.84 [-] and its component is Si.
O 2 : 49%, BaO: 25%, B 2 O 3 : 15 and Al 2 O
The ratio was 3 : 10% and the other was 1%.
【0029】(2)測定方法 図8に示すように、22.5±0.5℃、42±1%R
Hの恒温恒湿槽中(清浄度は米国連邦規格0.5μm粒
子径基準Class 1)に、液晶用のガラス基板とし
て使用されるコーニング社製の無アルカリガラス(Fu
sion7059、50×50×1.1tmm)の裏面
を接地した金属平板(図中のITO膜が金属平板に相
当)上に置いた。このガラス基板の表面を正極性にコロ
ナ帯電させた。その後、恒温恒湿槽内の温湿度条件を様
々に変え、ガラス基板上の帯電電荷密度の減衰特性を調
べた。なお、ガラス基板の表面電位は、零位法のプロー
ブ(MONROE Model 1017E)による表
面電位計(Model 244)で測定した。表面電位
の測定は、ガラス基板表面の均等に分布した25カ所に
ついて行った。うち基板中心点については、実験中の表
面電位の経時変化を記録した。測定中の温湿度は鏡面冷
却式露点計(GENERAL EASTERNHygr
o−M2)で記録した。表面電位の測定値は次式(1)
によって表面電荷密度に換算した。(2) Measuring method As shown in FIG. 8, 22.5 ± 0.5 ° C., 42 ± 1% R
Corning's alkali-free glass (Fu) used as a glass substrate for liquid crystal in a constant temperature and humidity chamber of H (cleanliness is US Federal Standard 0.5 μm particle size standard Class 1).
(Sion 7059, 50 × 50 × 1.1 t mm) was placed on a grounded metal flat plate (the ITO film in the figure corresponds to the metal flat plate). The surface of this glass substrate was corona-charged to the positive polarity. Then, the temperature and humidity conditions in the constant temperature and humidity chamber were changed variously, and the decay characteristics of the charged charge density on the glass substrate were investigated. The surface potential of the glass substrate was measured by a surface potential meter (Model 244) using a probe of the zero method (MONROE Model 1017E). The surface potential was measured at 25 locations on the surface of the glass substrate that were evenly distributed. Regarding the center point of the substrate, the temporal change of the surface potential during the experiment was recorded. The temperature and humidity during measurement are mirror surface cooling type dew point meter (GENERAL EASTERN Hygr
o-M2). The measured value of the surface potential is the following formula (1)
Was converted to surface charge density by.
【0030】 Vs=Vb−V=σd/εrεo (1) ここで、 σ :ガラス基板上面の等価表面電荷密度 [Coulomb/m2] Vs :ガラス基板厚み分の電位差 [V] Vb :表面電位測定値 [V] V :プローブガラス表面間電位差 [=0V] εr :ガラスの比誘電率 [=5.84] εo :空気の誘電率 [=8.85×1012F/m] d :ガラス基板の厚み [=1.1×10-3m]V s = V b −V = σ d / ε r ε o (1) where σ: equivalent surface charge density [Coulomb / m 2 ] V s : potential difference of glass substrate thickness [ V] V b : Surface potential measurement value [V] V: Potential difference between probe glass surfaces [= 0 V] ε r : Relative permittivity of glass [= 5.84] ε o : Permittivity of air [= 8.85 × 10 12 F / m] d: Thickness of glass substrate [= 1.1 × 10 -3 m]
【0031】(3)表面抵抗率の測定 ガラス基板の表面抵抗率を様々な温湿度条件で測定し
た。ハイレジスタンスメータ(HP社製4339A)の
リング電極部(HP社製16008B、主電極50mm
φ、ガード電極60mmφ)を恒温恒湿槽内に設置し、
ガラス基板(80×80×1.1tmm)の表面抵抗率
をさまざまな湿度条件で測定した。まず、温湿度条件2
3℃、40%RHの槽内にガラス基板を置いた。この温
湿度条件から所定の温湿度条件に変化するまでの過渡時
間は20分である。槽内の雰囲気が所定の温湿度条件に
到達してから1時間後に、ガラス基板をリング電極部に
装填し、測定を行った。ガラス基板のハンドリングは全
て、槽内外の雰囲気を隔離した状態で、槽内において行
われた。印加電圧は500V、60秒とした。測定中の
温湿度の記録は鏡面冷却式露点計を用いて行った。(3) Measurement of surface resistivity The surface resistivity of the glass substrate was measured under various temperature and humidity conditions. High resistance meter (HP's 4339A) ring electrode part (HP's 16008B, main electrode 50 mm)
φ, guard electrode 60mmφ) is installed in the constant temperature and humidity chamber,
The surface resistivity of the glass substrate (80 × 80 × 1.1 t mm) was measured under various humidity conditions. First, temperature and humidity conditions 2
The glass substrate was placed in a bath at 3 ° C. and 40% RH. The transition time from this temperature / humidity condition to a predetermined temperature / humidity condition is 20 minutes. One hour after the atmosphere in the tank reached a predetermined temperature and humidity condition, the glass substrate was loaded into the ring electrode portion and the measurement was performed. All handling of the glass substrate was performed in the tank with the atmosphere inside and outside the tank isolated. The applied voltage was 500 V for 60 seconds. The temperature and humidity during the measurement were recorded using a mirror-cooled dew point meter.
【0032】(4)ガラス基板の洗浄 いかに清浄なガラス基板面も、クリーンルームの雰囲気
に曝されるだけで、空気中の炭化水素系ガスに由来する
有機物不純物が表面に付着してくる。通常この不純物
は、紫外線とオゾンガスを組み合わせたUV/O3洗浄
(日本電池 DUV−25×4A)と呼ばれる方法で完
全に除去できる。超純水(17〜18MΩ・cm)によ
る60分間の超音波洗浄とUV/O3洗浄を組み合わせ
た洗浄直後の状態を「洗浄」ガラス基板、その洗浄後1
ケ月間クリーンルーム内に装置した状態を「未洗浄」ガ
ラス基板とそれぞれ称して、実験に使用した。(4) Cleaning of Glass Substrate No matter how clean the glass substrate surface is, only by exposing it to the atmosphere of a clean room, organic impurities derived from hydrocarbon gas in the air adhere to the surface. Usually, this impurity can be completely removed by a method called UV / O 3 cleaning (Japanese battery DUV-25 × 4A) in which ultraviolet rays and ozone gas are combined. A "cleaned" glass substrate immediately after cleaning, which is a combination of ultrasonic cleaning for 60 minutes with ultrapure water (17 to 18 MΩ · cm) and UV / O 3 cleaning, and after cleaning 1
For a month, the equipment installed in the clean room was referred to as "unwashed" glass substrate and used for the experiment.
【0033】(5)ガラス基板表面の汚染状態の評価 ガラス基板の表面が有機物によってどの程度汚れている
かを評価するために、接触角計(協和界面科学CA−S
150型)とX線光電子分光法(略称XPS:FIS
ONS Instrument INSPECTO
R))によって調べた。なお液滴として超純水を使用し
た。(5) Evaluation of the Contamination State on the Surface of the Glass Substrate To evaluate how much the surface of the glass substrate is contaminated with organic substances, a contact angle meter (Kyowa Interface Science CA-S) is used.
150 type) and X-ray photoelectron spectroscopy (abbreviation XPS: FIS)
ONS Instrument INSPECT
R)). Ultrapure water was used as the droplets.
【0034】2.実験結果 (1)表面電荷密度減衰に対する湿度の影響 正極性にコロナ帯電させた「未洗浄」ガラス基板につい
て、様々な湿度条件における表面電荷の減衰特性を調べ
た。2. Experimental Results (1) Effect of Humidity on Surface Charge Density Attenuation We investigated the surface charge decay characteristics of corona-charged “unwashed” glass substrates under various humidity conditions.
【0035】図9に、22.5±0.5℃、42±1%
RHにおける基板表面の25ケ所の表面電荷密度を繰り
返し5回測定した場合の各測定点における平均値および
標準偏差を示す。図9(a)に示されるように、ガラス
基板中央部の方が周辺部に比べて少し強く帯電してい
た。 平均表面電荷密度の全測定点の平均値は4.3×
10-5Coulomb/m2である。また図9(b)に示される
ように、標準偏差は測定点によって異なり、±1×10
-6〜±5×10-6Coulomb/m2である。In FIG. 9, 22.5 ± 0.5 ° C., 42 ± 1%
The average value and standard deviation at each measurement point when the surface charge density at 25 points on the substrate surface in RH is repeatedly measured 5 times are shown. As shown in FIG. 9A, the central portion of the glass substrate was slightly charged as compared with the peripheral portion. The average value of all measurement points of the average surface charge density is 4.3 x
It is 10 -5 Coulomb / m 2 . Further, as shown in FIG. 9B, the standard deviation differs depending on the measurement point, and is ± 1 × 10.
-6 to ± 5 × 10 -6 Coulomb / m 2 .
【0036】恒温恒湿槽内の温度を22.5℃(一定)
に設定し、所定の相対湿度に1時間曝した後の表面電荷
密度の減衰率(=σ/σo)を図10に示す。横軸は測
定点のガラス基板中心点からの距離を示している。相対
湿度が高いほど、また、基板周辺部に近いほど電荷密度
の減衰は大きくなった。40%RHにおいては、1時間
後の減衰率はσ/σo=0.97であり、逆に電荷密度
がわずかに増加した部分も観測された。The temperature inside the constant temperature and humidity chamber is 22.5 ° C. (constant)
FIG. 10 shows the decay rate (= σ / σ o ) of the surface charge density after exposure to a predetermined relative humidity for 1 hour. The horizontal axis represents the distance of the measurement point from the center point of the glass substrate. The higher the relative humidity was, and the closer to the periphery of the substrate, the greater the decrease in charge density. At 40% RH, the decay rate after 1 hour was σ / σ o = 0.97, and conversely, a portion where the charge density was slightly increased was also observed.
【0037】次に、相対湿度は60%RHまたは70%
RH(各一定)のままで温度のみを変え、つまり絶対湿
度が変化する場合の減衰率を測定した結果を図11に示
す。図示のように、相対湿度が同じであれば、絶対湿度
が変化しても減衰率は変化しないことが分かる。Next, the relative humidity is 60% RH or 70%
FIG. 11 shows the result of measurement of the attenuation rate when only the temperature is changed, that is, the absolute humidity is changed while keeping the RH (each constant). As shown in the figure, if the relative humidity is the same, the attenuation rate does not change even if the absolute humidity changes.
【0038】図12は、ガラス基板中心点の表面電荷密
度の減衰時間を測定して求めた時定数を基に、様々な相
対湿度に対する表面電荷密度の時間減衰を計算したもの
である。製造工程のクリーンルームの湿度は通常40%
RH前後であるが、この場合には「未洗浄」ガラス基板
が接地導体に接触していても帯電電荷はなかなか減衰し
ないことが分かる。FIG. 12 shows the calculation of the time decay of the surface charge density with respect to various relative humidity, based on the time constant obtained by measuring the decay time of the surface charge density at the center of the glass substrate. Humidity in the clean room of the manufacturing process is usually 40%
Before and after RH, it can be seen that in this case the charged charge does not readily decay even when the "unwashed" glass substrate is in contact with the ground conductor.
【0039】(2)表面汚染と帯電電荷の漏洩特性 「洗浄」ガラス基板(超音波洗浄+UV/O3洗浄)
と、「未洗浄」ガラス基板(同洗浄後1カ月クリーンル
ーム内に放置)を、正極性にコロナ帯電させ、5分後の
表面電荷密度を測定した結果、「未洗浄」ガラス基板の
表面電荷密度4.3×10-5Coulomb/m2に対して、
「洗浄」ガラス基板は4.7×10-8Coulomb/m2以下
の大きさであった。(2) Surface Contamination and Leakage Characteristics of Charged Electric Charge "Cleaning" Glass Substrate (Ultrasonic Cleaning + UV / O 3 Cleaning)
Then, the “unwashed” glass substrate (which was left in a clean room for one month after the washing) was positively charged with corona, and the surface charge density after 5 minutes was measured. As a result, the surface charge density of the “unwashed” glass substrate was measured. For 4.3 × 10 −5 Coulomb / m 2 ,
The "washed" glass substrate had a size of 4.7 x 10 -8 Coulomb / m 2 or less.
【0040】図13は、さまざまな相対湿度において、
「洗浄」・「未洗浄」ガラス基板の表面抵抗率(ρ
s〔Ω/□〕)を測定した結果である。「未洗浄」ガラ
ス基板の表面抵抗率は「洗浄」ガラス基板の102〜1
05倍も大きく、両者の表面抵抗率はいずれも湿度が高
くなるにつれて減少した。FIG. 13 shows that at various relative humidities,
Surface resistance of “cleaned” and “uncleaned” glass substrates (ρ
It is the result of measuring s [Ω / □]). The surface resistivity of the “unwashed” glass substrate is 10 2 to 1 of the “washed” glass substrate.
0 5 times larger, both both surface resistivity decreased as the humidity increases.
【0041】また、「洗浄」および「未洗浄」のガラス
基板表面の接触角を測定した結果、「洗浄」のものは4
度、「未洗浄」のものは70度(標準偏差は2度)を示
した。このように、「未洗浄」の接触角は「洗浄」に比
べて明らかに大きく、「洗浄」基板がクリーンルーム雰
囲気に長時間曝された場合には、表面汚染が起こること
が分かる。Further, as a result of measuring the contact angles of the "cleaned" and "uncleaned" glass substrate surfaces, "cleaned" was 4
The degree of "unwashed" was 70 degrees (standard deviation was 2 degrees). As described above, the contact angle of “uncleaned” is obviously larger than that of “cleaned”, and it can be seen that surface contamination occurs when the “cleaned” substrate is exposed to the clean room atmosphere for a long time.
【0042】さらに、XPS(X-ray photoelectron sp
ectroscopy)でガラス基板表面の元素構成率(%)を分
析した結果、「洗浄」ガラス基板では、C:4.8、
O:62.9(66)、Si:23.8(25)、A
l:5.7(6)、Ba:2.8(3)、B:未検出で
あり、「未洗浄」ガラス基板では、C:15.9、O:
55.7(66)、Si:21.3(25)、Al:
4.2(5)、Ba:2.9(3)、B:未検出であっ
た。なお、括弧内の数値は炭素が含まれない場合の元素
構成率を示している。今回のXPSの測定条件において
は、表面から深さ約100オングストロームまでの領域
を分析している。本分析において、もともとのガラス基
板の組成元素である、O、Si、Al、Baの元素組成
比は、ガラス基板製造元仕様値から求めた元素組成比、
すなわち、O:67、Si:19、Al:5、Ba:
5、B:5とほぼ一致した。なおこれらの元素の他にC
が検出されたが、Cはクリーンルーム空気中の炭化水素
成分に由来するものと考えられる。ガラス基板表面のC
元素付着量については、「未洗浄」が「洗浄」の約3倍
であった。Furthermore, XPS (X-ray photoelectron sp
As a result of analyzing the elemental composition ratio (%) on the surface of the glass substrate by ectroscopy), in the case of the “cleaned” glass substrate, C: 4.8,
O: 62.9 (66), Si: 23.8 (25), A
l: 5.7 (6), Ba: 2.8 (3), B: undetected, C: 15.9, O: for the "unwashed" glass substrate.
55.7 (66), Si: 21.3 (25), Al:
4.2 (5), Ba: 2.9 (3), B: not detected. The numbers in parentheses indicate the elemental composition ratio when carbon is not included. Under the XPS measurement conditions this time, a region from the surface to a depth of about 100 Å is analyzed. In this analysis, the elemental composition ratios of O, Si, Al, and Ba, which are the composition elements of the original glass substrate, are the elemental composition ratios obtained from the glass substrate manufacturer's specification values,
That is, O: 67, Si: 19, Al: 5, Ba:
5, almost coincided with B: 5. In addition to these elements, C
Was detected, it is considered that C is derived from the hydrocarbon component in the clean room air. C on the glass substrate surface
Regarding the amount of adhered elements, "unwashed" was about 3 times that of "washed".
【0043】3.考察 以上の実験データより、LCD用ガラス基板の帯電電荷
の漏洩特性に及ぼす湿度と表面汚染の影響を調べた。3. Discussion From the above experimental data, the effects of humidity and surface contamination on the leakage characteristics of the charged charges of the LCD glass substrate were investigated.
【0044】(1)湿度の影響 LCD用ガラス基板はアルミナ・シリカ系吸着剤の化学
組成と同一のものを含んでいる。吸着剤の水分吸着量は
相対湿度に依存していることから、ガラス基板において
も相対湿度の上昇とともに表面の吸着水分量が増加して
表面抵抗率が低下したものと考えられる。表面抵抗率が
低下すると、ガラス基板表面上の電荷は表面を移動して
接地ITO板へ漏洩しやすくなる。(1) Effect of Humidity The glass substrate for LCD contains the same chemical composition as the alumina / silica adsorbent. Since the amount of water adsorbed by the adsorbent depends on the relative humidity, it is considered that the amount of adsorbed water on the surface of the glass substrate also increased and the surface resistivity decreased as the relative humidity increased. When the surface resistivity decreases, the charges on the surface of the glass substrate easily move on the surface and leak to the ground ITO plate.
【0045】(2)表面汚染の影響 表面抵抗率は、相対湿度が上昇すると、「洗浄」・「未
洗浄」を問わず、ともに低下した。ところが、表面抵抗
率の値は「未洗浄」が「洗浄」の102〜105倍程度の
大きさになった。また、「洗浄」ガラス基板の表面電荷
密度の減少率は、「未洗浄」ガラス基板と比較して著し
く大きくなった。これらの結果は、接触角の測定とXP
Sの表面分析から、つぎのように説明される。UV/O
3洗浄によって一旦有機系汚染物をガラス基板表面から
除去しても、ガラス基板表面をクリーンルーム雰囲気に
長時間曝すことによって、再び大気由来の炭化水素成分
が表面を汚染する。この汚染は、表面抵抗率を増加さ
せ、表面帯電電荷を漏洩しにくくする。(2) Effect of Surface Contamination The surface resistivity decreased as the relative humidity increased, whether "washed" or "unwashed". However, the value of the surface resistivity of "unwashed" was about 10 2 to 10 5 times that of "washed". Further, the reduction rate of the surface charge density of the “cleaned” glass substrate was significantly higher than that of the “uncleaned” glass substrate. These results show the contact angle measurement and XP
From the surface analysis of S, it is explained as follows. UV / O
3 Even if organic contaminants are once removed from the glass substrate surface by washing, exposing the glass substrate surface to a clean room atmosphere for a long time again pollutes the surface with hydrocarbon components derived from the atmosphere. This contamination increases the surface resistivity and makes it difficult for surface charged charges to leak.
【0046】クリーンルーム雰囲気由来の炭化水素成分
による表面汚染に関して、高萩隆行氏著の「表面有機物
(応用物理第61巻第11号(1992)1168ペー
ジ)」によれば、シリコンウェハ表面の有機物の量は空
気中保存によって経時的に増大し、3週間程度でUV洗
浄前と同程度まで増大することが報告されている。しか
しながら30分以下の時間では、洗浄前の10分の1以
下のレベルを維持している。したがって、空気中で1〜
5分間扱う程度では、表面有機物の増大はほとんど無視
できるものと考えられる。ガラス基板表面に有機物が付
着すると、TFT−LCDの製造工程における薄膜電
極、絶縁膜を形成する際に、膜の密着性が悪くなるとい
う問題があるので、洗浄後にはできる限り速やかにつぎ
のプロセスに進む必要がある。Regarding surface contamination by hydrocarbon components derived from the clean room atmosphere, according to Takayuki Hagi, "Surface Organic Matter (Applied Physics Vol. 61 No. 11 (1992) page 1168)", the amount of organic substances on the surface of the silicon wafer Has been reported to increase over time due to storage in air, and to approximately the same level as before UV cleaning in about 3 weeks. However, in the time of 30 minutes or less, the level of 1/10 or less before the cleaning is maintained. Therefore, in air
It is considered that the increase of the surface organic matter can be almost ignored when handled for about 5 minutes. When organic substances adhere to the surface of the glass substrate, there is a problem that the adhesion of the film deteriorates when forming the thin film electrode and the insulating film in the manufacturing process of the TFT-LCD. Therefore, the next process should be performed as soon as possible after cleaning. Need to go to.
【0047】ところで、本発明装置は、物体表面上の静
電荷が、その物体の表面を通じて接地側に漏洩する現象
を利用したものであるが、「静電気学会講演論文集’8
6((1986.10)123ページ)」や「静電気学
会講演論文集’87((1987.10)145ペー
ジ)」によると、空気中の湿度が大きい場合には、表面
の静電荷が直接空気中に漏洩すること(いわゆる「気中
漏洩」)が報告されている。また本発明者らの実験によ
れば、気中漏洩による減衰は、相対湿度が80%以上に
なると、表面を通じた漏洩減衰と比較して無視できない
ほど大きくなることが判明している。By the way, the device of the present invention utilizes the phenomenon that the electrostatic charge on the surface of an object leaks to the ground side through the surface of the object.
6 ((1986.10.) 123) "and" Proceedings of the Japan Society of Electrostatics '87 ((1987.10) 145) ", when the humidity in the air is high, the electrostatic charge on the surface is directly Leakage into the interior (so-called "air leakage") has been reported. Further, according to the experiments conducted by the present inventors, it has been found that the attenuation due to air leakage is not negligible as compared to the leakage attenuation through the surface when the relative humidity is 80% or more.
【0048】次に、これまで説明してきた知見に基づい
て、本発明に基づいて構成された基板搬送装置の作用に
ついて詳細に説明する。図14は、図12に示す「未洗
浄」ガラスの帯電漏洩特性(実線)、「洗浄」ガラスの
帯電漏洩特性(破線)の計算結果を加えたものである。
計算値は、次のようにして求めた。Next, the operation of the substrate transfer device constructed according to the present invention will be described in detail based on the findings described above. FIG. 14 shows the results of adding the charge leakage characteristics (solid line) of the “unwashed” glass and the charge leakage characteristics (broken line) of the “washed” glass shown in FIG.
The calculated value was obtained as follows.
【0049】まず、ガラス基板の単位面積当たり容量を
Ca〔ファラッド/m2〕、帯電の漏洩経路抵抗R〔オー
ム〕、漏洩開始後の時間をt〔秒〕とすると、 初期帯
電量σ0〔Coulomb/m2〕と、時間t〔秒〕経過後の帯
電量σ〔Coulomb/m2〕の関係は次式(2)で表され
る。 σ=σ0 exp[−t/RCa] (2)First, assuming that the capacitance per unit area of the glass substrate is C a [Farad / m 2 ], the charging leakage path resistance R [Ohm], and the time after the start of leakage is t [sec], the initial charge amount σ 0 The relationship between [Coulomb / m 2 ] and the charge amount σ [Coulomb / m 2 ] after the lapse of time t [seconds] is expressed by the following equation (2). σ = σ 0 exp [−t / RC a ] (2)
【0050】この式(2)において、Caを一定と仮定
すれば、「未洗浄」ガラスと「洗浄」ガラスの帯電が一
定割合、例えば1/10にまで減衰するそれぞれの減衰
時間の比は、それらのガラスの表面抵抗の比(図13か
ら求まる)と一致することがわかる。In this equation (2), if C a is assumed to be constant, the ratio of the respective decay times at which the charges of the “unwashed” glass and the “washed” glass decay to a fixed rate, for example 1/10, , And the surface resistance ratios of these glasses (obtained from FIG. 13) match.
【0051】図14より、帯電が1/10まで減衰する
までの時間を「未洗浄」・「洗浄」ガラスについて求
め、表1にまとめた。なおここに言う「洗浄」ガラスと
は、超純水(17〜18MΩ・cm)で60分間超音波
洗浄した後、両面各々10分間UV/O3洗浄(日本電
池DUV−25×4A)したものを指す。また「未洗
浄」ガラスとは、洗浄後1ケ月間クリーンルーム内に放
置した状態を指す。表に示すように「洗浄」ガラスで
は、相対湿度を70%以上にすると、わずか1/100
秒のオーダで1/10減衰になる。From FIG. 14, the time until the charge was attenuated to 1/10 was obtained for the "unwashed" and "washed" glasses and summarized in Table 1. The term "cleaned" glass as used herein means ultrasonic cleaning for 60 minutes with ultrapure water (17 to 18 MΩ · cm), followed by UV / O 3 cleaning for 10 minutes on each side (Japanese battery DUV-25 × 4A). Refers to. Further, "unwashed" glass means a state of being left in a clean room for one month after washing. As shown in the table, with "washed" glass, when the relative humidity is 70% or more, it is only 1/100.
In the order of seconds, the attenuation is 1/10.
【0052】[0052]
【表1】 [Table 1]
【0053】表2は、相対湿度60%において、洗浄後
クリーンルーム内に放置されたガラス基板の1/10減
衰特性が、時間経過と共にどのように変化するかを実測
したものである。洗浄直後の減衰時間0.2秒は、2時
間放置された後も表面の有機物汚染はさほど進行してい
ないため、1.1秒に増加するのみである。Table 2 shows how the 1/10 attenuation characteristic of the glass substrate left in the clean room after cleaning changes with time at 60% relative humidity. The decay time of 0.2 seconds immediately after cleaning only increases to 1.1 seconds because the organic contamination of the surface has not progressed so much even after being left for 2 hours.
【0054】[0054]
【表2】 [Table 2]
【0055】すでに説明したようにTFT工程は、洗浄
→成膜→リソグラフィ→洗浄のサイクルの繰り返しであ
り、ある洗浄からつぎの洗浄までに1時間も要すること
はあまりないことを考えると、実際の製造工程では、ガ
ラス基板近傍の雰囲気の相対湿度を大きくして基板を接
地することで、1/100〜1/10秒の短時間で帯電
をほぼ完全に漏洩除去可能である。As already described, the TFT process is a cycle of cleaning → film formation → lithography → cleaning, and considering that it does not often take one hour from one cleaning to the next cleaning, In the manufacturing process, by increasing the relative humidity of the atmosphere near the glass substrate and grounding the substrate, the charge can be almost completely leaked and removed in a short time of 1/100 to 1/10 seconds.
【0056】相対湿度が増すと表面帯電の減衰が著しく
なる主な理由は、ガラス表面の水の吸着量が増加して表
面抵抗値が減ったためであると考えられる。ガラスの主
成分であるSiO2のO原子は孤立電子対を持つため、
水分子のHと水素結合する。さらに、TFT−LCDの
製造工程は、ガラス基板上に薄膜電極、絶縁膜を形成す
るものであり、複数層の電極を絶縁膜で保護していくた
め、工程のなかで絶縁膜形成工程の占める割合は大き
い。絶縁膜は、SiN、SiO2、Al2O3、Ta2O5
等であり、OやN原子はSiO2のO原子と同様に孤立
電子対を持つことを考慮すれば、このような絶縁膜付き
ガラス基板に対しても本発明装置は有効である。さら
に、相対湿度が80%以上では、表面電荷の気中漏洩に
よる減衰も期待できるので、より効果的な除電を行うこ
とができる。It is considered that the main reason why the surface charge is significantly attenuated when the relative humidity is increased is that the adsorption amount of water on the glass surface is increased and the surface resistance value is decreased. Since the O atom of SiO 2 which is the main component of glass has a lone electron pair,
Hydrogen bond with H of water molecule. Further, in the manufacturing process of the TFT-LCD, a thin film electrode and an insulating film are formed on a glass substrate, and since a plurality of layers of electrodes are protected by the insulating film, the insulating film forming process occupies the process. The proportion is high. The insulating film is made of SiN, SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5
In consideration of the fact that O and N atoms have a lone electron pair like the O atom of SiO 2 , the device of the present invention is effective for such a glass substrate with an insulating film. Furthermore, when the relative humidity is 80% or more, attenuation of surface charges due to air leakage can be expected, so that more effective charge removal can be performed.
【0057】以上説明したように本発明装置によると、
送気チャンバーから吐出される周囲雰囲気よりも大きな
相対湿度を有する気流により、送気チャンバーの幅いっ
ぱい若しくはこれより若干小さな一辺の長さをもつ広い
表面積の帯電ガラスの除電ができる。特に、ガラス基板
の表裏両面が帯電している場合には、気流を基板に対し
て平行に、基板の表裏両面をなぞるように投射すると一
層有効である。気流が触れたガラス面近傍は、周囲雰囲
気よりも大きな相対湿度の雰囲気に包まれ、ガラス面の
帯電電荷の大部分は、ガラス面に付着した水分子層とガ
ラス基板支持台(ステージ)を経由して、接地側へ漏洩
し、ガラス面の帯電電荷の一部は、気中へ直接漏洩す
る。As described above, according to the device of the present invention,
The air flow discharged from the air supply chamber and having a relative humidity higher than that of the ambient atmosphere can eliminate static electricity from a charged glass having a wide surface area having a width of the air supply chamber or a side length slightly smaller than the width. In particular, when both the front and back surfaces of the glass substrate are charged, it is more effective to project the airflow so as to trace the front and back surfaces of the substrate in parallel with the substrate. The vicinity of the glass surface touched by the air flow is surrounded by an atmosphere with a relative humidity higher than the surrounding atmosphere, and most of the charged charges on the glass surface pass through the water molecule layer attached to the glass surface and the glass substrate support (stage). Then, it leaks to the ground side, and a part of the charged charges on the glass surface leaks directly into the air.
【0058】次に本発明を実際の装置に応用したいくつ
かの実施例について説明する。図1は、温度24℃、相
対湿度40%のクラス1000のクリーンルーム内に設
置された本発明のガラス基板の搬送装置の一実施例を示
したものである。アルミニウム製のステージ11上に、
TFT素子を表面に形成したガラス基板12が搭載され
ている。ステージ11は、駆動装置13の作用でボール
ネジ14に沿ってレール15を移動する。レール15の
一端でステージ11に搭載されたガラス基板12は、レ
ール15の他端において、真空チャック16によりステ
ージ11から離れ、つぎの工程に移動する。加湿器17
と送風機18からなる送気源19に接続されたジェット
気流形成用の吹き出し口を有した送気チャンバ10よ
り、温度23℃、相対湿度80%の加湿空気101が、
真空チャック16によりステージ11から離れる直前の
ステージ11に搭載されたガラス基板12に吹き付けら
れる。ステージ11からガラス基板12が離れるまでの
間、気流が触れたガラス面近傍は、相対湿度70%以上
の雰囲気に包まれ、ガラス面の帯電電荷の大部分は、ガ
ラス面に付着した水分子層とガラス基板支持台であるア
ルミニウム製のステージ11を経由して、接地側へ漏洩
し、ガラス面の帯電電荷の一部は気中へ直接漏洩し、1
/100秒のオーダで瞬時に除電される。Next, some embodiments in which the present invention is applied to an actual device will be described. FIG. 1 shows an embodiment of a glass substrate transporting device of the present invention installed in a clean room of class 1000 at a temperature of 24 ° C. and a relative humidity of 40%. On the aluminum stage 11,
A glass substrate 12 having TFT elements formed on its surface is mounted. The stage 11 moves the rail 15 along the ball screw 14 by the action of the driving device 13. The glass substrate 12 mounted on the stage 11 at one end of the rail 15 is separated from the stage 11 by the vacuum chuck 16 at the other end of the rail 15 and moves to the next step. Humidifier 17
A humidified air 101 having a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 80% is supplied from an air supply chamber 10 having an outlet for forming a jet airflow, which is connected to an air supply source 19 composed of a blower 18 and
It is sprayed onto the glass substrate 12 mounted on the stage 11 just before leaving the stage 11 by the vacuum chuck 16. Until the glass substrate 12 is separated from the stage 11, the vicinity of the glass surface contacted by the air flow is surrounded by an atmosphere having a relative humidity of 70% or more, and most of the charged charges on the glass surface are water molecule layers attached to the glass surface. And the aluminum substrate 11 which is the glass substrate support, and leaks to the ground side, and a part of the charged charges on the glass surface leaks directly into the air.
The electricity is instantly removed in the order of 100 seconds.
【0059】なお、比較例として、送気源19よりの加
湿空気101を止めて、本発明のガラス基板の搬送装置
を作動させた場合、ガラス基板12が真空チャック16
によりステージ11から離れた瞬間に、ガラス基板12
には数kVの帯電が生じ、TFT素子は破壊された。As a comparative example, when the humidified air 101 from the air supply source 19 is stopped and the glass substrate transporting apparatus of the present invention is operated, the glass substrate 12 is vacuum chucked.
The moment the glass substrate 12 is separated from the stage 11 by
Was charged to several kV, and the TFT element was destroyed.
【0060】図2は、温度24℃、相対湿度40%のク
ラス1000のクリーンルーム内に設置された本発明の
ガラス基板の搬送装置の別の実施例を示したものであ
る。アルミニウム製のロボットアーム21上に、TFT
素子を表面に形成したガラス基板22が搭載されてい
る。ロボットアーム21は、駆動装置23の作用でカセ
ットケース24の入り口まで移動し、アーム上に搭載さ
れたガラス基板22をケース24に収納した後、アーム
21はガラス基板22から離れる。加湿器27と送風機
28からなる送気源29に接続されたカーテン気流形成
用の吹き出し口を有した送気チャンバ20より、温度2
3℃、相対湿度80%の加湿空気201が、ロボットア
ーム21から離れてカセットケース24に収納される直
前にカセットケース24の内部に吹き込まれる。ロボッ
トアーム21からガラス基板22が離れるまでの間、気
流が触れたガラス面近傍は、相対湿度70%以上の雰囲
気に包まれ、ガラス面の帯電電荷の大部分は、ガラス面
に付着した水分子層とガラス基板支持台であるロボット
アーム21を経由して、接地側へ漏洩し、ガラス面の帯
電電荷の一部は、気中へ直接漏洩し、瞬時に除電され
る。FIG. 2 shows another embodiment of the glass substrate transporting apparatus of the present invention installed in a clean room of class 1000 having a temperature of 24 ° C. and a relative humidity of 40%. TFT is mounted on the robot arm 21 made of aluminum.
A glass substrate 22 having an element formed on its surface is mounted. The robot arm 21 moves to the entrance of the cassette case 24 by the action of the driving device 23, stores the glass substrate 22 mounted on the arm in the case 24, and then the arm 21 separates from the glass substrate 22. From the air supply chamber 20 having an outlet for forming a curtain air flow connected to an air supply source 29 including a humidifier 27 and a blower 28, a temperature of 2
Humidified air 201 at 3 ° C. and 80% relative humidity is blown into the cassette case 24 immediately before being separated from the robot arm 21 and stored in the cassette case 24. Until the glass substrate 22 is separated from the robot arm 21, the vicinity of the glass surface that is contacted by the air flow is surrounded by an atmosphere having a relative humidity of 70% or more, and most of the charged electric charges on the glass surface are water molecules attached to the glass surface. It leaks to the ground side through the layer and the robot arm 21 which is a glass substrate support, and a part of the charged charges on the glass surface leaks directly into the air and is instantly discharged.
【0061】なお、比較例として、送気源29よりの加
湿空気201を止めて、本発明のガラス基板の搬送装置
を作動させた場合、ガラス基板22がロボットアーム2
1から離れた瞬間に、ガラス基板22には数kVの帯電
が生じ、TFT素子は破壊された。As a comparative example, when the humidified air 201 from the air supply source 29 is stopped and the glass substrate transporting apparatus of the present invention is operated, the glass substrate 22 is moved to the robot arm 2.
At the moment when it was separated from 1, the glass substrate 22 was charged with several kV, and the TFT element was destroyed.
【0062】図3は、温度24℃、相対湿度40%のク
ラス1000のクリーンルーム内に設置された本発明の
ガラス基板の搬送装置の別の実施例を示したものであ
る。実施例1と異なる点は、ステージ31の移動経路で
あるレール35の上に、移動経路全体を覆い込むように
送気源39に接続された一様流形成用の吹き出し口を有
した送気チャンバ30が配置されている点である。さら
に送気チャンバ30の吹き出し口の周囲にはビニールカ
ーテン301が垂れ下がっており、吹き出し口からの一
様流が散逸することを防いでいる。送気源39には、冷
却コイル391と加熱コイル392と加湿器393と送
風機394と空気ろ過器(高性能フィルタ)395から
構成される。ガラス基板32は、レール35の一端にお
いて、真空チャック36によりステージ31から離れ、
つぎの工程に移動するが、この搬送操作は送気チャンバ
30から吹き出す一様流中で行われる。ステージ31か
ら離れる間際のガラス基板32の近傍には、相対湿度検
知センサ396が設けられ、このセンサで検知されたガ
ラス基板32およびステージ31の周囲雰囲気の相対湿
度が、70%から75%までの範囲に収まるように、送
気源39から送り出される空気301の温湿度がフィー
ドバック制御される。FIG. 3 shows another embodiment of the glass substrate transporting apparatus of the present invention installed in a clean room of class 1000 at a temperature of 24 ° C. and a relative humidity of 40%. The difference from the first embodiment is that the air is provided on the rail 35, which is the movement path of the stage 31, and has a blowout port for forming a uniform flow, which is connected to an air supply source 39 so as to cover the entire movement path. This is the point at which the chamber 30 is arranged. Further, a vinyl curtain 301 hangs around the blowout port of the air supply chamber 30 to prevent the uniform flow from the blowout port from being dissipated. The air supply source 39 includes a cooling coil 391, a heating coil 392, a humidifier 393, a blower 394, and an air filter (high-performance filter) 395. The glass substrate 32 is separated from the stage 31 by the vacuum chuck 36 at one end of the rail 35,
Moving to the next step, this transfer operation is performed in a uniform flow blown out from the air supply chamber 30. A relative humidity detection sensor 396 is provided in the vicinity of the glass substrate 32 immediately before leaving the stage 31, and the relative humidity of the ambient atmosphere of the glass substrate 32 and the stage 31 detected by this sensor is from 70% to 75%. The temperature and humidity of the air 301 sent out from the air supply source 39 are feedback-controlled so as to fall within the range.
【0063】なお、図1に示す第1実施例及び図2に示
す第2実施例では、送気チャンバから吹き出す気流形状
は、ジェット気流またはカーテン気流であるため、吹き
出し風量は一様流の場合よりも少なくすることが可能で
あるが、ガラス基板面と基板支持台に効果的に当たるよ
うに、吹き出し方向を設定する必要がある。他方、図3
に示す実施例3では、ガラス基板の搬送操作の全体を覆
い尽くす一様流を用いるため、ジェットやカーテン気流
のように吹き出し方向制御の難しさはないものの、ある
程度の吹き出し風量が必要となる。In the first embodiment shown in FIG. 1 and the second embodiment shown in FIG. 2, since the shape of the air flow blown out from the air supply chamber is a jet air flow or a curtain air flow, the amount of air blown out is uniform. Although it is possible to reduce the amount, it is necessary to set the blowing direction so as to effectively hit the glass substrate surface and the substrate support. On the other hand, FIG.
In the third embodiment shown in (1), since a uniform flow that covers the entire glass substrate transport operation is used, it is not difficult to control the blowing direction like a jet or curtain airflow, but a certain amount of blowing air is required.
【0064】図4には、図1に示す実施例の送気チャン
バ10の上流側、すなわち搬送方向上手側に、放電電極
40と対向電極41を備えコロナ放電により空気をイオ
ン化するためのイオナイザ42を備えた基板搬送装置が
示されている。このように、送気チャンバ10の搬送方
向上手側に別の除電装置を設けることにより、この前処
理用除電装置によりガラス基板の表面の帯電をあらかた
除電し、その後、本発明装置により、上記ガラス基板が
搬送用基台から離れる前に除電し、剥離帯電を防止する
構成とすることも可能である。なお、図4に示す実施例
においては、前処理用除電装置として、コロナ放電電極
を用いたイオナイザを設置しているが、その代わりに、
軟X線照射などの空気イオン化装置を採用することも本
発明の範囲内において可能である。In FIG. 4, an ionizer 42 for ionizing air by corona discharge is provided with a discharge electrode 40 and a counter electrode 41 on the upstream side of the air supply chamber 10 of the embodiment shown in FIG. 1, that is, on the upstream side in the conveying direction. There is shown a substrate transfer device including. In this manner, by providing another static eliminator on the upstream side of the air feeding chamber 10 in the transport direction, the pretreatment static eliminator cleanly eliminates the charge on the surface of the glass substrate, and then the apparatus of the present invention is used to remove the above-mentioned glass. It is also possible to remove the charge before the substrate is separated from the transfer base to prevent peeling charge. In the embodiment shown in FIG. 4, an ionizer using a corona discharge electrode is installed as a pretreatment static eliminator, but instead of this,
It is also possible within the scope of the invention to employ an air ionizer such as soft X-ray irradiation.
【0065】本発明における送気源の構成は、周辺雰囲
気よりも大きな相対湿度を有する清浄気流を送気チャン
バーから吐出するという目的を達成できればどのような
ものでもよく、空気の加湿と冷却と清浄化を行う機器を
さまざまに組み合わせて使用することが可能である。例
えば、過冷却防止のためや、吹き出し加熱空気が周囲空
気を巻き込む際に冷却されて相対湿度が上昇する効果を
狙って、加熱を行う機器を組み合わせることも可能であ
る。その他にも、例えば、加湿器と送風機の組み合わ
せ、空気ろ過器と加湿器と送風機の組み合わせ、冷却コ
イルと送風機の組み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと
送風機の組み合わせ、冷却コイルと加熱コイルと送風機
の組み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加熱コイルと
送風機の組み合わせ、冷却コイルと加湿器と送風機の組
み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加湿器と送風機の
組み合わせ、加熱コイルと加湿器と送風機の組み合わ
せ、空気ろ過器と加熱コイルと加湿器と送風機の組み合
わせ、冷却コイルと加熱コイルと加湿器と送風機の組み
合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加熱コイルと加湿器
と送風機の組み合わせなどが、特許請求の範囲に記載さ
れた本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で考えられ
る。The structure of the air supply source in the present invention may be any structure as long as it can achieve the purpose of discharging a clean air flow having a relative humidity higher than that of the surrounding atmosphere from the air supply chamber, such as humidification, cooling and cleaning of air. It is possible to use various combinations of different devices. For example, it is also possible to combine devices that perform heating for the purpose of preventing supercooling or aiming at the effect of cooling the blown heated air when the ambient air is involved and increasing the relative humidity. In addition, for example, a combination of a humidifier and a blower, a combination of an air filter and a humidifier and a blower, a combination of a cooling coil and a blower, a combination of an air filter and a cooling coil and a blower, a cooling coil and a heating coil and a blower Combination, air filter / cooling coil / heating coil / blower combination, cooling coil / humidifier / blower combination, air filter / cooling coil / humidifier / blower combination, heating coil / humidifier / blower combination, A combination of an air filter, a heating coil, a humidifier and a blower, a combination of a cooling coil, a heating coil, a humidifier and a blower, a combination of an air filter, a cooling coil, a heating coil, a humidifier and a blower, etc. It is considered within the scope of the technical idea of the present invention described in 1.
【0066】さらにまた、本発明に基づいて相対湿度の
高い空気が吹き付けられるガラス基板の周囲の湿度、あ
るいは温度などを検出するためのセンサを設け、そのセ
ンサからの信号により、上記各出力装置をフィードバッ
ク制御することにより、常に最適な除電環境を構築する
ことが可能となり、基板の絶縁破壊を防止し、製品の歩
留まりを向上させることが可能である。Furthermore, according to the present invention, a sensor for detecting the humidity or temperature around the glass substrate to which air having a high relative humidity is blown is provided, and each of the above output devices is controlled by a signal from the sensor. By performing feedback control, it is possible to always build an optimal static elimination environment, prevent dielectric breakdown of the substrate, and improve the product yield.
【0067】[0067]
【発明の効果】以上説明したように、本発明装置によれ
ば、ガラス基板を載置する接触面が導電性または半導電
性でかつ接地された基板支持台上を搬送されるガラス基
板に対して、少なくともそのガラス基板が基板支持台を
離れる直前に、その搬送空間よりも相対湿度の高い空気
流を吹き掛けることにより、ガラス基板の表面の帯電電
荷の大部分をガラス面に付着した水分子層とガラス基板
支持台を経由して接地側へ漏洩させ、ガラス面の帯電電
荷の一部を気中へ直接漏洩させることが可能なので、瞬
時にガラス基板を除電することが可能である。その結
果、基板に形成された素子の剥離電荷による絶縁破壊を
防止することができるので、製品の歩留まりを飛躍的に
向上させることができる。As described above, according to the apparatus of the present invention, the contact surface on which the glass substrate is placed is conductive or semi-conductive, and the glass substrate is conveyed on the grounded substrate support. At least immediately before the glass substrate leaves the substrate support, by blowing an air flow with a relative humidity higher than that of the transfer space, most of the charged charges on the surface of the glass substrate adhere to the glass surface. Since it is possible to leak a part of the charged charges on the glass surface directly into the air through the layer and the glass substrate support base to the ground side, it is possible to instantly eliminate the charge on the glass substrate. As a result, it is possible to prevent dielectric breakdown due to peeling charges of the elements formed on the substrate, so that the yield of products can be dramatically improved.
【図1】本発明に基づいて構成された基板搬送装置をガ
ラス基板搬送ステージに適用した一実施例を示す概略的
な説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view showing an embodiment in which a substrate transfer device configured according to the present invention is applied to a glass substrate transfer stage.
【図2】本発明に基づいて構成された基板搬送装置をガ
ラス基板搬送アームに適用した一実施例を示す概略的な
説明図である。FIG. 2 is a schematic explanatory view showing an embodiment in which a substrate transfer device configured according to the present invention is applied to a glass substrate transfer arm.
【図3】本発明に基づいて構成された基板搬送装置を一
様流型吹出口を有する送気手段に適用した一実施例を示
す概略的な説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view showing an embodiment in which the substrate transfer device configured according to the present invention is applied to an air supply means having a uniform flow type outlet.
【図4】本発明に基づいて構成された基板搬送装置を前
処理用除電装置と組み合わせた一実施例を示す概略的な
説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view showing an embodiment in which a substrate transfer device configured according to the present invention is combined with a pretreatment static eliminator.
【図5】従来のスリットノズル型コロナ放電式イオナイ
ザの主要構成機器を示す概略的な説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory view showing main components of a conventional slit nozzle type corona discharge type ionizer.
【図6】従来の大型ガラス基板の搬送装置の構成を示す
説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional large-sized glass substrate carrying device.
【図7】裏面が正に帯電したガラス基板を帯電中和装置
により除電する様子を示す概略的な説明図である。FIG. 7 is a schematic explanatory diagram showing how a charge neutralizing device removes electricity from a glass substrate whose back surface is positively charged.
【図8】LCD用ガラス基板の帯電電荷の様子を測定す
るための装置構成を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a device configuration for measuring a state of a charged electric charge of an LCD glass substrate.
【図9】LCD用ガラス基板の表面電荷密度の測定平均
値および標準偏差の分布を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing distributions of measured average values and standard deviations of surface charge densities of glass substrates for LCDs.
【図10】LCD用ガラス基板を所定の相対湿度の下で
温度を変えずに1時間曝した後の表面電荷密度の減衰率
を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing a decay rate of surface charge density after exposing a glass substrate for LCD under a predetermined relative humidity for 1 hour without changing temperature.
【図11】LCD用ガラス基板を所定の相対湿度の下で
温度環境を変えた場合の表面電荷密度の減衰率を示すグ
ラフである。FIG. 11 is a graph showing the decay rate of the surface charge density when the temperature environment of the glass substrate for LCD is changed under a predetermined relative humidity.
【図12】LCD用ガラス基板のさまざまな相対湿度環
境における表面電荷密度の時間減衰を示すグラフであ
る。FIG. 12 is a graph showing the time decay of the surface charge density of LCD glass substrates in various relative humidity environments.
【図13】さまざまな相対湿度環境における「洗浄」・
「未洗浄」ガラス基板の表面抵抗率を示すグラフであ
る。[Figure 13] "Cleaning" in various relative humidity environments
3 is a graph showing the surface resistivity of an “unwashed” glass substrate.
【図14】さまざまな相対湿度環境における「洗浄」・
「未洗浄」ガラス基板の表面電荷密度の時間減衰を示す
グラフである。[Fig. 14] "Cleaning" in various relative humidity environments
3 is a graph showing the time decay of surface charge density of an “unwashed” glass substrate.
10 送気チャンバ 11 搬送ステージ 12 ガラス基板 13 駆動装置 14 ボールネジ 15 搬送レール 16 真空チャック 17 加湿器 18 送風機 19 送気源 10 Air Supply Chamber 11 Transfer Stage 12 Glass Substrate 13 Drive Device 14 Ball Screw 15 Transfer Rail 16 Vacuum Chuck 17 Humidifier 18 Blower 19 Air Supply Source
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成5年11月12日[Submission date] November 12, 1993
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0030[Name of item to be corrected] 0030
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0030】 [0030]
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0031】(3)表面抵抗率の測定ガラス基板の表面
抵抗率を様々な温湿度条件で測定した。ハイレジスタン
スメータ(HP社製4339A)のリング電極部(HP
社製16008B、主電極50mmφ、ガード電極60
mmφ)を恒温恒湿槽内に設置し、ガラス基板(80×
80×1.1tmm)の表面抵抗率をさまざまな湿度条
件で測定した。まず、温湿度条件23℃、40%RHの
槽内にガラス基板を置いた。この温湿度条件から所定の
温湿度条件に変化するまでの過渡時間は20分である。
槽内の雰囲気が所定の温湿度条件に到達してから1時間
後に、ガラス基板をリング電極部に装填し、測定を行っ
た。ガラス基板のハンドリングは全て、槽内外の雰囲気
を隔離した状態で、槽内において行われた。リング電極
部への印加電圧は500V、60秒とした。測定中の温
湿度の記録は鏡面冷却式露点計を用いて行った。(3) Measurement of surface resistivity The surface resistivity of the glass substrate was measured under various temperature and humidity conditions. High resistance meter (HP's 4339A) ring electrode section (HP
Company 16008B, main electrode 50mmφ, guard electrode 60
(mmφ) is installed in a constant temperature and humidity chamber, and a glass substrate (80 x
The surface resistivity of 80 × 1.1 t mm) was measured under various humidity conditions. First, the glass substrate was placed in a tank of temperature and humidity conditions of 23 ° C. and 40% RH. The transition time from this temperature / humidity condition to a predetermined temperature / humidity condition is 20 minutes.
One hour after the atmosphere in the tank reached a predetermined temperature and humidity condition, the glass substrate was loaded into the ring electrode portion and the measurement was performed. All handling of the glass substrate was performed in the tank with the atmosphere inside and outside the tank isolated. Ring electrode
The voltage applied to the part was 500 V for 60 seconds. The temperature and humidity during the measurement were recorded using a mirror-cooled dew point meter.
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0049[Correction target item name] 0049
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0049】まず、ガラス基板の単位面積当たり容量を
Ca〔ファラッド〕、帯電の漏洩経路抵抗R〔オー
ム〕、漏洩開始後の時間をt〔秒〕とすると、 初期帯
電量σ0〔Coulomb/m2〕と、時間t〔秒〕経
過後の帯電量σ〔Coulomb/m2〕の関係は次式
(2)で表される。 First, assuming that the capacitance per unit area of the glass substrate is C a [ farad ], the leakage path resistance R of charging is [ohm], and the time after the start of leakage is t [second], the initial charge amount σ 0 [Coulomb / m 2 ] and the charge amount σ [Coulomb / m 2 ] after the lapse of time t [seconds] is expressed by the following equation (2).
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0052[Correction target item name] 0052
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0052】[0052]
【表1】 [Table 1]
【手続補正5】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図8[Correction target item name] Figure 8
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図8】 [Figure 8]
【手続補正6】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図9[Correction target item name] Figure 9
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図9】 [Figure 9]
Claims (10)
半導電性材料からなりかつ接地された基板支持部を備え
た搬送機構と、少なくとも前記基板支持部から前記基板
が離れる直前に前記基板に対して搬送空間よりも相対湿
度の高いエアを吹き掛けるための送気手段とを備えたこ
とを特徴とする、基板搬送装置。1. A transfer mechanism having a substrate supporting portion whose contact surface with a substrate to be neutralized is made of a conductive or semi-conductive material and is grounded; and at least immediately before the substrate is separated from the substrate supporting portion. And an air supply unit for spraying air having a relative humidity higher than that of the transfer space.
えていることを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送
装置。2. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the air supply unit further includes an air volume adjusting unit.
いることを特徴とする、請求項1または2に記載の基板
搬送装置。3. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the air supply unit further includes a humidity control unit.
いることを特徴とする、請求項1、2または3のいずれ
かに記載の基板搬送装置。4. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the air supply unit further includes a temperature adjusting unit.
えていることを特徴とする、請求項1、2、3または4
のいずれかに記載の基板搬送装置。5. The air supply means further comprises an air filtering means.
The board | substrate conveyance apparatus in any one of.
一様気流、ジェット気流またはカーテン気流形成用の送
気口を備えていることを特徴とする、請求項1、2、
3、4または5のいずれかに記載の基板搬送装置。6. The air supply unit further comprises an air supply port for forming a uniform air flow, a jet air flow or a curtain air flow with respect to the substrate.
6. The substrate transfer device according to any one of 3, 4, and 5.
するためのセンサと、そのセンサからの信号に応じて前
記送気手段から送気される空気の温湿度を制御するため
の制御手段をさらに設けたことを特徴とする、請求項
1、2、3、4、5または6のいずれかに記載の基板搬
送装置。7. A sensor for detecting relative humidity in the vicinity of the substrate support, and control means for controlling the temperature and humidity of the air supplied from the air supply means in response to a signal from the sensor. 7. The substrate transfer apparatus according to claim 1, further comprising:
て発生する空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物
中和装置を設けたことを特徴とする、請求項1、2、
3、4、5、6または7のいずれかに記載の基板搬送装
置。8. A charged object neutralizing device for neutralizing charged charges by air ions generated by ionizing air is provided upstream of the air supply means.
The substrate transfer device according to any one of 3, 4, 5, 6 and 7.
備えていることを特徴とする、請求項8に記載の基板搬
送装置。9. The substrate transfer device according to claim 8, wherein the charged substance neutralizing device includes a corona discharge electrode.
を備えていることを特徴とする、請求項8に記載の基板
搬送装置。10. The substrate transfer device according to claim 8, wherein the charged substance neutralizing device includes a soft X-ray irradiation device.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR19990056738A (en) * | 1997-12-29 | 1999-07-15 | 김영환 | Glass substrate conveying device |
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- 1993-08-31 JP JP24067693A patent/JP3184676B2/en not_active Expired - Fee Related
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