JP3121520B2 - Local clean space - Google Patents

Local clean space

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JP3121520B2
JP3121520B2 JP07124249A JP12424995A JP3121520B2 JP 3121520 B2 JP3121520 B2 JP 3121520B2 JP 07124249 A JP07124249 A JP 07124249A JP 12424995 A JP12424995 A JP 12424995A JP 3121520 B2 JP3121520 B2 JP 3121520B2
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local clean
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Takasago Thermal Engineering Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、クリーンルームの内部
を局所的に区画して形成されるクリーンブースやクリー
ンベンチなどといった局所清浄空間に関する。本発明の
局所清浄空間は、例えばLCD(液晶ディスプレイ)を
製造するためのクリーンルームにおいて、ガラス基板
(LCD基板)等に代表される絶縁体物品に発生する静
電気を速やかに除去しながら種々の処理を行うための空
間として好適である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a local clean space such as a clean booth or a clean bench formed by locally partitioning the inside of a clean room. The local clean space of the present invention can be used in a clean room for manufacturing an LCD (Liquid Crystal Display), for example, to perform various treatments while quickly removing static electricity generated in an insulating article represented by a glass substrate (LCD substrate) or the like. It is suitable as a space for performing.

【0002】[0002]

【従来の技術】今日、ノートブック型のパソコンなどに
おいて、TFT(薄膜トランジスタ)を用いたアクティ
ブマトリクス液晶ディスプレイ(AM−LCD)が使用
されている。AM−LCDの量産は、ガラス基板上にア
モルファスシリコン、絶縁体、導電体などの各種薄膜を
堆積し、パターン加工してTFTや液晶駆動用の表示電
極や配線を形成するTFT工程、TFT基板とカラーフ
ィルタ(CF)基板とを位置合わせして重ね、隙間に液
晶を注入するパネル工程、パネル周辺に駆動回路ICを
接続しバックライトなどを実装するモジュール工程から
なる。
2. Description of the Related Art Today, an active matrix liquid crystal display (AM-LCD) using a TFT (thin film transistor) is used in a notebook personal computer and the like. The mass production of AM-LCD is based on the TFT process of depositing various thin films such as amorphous silicon, insulators, and conductors on a glass substrate, patterning them, and forming display electrodes and wiring for driving TFTs and liquid crystals. The method includes a panel process of aligning and overlaying a color filter (CF) substrate and injecting liquid crystal into a gap, and a module process of connecting a drive circuit IC around the panel and mounting a backlight or the like.

【0003】LCDを製造する上で静電気を除去するこ
とは極めて重要である。LCDと類似の製造工程を有す
るものにLSIがあるが、LCDの基板材料は絶縁性の
ガラスであり、これはLSIの基板材料であるシリコン
単結晶(半導体)と比べて静電気による帯電が遥かに生
じやすく、パーティクルの吸着や、堆積膜の絶縁破壊を
招きやすい。従って、LCDを製造する上で静電気を除
去することは、LSI製造の場合に比べて遥かに重要
で、LCD製造における静電気の除去は歩留まり確保の
ための最大の課題になっている。
[0003] It is extremely important to eliminate static electricity in manufacturing LCDs. An LSI having a manufacturing process similar to that of an LCD is an LSI. However, the substrate material of the LCD is insulating glass, which is far less charged by static electricity than silicon single crystal (semiconductor), which is a substrate material of the LSI. This easily causes particles to be adsorbed and dielectric breakdown of the deposited film. Therefore, removing static electricity in manufacturing LCDs is much more important than in LSI manufacturing, and removing static electricity in LCD manufacturing has become the biggest issue for securing yield.

【0004】また、LCD製造はLSI製造と比較し
て、次のような課題を有している。すなわち、第1に、
LCDの基板形状は角型で、大きく、重いことから、バ
ッチ処理が困難であり、搬送などの取扱いも難しい。第
2に、線幅、線間隔などのパターン加工精度はLSIに
比べて一桁緩いものの、シリコン基板の数倍に及ぶ広い
面積での加工の均一性が必要である。第3に、歩留まり
の概念が相違する。すなわち、LSIの1MDRAMに
相当する10型クラスのTFT−LCDでは一枚のガラ
ス基板上にパネル二枚分しか面付けできず、歩留まりは
0%、50%、100%の3値しかとりえない。これ
は、LSIが1枚のシリコン基板上に数百チップを配置
できるのとは対照的である。
Further, LCD manufacturing has the following problems as compared with LSI manufacturing. That is, first,
Since the LCD substrate is rectangular, large, and heavy, batch processing is difficult and handling such as transportation is also difficult. Second, although pattern processing accuracy such as line width and line spacing is one order of magnitude less than that of LSI, uniformity of processing over a large area several times larger than that of a silicon substrate is required. Third, the concept of yield is different. That is, in a 10-inch class TFT-LCD corresponding to an LSI 1MDRAM, only two panels can be imposed on one glass substrate, and the yield can take only three values of 0%, 50%, and 100%. . This is in contrast to an LSI in which hundreds of chips can be arranged on one silicon substrate.

【0005】かようなLCD固有の課題解決を考慮した
上でLCD製造における静電気対策を確立するための手
段として、コロナ放電を利用した各種のイオナイザが従
来開示されている。また最近では、帯電物体の周囲雰囲
気の空気に軟X線を照射してその空気を電離イオン化
し、帯電を中和する方法も開発されている。これら従来
の除電の原理は、いずれも空気を電離して(コロナ、軟
X線を問わない)発生する空気イオンで帯電電荷を中和
するものである。
Various ionizers utilizing corona discharge have been conventionally disclosed as means for establishing countermeasures against static electricity in LCD manufacturing in consideration of the above-mentioned problems inherent in LCDs. Recently, a method has been developed in which air in the atmosphere around a charged object is irradiated with soft X-rays to ionize the air and neutralize the charge. The principle of these conventional static eliminations is to neutralize the charge by air ions generated by ionizing air (irrespective of corona or soft X-ray).

【0006】本出願人も、先に特願平5−88172号
においてコロナ放電を利用した液晶用イオナイザを既に
出願している。この特願平5−88172号のイオナイ
ザによれば、搬送装置上を運ばれてくる大型ガラス基板
の帯電を、3秒間で全面にわたってムラなく一様に90
%以上除電することが可能である。
The present applicant has already filed an application for a liquid crystal ionizer utilizing corona discharge in Japanese Patent Application No. 5-88172. According to the ionizer disclosed in Japanese Patent Application No. 5-88172, charging of a large glass substrate carried on a transfer device is performed uniformly over the entire surface in three seconds without unevenness.
% Or more.

【0007】一方、最近開発された軟X線を利用した除
電装置は、帯電体近傍に軟X線を照射して空気を電離
し、発生する空気イオンのうち、帯電と逆極性のイオン
をクーロン力によって帯電体に吸収し、帯電を除去する
ものである。かかる除電装置は、コロナ放電方式のイオ
ナイザでは不可欠とされる、発生イオンを放電極から帯
電物体まで搬送するための気流を必要としないといった
特徴がある。また、コロナ放電方式のイオナイザは帯電
物体にイオンが到達するまでの搬送中に正負イオンが結
合・中和し、イオン濃度が減衰するが、軟X線を利用し
た除電装置は、帯電物体近傍の空気を直接電離するた
め、電離直後の高濃度イオンが、減衰することなく帯電
物体に到達するので、コロナ放電方式よりも除電時間が
大幅に短いといった特徴がある。
On the other hand, a recently-developed static eliminator using soft X-rays irradiates soft X-rays near a charged body to ionize air, and among the generated air ions, coulomb ions of opposite polarity to the charged ones. It is absorbed by a charged body by a force to remove the charge. Such a static eliminator has a characteristic that an air flow for transporting generated ions from a discharge electrode to a charged object is not required, which is indispensable for a corona discharge type ionizer. In addition, the corona discharge type ionizer combines and neutralizes positive and negative ions during transport until the ions reach the charged object, and the ion concentration is attenuated. Since air is directly ionized, high-concentration ions immediately after ionization reach the charged object without being attenuated, and thus have the characteristic that the charge elimination time is much shorter than in the corona discharge method.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】コロナ放電方式のイオ
ナイザは空気イオンを気流で搬送するため、気流速度に
よっては除電の対象となる帯電物体周辺の雰囲気をかき
乱し、清浄度があまり高くないクリーンルーム内で使用
した場合、周囲表面に沈着したゴミが舞い上って、液晶
基板表面を汚す心配がある。
Since a corona discharge type ionizer carries air ions in an air stream, the ionizer disturbs the atmosphere around a charged object to be neutralized depending on the air flow speed, and is used in a clean room where the cleanliness is not very high. When used, there is a concern that dust deposited on the surrounding surface will fly up and stain the surface of the liquid crystal substrate.

【0009】一方、軟X線を利用した除電装置は、軟X
線は薄い空気層によってもたやすく吸収されるものの、
作業者の被曝を完全に防止するために照射空間全体を厚
み1〜2mmの塩ビ板等で覆う必要がある。従って、軟
X線を利用した除電装置では、液晶パネルを遮蔽板で覆
われた閉空間内部で除電するので、クリーンルーム全体
の清浄化に加え、この閉空間を清浄化させる必要が新た
に生じる。このため軟X線を利用した除電装置は、液晶
基板をクリーンルーム内の清浄空気に対して開放状態で
搬送できるといった、従来形式の搬送面での有利性が失
われてしまう。
On the other hand, a static eliminator using soft X-rays is a soft X-ray.
The lines are easily absorbed by the thin air layer,
In order to completely prevent exposure of the worker, it is necessary to cover the entire irradiation space with a 1 to 2 mm thick PVC plate or the like. Therefore, in the static eliminator using soft X-rays, since the liquid crystal panel is neutralized inside the closed space covered with the shielding plate, it is necessary to clean the closed space in addition to the clean room as a whole. For this reason, the static eliminator using soft X-rays loses the advantage of the conventional transport surface such that the liquid crystal substrate can be transported in an open state with respect to the clean air in the clean room.

【0010】そして、コロナ放電方式のイオナイザと軟
X線を利用した除電装置のいずれによっても、剥離帯電
とその瞬間に起こる素子の絶縁破壊を防止することは不
可能である。なぜならば、例えば大型ガラス基板の搬送
装置においては、ガラス基板がコンベアベルト上に搭載
され搬送された後、搬送アームの吸着チャックによって
コンベアベルト上から持ち上げられるが、コンベアベル
ト上に搭載されて搬送されている途中で、ガラス面とベ
ルト面がわずかでも擦れ合うと、ガラス面は正に、ベル
ト面は負に帯電する。搬送中はそれら異符号に帯電した
面は密着しているので、見かけ上は互いに中和した状態
にあるが、吸着チャックでガラス基板をコンベアベルト
上から持ち上げられて両面が分離すると、剥離帯電によ
って瞬時にガラス基板の厚み方向に正帯電に起因する電
界が現れ、ガラス基板上に形成された素子が絶縁破壊を
起こしてしまう。この絶縁破壊は防止できない。
[0010] Neither the corona discharge type ionizer nor the static eliminator using soft X-rays can prevent peeling charging and dielectric breakdown of the element occurring at that moment. Because, for example, in a large glass substrate transfer device, after the glass substrate is mounted on the conveyor belt and transferred, the glass substrate is lifted from the conveyor belt by the suction chuck of the transfer arm, but is mounted on the conveyor belt and transferred. If the glass surface and the belt surface slightly rub during the operation, the glass surface is positively charged and the belt surface is negatively charged. During transport, the oppositely charged surfaces are in close contact with each other, so they are apparently in a neutralized state.However, when the glass substrate is lifted from the conveyor belt by the suction chuck and both surfaces are separated, peeling charging occurs. An electric field due to positive charging appears instantaneously in the thickness direction of the glass substrate, and an element formed on the glass substrate causes dielectric breakdown. This dielectric breakdown cannot be prevented.

【0011】また、コロナ放電方式のイオナイザと軟X
線を利用した除電装置のような空気イオンによって帯電
を中和するものは、剥離帯電によってガラス基板に生じ
た帯電を除去するのに0.5秒〜数秒を要し、素子の絶
縁破壊防止には役立たない。そして、ガラス基板に生じ
た帯電を空気イオンを利用して中和しようとする場合
は、例えばガラス基板の一方の面に空気イオンを吸着さ
せると、剥離帯電によってガラス基板の他方の面に生じ
た帯電とは異なる極性の帯電がガラス基板の一方の面に
生じる。電界はガラス基板内部にのみ収束するので、見
かけ上、帯電は中和されたようになるが、基板内部の素
子の劣化や液晶分子の配向ムラの原因となる。
A corona discharge type ionizer and a soft X
A device that neutralizes the charge by air ions, such as a static eliminator using a wire, requires 0.5 seconds to several seconds to remove the charge generated on the glass substrate by the peeling charge, and prevents the dielectric breakdown of the element. Is useless. Then, in the case where the charge generated on the glass substrate is to be neutralized by using air ions, for example, when air ions are adsorbed on one surface of the glass substrate, the charge is generated on the other surface of the glass substrate by peeling charge. A charge having a polarity different from the charge is generated on one surface of the glass substrate. Since the electric field converges only inside the glass substrate, the charge is apparently neutralized, but it causes deterioration of elements inside the substrate and uneven alignment of liquid crystal molecules.

【0012】さらに、コロナ放電方式のイオナイザと軟
X線を利用した除電装置のいずれも、装置一台当たりの
除電可能な範囲は限定されているので、液晶パネルを製
造するクリーンルーム内において帯電が発生する可能性
のある箇所が複数ある場合は、それらの全てに除電装置
をそれぞれ設置しなければならない。従って、コストが
上昇し、メンテナンスも煩雑となる。
Furthermore, in both the corona discharge type ionizer and the static eliminator using soft X-rays, the range of static elimination per unit is limited, so that charging occurs in a clean room for manufacturing liquid crystal panels. When there are a plurality of places where there is a possibility of performing the operation, a static eliminator must be installed in all of them. Therefore, costs increase and maintenance becomes complicated.

【0013】本発明は、LCDの製造に必要なガラス基
板の如き絶縁体物品などに発生する静電気を容易かつ瞬
時に除去できる手段を提供することを目的としている。
An object of the present invention is to provide a means for easily and instantaneously removing static electricity generated in an insulating article such as a glass substrate required for manufacturing an LCD.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に基づいて構成された局所清浄空間は、クリ
ーンルームの内部をパーティションを用いて区画して形
成される局所清浄空間であって、局所清浄空間内に物品
を搬入するための開口や局所清浄空間内から物品を搬出
するための開口がパーティションに設けられており、局
所清浄空間内を加湿する加湿手段と、局所清浄空間内気
圧を局所清浄空間外のクリーンルーム内気圧よりも低く
なるように局所清浄空間内から排気し、クリーンルーム
内の空気を開口を通じて局所清浄空間に流れ込ませる
気手段とを備えていることを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, a local clean space constructed according to the present invention is a local clean space formed by partitioning the inside of a clean room using partitions. The partition is provided with an opening for bringing in the article into the local cleaning space and an opening for taking out the article from the local cleaning space, and humidifying means for humidifying the inside of the local cleaning space, and a pressure in the local cleaning space. It was evacuated from the local clean space outside so as locally clean space lower than the atmospheric pressure the clean room, the clean room
Exhaust means for allowing the air inside to flow into the local clean space through the opening .

【0015】この局所清浄空間は、例えばLCD基板を
処理する空間である。また、この局所清浄空間内に処理
空間を形成し、該処理空間内に局所清浄空間内の空気を
循環供給する送気手段を設けるようにしても良い。この
場合、送気手段によって処理空間内に循環供給される空
気は整流であることが望ましい。また、送気手段にフィ
ルタを設けても良い。
This local clean space includes, for example, an LCD substrate.
The space to process. Further, a processing space may be formed in the local cleaning space, and an air supply means for circulating and supplying the air in the local cleaning space may be provided in the processing space. In this case, it is desirable that the air circulated and supplied into the processing space by the air supply means be rectified. In addition, filter
A filter may be provided.

【0016】[0016]

【作用】本発明者らは、種々の研究、考察を積み重ねた
結果、紫外線・オゾン洗浄によって表面付着物(特に有
機物)を除去したガラス表面の抵抗は、洗浄前の抵抗よ
りもかなり低くなるが、さらにその清浄表面の周囲の相
対湿度を増加することで表面抵抗を著しく低下すること
ができる、といった知見を得た。そして本出願人は、こ
の知見をもとに、先に特願平5−240676号及び特
願平5−292683号において、清浄ガラス基板と接
触する基板支持面を接地しながら、高い相対湿度雰囲気
中で同基板を搬送して剥離帯電を除去する手段を開示し
た。本発明も、先の出願と同様にこの知見を利用してい
るが、本発明ではクリーンルーム内に形成した局所清浄
空間の内部を加湿手段を用いて高い相対湿度とすること
により、絶縁体物品などに発生する静電気を容易かつ瞬
時に除去することを特徴としている。なお、空気中の湿
度が極端に大きい場合(相対湿度80%以上)には、物
体表面の静電荷が直接空気中に漏洩するといった、いわ
ゆる「気中漏洩」による静電荷の減衰現象がおきる。本
発明の局所清浄空間においては、その内部の相対湿度を
80%以上の高い値にすることによって、この気中漏洩
を利用して絶縁体物品などの表面抵抗を低下させること
が可能となる。
As a result of various studies and considerations, the present inventors have found that the resistance of the glass surface from which surface deposits (particularly organic substances) have been removed by ultraviolet / ozone cleaning is considerably lower than the resistance before cleaning. Further, it has been found that the surface resistance can be significantly reduced by increasing the relative humidity around the clean surface. Based on this finding, the applicant of the present application disclosed in Japanese Patent Application Nos. 5-240676 and 5-292683 that grounding a substrate supporting surface in contact with a clean glass substrate while maintaining a high relative humidity atmosphere. Means for removing the peeling charge by transporting the same substrate therein has been disclosed. The present invention also utilizes this finding as in the previous application, but in the present invention, the inside of the local clean space formed in the clean room is made to have a high relative humidity by using a humidifying means, so that an insulator article or the like can be obtained. It is characterized by easily and instantaneously removing static electricity generated in the device. When the humidity in the air is extremely large (relative humidity is 80% or more), a phenomenon of static charge decay due to so-called "air leakage" occurs, in which static charges on the surface of the object leak directly into the air. In the local clean space of the present invention, by setting the relative humidity inside to a high value of 80% or more, it is possible to reduce the surface resistance of an insulating article or the like by utilizing the air leakage.

【0017】このように局所清浄空間内において空気中
の相対湿度を増すことによって絶縁体物品などの表面の
帯電を著しく減衰できる理由は、絶縁体物品表面の水の
吸着量が増加すると表面抵抗値が減少することに起因す
る。例えば、ガラス基板の主成分であるSiO2原子は
孤立電子対を持ち、水分子のHと水素結合しやすいた
め、ガラス表面に水分子層が形成されやすい。また、基
板支持部の接触面によく使用されるセラミックス素材の
SiO2、SiN、Al23などはいずれも孤立電子対
を有するOやN原子を含んでおり、かような絶縁性セラ
ミックス面も水分子のHと水素結合して、その表面に水
分子層を形成し易い性質を持つ。なお、TFT−LCD
の製造工程においては、ガラス基板上に薄膜電極、絶縁
膜などを形成して複数層の電極を絶縁膜で保護すること
が行われ、TFT−LCD工程のなかで絶縁膜を形成す
る工程の占める割合は大きいが、これらの絶縁膜はSi
N、SiO2、Al23、Ta25等であり、これら絶
縁膜質のOやN原子も、SiO2のO原子と同様に孤立
電子対を持つことを考慮すれば、このような絶縁膜付き
ガラス基板に対しても、相対湿度が増すと、その表面の
水の吸着量が増加するので、その表面抵抗値を減少させ
ることができる。そして、ガラス基板などの帯電は、相
対湿度の高い雰囲気中に置かれたために表面抵抗値の下
がったガラス基板表面と、接地された基板支持部を通し
て、瞬時に接地側へ漏洩する。更に、局所清浄空間の相
対湿度を80%以上にした場合には、ガラス基板表面の
電荷の気中漏洩による減衰も効果的に作用し、ガラス基
板表面の除電をより効果的に行うことが可能となる。こ
のように、本発明によれば、クリーンルーム内に形成さ
せた局所清浄空間を相対湿度の高いものとすることによ
って、絶縁性基板などに発生する静電気を瞬時に除去す
ることが可能となる。
The reason why the surface charge of an insulating article or the like can be remarkably attenuated by increasing the relative humidity in the air in the local clean space is that the surface resistance value increases when the amount of water adsorbed on the surface of the insulating article increases. Is reduced. For example, SiO 2 atoms, which are the main components of a glass substrate, have a lone pair of electrons and easily form hydrogen bonds with H of water molecules, so that a water molecule layer is easily formed on the glass surface. In addition, ceramic materials such as SiO 2 , SiN, and Al 2 O 3 that are often used for the contact surface of the substrate support portion contain O and N atoms having a lone pair of electrons. Also has the property of easily hydrogen bonding with H of water molecules to form a water molecule layer on its surface. In addition, TFT-LCD
In the manufacturing process, a thin-film electrode, an insulating film, etc. are formed on a glass substrate to protect a plurality of layers of electrodes with the insulating film, and the step of forming the insulating film in the TFT-LCD process is occupied. Although the ratio is large, these insulating films
N, SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5, etc. These O and N atoms of the insulating film also have such a lone pair of electrons as the O atoms of SiO 2. When the relative humidity increases even for a glass substrate with an insulating film, the amount of water adsorbed on the surface increases, so that the surface resistance value can be reduced. Then, the charge of the glass substrate or the like instantaneously leaks to the ground side through the glass substrate surface whose surface resistance value has been lowered due to being placed in an atmosphere having a high relative humidity and the grounded substrate support. Furthermore, when the relative humidity of the local clean space is set to 80% or more, the charge on the glass substrate surface is effectively attenuated due to air leakage, and the charge on the glass substrate surface can be more effectively removed. Becomes As described above, according to the present invention, the local clean space formed in the clean room is made to have a high relative humidity, so that the static electricity generated on the insulating substrate or the like can be instantaneously removed.

【0018】本発明の局所清浄空間は、クリーンルーム
の内部をパーティションを用いて区画することにより形
成される。そして、区画した局所清浄空間内を加湿手段
によって加湿する。パーティションは金属、プラスティ
ック、ガラス等の剛性のもの、あるいはビニール、織布
等の柔軟性のもの、何れも用いることができる。要は、
クリーンルーム内において周囲と区画された局所空間を
仕切れるものであれば足りる。
The local clean space of the present invention is formed by partitioning the inside of the clean room using partitions. Then, the inside of the partitioned local clean space is humidified by the humidifying means. The partition may be made of a rigid material such as metal, plastic or glass, or a flexible material such as vinyl or woven fabric. In short,
What suffices as long as it can partition a local space partitioned from the surroundings in a clean room.

【0019】また、パーティションには、局所清浄空間
に物品を搬入するための開口と、局所清浄空間から物品
を搬出するための開口を設ける。但し、これら搬入用の
開口と搬出用の開口を兼用させる構成としても良い。こ
れら開口を介して局所清浄空間内にガラス基板などの物
品を搬入し、局所清浄空間内において所定の処理を行っ
た後、その物品を開口を介して局所清浄空間内から搬出
する。
Further, the partition is provided with an opening for carrying articles into the local cleaning space and an opening for taking articles out of the local cleaning space. However, a configuration may be adopted in which the carry-in opening and the carry-out opening are used in common. An article such as a glass substrate is carried into the local cleaning space through these openings, and after performing predetermined processing in the local cleaning space, the article is carried out of the local cleaning space through the opening.

【0020】一方、パーティションに開口を設けると、
その開口を通じて水分が局所清浄空間の外に漏洩する心
配が生じる。水分が漏洩すると、クリーンルーム内全体
の相対湿度が増加することになる。これを防止するた
め、局所清浄空間内から常に空気を排気し続けて、局所
清浄空間内気圧を局所清浄空間外のクリーンルーム内気
圧よりも小さく保つようにする。そうすれば、局所清浄
空間外に湿分の高い空気が漏れ出ることが無く、水分が
漏洩しない。
On the other hand, when an opening is provided in the partition,
There is a concern that moisture will leak out of the local clean space through the opening. Leakage of water will increase the relative humidity of the entire clean room. In order to prevent this, air is constantly exhausted from the local cleaning space so that the pressure in the local cleaning space is kept lower than the pressure in the clean room outside the local cleaning space. Then, air with high humidity does not leak out of the local clean space, and moisture does not leak.

【0021】そして、局所清浄空間内に処理空間を形成
し、該処理空間内に局所清浄空間内の空気を循環供給す
る送気手段を設けるようにしても良い。この場合、送気
手段によって処理空間内に循環供給する空気は、整流と
することが好ましい。処理空間内を整流状態とすること
によって、処理空間内で物品を処理した際に発生したゴ
ミや塵などが堆積したり、再浮遊するといった問題を解
消でき、高い清浄度で物品を処理できるようになる。但
し、局所清浄空間内全体を整流状態にできるように構成
すると設備費が高くなる。従って、局所清浄空間内に物
品を処理する処理空間を形成し、その処理空間内だけを
整流状態にできるように構成することが好ましい。そう
すれば、設備費をやすくでき、また、風量も小さくでき
るので運転コストも少なくできる。なお、処理空間の広
さ、大きさ、形状などは処理の内容に応じて適宜変更す
ればよい。
Further, a processing space may be formed in the local cleaning space, and air supply means for circulating and supplying the air in the local cleaning space may be provided in the processing space. In this case, the air circulated and supplied into the processing space by the air supply means is preferably rectified. By setting the processing space in a rectifying state, problems such as accumulation of dust and dust generated when processing the articles in the processing space and re-floating can be solved, and the articles can be processed with high cleanliness. become. However, if the entire inside of the local clean space is configured to be in a rectified state, equipment costs increase. Therefore, it is preferable that a processing space for processing articles is formed in the local cleaning space, and only the processing space is set in a rectified state. By doing so, the facility cost can be made easier and the air volume can be made smaller, so that the operating cost can be made smaller. Note that the size, size, shape, and the like of the processing space may be appropriately changed according to the content of the processing.

【0022】また、この送気手段にフィルタを設けるよ
うにしても良い。そうすれば、局所清浄空間内に形成し
た処理空間内において、フィルタによって濾過された清
浄な雰囲気で物品の処理を行うことができるようにな
る。特に、送気手段にULPAフィルタ(ultra
low penetration airフィルタ)を
内蔵させれば、処理空間に供給される空気中の微粒子を
高精度で除塵でき、絶縁基板等の汚染をより確実に防止
することが可能となる。但し、フィルタは必ずしも送気
手段に内蔵させる必要はなく、フィルタの装着箇所は自
由に設定できる。例えば送気手段とフィルタを別々に配
置して処理空間内に清浄な雰囲気を循環供給できるよう
に構成しても良い。
Further, a filter may be provided in the air supply means. Then, in the processing space formed in the local cleaning space, the article can be processed in a clean atmosphere filtered by the filter. In particular, a ULPA filter (ultra
By incorporating a low penetration air filter), fine particles in the air supplied to the processing space can be removed with high accuracy, and contamination of the insulating substrate and the like can be more reliably prevented. However, the filter does not necessarily need to be built in the air supply means, and the mounting position of the filter can be freely set. For example, the air supply means and the filter may be separately arranged so that a clean atmosphere can be circulated and supplied into the processing space.

【0023】また、絶縁性基板などのハンドリング環境
に応じて処理空間への供給風量や空気の温度を調節でき
るように、送気手段によって処理空間に供給される空気
の風量を調節自在に構成し、また、その空気の温度を調
節自在に構成することとが好ましい。
[0023] Further, the air volume supplied to the processing space by the air supply means is configured to be adjustable so that the amount of air supplied to the processing space and the temperature of the air can be adjusted according to the handling environment such as the insulating substrate. It is preferable that the temperature of the air be adjustable.

【0024】[0024]

【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明を詳細
に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0025】A.先ず、局所空間内の湿度が、清浄なL
CD用ガラス基板の帯電電荷の漏洩特性にどのような影
響を及ぼすかを調べた。その実験結果を説明する。
A. First, when the humidity in the local space is
The influence on the leakage property of the charged charge of the glass substrate for CD was examined. The experimental results will be described.

【0026】1.実験方法 接地しない状態のガラス基板と、接地した状態のガラス
基板のそれぞれに対してポリ塩化ビニリデンフィルムを
接触剥離させたときのガラス基板の表面電位の経時変化
を測定し、帯電電荷の漏洩特性を調べた。
1. Experimental method Measure the change over time of the surface potential of the glass substrate when the polyvinylidene chloride film is contacted and peeled to each of the grounded glass substrate and the grounded glass substrate. Examined.

【0027】(1)実験材料 実験に使用したガラス基板は、何れもコーニング社製の
無アルカリガラス(Fusion 7059)である。
その比誘電率は5.84[−]であり、その成分はSi
:49%、BaO:25%、B:15%、A
:10%、その他:1%である。実験に使用し
たガラス基板と剥離材料の大きさ等は、次の通りであ
る。 ガラス基板:CORNING #7059 300mm×400mm×1.1 mm 剥離材料 :ポリ塩化ビニリデンフィルム 呉羽化学
(商品名 クレラップ)100mm×100mm
(1) Experimental Materials The glass substrates used in the experiments were all alkali-free glass (Fusion 7059) manufactured by Corning.
Its relative dielectric constant is 5.84 [-], and its component is Si
O 2 : 49%, BaO: 25%, B 2 O 3 : 15%, A
l 2 O 3 : 10%, others: 1%. The sizes of the glass substrate and the release material used in the experiment are as follows. Glass substrate: CORNING # 7059 300 mm x 400 mm x 1.1 t mm Release material: polyvinylidene chloride film Kureha Chemical (trade name: Kurerap) 100 mm x 100 mm

【0028】(2)ガラス基板の洗浄 ガラス基板を超純水の流水にてリンスした後、裏表の各
面を10分間ずつ紫外線/オゾン(UV/O3)洗浄し
た。
(2) Cleaning of Glass Substrate After rinsing the glass substrate with running ultrapure water, the front and rear surfaces were cleaned with ultraviolet / ozone (UV / O 3 ) for 10 minutes.

【0029】(3)表面電位の測定 恒温恒湿槽内においてテフロン脚によって4箇所で支持
し、ガラス基板を載置した。ガラス基板を接地する場合
は、テフロン脚によって支持されたガラス基板の辺部に
接地したリード線をワニグチクリップで挟んで固定する
ことによって接地した。表面電位計のプローブはガラス
基板下面に配置した。そして、ガラス基板の上面中央部
でポリ塩化ビニリデンフィルムを接触剥離したときのガ
ラス基板の表面電位の経時変化を1/100秒刻みで記
録した。槽内の温度は23℃(一定)とし、相対湿度を
40%、60%、70%、80%に変えた条件下で測定
を行った。
(3) Measurement of Surface Potential In a constant temperature / humidity chamber, the glass substrate was placed at four locations with Teflon legs and placed. When the glass substrate was grounded, the lead was grounded to the side of the glass substrate supported by the Teflon legs, and the lead wire was grounded by crocodile clips. The probe of the surface electrometer was arranged on the lower surface of the glass substrate. Then, the time-dependent change in the surface potential of the glass substrate when the polyvinylidene chloride film was peeled off at the center of the upper surface of the glass substrate was recorded in 1/100 second increments. The measurement was performed under the condition that the temperature in the tank was 23 ° C. (constant) and the relative humidity was changed to 40%, 60%, 70%, and 80%.

【0030】2.実験結果 (1)接地しない場合 図1に示すように、清浄な(UV/O3洗浄した直後
の)ガラス基板からポリ塩化ビニリデンフィルムを接触
剥離した場合、剥離した瞬間に表面電位は最大値(以後
「瞬間最大表面電位」と称する)に達する。その後表面
電位は減衰するものの、相対湿度の値にかかわらず、接
地しない場合は何れも8kV〜9kVの表面電位が残留
した。一方、瞬間最大表面電位は相対湿度が高いほど低
下する傾向が見られた。なお、この図1においては、各
相対湿度における表面電位の経時変化を区別しやすくす
るため、剥離した瞬間の時刻をずらせて表示した。
2. Experimental Results (1) When not grounded As shown in FIG. 1, when the polyvinylidene chloride film was contact-peeled from a clean (immediately after UV / O 3 cleaning) glass substrate, the surface potential reached the maximum value at the moment of peeling. (Hereinafter referred to as “instantaneous maximum surface potential”). After that, although the surface potential attenuated, the surface potential of 8 kV to 9 kV remained in any case without grounding, regardless of the value of the relative humidity. On the other hand, the instantaneous maximum surface potential tended to decrease as the relative humidity increased. In FIG. 1, the time at the moment of peeling is shown shifted in order to make it easy to distinguish the change over time of the surface potential at each relative humidity.

【0031】相対湿度が40%の雰囲気中で清浄な(U
V/O3洗浄した直後の)ガラス基板からポリ塩化ビニ
リデンフィルムを接触剥離した場合、剥離した瞬間にガ
ラス基板の瞬間最大表面電位は約23kVに達し、その
後1秒以内に約9kVにまで減衰して定常状態になっ
た。一方、相対湿度80%の雰囲気中で接触剥離した場
合、剥離した瞬間に瞬間最大表面電位は約9kV(40
%RHの時の60%減)に達したが、その後も表面電位
はほとんど減衰せず、そのまま定常状態になった。
Clean (U) in an atmosphere having a relative humidity of 40%
When the polyvinylidene chloride film is contact-peeled from the glass substrate (immediately after the V / O 3 cleaning), the instantaneous maximum surface potential of the glass substrate reaches about 23 kV at the moment of peeling, and then attenuates to about 9 kV within one second. To a steady state. On the other hand, when the contact peeling is performed in an atmosphere with a relative humidity of 80%, the instantaneous maximum surface potential is about 9 kV (40
% RH at 60%), but the surface potential was hardly attenuated after that, and a steady state was reached.

【0032】(2)接地した場合 一方、ワニグチクリップで1ヶ所接地した清浄な(UV
/O3洗浄した直後の)ガラス基板からポリ塩化ビニリ
デンフィルムを接触剥離した場合、図2に示すように、
ガラス基板の表面電位は剥離した瞬間に最大となり、以
後時間が経過するにしたがって徐々に減衰した。また、
相対湿度が高くなるにつれて、瞬間最大表面電位は低下
した。例えば、相対湿度40%の雰囲気中で接触剥離し
た場合、ガラス基板の瞬間最大表面電位は約23kVで
あり、この瞬間最大表面電位値が1/10に減衰するま
での時間(以後「1/10減衰時間」という)は、約
5.1秒であった。一方、相対湿度80%の雰囲気中で
接地したガラス基板からポリ塩化ビニリデンフィルムを
接触剥離した場合は、瞬間最大表面電位は約6kV(4
0%RHのときの75%減)となり、1/10減衰時間
は約0.4秒(同93%減)であった。
(2) Case of Grounding On the other hand, a clean (UV) grounded at one place with an alligator clip
When the polyvinylidene chloride film was contact-peeled from the glass substrate (immediately after / O 3 cleaning), as shown in FIG.
The surface potential of the glass substrate became maximum at the moment of peeling, and gradually decreased with time thereafter. Also,
As the relative humidity increased, the instantaneous maximum surface potential decreased. For example, when the glass substrate is peeled off in an atmosphere of 40% relative humidity, the instantaneous maximum surface potential of the glass substrate is about 23 kV, and the time until the instantaneous maximum surface potential value attenuates to 1/10 (hereinafter “1/10 The decay time was about 5.1 seconds. On the other hand, when the polyvinylidene chloride film is contact-peeled from the grounded glass substrate in an atmosphere with a relative humidity of 80%, the instantaneous maximum surface potential is about 6 kV (4 kV).
75% at 0% RH), and the 1/10 decay time was about 0.4 seconds (93% decrease).

【0033】図3は、80%RHの条件で接地箇所を最
大8ヶ所まで増やした場合の、電位減衰速度の変化の様
子を示す。8ヶ所を接地した場合は、1ヶ所のみを接地
した場合に比べて瞬間最大表面電位は12%減(約5k
V)となり、1/10減衰時間は62%減(約0.14
秒)であった。
FIG. 3 shows how the potential decay rate changes when the number of grounding points is increased to a maximum of eight under the condition of 80% RH. When eight locations are grounded, the instantaneous maximum surface potential is reduced by 12% (approximately 5k) as compared with the case where only one location is grounded.
V), and the 1/10 decay time is reduced by 62% (about 0.14
Seconds).

【0034】図1〜3の実験結果をまとめると、表1の
ようになる。
Table 1 summarizes the experimental results of FIGS.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】以上から、接地した清浄なガラス基板の剥
離帯電現象に関して次のことが明かとなった。高湿度雰
囲気は、瞬間最大表面電位を低下させるとともに、帯電
電位の減衰速度を速くする効果がある。ガラス基板の接
地箇所数の増加は、帯電電減衰速度を速くする効果が
ある。
From the above, the following has become clear regarding the peeling and charging phenomenon of a clean grounded glass substrate. The high humidity atmosphere has the effect of reducing the instantaneous maximum surface potential and increasing the decay rate of the charged potential. Increase in the number of ground locations of the glass substrate has the effect of increasing the charge collecting position decay rate.

【0037】(3)軟X線除電との比較 図4は、相対湿度40%の雰囲気中で軟X線を照射し
て、接地されない清浄な(UV/O3洗浄した直後の)
ガラス基板からポリ塩化ビニリデンフィルムを接触剥離
した場合の、ガラス基板の表面電位の経時変化を示す。
図4の瞬間最大表面電位値は約12.5kVであり、こ
れは、図2の1ヶ所接地のガラス基板の60%RHにお
ける瞬間最大表面電位値(13.3kV)とほぼ等し
い。また、図4の1/10減衰時間は約0.29秒であ
り、これは、図3の3ヶ所接地のガラス基板の80%R
Hにおける1/10減衰時間(0.22秒)とほぼ等し
い。つまり、清浄なガラス基板を接地した状態で加湿雰
囲気中で除電した場合の性能は、軟X線除電の性能を十
分上回っている。
(3) Comparison with soft X-ray static elimination FIG. 4 shows that soft X-rays are irradiated in an atmosphere at a relative humidity of 40% and are not grounded and are clean (immediately after UV / O 3 cleaning).
3 shows a change with time of the surface potential of the glass substrate when the polyvinylidene chloride film is peeled off from the glass substrate.
The instantaneous maximum surface potential value in FIG. 4 is about 12.5 kV, which is almost equal to the instantaneous maximum surface potential value (13.3 kV) at 60% RH of the single-ground glass substrate in FIG. Further, the 1/10 decay time in FIG. 4 is about 0.29 seconds, which is 80% R of the three-grounded glass substrate in FIG.
H is approximately equal to 1/10 decay time (0.22 seconds). That is, the performance when static electricity is removed in a humidified atmosphere with the clean glass substrate grounded is sufficiently higher than the soft X-ray static electricity removal performance.

【0038】B.以上の知見に基づき、次に本発明にか
かる局所清浄空間を構成した。実施例の局所清浄空間を
以下に説明する。
B. Next, based on the above findings, a local clean space according to the present invention was constructed. The local clean space of the embodiment will be described below.

【0039】1.局所清浄空間の構成 (1)気化式加湿器を用いた局所清浄空間 図5に、実施例において実際に構成した局所清浄空間1
の概略正面図を示し、図6にその平面図を示す。図示の
ように、クリーンルーム2の内部をパーティション3を
用いて区画することによって局所清浄空間1を形成し
た。実施例で作成した局所清浄空間1は、1800×2
400×2050hmm3の大きさとし、内容積は8.2
3とした。パーティション3はビニールシートを用い
た。パーティション3には、局所清浄空間1に物品を搬
入するための開口4と、局所清浄空間1から物品を搬出
するための開口5を設け、図6に示す如き搬送ラインを
形成した。
1. Configuration of local clean space (1) Local clean space using vaporizing humidifier FIG. 5 shows a local clean space 1 actually configured in the embodiment.
6 is a schematic front view, and FIG. 6 is a plan view thereof. As shown in the figure, a local clean space 1 was formed by partitioning the inside of a clean room 2 using a partition 3. The local clean space 1 created in the example is 1800 × 2
The size is 400 × 2050 h mm 3 and the internal volume is 8.2
It was m 3. Partition 3 used a vinyl sheet. The partition 3 is provided with an opening 4 for carrying articles into the local clean space 1 and an opening 5 for carrying articles out of the local clean space 1 to form a transport line as shown in FIG.

【0040】そして、局所清浄空間1内を更に間仕切り
7によって区画して、物品を処理するための処理空間8
を形成し、前記した搬送ラインにおいて、開口4→処理
空間8→開口5の順に物品を搬送させるように構成し
た。実施例で作成した処理空間8は、1200×240
0×1300hmm3の大きさとした。また、間仕切り7
は、パーティション3と同様に、ビニールシートを用い
た。
Then, the inside of the local clean space 1 is further partitioned by a partition 7 to form a processing space 8 for processing articles.
Is formed, and the articles are conveyed in the order of the opening 4 → the processing space 8 → the opening 5 in the aforementioned conveying line. The processing space 8 created in the embodiment is 1200 × 240
The size was 0 × 1300 h mm 3 . In addition, partition 7
Used a vinyl sheet as in partition 3.

【0041】局所清浄空間1内において処理空間8の上
方には、該処理空間8内に局所清浄空間1内の空気を循
環供給する送気手段としてのファンフィルタユニット
(Fan Filter Unit:以後「FFU」と
いう)6を配設し、その直下をビニールシートからなる
間仕切り7にて区画することによって、処理空間8を形
成した。なお、FFUとは、送気手段である送風機と空
気ろ過手段であるHEPAフィルタ(High Eff
iciency Particulate Air フ
ィルタ)がセットになった装置を指す。本実施例では、
4台のFFUを使用した。実施例で用いたFFUには、
送風機(シロッコファン)のタップを切り替えて微・弱
・中・強の4段階の風量を実現できる風量調節手段が付
いている。FFU一台当たりの主な性能仕様は、単相2
00V、機外静圧10mmAqにおいて、微風6m3
min・127W、弱風10m3/min・162W、
中風12m3/min・182W、強風15m3/min
・216Wである。また、HEPAフィルタは、本実施
例では、粒径0.3μm以上の微粒子を99.999%
以上除去できる性能を有するものを使用した。
Above the processing space 8 in the local cleaning space 1, a fan filter unit (Fan Filter Unit: hereinafter referred to as “FFU”) as air supply means for circulating the air in the local cleaning space 1 into the processing space 8. ), And a processing space 8 was formed by partitioning immediately below the partition 6 with a partition 7 made of a vinyl sheet. In addition, FFU means a blower as an air supply means and a HEPA filter (High Eff) as an air filtration means.
civicity Particulate Air Filter). In this embodiment,
Four FFUs were used. The FFU used in the examples includes
There is an air volume adjustment means that can switch the tap of the blower (sirocco fan) to achieve four levels of air volume: fine, weak, medium, and strong. The main performance specifications per FFU are single-phase 2
At 00 V and an external static pressure of 10 mmAq, a breeze of 6 m 3 /
min.127W, weak wind 10m 3 /min.162W,
Medium wind 12m 3 / min ・ 182W, strong wind 15m 3 / min
・ It is 216W. In this embodiment, the HEPA filter contains 99.999% of fine particles having a particle diameter of 0.3 μm or more.
A material having a performance capable of removing the above was used.

【0042】そして、FFU6を処理空間8の上方全体
に取り付けることにより、処理空間8内に循環供給され
る空気の流れが整流状態になるように構成した。処理空
間8内が非整流であると、処理空間8内で渦流や気流の
乱れが生じやすく、その内部で物品を処理した際に発生
した塵などが処理空間8内で循環して堆積するおそれが
ある。一方、処理空間8内を整流状態とすることによっ
て、発生したゴミや塵などを気流によって連続的に除去
できるので、高度の清浄度で物品を処理できるようにな
る。この実施例では、FFU6の清浄空気吹き出し直下
の垂直整流空間(処理空間8)内で、物品の搬入、処
理、搬出という一連の取り扱いを行うので、物品のハン
ドリング時に発生する塵などを連続的に除去でき、汚染
状態からの回復が早いという特徴がある。
The FFU 6 is attached to the entire upper part of the processing space 8 so that the flow of air circulated and supplied into the processing space 8 is rectified. If the inside of the processing space 8 is not rectified, turbulence and turbulence in the processing space 8 easily occur, and dust generated when processing articles inside the processing space 8 may circulate and accumulate in the processing space 8. There is. On the other hand, by setting the inside of the processing space 8 in a rectified state, generated dust and dust can be continuously removed by an air current, so that articles can be processed with a high degree of cleanliness. In this embodiment, since a series of handling such as loading, processing, and unloading of articles is performed in the vertical rectification space (processing space 8) immediately below the clean air blowout of the FFU 6, dust generated at the time of article handling is continuously reduced. It has the characteristic that it can be removed and the recovery from the contamination state is quick.

【0043】また、局所清浄空間1の内部に、加湿器1
0で作り出した加湿空気を、加湿ファン11を用いて供
給して、局所清浄空間1内を加湿した。この実施例で用
いた加湿器10は、図7に示す如き気化式加湿器とし、
局所清浄空間1内を所望の相対湿度に加湿できるように
構成した。気化式加湿器は、給水ヘッダ12から水を加
湿材13に給水する一方で、空気を加湿材13に通過さ
せることにより水を気化蒸発させて加湿空気を作り出す
方式である。なお、加湿材13(メディア)のサイズ
は、375×400×150tmmであり、加湿能力
は、最大で6.2kg/h(入口空気23℃/40%R
H、風速3m/s)、定常で2.0kg/h(入口空気
23℃/80%RH、風速3m/s)とした。加湿ファ
ン11は、片吸込シロッコファンNo.1・1/2(荏
原SMMII)とし、加湿ファン11の電動機は、三相2
00V、0.5kWとした。
The humidifier 1 is located inside the local clean space 1.
The humidified air created at 0 was supplied using a humidifying fan 11 to humidify the inside of the local clean space 1. The humidifier 10 used in this embodiment is a vaporized humidifier as shown in FIG.
The inside of the local clean space 1 was configured to be humidified to a desired relative humidity. The evaporative humidifier is a method in which water is supplied from a water supply header 12 to a humidifying material 13, while water is vaporized and evaporated by passing air through the humidifying material 13 to produce humidified air. The size of the humidifying material 13 (media) is 375 × 400 × 150 t mm, and the humidifying capacity is 6.2 kg / h at maximum (inlet air 23 ° C./40% R).
H, wind speed 3 m / s), and steady at 2.0 kg / h (inlet air 23 ° C./80% RH, wind speed 3 m / s). The humidifying fan 11 is a single suction sirocco fan No. 1 1/2 (EBARA SMMII) and the motor of the humidifying fan 11
00 V and 0.5 kW.

【0044】図5に示すように、処理空間8内に配置し
た湿度検出器15の電気信号をPID指示調節計16に
取り込み、インバータ17によって加湿ファン11の回
転数(送風量)を制御した。湿度検出器15で相対湿度
を測定しつつフィードバック制御を行って加湿風量を調
節し、処理空間8内の湿度を目標値に近づけた。なお、
湿度検出器15は、静電容量式センサ(VAISALA
133Y)とし、PID指示調節計16は、RIS2
4(トキメック)とし、インバータ17は、FREQR
OL U100(三菱電機)とした。
As shown in FIG. 5, an electric signal of a humidity detector 15 arranged in the processing space 8 was taken into a PID indicating controller 16, and an inverter 17 controlled the number of revolutions (blowing amount) of the humidifying fan 11. Feedback control was performed while measuring the relative humidity with the humidity detector 15 to adjust the amount of humidified air to bring the humidity in the processing space 8 closer to the target value. In addition,
The humidity detector 15 is a capacitance type sensor (VAISALA).
133Y), and the PID indicating controller 16
4 (Tokimec), and the inverter 17
OL U100 (Mitsubishi Electric).

【0045】また、局所清浄空間1の内部に、調温手段
20で作り出した調温空気を、ファン21を用いて供給
し、局所清浄空間1内を所望の温度に調整できるように
構成した。図示のように、処理空間8内に配置した温度
検出器22の電気信号をPID指示調節計23に取り込
み、モータバルブ24によって調温手段20内のコイル
25に送る冷却水量を制御した。温度検出器22で測温
しつつフィードバック制御を行ってコイル25に送る冷
却水量を調節し、処理空間8内の温度を目標値に近づけ
た。なお、この調温手段20は、主としてFFU6の発
熱を除去し、処理空間8内の温度上昇を防止する目的で
使用した。冷却能力は、1100kcal/hrとし、
温度検出器22は白金測温抵抗体とした。PID指示調
節計23は、先と同様にRIS24(トキメック)であ
る。
Further, the temperature-controlled air created by the temperature control means 20 is supplied into the local clean space 1 by using a fan 21 so that the inside of the local clean space 1 can be adjusted to a desired temperature. As shown in the figure, an electric signal from a temperature detector 22 disposed in the processing space 8 was taken into a PID indicating controller 23, and the amount of cooling water sent to a coil 25 in the temperature control means 20 was controlled by a motor valve 24. Feedback control was performed while measuring the temperature with the temperature detector 22 to adjust the amount of cooling water sent to the coil 25, thereby bringing the temperature in the processing space 8 closer to the target value. The temperature control means 20 was mainly used for removing the heat generated by the FFU 6 and preventing the temperature inside the processing space 8 from rising. The cooling capacity is 1100 kcal / hr,
The temperature detector 22 was a platinum resistance temperature detector. The PID indicating controller 23 is the RIS 24 (Tokimec) as before.

【0046】また、局所清浄空間1の下方に排気ファン
26を設け、局所清浄空間1から空気を排気するように
構成した。
An exhaust fan 26 is provided below the local clean space 1 to exhaust air from the local clean space 1.

【0047】(2)底部に水槽を設けて構成した局所清
浄空間 以上の図5〜7においては、気化式の加湿器10を用い
て局所清浄空間1内を加湿するように構成した実施例を
説明した。図8に、かような実施例のものとは異なり、
底部に設けた水槽30における蒸気を用いて、局所清浄
空間1内を加湿するように構成した実施例を示す。
(2) Local clean space constructed by providing a water tank at the bottom In FIGS. 5 to 7 described above, an embodiment in which the inside of the local clean space 1 is humidified by using the vaporizing humidifier 10 is described. explained. FIG. 8 is different from the embodiment shown in FIG.
An embodiment in which the inside of the local clean space 1 is humidified by using steam in a water tank 30 provided at the bottom will be described.

【0048】この図8に示す実施例においても同様に、
クリーンルーム2の内部をパーティション3によって区
画して局所清浄空間1を形成している。また、局所清浄
空間1内を更に間仕切り7によって区画して処理空間8
を形成し、その上方にはFFU6を配設している。ま
た、パーティション3には、局所清浄空間1に絶縁体物
品を搬入するための開口4と、局所清浄空間1から絶縁
体物品を搬出するための開口5が設けてあり、先に図6
に示したものと同様に、開口4→処理空間8→開口5の
順に物品を搬送させる搬送ラインが構成されている。ま
た、局所清浄空間1の内部に調温手段20で作り出した
調温空気をファン21で供給することによりFFU6の
発熱を除去し、処理空間8内の温度上昇を防止している
点、処理空間8内に配置した温度検出器22の電気信号
をPID指示調節計23に取り込み、モータバルブ24
によって調温手段20内のコイル25に送る冷却水量を
制御している点、および、局所清浄空間1の下方に排気
ファン26を設けて局所清浄空間1から空気を排気して
いる点も、先に図5に示した実施例と同様の構成であ
る。
Similarly, in the embodiment shown in FIG.
The inside of the clean room 2 is partitioned by partitions 3 to form a local clean space 1. Further, the inside of the local clean space 1 is further partitioned by a partition 7 and a processing space 8 is formed.
Is formed, and an FFU 6 is disposed above the above. The partition 3 has an opening 4 for carrying insulated articles into the local clean space 1 and an opening 5 for taking out the insulated articles from the local clean space 1.
As shown in FIG. 2, a transport line for transporting articles in the order of opening 4 → processing space 8 → opening 5 is formed. Further, by supplying the temperature-controlled air created by the temperature control means 20 to the inside of the local clean space 1 by the fan 21, the heat generation of the FFU 6 is removed and the temperature rise in the processing space 8 is prevented. The electric signal of the temperature detector 22 arranged in the controller 8 is taken into the PID indicating controller 23 and the motor valve 24
The point that the amount of cooling water sent to the coil 25 in the temperature control means 20 is controlled by the above-described method, and the point that an exhaust fan 26 is provided below the local clean space 1 to exhaust air from the local clean space 1 is also considered. Has the same configuration as that of the embodiment shown in FIG.

【0049】但し、この図8に示す実施例においては、
先に図5〜7で説明した加湿器10の相当するものが無
く、その代わりに、局所清浄空間1の底部に水槽30が
設けられている。従ってこの図8に示す実施例は、水槽
30から発生した蒸気によって加湿した空気を、局所清
浄空間1内で循環させてその内部を加湿する構成であ
る。
However, in the embodiment shown in FIG.
There is no equivalent of the humidifier 10 previously described in FIGS. 5 to 7, and instead, a water tank 30 is provided at the bottom of the local clean space 1. Therefore, the embodiment shown in FIG. 8 is configured to circulate the air humidified by the steam generated from the water tank 30 in the local clean space 1 to humidify the inside.

【0050】2.局所清浄空間における湿度の制御性 次に、図5〜7で説明した気化式の加湿器10を用いた
局所清浄空間1において実際に運転を行い、処理空間8
内の湿度の制御性を調べた。その結果を以下に説明す
る。
2. Next, the operation is actually performed in the local clean space 1 using the vaporizing humidifier 10 described with reference to FIGS.
The controllability of humidity in the room was investigated. The results are described below.

【0051】(1)実験の目的 局所清浄空間1の湿度制御性を調べることを目的とし
た。具体的には、開口4および開口5の大きさを種々変
更し、異なる換気条件における処理空間8内の湿度制御
性を調べ、開口サイズと換気量の関係を調べた。
(1) Purpose of the Experiment The purpose of the experiment was to examine the humidity controllability of the local clean space 1. Specifically, the sizes of the openings 4 and 5 were variously changed, the humidity controllability in the processing space 8 under different ventilation conditions was examined, and the relationship between the opening size and the ventilation volume was examined.

【0052】(2)実験条件 開口4および開口5は、先に図5、6で説明した通り、
局所清浄空間1を仕切っているパーティション3におい
て、搬入側と搬出側の二箇所に形成した。また、開口4
および開口5のサイズを次の三通りとした。
(2) Experimental Conditions The openings 4 and 5 are formed as described with reference to FIGS.
In the partition 3 partitioning the local clean space 1, the partition 3 is formed at two places, that is, the carry-in side and the carry-out side. Opening 4
And the size of the opening 5 was as follows.

【0053】(3)測定項目 測定項目は、湿度制御性と換気量(排気ファン26の吸
引量)である。
(3) Measurement Items The measurement items are the humidity controllability and the ventilation volume (the suction volume of the exhaust fan 26).

【0054】(4)結果 [湿度制御性]測定結果を、図9(開口サイズ:全
閉)、図10(開口サイズ:500×500mm2)、
図11(開口サイズ:500×800mm2)にそれぞ
れ示す。局所清浄空間1外のクリーンルーム2の温度と
湿度は、何れの場合も23℃、45%RHに維持されて
おり、局所清浄空間1と処理空間8内の温度と湿度も、
運転開始時にはそれと同温度、同湿度になっている。処
理空間8内の温度と湿度の目標値を、23℃、80%R
Hに設定し運転を開始したところ、運転開始後15分以
内に局所清浄空間1内は80±0.3%RHの範囲に到
達した。
(4) Results [Humidity controllability] The measurement results are shown in FIG. 9 (opening size: fully closed), FIG. 10 (opening size: 500 × 500 mm 2 ),
It is shown in FIG. 11 (opening size: 500 × 800 mm 2 ). The temperature and humidity of the clean room 2 outside the local clean space 1 are maintained at 23 ° C. and 45% RH in each case, and the temperature and humidity in the local clean space 1 and the processing space 8 are also
At the start of operation, the temperature and humidity are the same. The target values of temperature and humidity in the processing space 8 are set to 23 ° C. and 80% R
When the operation was started at H, the local clean space 1 reached a range of 80 ± 0.3% RH within 15 minutes after the start of operation.

【0055】また、湿度の目標値を種々変更(40%R
H〜90%RH)して測定したところ、開口サイズと設
定湿度に依らず、下記の湿度制御性が得られた。 設定湿度への立ち上がり時間:15分以内 オーバーシュート :3.5%RH以内 定常時 :±0.3%RH以内
Various changes were made to the target value of the humidity (40% R
H to 90% RH), the following humidity controllability was obtained irrespective of the opening size and the set humidity. Rise time to set humidity: within 15 minutes Overshoot: within 3.5% RH Regular: Within ± 0.3% RH

【0056】処理空間8内の相対湿度は、運転立ち上げ
後短時間で設定値に到達することが分かった。設定値に
到達した後は相対湿度は極めて安定しているので、処理
空間8内において、絶縁性基板のハンドリングを継続的
に行うことができる。
It was found that the relative humidity in the processing space 8 reached the set value in a short time after the start of operation. After reaching the set value, the relative humidity is extremely stable, so that the insulating substrate can be continuously handled in the processing space 8.

【0057】[換気量(排気ファン26の吸引量)]図
5に示したFFU6の風量を、中(12m3/min・
182W)のレベルに保持したまま、加湿ファン11の
風量を1600m3/h、1000m3/h、400m3
/hの三通りに変えた場合に、換気量ゼロ(排気ファン
26の吸引量ゼロ)の状態で、局所清浄空間1内の空気
が局所清浄空間1外の周囲(クリーンルーム2)の雰囲
気の空気と入れ替わる量(換気量)を調べた。測定結果
を図12に示す。つまり、この換気量相当の局所清浄空
間1内の加湿空気中に含まれる水分量が、開口4、5を
通じて局所清浄空間1外の周囲(クリーンルーム2)の
雰囲気に漏洩することになる。放置しておくと、クリー
ンルーム2の相対湿度はそのまま増加し続けるという不
都合を生じる。そこで、このような不都合を防ぐため
に、本発明では図12の換気量に相当する排気量で、局
所清浄空間1内を排気ファン26で排気した。この排気
ファン26を設けたことによって、局所清浄空間1内部
の圧力は局所清浄空間1外部の周囲(クリーンルーム
2)の雰囲気の圧力よりも若干小さく保たれる。この局
所清浄空間1の内外の圧力差に応じて、周囲のクリーン
ルーム2内の空気が開口4、5を通じて局所清浄空間1
に流れ込むが、この流入空気量に見合った量が排気ファ
ン26により局所清浄空間1外へ排気される。こうして
局所清浄空間1内の高湿度雰囲気(例えば23℃、80
%RH)が、周囲のクリーンルーム2の低湿度雰囲気
(例えば23℃・45%RH)へ漏洩することを防止し
た。
[0057] the ventilation (suction amount of the exhaust fan 26) air volume of FFU6 shown in FIG. 5, middle (12m 3 / min ·
182 W), the air volume of the humidifying fan 11 is 1600 m 3 / h, 1000 m 3 / h, 400 m 3
/ H, the air in the local clean space 1 is changed to the air in the atmosphere (clean room 2) outside the local clean space 1 in a state of zero ventilation (zero suction volume of the exhaust fan 26). The amount (ventilation volume) to be replaced was examined. FIG. 12 shows the measurement results. That is, the amount of moisture contained in the humidified air in the local clean space 1 corresponding to the ventilation amount leaks to the atmosphere around the local clean space 1 (the clean room 2) through the openings 4 and 5. If left unchecked, the relative humidity of the clean room 2 will continue to increase. Therefore, in order to prevent such inconvenience, in the present invention, the inside of the local clean space 1 is exhausted by the exhaust fan 26 with an exhaust amount corresponding to the ventilation amount in FIG. By providing the exhaust fan 26, the pressure inside the local cleaning space 1 is kept slightly lower than the pressure of the atmosphere around the outside of the local cleaning space 1 (the clean room 2). In accordance with the pressure difference between the inside and outside of the local clean space 1, the air in the surrounding clean room 2 passes through the openings 4 and 5 and the local clean space 1
However, an amount corresponding to the amount of inflow air is exhausted to the outside of the local clean space 1 by the exhaust fan 26. Thus, a high humidity atmosphere (for example, 23 ° C., 80
% RH) is prevented from leaking into the low humidity atmosphere (for example, 23 ° C./45% RH) of the surrounding clean room 2.

【0058】C.本発明の具体的な適用例 次に、本発明の局所清浄空間を、液晶フラットパネルデ
ィスプレイを製造する場合におけるガラス基板の表面検
査ラインと、ラビング工程に適用した例を説明する。
C. Specific Application Example of the Present Invention Next, an example will be described in which the local clean space of the present invention is applied to a surface inspection line of a glass substrate in manufacturing a liquid crystal flat panel display and a rubbing step.

【0059】1.表面検査ライン 液晶フラットパネルディスプレイ製造におけるガラス基
板の表面検査ラインには、搬送ロボットと、ガラス基板
を収納したカセットケースと、表面検査装置(ゴミ検
査)が設置されている。そして、カセットケースと表面
検査装置の間で、ガラス基板の搬入、搬出のやり取りを
搬送ロボットのアームで行っている。かような表面検査
ラインが設けられるクリーンルームの公称清浄度(天井
面HEPAフィルタ直下)は、通常はクラス10(0.
3μmより大きな粒子の空間中個数濃度が10個/ft
3以下)と高い。しかし、搬送ロボットにおける部品の
摺動や、カセットケースからガラス基板を搬入、搬出す
る際の摩擦により塵が発生し、その周辺雰囲気の清浄度
はクラス1,000にまで局所的に悪化する。搬送ロボ
ットによってガラス基板を取り出したり、搬入したりす
る際には、ガラス基板に剥離帯電が必ず発生する。かか
る事態を放っておくと、帯電したガラス基板の表面に塵
粒子が静電吸着することになる。これでは、ガラス基板
のゴミの有無を検査しているつもりが、検査する段階で
新たな粒子汚染を生じさせ、検査不良を発生することに
なる。そこで、かような表面検査ラインにおいて本発明
を適用して静電防止をはかった例について、ガラス基板
の帯電とゴミ付着量のデータを示しつつ、従来技術と比
較しながら説明する。
1. Surface Inspection Line In a surface inspection line of a glass substrate in the production of a liquid crystal flat panel display, a transfer robot, a cassette case containing the glass substrate, and a surface inspection device (dust inspection) are installed. The transfer of the glass substrate between the cassette case and the surface inspection device is performed by the arm of the transfer robot. The nominal cleanliness of the clean room in which such a surface inspection line is provided (directly below the ceiling HEPA filter) is usually class 10 (0.
Number concentration of particles larger than 3 μm in space is 10 particles / ft.
3 or less) and high. However, dust is generated due to sliding of parts in the transfer robot and friction when a glass substrate is loaded and unloaded from the cassette case, and the cleanliness of the surrounding atmosphere is locally deteriorated to a class of 1,000. When the glass substrate is taken out or carried in by the transfer robot, peeling charge is always generated on the glass substrate. If this situation is left unchecked, dust particles will be electrostatically adsorbed on the surface of the charged glass substrate. In this case, when the glass substrate is inspected for dust, new particle contamination occurs at the inspection stage, and an inspection failure occurs. Therefore, an example in which the present invention is applied to such a surface inspection line to prevent static electricity will be described while showing data on the charge of the glass substrate and the amount of dust attached thereto, in comparison with the prior art.

【0060】(1)比較例 通常のクリーンルーム内(23℃、45%RH、クラス
10)において、搬送ロボットにより、湿式洗浄後のガ
ラス基板(300mm×400mm×1.1tmm)を
カセットケースから表面検査装置に搬入したところ、ガ
ラス基板は5kVに帯電し、1μm以上の粒子が80個
も付着していた。なお、1μm以上の粒子が1個でも付
着していると、そのガラス基板は不良と判定される。
(1) Comparative Example In a normal clean room (23 ° C., 45% RH, class 10), a glass substrate (300 mm × 400 mm × 1.1 t mm) after wet cleaning is removed from a cassette case by a transfer robot. When the glass substrate was carried into the surface inspection apparatus, the glass substrate was charged to 5 kV and 80 particles having a size of 1 μm or more adhered. If at least one particle of 1 μm or more adheres, the glass substrate is determined to be defective.

【0061】(2)本発明例 本発明の局所清浄空間1内にガラス基板40の表面検査
ラインを設置した例の概略を、図13に示す。局所清浄
空間1の内部には、パーティション3に形成された開口
4を介して搬入された、所定枚数のガラス基板40を収
納するカセットケース41が載置されている。このカセ
ットケース41から、搬送ロボット42のアームによっ
てガラス基板40を一枚づつ取り出し、そのガラス基板
40を表面検査装置43に搬入してゴミ検査を行う。ま
た、検査を終えたガラス基板40を表面検査装置43か
ら取り出し、カセットケース41に戻す。局所清浄空間
1の天井にはHEPAフィルタ内蔵のFFU6が四台設
置され、このFFU6の稼働によって、局所清浄空間1
内に、所定の湿度と温度(23℃、70%RH)に調整
された清浄な空気(クラス10)が供給され、局所清浄
空間1内は整流状態に保たれる。
(2) Example of the Present Invention FIG. 13 schematically shows an example in which a surface inspection line for the glass substrate 40 is installed in the local clean space 1 of the present invention. Inside the local cleaning space 1, a cassette case 41 for storing a predetermined number of glass substrates 40 carried through an opening 4 formed in the partition 3 is placed. The glass substrate 40 is taken out one by one from the cassette case 41 by the arm of the transfer robot 42, and the glass substrate 40 is carried into the surface inspection device 43 to perform dust inspection. Further, the glass substrate 40 after the inspection is taken out of the surface inspection device 43 and returned to the cassette case 41. Four FFUs 6 each having a built-in HEPA filter are installed on the ceiling of the local clean space 1.
Inside, clean air (class 10) adjusted to a predetermined humidity and temperature (23 ° C., 70% RH) is supplied, and the inside of the local clean space 1 is maintained in a rectified state.

【0062】かような局所清浄空間1内において、搬送
ロボット42により、湿式洗浄後のガラス基板40(3
00mm×400mm×1.1tmm)をカセットケー
ス41から取り出して表面検査装置43に搬入したとこ
ろ、ガラス基板40の帯電は50V以下に抑えられ、1
μm以上の粒子の付着は全く観察されなかった。なお、
この図13に示した実施例では、局所清浄空間1へのガ
ラス基板40の搬出入は、パーティション3に形成され
た一箇所の開口4を通じて行った。
In the local cleaning space 1, the transfer robot 42 performs the wet cleaning on the glass substrate 40 (3).
00 mm × 400 mm × 1.1 t mm) was taken out of the cassette case 41 and carried into the surface inspection device 43. As a result, the charging of the glass substrate 40 was suppressed to 50 V or less, and
No attachment of particles of μm or more was observed at all. In addition,
In the embodiment shown in FIG. 13, the loading and unloading of the glass substrate 40 into and from the local clean space 1 was performed through one opening 4 formed in the partition 3.

【0063】2.ラビング工程 ラビング工程とは、液晶分子の配向を行う工程であり、
ほとんどすべてのLCD量産ラインで採用されている。
一般的に行われているラビング方法は、綿およびナイロ
ン系の繊維を植毛した布を表面に張り付けた金属製円筒
形ローラを回転させながら、配向膜付基板の表面に擦り
付けるというものである。ラビング工程における静電気
発生の代表的な原因は、ラビング加工におけるラビング
布と基板面の摩擦帯電によるものと、ラビング加工後に
基板をテーブルより引き剥がしたときに起きる接触剥離
帯電がある。いずれも金属製テーブル上では、静電容量
が大きいため、その場で計測される電圧は非常に低い
が、基板をテーブルから引き剥がすと、急激な静電容量
の低下をきたし、その結果、数千Vから数万Vもの電圧
を発生する。この際、基板面の配線間で放電が起こり、
配向膜が破壊される。STN型の許容静電気電圧値の上
限が数百V以下であったのに対し、TFT型に代表され
るアクティブマトリックスLCDでは、許容静電気電圧
値の上限は50V以下であるから、この値以下に抑制で
きない場合、トランジスタが破壊され致命的な欠陥にな
るという深刻な問題が起きている。そこで、かようなラ
ビング工程において本発明を適用して静電防止をはかっ
た例について、ガラス基板の帯電と不良検査のデータを
示しつつ、従来技術と比較しながら説明する。
2. Rubbing Step The rubbing step is a step of aligning liquid crystal molecules,
It is used in almost all LCD mass production lines.
The rubbing method generally used is to rub the surface of the substrate with an alignment film while rotating a metal cylindrical roller having a cloth on which cotton and nylon fibers are planted adhered. Typical causes of the generation of static electricity in the rubbing step include frictional charging between the rubbing cloth and the substrate surface in the rubbing process, and contact separation charging that occurs when the substrate is peeled off from the table after the rubbing process. In both cases, the capacitance measured on the metal table is large, so the voltage measured on the spot is very low.However, when the substrate is peeled off from the table, the capacitance decreases sharply, and as a result, It generates voltages from 1,000V to tens of thousandsV. At this time, discharge occurs between the wiring on the board surface,
The alignment film is destroyed. The upper limit of the allowable static voltage value of the STN type is several hundred volts or less, whereas the upper limit of the allowable static voltage value of the active matrix LCD represented by the TFT type is 50 volts or less. If not, a serious problem has arisen in that the transistor is destroyed and becomes a fatal defect. Thus, an example in which the present invention is applied in such a rubbing step to prevent static electricity will be described while showing data of charging and failure inspection of a glass substrate and comparing with a conventional technique.

【0064】(1)従来例 クリーンルーム内(23℃、45%RH、クラス10)
で、搬送ロボットにより、湿式洗浄後のガラス基板(3
00mm×400mm×1.1tmm)をカセットケー
スからラビング装置に搬入し、ラビング処理を行った。
ガラス基板の帯電は、(イ)ロボットハンドからの剥
離、(ロ)ラビングによる摩擦、(ハ)テーブルからの
剥離、の3箇所で生じる。ガラス基板の帯電を表面電位
計で測定したところ、何れの箇所でも10kV以上の強
い帯電が生じていた。ラビング処理後のガラス基板を検
査すると、配向膜とトランジスタは破壊されていた。こ
のガラス基板は完全な不良であった。
(1) Conventional example In a clean room (23 ° C., 45% RH, class 10)
Then, the glass substrate (3.
(00 mm × 400 mm × 1.1 t mm) was carried into the rubbing device from the cassette case, and rubbing was performed.
The charging of the glass substrate occurs at three places: (a) peeling from the robot hand, (b) friction by rubbing, and (c) peeling from the table. When the charging of the glass substrate was measured with a surface voltmeter, strong charging of 10 kV or more occurred at any point. When the glass substrate after the rubbing treatment was inspected, the alignment film and the transistor were broken. This glass substrate was completely defective.

【0065】(2)本発明例 本発明の局所清浄空間1をラビング工程を行う場合につ
いて適用した実施例の概略を、図14に示す。局所清浄
空間1の内部には、パーティション3に形成された開口
4を介して搬入された、所定枚数のガラス基板50を収
納するカセットケース51が載置されている。このカセ
ットケース51から、搬送ロボット52のアームによっ
てガラス基板50を一枚づつ取り出し、そのガラス基板
50をラビング装置53に搬入してラビング処理を行
う。また、処理を終えたガラス基板50を、開口5を介
して、搬送ロボット54で搬出する。局所清浄空間1の
天井にはHEPAフィルタ内蔵のFFU6が複数台設置
され、このFFU6の稼働によって、局所清浄空間1内
に、所定の温度と湿度(23℃、70%RH)に調整さ
れた清浄な空気(クラス10)が供給され、局所清浄空
間1内は整流状態に保たれる。
(2) Example of the Present Invention FIG. 14 schematically shows an example in which the local cleaning space 1 of the present invention is applied to the case where a rubbing step is performed. Inside the local cleaning space 1, a cassette case 51 that stores a predetermined number of glass substrates 50 carried through the opening 4 formed in the partition 3 is placed. The glass substrate 50 is taken out one by one from the cassette case 51 by the arm of the transfer robot 52, and the glass substrate 50 is carried into a rubbing device 53 to perform a rubbing process. The processed glass substrate 50 is unloaded by the transfer robot 54 through the opening 5. A plurality of FFUs 6 with built-in HEPA filters are installed on the ceiling of the local cleaning space 1, and the cleaning of the local cleaning space 1 is controlled to a predetermined temperature and humidity (23 ° C., 70% RH) by operating the FFU 6. Air (class 10) is supplied, and the inside of the local clean space 1 is maintained in a rectified state.

【0066】かような局所清浄空間1内において、搬送
ロボット52により、湿式洗浄後のガラス基板50(3
00mm×400mm×1.1tmm)をカセットケー
ス51から取り出してラビング装置53に搬入し、ラビ
ング処理を行う。図中、(イ)、(ロ)、(ハ)の三カ
所において、(イ)ロボットハンドからの剥離、(ロ)
ラビングによる摩擦、(ハ)テーブルからの剥離、によ
って発生するガラス基板50の帯電を表面電位計で測定
したところ、本発明の局所清浄空間1を適用した実施例
においては、ガラス基板50の帯電は(イ)、(ロ)、
(ハ)の何れにおいても40V以下であった。そして、
ラビング処理後のガラス基板を検査したところ、配向膜
とトランジスタに不良は観察されず、このガラス基板は
完全な良品であった。
In the local cleaning space 1, the transfer robot 52 performs the wet cleaning on the glass substrate 50 (3).
(00 mm × 400 mm × 1.1 t mm) is taken out of the cassette case 51 and carried into the rubbing device 53 to perform a rubbing process. In the figure, at (a), (b) and (c), (a) peeling from the robot hand, (b)
The electrification of the glass substrate 50 caused by the friction due to rubbing and (c) peeling from the table was measured by a surface voltmeter. In the embodiment to which the local cleaning space 1 of the present invention was applied, the electrification of the glass substrate 50 was (A), (b),
In each of (c), the voltage was 40 V or less. And
When the glass substrate after the rubbing treatment was inspected, no defect was observed in the alignment film and the transistor, and the glass substrate was a completely good product.

【0067】[0067]

【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板のような絶
縁体物品などを、加湿された局所清浄空間内において取
り扱う(ハンドリングする)ことで、絶縁体物品などに
発生する静電気帯電の発生を抑制すると共に、一旦発生
した静電気帯電を容易かつ瞬時に除去することが可能に
なる。本発明によれば、静電気放電(ESD:Elec
trostatic discharge)による素子
の破壊や劣化がなく、かつ静電吸着による塵粒子の付着
がない良質のガラス基板を得ることができるので、高品
質のLCDの量産が可能になる。
According to the present invention, by handling (handling) an insulative article such as a glass substrate in a humidified local clean space, the generation of static electricity generated in the insulative article or the like can be reduced. In addition to the suppression, it is possible to easily and instantly remove the electrostatic charge once generated. According to the present invention, electrostatic discharge (ESD: Elec)
A high-quality glass substrate can be obtained without destruction or deterioration of the element due to Trostidischarge and no adhesion of dust particles due to electrostatic attraction, so that mass production of high-quality LCDs becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】LCD用ガラス基板の帯電電荷の漏洩特性を調
べた実験結果を示す、フィルムの接触剥離時におけるガ
ラス基板の表面電位の経時変化を示すグラフ図である
(接地なし)。
FIG. 1 is a graph showing the change over time of the surface potential of a glass substrate when a film is in contact with and peeled off (without grounding), showing the results of an experiment for examining the leakage characteristics of charged charges on an LCD glass substrate.

【図2】接地箇所が1ヶ所の場合の、ガラス基板の表面
電位の経時変化を示すグラフ図である。
FIG. 2 is a graph showing a change with time in the surface potential of a glass substrate when there is one grounding point.

【図3】接地箇所数の増加による電位減衰速度の増加を
示すグラフ図である(相対湿度80%)。
FIG. 3 is a graph showing an increase in potential decay rate due to an increase in the number of grounding points (80% relative humidity).

【図4】軟X線照射雰囲気においてフィルムを接触剥離
した時のガラス基板の表面電位の経時変化を示すグラフ
図である(相対湿度40%)。
FIG. 4 is a graph showing the change over time of the surface potential of a glass substrate when a film is peeled off in a soft X-ray irradiation atmosphere (relative humidity: 40%).

【図5】気化式加湿器を用いた本発明実施例にかかる局
所清浄空間の概略正面図である。
FIG. 5 is a schematic front view of a local cleaning space according to an embodiment of the present invention using a vaporizing humidifier.

【図6】同平面図である。FIG. 6 is a plan view of the same.

【図7】気化式加湿器の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a vaporizing humidifier.

【図8】底部に水槽を設けた実施例にかかわる局所清浄
空間の概略正面図である。
FIG. 8 is a schematic front view of a local cleaning space according to an embodiment in which a water tank is provided at the bottom.

【図9】図5の局所清浄空間における湿度制御性の測定
結果を示すグラフ図である(開口サイズ:全閉)。
9 is a graph showing measurement results of humidity controllability in the local clean space of FIG. 5 (opening size: fully closed).

【図10】開口サイズ:500×500mm2(二箇
所)としたときの湿度制御性の測定結果を示すグラフ図
である。
FIG. 10 is a graph showing the measurement results of the humidity controllability when the opening size is 500 × 500 mm 2 (two locations).

【図11】開口サイズ:500×800mm2(二箇
所)としたときの湿度制御性の測定結果を示すグラフ図
である。
FIG. 11 is a graph showing measurement results of humidity controllability when the opening size is set to 500 × 800 mm 2 (two locations).

【図12】排気ファンの吸引量ゼロの状態において開口
を通過する排気量を測定した結果を示すグラフ図であ
る。
FIG. 12 is a graph showing the results of measuring the amount of exhaust gas passing through an opening when the suction amount of the exhaust fan is zero.

【図13】本発明の局所清浄空間をガラス基板の表面検
査ラインに適用した実施例の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of an embodiment in which the local cleaning space of the present invention is applied to a surface inspection line of a glass substrate.

【図14】本発明の局所清浄空間をガラス基板のラビン
グ工程に適用した実施例の説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram of an embodiment in which the local cleaning space of the present invention is applied to a rubbing step of a glass substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 局所清浄空間 2 クリーンルーム 3 パーティション 4、5 開口 6 FFU 10 加湿器 26 排気ファン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Local clean space 2 Clean room 3 Partition 4, 5 opening 6 FFU 10 Humidifier 26 Exhaust fan

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−178315(JP,A) 特開 平3−275150(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) F24F 7/007 F24F 7/06 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-178315 (JP, A) JP-A-3-275150 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) F24F 7/007 F24F 7/06

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 クリーンルームの内部をパーティション
を用いて区画して形成される局所清浄空間であって、 局所清浄空間内に物品を搬入するための開口、及び/ま
たは局所清浄空間内から物品を搬出するための開口がパ
ーティションに設けられており、 局所清浄空間内を加湿する加湿手段と、 局所清浄空間内気圧を局所清浄空間外のクリーンルーム
内気圧よりも低くなるように局所清浄空間内から排気
し、クリーンルーム内の空気を開口を通じて局所清浄空
間に流れ込ませる排気手段と、 を備えていることを特徴とする局所清浄空間。
1. A local cleaning space formed by partitioning the inside of a clean room by using a partition, wherein an opening for carrying in an article into the local cleaning space and / or an article out of the local cleaning space. The partition is provided with an opening to humidify the inside of the local clean space, and exhaust from the local clean space so that the atmospheric pressure in the local clean space is lower than the atmospheric pressure in the clean room outside the local clean space.
Air in the clean room through the opening
A local clean space characterized by comprising: an exhaust means for flowing into the space.
【請求項2】 クリーンルームの内部をパーティション
を用いて区画して形成される局所清浄空間であって、 局所清浄空間内に物品を搬入するための開口、及び/ま
たは局所清浄空間内から物品を搬出するための開口がパ
ーティションに設けられており、 局所清浄空間内を加湿する加湿手段と、 局所清浄空間内気圧を局所清浄空間外のクリーンルーム
内気圧よりも低くなるように局所清浄空間内から排気
し、クリーンルーム内の空気を開口を通じて局所清浄空
間に流れ込ませる排気手段とを備え、 前記局所清浄空間は、LCD基板を処理する空間である
ことを特徴とする、局所清浄空間。
2. The interior of a clean room is partitioned.
A local clean space formed by partitioning the local clean space, and an opening for carrying articles into the local clean space; and / or
Or an opening for taking out goods from the local clean space
Humidifying means installed in the local clean space, and a clean room outside the local clean space
Exhaust from the local clean space so that it is lower than the internal pressure
Air in the clean room through the opening
Exhaust means for flowing in between, the local clean space is a space for processing an LCD substrate
A local clean space characterized by the following.
【請求項3】 クリーンルームの内部をパーティション
を用いて区画して形成される局所清浄空間であって、 局所清浄空間内に物品を搬入するための開口、及び/ま
たは局所清浄空間内から物品を搬出するための開口がパ
ーティションに設けられており、 局所清浄空間内を加湿する加湿手段と、 局所清浄空間内気圧を局所清浄空間外のクリーンルーム
内気圧よりも低くなるように局所清浄空間内から排気
し、クリーンルーム内の空気を開口を通じて局所清浄空
間に流れ込ませる排気手段とを備え、 局所清浄空間内に処理空間を形成し、該処理空間内に局
所清浄空間内の空気を 循環供給する送気手段を設けたこ
とを特徴とする、 局所清浄空間。
3. The interior of the clean room is partitioned.
A local clean space formed by partitioning the local clean space, and an opening for carrying articles into the local clean space; and / or
Or an opening for taking out goods from the local clean space
Humidifying means installed in the local clean space, and a clean room outside the local clean space
Exhaust from the local clean space so that it is lower than the internal pressure
Air in the clean room through the opening
Exhaust means for flowing the gas into the space, a processing space is formed in the local clean space, and a station is provided in the processing space.
Air supply means for circulating and supplying air inside the
A local clean space characterized by:
【請求項4】 送気手段によって処理空間内に循環供給
される空気が整流である請求項3に記載の局所清浄空
間。
4. The local clean space according to claim 3, wherein the air circulated and supplied into the processing space by the air supply means is rectified.
【請求項5】 前記送気手段にフィルタを設けたことを5. The method according to claim 1, wherein a filter is provided in the air supply means.
特徴とする、請求項3又は4に記載の局所清浄空間。The local clean space according to claim 3 or 4, characterized in that it is characterized by:
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