JPH0772299A - Ｘ線用ミラーおよびこれを用いた露光装置などの光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シンクロトロン放射光などの大強度のＸ線に
対しても、照射損傷を起こさず、長期間使用できるＸ線
用ミラーを提供する。 【構成】 石英などからなる基材１とＸ線を反射するた
めの反射層２との間に、１ないし複数層の下引き層３₁
〜３_nを設ける。各下引き層３₁〜３_nは、上層側からの
蛍光Ｘ線を吸収し、あるいはより波長の長い蛍光Ｘ線に
変換するように、材質を選択する。最終的に基材１に入
射するＸ線の強度が著しく弱められ、その波長が酸素の
Ｋ吸収端よりも長くなるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を反射させるため
のＸ線用ミラーおよびこれを用いた光学装置に関し、特
に、シンクロトロン放射光であるＸ線に対して使用され
るＸ線用ミラーおよびこれを用いた光学装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、シンクロトロン放射光に関する研
究が進み、放射光施設の充実とともに、理学領域をはじ
め工学、医学などの広汎な分野にわたってシンクロトロ
ン放射光が利用されるようになってきた。放射光関連の
技術の発展により、蓄積リングに蓄積されるエネルギー
の高エネルギー化と大電流化が進んでいる。このため、
放射光用として使用されるミラーの満たすべき仕様（波
長域、耐久性など）も厳しくなってきている。特に、大
強度のＸ線の反射に用いられるミラーの耐久性が問題と
なっている。

【０００３】Ｘ線用ミラーとして、従来よりさまざまな
ものが開発・利用されているが、最も入手が容易でかつ
比較的安価ではあるが性能は優れたものとして、溶融石
英もしくは溶融石英を主たる材料としたミラーがある。
これは、溶融石英が素材として安定である、研磨特性に
優れるなどの理由によるものであって、一般に、溶融石
英の表面をミラー研磨し、必要に応じてその表面に金属
膜をコーティングしたものである。表面のコーティング
は、反射光に必要とされるスペクトル等によって材料が
異なるが、例えば、タングステン・白金・金などの金属
膜を蒸着等の方法によって適当な厚さに被着することに
よって形成されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＸ線用ミラーの場合、実際にシンクロトロン放
射光施設等で使用しているうちにミラー表面に細かなひ
び割れが発生したり、表面形状が変化したりすることに
よる反射率低下が見い出され、ある期間ごとにミラーを
交換することを余儀なくされていた。

【０００５】成分が二酸化ケイ素である溶融石英は、Ｘ
線の照射により変質することが知られており［例えば、
Jpn. J. Appl. Phys., 30B(11), 3209-3214(1991)（ジ
ャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジッ
クス第30巻11B号、3209〜3214頁、1991年）など］、石
英表面にＸ線が直接照射される場合ばかりでなく、その
表面に金属膜のコーティングが施されている場合にも変
質が生じ得る。その結果、放射光の照射の進行とともに
溶融石英の表面の形状が初期研磨形状から変化し、必要
な光学特性が維持されなくなるという問題が生じる。

【０００６】初期研磨形状からの変化に際しては、再研
磨を行なうことも考えられるが、再研磨に必要なコスト
が大きいため、実際には、ミラー自体が高価であること
と相まって、性能劣化によって満足できない状態となっ
たミラーを交換せずにそのまま使用することが一般的で
あった。

【０００７】ミラーの損傷の原因は、コーティング膜を
ささえる基板（溶融石英など）の放射線によるひび割
れ、変形が主たるものであり、ミラーを長期間にわたっ
て安定に使用するにはこの問題を解決しなければならな
い。

【０００８】本発明の目的は、シンクロトロン放射光の
ような大強度のＸ線に対し長期間にわたって安定に使用
できるＸ線用ミラーと、このＸ線用ミラーを使用した光
学装置とを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のＸ線用ミラー
は、Ｘ線を反射するための反射層が基材表面に設けられ
たＸ線用ミラーにおいて、前記反射層と前記基材との間
に１層以上の下引き層が積層されている。反射層と下引
き層との間に、反射層を構成する材料より大きな原子番
号の材料からなる阻止層が設けられていてもよい。

【００１０】

【作用】以下、基材材料が溶融石英であるミラーを例と
して、その照射損傷と本発明に基づく損傷回避の方法を
説明する。

【００１１】放射線照射による溶融石英の変質は、その
材料である二酸化ケイ素の、特に軟Ｘ線の照射効果によ
る変質であることが、放射光を用いた今までの研究で明
らかとなっている。特に顕著な破壊プロセスとして、石
英の構成元素であるケイ素および酸素が軟Ｘ線により励
起され酸素−ケイ素の結合が切断されるために、室温
（温度上昇があっても、特に加熱しない状態をいう）で
あっても酸素が選択的に脱離する、という過程が考えら
れている。また脱離に対する効果は、酸素原子のＫ殻励
起の方がケイ素原子のＬ殻励起よりも大きいことが知ら
れている。したがってこの脱離現象を抑止するために
は、基板である石英に軟Ｘ線が侵入しないようにし、特
に酸素のＫ殻励起を抑制することが効果的である。

【００１２】これらのことから、溶融石英の表面をその
まま露出させたものは、酸素原子のＸ殻励起を生じさせ
るようなエネルギー領域の光（Ｘ線）に対しては、ミラ
ーとして好ましいものではないことが明らかである。こ
のようなエネルギー領域の光を反射するためには、溶融
石英の表面に遮蔽を目的としたコーティング層を形成す
べきであるが、その場合には、コーティング層からの蛍
光Ｘ線による被曝が問題となる。一般にＸ線ミラーは斜
入射ミラーとして使用され、入射Ｘ線は入射角が小さい
ためにコーティング材料中を比較的長い距離で通過す
る。しかし、蛍光Ｘ線は等方的拡がりを示すので、コー
ティング層を通り抜けて基板深くにまで到達する。

【００１３】本発明は、この蛍光Ｘ線の効果を減弱する
ことに主眼をおいてなされたものであって、基材表面に
２層以上のコーティング層を設け、最表面のコーティン
グ層をＸ線を反射するための反射層とし、基材側のコー
ティング層を反射層からの蛍光Ｘ線を吸収するための層
としたものである。

【００１４】図１は、本発明のＸ線用ミラーの構成を典
型的に示す模式断面図である。このＸ線用ミラーは、石
英からなる基材１の上に、反射層２およびｎ層の下引き
層３ ₁〜３_nが被着積層された構成となっている。最表面
が反射層２であり、反射層２に接して１番目の下引き層
３₁が設けられ、１番目の下引き層３₁の下に２番目の下
引き層３₂が設けられ、以下同様にして、ｎ番目の下引
き層３_nは基材１に接して設けられている。

【００１５】ある物質に入射したＸ線は、一般に、その
物質のある吸収端よりもエネルギーが大きければ吸収さ
れ、入射Ｘ線よりも小さなエネルギーの蛍光Ｘ線として
放出される。図２は、原子番号に対する蛍光収率の変化
を示すグラフであり、入射Ｘ線が蛍光Ｘ線として放出さ
れる割合は、Ｋ殻励起、Ｌ殻励起などの励起レベルや吸
収した物質を構成する元素によって異なる。したがって
入射Ｘ線に対して物質を適当に選ベば発生する蛍光Ｘ線
の強度を小さくすることができ、かつエネルギーの低い
Ｘ線に変換することができる。

【００１６】本発明のＸ線用ミラーでは、反射層からの
蛍光Ｘ線−例えばＬ系列の特性Ｘ線−のエネルギーより
もわずかに小さいエネルギーをＬ吸収端あるいはＭ吸収
端としてもつような材料を下引き層として採用すること
により、よりエネルギーの小さいＸ線への変換ととも
に、Ｘ線強度自体を数％ないし数十％減少させることが
できる。このような効果を有する下引き層を基材の表面
と反射層との間に１ないし複数層設ければ良い。

【００１７】これを具体的に達成するためには、同系列
（Ｋ系列、Ｌ系列、Ｍ系列など）の蛍光Ｘ線で比較した
場合、Ｘ線の質量吸収係数の極小値を与える原子番号
が、Ｘ線のエネルギーが小さいほど小さくなることを利
用する。図３は、いくつかのエネルギー（１０〜２.５
ｋｅＶ）のＸ線に対する質量吸収係数と原子番号との関
係を示した特性図である。同じＸ線系列であれば、原子
番号の小さい元素からの蛍光Ｘ線の波長が、それより原
子番号が大きい元素からの蛍光Ｘ線の波長よりも長いこ
とを利用すればよい。

【００１８】表１〜３は、原子番号ごとに、その原子番
号に対応する特性Ｘ線および吸収端のエネルギーを波長
換算したもの示しており、それぞれ、Ｋ系列、Ｍ系列、
Ｌ系列に対するデータである。

【００１９】

【表１】

【００２０】

【表２】

【００２１】

【表３】 透過してくるＸ線エネルギーをより大きく減衰するため
には、隣り合う２層の間で上層（基板より遠い層）から
の蛍光Ｘ線を直下の層が吸収するように、Ｌ吸収端やＭ
吸収端を考慮して直下の層の材料を選択すると、より効
果的である。本発明では、２以上の膜を１回のバッチ処
理で積層コーティングするときに不可避的に生ずる極め
て薄い膜（真空チャンバ内の残留酸素による酸化膜、異
なる材料の連続的な積層による２つの物質の混合層ある
いは拡散層など）の影響は本発明の観点からは無視する
ことができ，隣り合う層というときにはこのような極め
て薄い層は考えない。

【００２２】反射層としては、例えば金、白金、タング
ステン等がよく用いられるが、これらを用いた反射層に
対しては、ハフニウム、ルテニウム、ロジウム、モリブ
デン、銅、コバルト、ニッケル、鉄が蛍光Ｘ線を吸収す
る材料として挙げられる。もちろん、これら以外のもの
を蛍光Ｘ線の吸収に使用することも可能である。

【００２３】石英基板を使用する場合に基板の変質を最
も効果的に抑止するためには、石英基板の表面に、酸素
のＫ吸収端よりも長い波長の蛍光Ｘ線のみをもつ材料か
らなる層あるいは層の組み合わせを設ければよい。ここ
で層の組み合わせとは、石英基板に直接接する層は蛍光
Ｘ線として酸素のＫ吸収端より短波長のものを含むが、
直接接する層の上側の層の蛍光Ｘ線の波長を適宜選択す
ることにより、石英基板に直接接する層では酸素のＫ吸
収端よりも短波長の蛍光Ｘ線が励起されないようなって
いるもののことをいう。アルミニウム、チタン、バナジ
ウムは、これらの元素のＬ系列の特性Ｘ線が酸素のＫ吸
収端より低エネルギーであるので、好ましい材料であ
る。またＬ系列の蛍光Ｘ線が酸素のＫ吸収端よりも高エ
ネルギーであるような材料であっても、この材料のＫ殻
励起を起こさないように低エネルギーのＫ殻励起または
Ｋ殻励起のみが生じるような材料と組み合わせることに
よって、効果を生じる。このような材料の組み合わせと
しては、炭素とクロム、あるいはチタンとバナジウムな
どがあり、これらの場合には、クロムやバナジウムが石
英基板に近い側に配置される。

【００２４】反射層は、上述したような金や白金、タン
グステンなどを用いるほか、シリコンや炭化ケイ素な
ど、軽い元素で構成することもできる。軽い元素で反射
層を構成した場合、入射Ｘ線のうちエネルギーの高いも
の大部分が反射層を透過することになるので、基材の損
傷を招きやすい。このようなミラーにあっては反射層の
下に重い元素からなる阻止層を設け、入射Ｘ線の強度を
小さくするとともに蛍光Ｘ線発生による長波長化（低エ
ネルギー化）を図り、その上で上述した方法により基材
に侵入するＸ線を抑えればよい。

【００２５】以上説明したように、ミラーの表面にＸ線
を反射するための反射層を設け、反射層からの蛍光Ｘ線
を吸収する第１の下引き層、反射層および第１の下引き
層からの蛍光Ｘ線を吸収するための第２の下引き層、以
下同様の構成によって、必要な機能の膜を必要な層数だ
け基材表面の積層コーティングすることにより、基材へ
のＸ線の到達量を可能な限り低減させることができ、耐
放射線性に優れたＸ線用ミラーが得られる。

【００２６】

【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。

【００２７】《実施例１》図４は、本発明の実施例１の
Ｘ線用ミラーの構成を示す模式断面図である。基材１０
は、低線膨張係数のガラスで構成され、表面形状は平面
であり、表面粗さを０.２ｎｍ rms程度に加工してあ
る。基材１０の表面には、厚さ２０ｎｍクロムからなる
下引き層１１、厚さ２０μｍの銅からなる下引き層１
２、波長１ｎｍのＸ線を反射するための厚さ２００ｎｍ
の金からなる反射層１３が、基材１０側からこの順に積
層、コーティングされている。

【００２８】このＸ線用ミラーにＸ線を照射した場合、
まず最表面にある反射層１３で金の蛍光Ｘ線（Ａｕ Ｌ,
波長０.１２７ｎｍ）が発生するが、この蛍光Ｘ線は、
下引き層１２において銅により大きく吸収され、銅の蛍
光Ｘ線（Ｃｕ Ｋ,波長０.１５４ｎｍ）となって再放出
される。このときの蛍光収率は５０％以下である。さら
に、銅の蛍光Ｘ線は、クロムからなる下引き層１１を透
過して、基材１０にまで到達するが、その強度は２０％
程度まで低下する。

【００２９】このＸ線用ミラーを超高真空雰囲気のミラ
ーチャンバ内に設置し、シンクロトロン放射光施設のビ
ームラインに接続して、分光測定実験用の最も光源（発
光点）に近いミラーとして用いた。したがってこのＸ線
用ミラーには、放射光の全てのスペクトル成分が照射さ
れたことになる。放射光（強度１.５Ｗ／ｃｍ²）を斜入
射角２°の条件で入射させ、１０００時間使用したとこ
ろ、表面形状には全く変化が生じなかった。

【００３０】Ｘ線用ミラーとして石英表面になんらコー
ティングを施さなかったものを使用した場合には、ここ
で述べた照射条件では、照射開始ともに表面の変形がみ
られることから、本発明のＸ線用ミラーは著しく照射耐
性が向上していることが分かった。

【００３１】《比較例》図５に示す従来のＸ線用ミラー
を作成した。このＸ線用ミラーは、基材２０として実施
例１の基材１０と同一組成のガラスを使用し、基材２０
上に、厚さ５ｎｍのクロムからなる層２１と厚さ２００
ｎｍに金からなる反射層２２を順次積層コーティングし
た構成となっている。この従来の形式のＸ線用ミラーを
実施例１と同様にビームラインに中に設置し、シンクロ
トロン放射光（強度１.５Ｗ／ｃｍ²）を斜入射角２°で
入射させたところ、照射開始後約１０００時間程度でコ
ーティング表面に亀裂を生じ、基材２０の内部にも数ｍ
ｍの深さに大きなひびが発生した。

【００３２】実施例１と比較例との比較から明らかなよ
うに、本発明のＸ線用ミラーは、従来の膜構成のミラー
に比べ、著しく照射耐性が向上していることが分かっ
た。

【００３３】《実施例２》図６は、反射層と基材との間
に３層の下引き層を有するＸ線用ミラーを示している。
このＸ線用ミラーは、石英を基材３０として用い、実施
例１と同様に基材３０を研磨加工したのち、基材３０側
から、厚さ２０ｎｍのバナジウムからなる層３１、厚さ
１０μｍのコバルトからなる層３２、厚さ２０μｍのハ
フニウムからなる層３３、厚さ２００ｎｍの金からなる
反射層３４をこの順にコーティングしたものである。

【００３４】このＸ線用ミラーにＸ線を照射したとき、
反射層３４の金からの蛍光Ｘ線（Ａｕ Ｋ,波長０.１２
７ｎｍ）は、ハフニウムからなる層３３によって、２０
％程度の蛍光収率でハフニウムの蛍光Ｘ線（Ｈｆ Ｌ,波
長０.１５７ｎｍ）となり、さらにコバルトからなる層
３２により、蛍光収率３０％以下でＣｏ Ｋ線（波長０.
１７９ｎｍ）となる。したがって、反射層３４からの金
の蛍光Ｘ線は、オージェプロセスを経て蛍光Ｘ線として
再放出されるものを含めても、１０％以下に低減され
る。

【００３５】シンクロトロンを光源とする装置にこのＸ
線用ミラーを設置して使用したところ、下引き層（層３
１〜３３）の効果により、基材２０に入射する蛍光Ｘ線
の強度を十分に減弱できたため、照射による損傷は見ら
れなかった。

【００３６】《実施例３》図７は、反射層と基材との間
に４層の下引き層を有するＸ線用ミラーを示している。
このＸ線用ミラーは、石英からなる基材４０を使用し、
実施例１と同様に研磨加工したのち、基材４０側から、
厚さ３０ｎｍのチタンからなる層４１、厚さ１００ｎｍ
のアルミニウムからなる層４２、厚さ２５μｍの銅から
なる層４３、厚さ２０μｍのパラジウムからなる層４４
をこの順に積層コーティングし、最上層にＸ線を反射す
るための層として厚さ２００ｎｍの白金からなる反射層
４５を成膜した。

【００３７】このＸ線用ミラーでは、反射層４５を構成
する白金からの蛍光Ｘ線（Ｐｔ Ｌ,波長０.１３１ｎ
ｍ）は、パラジウムからなる層４４を通過する際に４０
％程度減衰するとともに、この層４４によって蛍光収率
約５％でパラジウムのＰｄ Ｌ線（波長０.４３７ｎｍ）
に変換される。さらに銅の層４３により吸収され、Ｃｕ
Ｋ線およびＣｕ Ｌ線に変換される。銅からなる層４３
から最終的に出射するＸ線は、反射層４５からの蛍光Ｘ
線に対して数％程度にまで低減されている。銅の層４３
から透過してくるわずかな量のＸ線によって、アルミニ
ウムの層４２とチタンの層４１においても蛍光Ｘ線を発
するが、チタンの層４１から基材４０に入射するＸ線
は、低エネルギーであって、基材４０の構成元素である
酸素のＫ殻励起を起こすことができない。これにより、
酸素のＫ殻励起に起因する損傷は生じない。

【００３８】実施例１と同様に、シンクロトロン放射光
施設のビームラインにこのＸ線用ミラーを設置して使用
したところ、ひびわれ等の損傷は見られなかった。

【００３９】《実施例４》石英を基材とし、基材側から
クロム（厚さ２０ｎｍ）、銅（厚さ２０μｍ）、金（厚
さ１０μｍ）をこの順に積層し、最後の反射層として厚
さ１μｍの炭化ケイ素を積層コーティングした。反射層
として炭化ケイ素を用いたのは、反射光のスペクトルを
０.６ｎｍ以上の波長の光に限定するためである。この
Ｘ線用ミラーを使用した場合、シンクロトロン放射光の
短波長成分ははとんど反射せずにコーティング中に透過
してくるが、反射層直下の金の層のために吸収され、あ
るいは蛍光Ｘ線となって強度が低下する。そして、銅や
クロムの層は実施例１と同様の構成であるので、実施例
１と同様の過程によって石英基材に到達するＸ線は著し
く低減され、基材の照射損傷を著しく低減できる。

【００４０】《実施例５》本発明によるＸ線用ミラーを
設置した実験装置の一例が、図８に示されている。シン
クロトロン放射光施設の蓄積リングＳＲから出た放射光
は、本発明のＸ線用ミラー５０に入射し、波長選択と偏
向を兼ねて反射される。Ｘ線用ミラー５０の出射側に
は、球面グレーティング５１と検出器５２を使用した分
光装置が設けられている。Ｘ線用ミラー５０と球面グレ
ーティング５１の間の光路及び検出器５２の直前の位置
には、それぞれスリットＳ₁,Ｓ₂が配置されている。こ
の装置を用いて実験を行なったところ、Ｘ線用ミラー５
０にシンクロトロン放射光による被曝劣化が発生しない
ため、長期間にわたってミラー表面の変形や反射率変化
が生ぜず、実験条件が変化しなかった。そのため、極め
て再現性のよい実験結果が得られた。

【００４１】《実施例６》本発明によるＸ線用ミラーを
設置した半導体露光装置の一例が、図９に示されてい
る。蓄積リングＳＲからのシンクロトロン放射光は、本
発明によるＸ線ミラー５０によって反射され、半導体露
光部５３に入射する。この半導体露光装置を用いて半導
体製造を行なったところ、シンクロトロン照射によるミ
ラーの損傷が生じないため、スペクトルの変化、反射率
の変化あるいは散乱光の増大などの光源性能の劣化が見
られず、長期間にわたって露光条件が変化しなかった。
このため、製造プロセスが安定し、パターン転写精度の
極めてよいデバイスの製造が可能となった。 《実施例７》次に、上述のＸ線用ミラーを使用する実施
例６に示したような露光装置を利用したデバイスの製造
方法の実施例を説明する。図１０は微小デバイス（ＩＣ
やＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜
磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造の工程を示すフ
ローチャートである。ステップ７１（回路設計）では半
導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ７２（マス
ク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを
製作する。一方、ステップ７３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ７４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ７５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ７４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
７６（検査）ではステップ７５で作製された半導体デバ
イスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７７）される。

【００４２】図１１は上記のウエハプロセスの詳細な工
程を示すフローチャートである。ステップ８１（酸化）
ではウエハの表面を酸化させる。ステップ８２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ８３
（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成す
る。ステップ８４（イオン打込み）ではウエハにイオン
を打ち込む。ステップ８５（レジスト処理）ではウエハ
に感光剤を塗布する。ステップ８６（露光）では上記の
露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付
露光する。ステップ８７（現像）では露光したウエハを
現像する。ステップ８８（エッチング）では現像したレ
ジスト像以外の部分を削り取る。ステップ８９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したよう本発明は、ミラーの表
面にＸ線を反射するための反射層を設け、反射層からの
蛍光Ｘ線を吸収する第１の下引き層、反射層および第１
の下引き層からの蛍光Ｘ線を吸収するための第２の下引
き層などを順次設けることにより、基材へのＸ線の到達
量を可能な限り低減させることができ、耐放射線性に優
れたＸ線用ミラーが得られるという効果がある。これに
より、従来は照射損傷のために短期間しか性能の維持で
きなかった溶融石英製のミラー等を長期にわたり安定に
使用できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＸ線用ミラーの典型的な構成を示す模
式断面図である。

【図２】原子番号と蛍光Ｘ線の蛍光収率との関係を示す
特性図である。

【図３】原子番号とＸ線の質量吸収係数との関係を示す
特性図である。

【図４】本発明の実施例１のＸ線用ミラーの構成を示す
模式断面図である。

【図５】従来のＸ線用ミラーの構成を示す模式断面図で
ある。

【図６】実施例２のＸ線用ミラーの構成を示す模式断面
図である。

【図７】実施例３のＸ線用ミラーの構成を示す模式断面
図である。

【図８】本発明のＸ線用ミラーを用いた実験装置の一例
を示すブロック図である。

【図９】本発明のＸ線用ミラーを用いた半導体露光装置
の一例を示すブロック図である。

【図１０】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャ
ートである。

【図１１】ウエハプロセスの詳細な工程を示すフローチ
ャートである。

【符号の説明】

１,１０,３０,４０ 基材 ２,１３,３４,４５ 反射層 ３₁〜３_n,１１,１２ 下引き層 ３１〜３３,４１〜４４ 層 ５０ Ｘ線用ミラー ＳＲ 蓄積リング

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線を反射するための反射層が基材表面
   に設けられたＸ線用ミラーにおいて、前記反射層と前記
   基材との間に１層以上の下引き層が積層されていること
   を特徴とするＸ線用ミラー。
2. 【請求項２】 下引き層を構成する主たる材料の原子番
   号が、反射層を構成する材料の原子番号よりも小さい請
   求項１に記載のＸ線用ミラー。
3. 【請求項３】 Ｘ線を反射するための反射層と前記反射
   層に接しかつ前記反射層を構成する材料より大きな原子
   番号の材料からなる阻止層とを前記阻止層が基材側とな
   るように前記基材表面に設けたＸ線用ミラーにおいて、
   前記阻止層と前記基材との間に１層以上の下引き層が積
   層されていることを特徴とするＸ線用ミラー。
4. 【請求項４】 下引き層を構成する主たる材料の原子番
   号が、阻止層を構成する材料の原子番号よりも小さい請
   求項３に記載のＸ線用ミラー。
5. 【請求項５】 下引き層を２層以上有し、隣接する２つ
   の下引き層において、基材に近い方の下引き層を構成す
   る材料の原子番号の方が、前記基材から遠い方の下引き
   層を構成する材料の原子番号より小さい請求項１または
   ３に記載のＸ線用ミラー。
6. 【請求項６】 基材に接して設けられた下引き層からの
   蛍光Ｘ線のうちの最短波長のもののエネルギーが、前記
   基材を構成する元素のうちの少なくとも１つの元素のＫ
   吸収端よりも小さいエネルギーとなるように、前記下引
   き層の材料が選択されている請求項１または３に記載の
   Ｘ線用ミラー。
7. 【請求項７】 下引き層を２層以上有し、基材側から数
   えて２番目の下引き層からのＬ殻蛍光Ｘ線のうちの最短
   波長のもののエネルギーが前記基材に接する下引き層を
   構成する元素のＫ吸収端よりも小さいエネルギーとなる
   ように、前記各下引き層の材料が選択されている請求項
   １または３に記載のＸ線用ミラー。
8. 【請求項８】 基材が溶融石英からなる請求項１ないし
   ７いずれか１項に記載のＸ線用ミラー。
9. 【請求項９】 シンクロトロン放射光を使用する光学装
   置であって、請求項１ないし８いずれか１項に記載のＸ
   線用ミラーを搭載した光学装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の光学装置と、シンク
    ロトロン放射光によって基板に露光を行なう手段とを有
    する露光装置。