JPH077055A - 探針装置 - Google Patents
探針装置Info
- Publication number
- JPH077055A JPH077055A JP5171093A JP17109393A JPH077055A JP H077055 A JPH077055 A JP H077055A JP 5171093 A JP5171093 A JP 5171093A JP 17109393 A JP17109393 A JP 17109393A JP H077055 A JPH077055 A JP H077055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probes
- pad
- contact
- pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハテストの際に、探針がパッドを過度な
圧力で押圧しないようにして、パッド下の層間絶縁膜に
クラックがはいるのを防止する。 【構成】 探針装置は、磁性材料によって形成される探
針1と、探針1を支持するボード2と、探針1を磁化す
る永久磁石3から構成される。探針1をウェハ4上のパ
ッド5に位置合わせした後、ボード2を、探針1がパッ
ド5に接触圧0で接触する程度に降下させる。永久磁石
5を降下させ絶縁膜3aを介して探針に接触させて探針
1を磁化する。これにより、磁性材料(Ni)からなる
パッド5と探針1とが適度な接触圧で接触する。テスト
終了後、磁石3を探針1から離す。
圧力で押圧しないようにして、パッド下の層間絶縁膜に
クラックがはいるのを防止する。 【構成】 探針装置は、磁性材料によって形成される探
針1と、探針1を支持するボード2と、探針1を磁化す
る永久磁石3から構成される。探針1をウェハ4上のパ
ッド5に位置合わせした後、ボード2を、探針1がパッ
ド5に接触圧0で接触する程度に降下させる。永久磁石
5を降下させ絶縁膜3aを介して探針に接触させて探針
1を磁化する。これにより、磁性材料(Ni)からなる
パッド5と探針1とが適度な接触圧で接触する。テスト
終了後、磁石3を探針1から離す。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の特性
チェックを行う際に用いられる探針装置に関し、特に、
半導体集積回路のパッドと接触する探針が磁性材料から
構成されている探針装置に関するものである。
チェックを行う際に用いられる探針装置に関し、特に、
半導体集積回路のパッドと接触する探針が磁性材料から
構成されている探針装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種従来の探針装置は、図3に示され
るように、ウェハ4上のパッド5と接触する探針1と、
探針1を支持固定するボード2とから構成される。半導
体集積回路装置を製造する際には、ウェハに、ある機能
を持ったチップを複数個形成した後に、ウェハ上の全チ
ップの動作を確認するためにウェハテストが行われる。
探針装置は、この際に用いられる、チップ上のパッドに
アクセスするための治具である。
るように、ウェハ4上のパッド5と接触する探針1と、
探針1を支持固定するボード2とから構成される。半導
体集積回路装置を製造する際には、ウェハに、ある機能
を持ったチップを複数個形成した後に、ウェハ上の全チ
ップの動作を確認するためにウェハテストが行われる。
探針装置は、この際に用いられる、チップ上のパッドに
アクセスするための治具である。
【0003】ウェハテストは以下のように行われる。探
針装置には、被テスト半導体装置のパッド数と同数の探
針が備えられており、図示されてはいないが、各探針
は、電源、信号発生器、動作解析装置にそれぞれ接続さ
れている。ウェハテストに当たって、まず、各探針1の
針先1aをウェハ4上のパッド5の位置に合わせる。そ
の状態でボード2を降下させ、パッド5と探針1とを接
触させる。ウェハ上のチップは、探針を介して給電され
るとともに、信号発生器からの信号が探針を介してその
入力パッドへ入力され、所定の動作を行う。その動作の
結果がチップの出力パッドに出力信号として現れ、該出
力信号が探針を介して波形解析装置に返される。波形解
析装置は、その出力信号を解析することによりチップの
良否の判定を行う。
針装置には、被テスト半導体装置のパッド数と同数の探
針が備えられており、図示されてはいないが、各探針
は、電源、信号発生器、動作解析装置にそれぞれ接続さ
れている。ウェハテストに当たって、まず、各探針1の
針先1aをウェハ4上のパッド5の位置に合わせる。そ
の状態でボード2を降下させ、パッド5と探針1とを接
触させる。ウェハ上のチップは、探針を介して給電され
るとともに、信号発生器からの信号が探針を介してその
入力パッドへ入力され、所定の動作を行う。その動作の
結果がチップの出力パッドに出力信号として現れ、該出
力信号が探針を介して波形解析装置に返される。波形解
析装置は、その出力信号を解析することによりチップの
良否の判定を行う。
【0004】近年、半導体集積回路装置において、高密
度集積化のために、パッドをトランジスタ等の素子が配
置されている活性領域内に配置することが行われるよう
になってきている。而して、パッドを活性領域上に配置
した場合、パッド上に半田バンプを設け、これにより外
部との接続を図るのが一般的である。そこで、このよう
な場合にはパッド形成材料には、半田濡れ性がよくしか
も半田に溶けにくい強磁性材料のNiが用いられる。
度集積化のために、パッドをトランジスタ等の素子が配
置されている活性領域内に配置することが行われるよう
になってきている。而して、パッドを活性領域上に配置
した場合、パッド上に半田バンプを設け、これにより外
部との接続を図るのが一般的である。そこで、このよう
な場合にはパッド形成材料には、半田濡れ性がよくしか
も半田に溶けにくい強磁性材料のNiが用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の探針装
置では、テスト対象である半導体集積回路装置が高密度
化・多パッド化した際に以下の問題が生じる。まず、第
1に、探針の間隔が狭くなるため、高精度に位置合わせ
を行う必要が生じる。高密度化した場合、探針が図3の
x−y平面上で僅かに位置ずれを起こしてもパッドの中
心からはずれ接触不良を起こすからである。
置では、テスト対象である半導体集積回路装置が高密度
化・多パッド化した際に以下の問題が生じる。まず、第
1に、探針の間隔が狭くなるため、高精度に位置合わせ
を行う必要が生じる。高密度化した場合、探針が図3の
x−y平面上で僅かに位置ずれを起こしてもパッドの中
心からはずれ接触不良を起こすからである。
【0006】第2に、電気的に良好な接触を得るために
は、探針一本に対し、荷重を10g程度はかけなければ
ならない。ところが、素子の形成された活性領域内にパ
ッドが配置された半導体集積回路では、パッド下の素子
や配線の状態が一様でないため、パッド間に高低の差が
生じる。そのため、特定のパッドに応力が集中する事態
が発生し、パッド下の層間絶縁膜にクラックが発生しさ
らに下層配線とパッド間および層間絶縁膜を挾む配線同
士で電気的短絡事故が発生する。このような不良の発生
を避けようとすると、すべての探針とパッドとの間に良
好なコンタクトを確保することが困難となる。よって、
従来技術では、1ピン当たり平均10g前後の荷重をか
けて電気特性を測定する場合は、1000ピンで10〜
40%程度パッド下の層間絶縁膜にクラックが入るのを
避けることができなかった。
は、探針一本に対し、荷重を10g程度はかけなければ
ならない。ところが、素子の形成された活性領域内にパ
ッドが配置された半導体集積回路では、パッド下の素子
や配線の状態が一様でないため、パッド間に高低の差が
生じる。そのため、特定のパッドに応力が集中する事態
が発生し、パッド下の層間絶縁膜にクラックが発生しさ
らに下層配線とパッド間および層間絶縁膜を挾む配線同
士で電気的短絡事故が発生する。このような不良の発生
を避けようとすると、すべての探針とパッドとの間に良
好なコンタクトを確保することが困難となる。よって、
従来技術では、1ピン当たり平均10g前後の荷重をか
けて電気特性を測定する場合は、1000ピンで10〜
40%程度パッド下の層間絶縁膜にクラックが入るのを
避けることができなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による探針装置
は、被テストデバイスのパッドと接触する磁性材料から
なる複数の探針と、前記探針を保持するボードと、前記
探針を磁化させる磁化手段と、を備えるものである。そ
して、探針を磁化させる手段としては、前記探針に近接
乃至接触可能な永久磁石や探針に巻回されたコイル等が
用いられる。
は、被テストデバイスのパッドと接触する磁性材料から
なる複数の探針と、前記探針を保持するボードと、前記
探針を磁化させる磁化手段と、を備えるものである。そ
して、探針を磁化させる手段としては、前記探針に近接
乃至接触可能な永久磁石や探針に巻回されたコイル等が
用いられる。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す側面
図である。同図に示されるように、本実施例の探針装置
は、探針1と、その探針1を支持するボード2と、永久
磁石3により構成されている。
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す側面
図である。同図に示されるように、本実施例の探針装置
は、探針1と、その探針1を支持するボード2と、永久
磁石3により構成されている。
【0009】探針1は、ウェハ4上のパッド5と接触す
る針先1aと、ボード2の中空部2a内に突出する終端
部1bとを有し、その中央部付近には針先1aが一定範
囲内で可動できるように屈曲部1cが形状されている。
また、探針1は、弾性のある磁性材料にて形成されてお
り、その長さは、終端部1bが磁化された際に、針先1
aにも十分の大きい磁力伝えられる程度になされてい
る。
る針先1aと、ボード2の中空部2a内に突出する終端
部1bとを有し、その中央部付近には針先1aが一定範
囲内で可動できるように屈曲部1cが形状されている。
また、探針1は、弾性のある磁性材料にて形成されてお
り、その長さは、終端部1bが磁化された際に、針先1
aにも十分の大きい磁力伝えられる程度になされてい
る。
【0010】永久磁石3は、ボード2に、上下動自在に
支持されており、図示されない駆動手段により駆動され
てボード2の中空部2a内を上下動する。永久磁石3
は、保磁力の強い(エネルギー積は約240kJ/m
3 )SmCo(サマリウム・コバルト)磁石であり、そ
の下面には絶縁膜3aが形成されている。永久磁石3
は、降下した際に、絶縁膜3aを介して探針の終端部1
bと接触して探針1を磁化させる。
支持されており、図示されない駆動手段により駆動され
てボード2の中空部2a内を上下動する。永久磁石3
は、保磁力の強い(エネルギー積は約240kJ/m
3 )SmCo(サマリウム・コバルト)磁石であり、そ
の下面には絶縁膜3aが形成されている。永久磁石3
は、降下した際に、絶縁膜3aを介して探針の終端部1
bと接触して探針1を磁化させる。
【0011】次に、本実施例装置の動作について説明す
る。ここで、被テストウェハ4のパッド5はNiで形成
されているものとする。始めに、ボード2は、所定の高
さの待機位置にあり、永久磁石3は、中空部2aの上部
に位置している。この状態で、ウェハを載置したステー
ジ(図示なし)をx,y方向およびθ方向に移動させて
各パッド5を探針1の真下に位置合わせする。次に、ボ
ード2を徐々に降下させて探針1をパッド5に応力のか
からない程度に接触させる。その状態で、永久磁石3を
降下させて探針1に接触させる。これにより、探針1は
磁化され、針先1aとパッド5との間に10g前後の接
触圧が確保される。また、探針1が磁化されたとき、針
先1aとパッド5とが引き合うことにより、x−y平面
内での位置ずれが矯正される。この状態で、所定の電気
的テストが実施され良否の判定がなされる。テスト終了
後、永久磁石3を上昇させ、次いでボード2を上昇させ
る。
る。ここで、被テストウェハ4のパッド5はNiで形成
されているものとする。始めに、ボード2は、所定の高
さの待機位置にあり、永久磁石3は、中空部2aの上部
に位置している。この状態で、ウェハを載置したステー
ジ(図示なし)をx,y方向およびθ方向に移動させて
各パッド5を探針1の真下に位置合わせする。次に、ボ
ード2を徐々に降下させて探針1をパッド5に応力のか
からない程度に接触させる。その状態で、永久磁石3を
降下させて探針1に接触させる。これにより、探針1は
磁化され、針先1aとパッド5との間に10g前後の接
触圧が確保される。また、探針1が磁化されたとき、針
先1aとパッド5とが引き合うことにより、x−y平面
内での位置ずれが矯正される。この状態で、所定の電気
的テストが実施され良否の判定がなされる。テスト終了
後、永久磁石3を上昇させ、次いでボード2を上昇させ
る。
【0012】以上のように、本実施例探針装置を用いた
テスト方法では、パッド下に応力のかからない程度に探
針1とパッド5とを接触させ、次いで探針1を磁化さ
せ、探針とパッド5とを磁力によって接触させるもので
あるので、探針1とパッド5との接触圧を、ボード2に
より荷重を10gかけたときと同程度とすることができ
る。すなわち、本発明により、探針よりパッドに加えら
れる接触圧を、探針−パッド間の接触抵抗を十分低く抑
えつつ、パッド下にクラックを生じさせない程度に抑制
することが可能となる。
テスト方法では、パッド下に応力のかからない程度に探
針1とパッド5とを接触させ、次いで探針1を磁化さ
せ、探針とパッド5とを磁力によって接触させるもので
あるので、探針1とパッド5との接触圧を、ボード2に
より荷重を10gかけたときと同程度とすることができ
る。すなわち、本発明により、探針よりパッドに加えら
れる接触圧を、探針−パッド間の接触抵抗を十分低く抑
えつつ、パッド下にクラックを生じさせない程度に抑制
することが可能となる。
【0013】図2は、本発明の第2の実施例を示す側面
図である。同図において、図1に示された実施例の部分
と共通する部分には同一の参照番号が付されているの
で、重複する説明は省略する。本実施例の先の実施例と
相違する点は、先の実施例における永久磁石が除去さ
れ、代わりに各探針にコイル6が装着され、これにより
各探針が磁化されるようにされている点である。本実施
例の動作は、先の実施例の場合と同様である。すなわ
ち、探針1とパッド5とを無接触圧状態で接触させた
後、コイルに電流を供給して探針1を磁化し、テスト終
了後、ボードを上昇させるのに先立って電流を遮断して
探針1の磁化を解く。
図である。同図において、図1に示された実施例の部分
と共通する部分には同一の参照番号が付されているの
で、重複する説明は省略する。本実施例の先の実施例と
相違する点は、先の実施例における永久磁石が除去さ
れ、代わりに各探針にコイル6が装着され、これにより
各探針が磁化されるようにされている点である。本実施
例の動作は、先の実施例の場合と同様である。すなわ
ち、探針1とパッド5とを無接触圧状態で接触させた
後、コイルに電流を供給して探針1を磁化し、テスト終
了後、ボードを上昇させるのに先立って電流を遮断して
探針1の磁化を解く。
【0014】本実施例によれば、電流によって磁化の程
度を変えることができるため、探針−パッド間の引力を
容易に制御することができる。なお、本実施例において
は、各探針のコイルにそれぞれ異なった電流値を加え
て、あるいは各探針のコイルのターン数を変えて全パッ
ドに均等な力が加わるようにすることができる。また、
本実施例では、探針全体を磁性材料で構成するのではな
く、針先部のみを磁性体とすることができる。
度を変えることができるため、探針−パッド間の引力を
容易に制御することができる。なお、本実施例において
は、各探針のコイルにそれぞれ異なった電流値を加え
て、あるいは各探針のコイルのターン数を変えて全パッ
ドに均等な力が加わるようにすることができる。また、
本実施例では、探針全体を磁性材料で構成するのではな
く、針先部のみを磁性体とすることができる。
【0015】以上、好ましい実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
願発明の要旨内において各種の変更が可能である。例え
ば、第1の実施例における永久磁石に代え電磁石を用い
ることができ、また、第1、第2の実施例を組み合わせ
て、永久磁石とコイルとを併用することができる。この
場合、コイルには永久磁石の磁力を打ち消すように電流
を流すかあるいは強め合う電流を流す。また、ウェハの
載置されたステージを移動させて探針−パッド間の位置
決めを行ったのに代え、ボードをx−y方向に移動させ
て位置決めを行うようにすることができる。また、探針
の材料としては、軟磁性材料が有利に用いられるがこれ
に限定されるものではない。
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
願発明の要旨内において各種の変更が可能である。例え
ば、第1の実施例における永久磁石に代え電磁石を用い
ることができ、また、第1、第2の実施例を組み合わせ
て、永久磁石とコイルとを併用することができる。この
場合、コイルには永久磁石の磁力を打ち消すように電流
を流すかあるいは強め合う電流を流す。また、ウェハの
載置されたステージを移動させて探針−パッド間の位置
決めを行ったのに代え、ボードをx−y方向に移動させ
て位置決めを行うようにすることができる。また、探針
の材料としては、軟磁性材料が有利に用いられるがこれ
に限定されるものではない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による探針
装置は、探針を磁性材料にて構成するとともに探針の磁
化手段を設けたものであるので、本発明によれば、被テ
ストチップのパッドに高低差があっても探針を各パッド
にほぼ一定の抑制された接触圧にて接触させることが可
能となる。したがって、本発明によれば、テストに必要
な十分に低い接触抵抗を確保しつつパッド下のクラック
の発生を防止することができる。また、本発明によれ
ば、探針とパッドとが互いに引き合うことによりその位
置合わせずれを一定範囲内で矯正することが可能とな
り、高密度化された半導体集積回路のテストを信頼性高
くかつ効率的に行うことが可能となる。
装置は、探針を磁性材料にて構成するとともに探針の磁
化手段を設けたものであるので、本発明によれば、被テ
ストチップのパッドに高低差があっても探針を各パッド
にほぼ一定の抑制された接触圧にて接触させることが可
能となる。したがって、本発明によれば、テストに必要
な十分に低い接触抵抗を確保しつつパッド下のクラック
の発生を防止することができる。また、本発明によれ
ば、探針とパッドとが互いに引き合うことによりその位
置合わせずれを一定範囲内で矯正することが可能とな
り、高密度化された半導体集積回路のテストを信頼性高
くかつ効率的に行うことが可能となる。
【図1】 本発明の第1の実施例の探針の接触前の状態
を示す側面図。
を示す側面図。
【図2】 本発明の第2の実施例の探針の接触前の状態
を示す側面図。
を示す側面図。
【図3】 従来例の探針の接触前の状態を示す側面図。
1 探針 1a 針先 1b 終端部 1c 屈曲部 2 ボード 2a 中空部 3 永久磁石 3a 絶縁膜 4 ウェハ 5 パッド 6 コイル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年11月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】探針1は、ウェハ4上のパッド5と接触す
る針先1aと、ボード2の中空部2a内に突出する終端
部1bとを有し、その中央部付近には針先1aが一定範
囲内で可動できるように屈曲部1cが形状されている。
また、探針1は、弾性のある磁性材料にて形成されてお
り、その長さは、終端部1bが磁化された際に、針先1
aにも十分の大きい磁力が伝えられる程度になされてい
る。
る針先1aと、ボード2の中空部2a内に突出する終端
部1bとを有し、その中央部付近には針先1aが一定範
囲内で可動できるように屈曲部1cが形状されている。
また、探針1は、弾性のある磁性材料にて形成されてお
り、その長さは、終端部1bが磁化された際に、針先1
aにも十分の大きい磁力が伝えられる程度になされてい
る。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】次に、本実施例装置の動作について説明す
る。ここで、被テストウェハ4のパッド5はNiで形成
されているものとする。始めに、ボード2は、所定の高
さの待機位置にあり、永久磁石3は、中空部2aの上部
に位置している。この状態で、ウェハを載置したステー
ジ(図示なし)をx,y,z方向およびθ方向に移動さ
せて各パッド5を探針1の真下に位置合わせする。次
に、ボード2を徐々に降下させて探針1をパッド5に応
力のかからない程度に接触させる。その状態で、永久磁
石3を降下させて探針1に接触させる。これにより、探
針1は磁化され、針先1aとパッド5との間に10g前
後の接触圧が確保される。また、探針1が磁化されたと
き、針先1aとパッド5とが引き合うことにより、x−
y平面内での位置ずれが矯正される。この状態で、所定
の電気的テストが実施され良否の判定がなされる。テス
ト終了後、永久磁石3を上昇させ、次いでボード2を上
昇させる。
る。ここで、被テストウェハ4のパッド5はNiで形成
されているものとする。始めに、ボード2は、所定の高
さの待機位置にあり、永久磁石3は、中空部2aの上部
に位置している。この状態で、ウェハを載置したステー
ジ(図示なし)をx,y,z方向およびθ方向に移動さ
せて各パッド5を探針1の真下に位置合わせする。次
に、ボード2を徐々に降下させて探針1をパッド5に応
力のかからない程度に接触させる。その状態で、永久磁
石3を降下させて探針1に接触させる。これにより、探
針1は磁化され、針先1aとパッド5との間に10g前
後の接触圧が確保される。また、探針1が磁化されたと
き、針先1aとパッド5とが引き合うことにより、x−
y平面内での位置ずれが矯正される。この状態で、所定
の電気的テストが実施され良否の判定がなされる。テス
ト終了後、永久磁石3を上昇させ、次いでボード2を上
昇させる。
Claims (5)
- 【請求項1】 被テストデバイスのパッドと接触する、
少なくとも先端部が磁性材料からなる複数の探針と、 前記探針を保持するボードと、 前記探針を磁化させる磁化手段と、 を備える探針装置。 - 【請求項2】 前記磁化手段が、前記探針に近接乃至接
触可能な永久磁石であることを特徴とする請求項1記載
の探針装置。 - 【請求項3】 前記磁化手段が、前記探針に巻回された
コイルであることを特徴とする請求項1記載の探針装
置。 - 【請求項4】 前記磁化手段が、前記探針に近接乃至接
触可能な永久磁石と前記探針に巻回されたコイルとで構
成されていることを特徴とする請求項1記載の探針装
置。 - 【請求項5】 前記探針が、中央部に屈曲部を有するこ
とを特徴とする請求項1記載の探針装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5171093A JPH07118499B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 探針装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5171093A JPH07118499B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 探針装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH077055A true JPH077055A (ja) | 1995-01-10 |
JPH07118499B2 JPH07118499B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=15916863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5171093A Expired - Fee Related JPH07118499B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 探針装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07118499B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007015283A1 (de) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Qimonda Ag | Testvorrichtung für Halbleiterbauelemente |
JP2017195239A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | プローブ位置検査装置および半導体評価装置ならびにプローブ位置検査方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6435382A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Tokyo Electron Ltd | Probe card |
JPH01189932A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Seiko Instr & Electron Ltd | プローブカード |
JPH01214778A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | ピン組立方法及びテストプローブ組立方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5171093A patent/JPH07118499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6435382A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Tokyo Electron Ltd | Probe card |
JPH01189932A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Seiko Instr & Electron Ltd | プローブカード |
JPH01214778A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | ピン組立方法及びテストプローブ組立方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007015283A1 (de) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Qimonda Ag | Testvorrichtung für Halbleiterbauelemente |
JP2017195239A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | プローブ位置検査装置および半導体評価装置ならびにプローブ位置検査方法 |
CN107305236A (zh) * | 2016-04-19 | 2017-10-31 | 三菱电机株式会社 | 探针位置检查装置、半导体评价装置以及探针位置检查方法 |
CN107305236B (zh) * | 2016-04-19 | 2022-05-27 | 罗姆股份有限公司 | 探针位置检查装置、半导体评价装置以及探针位置检查方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07118499B2 (ja) | 1995-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100309889B1 (ko) | 프로우브장치 | |
US7616015B2 (en) | Wafer type probe card, method for fabricating the same, and semiconductor test apparatus having the same | |
KR102063761B1 (ko) | 신호 전송 커넥터 및 그 제조방법 | |
KR101886268B1 (ko) | 반도체 패키지 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지 검사 방법 | |
JP2009526992A (ja) | スペーストランスフォーマと前記スペーストランスフォーマの製造方法及び前記スペーストランスフォーマを有するプローブカード | |
US6429671B1 (en) | Electrical test probe card having a removable probe head assembly with alignment features and a method for aligning the probe head assembly to the probe card | |
US6737879B2 (en) | Method and apparatus for wafer scale testing | |
JPH077055A (ja) | 探針装置 | |
KR20030001283A (ko) | 반도체검사장치 | |
KR100356823B1 (ko) | 프로브 카드 | |
KR20010050313A (ko) | 반도체 기판 시험장치 | |
JP2933331B2 (ja) | 半導体装置の検査装置 | |
JP2976321B2 (ja) | プローブ装置 | |
JPH09159694A (ja) | Lsiテストプローブ装置 | |
JP2965174B2 (ja) | 半導体素子検査装置 | |
JPH03290940A (ja) | プロービングマシンのウエハ載置台 | |
KR20080104653A (ko) | 프로브 시트, 이를 포함하는 프로브 카드 및 이의 제조방법 | |
JPH0758168A (ja) | プローブ装置 | |
KR20010051757A (ko) | 반도체 장치 멀티-프로브 테스트의 초음파 어시스트 | |
JPH01214778A (ja) | ピン組立方法及びテストプローブ組立方法 | |
US20020105351A1 (en) | Systems and methods for testing bumped wafers | |
JPH04326539A (ja) | プローブ装置 | |
JPH03159146A (ja) | プロービングカード | |
JPH0376136A (ja) | 検査装置 | |
JP2001165993A (ja) | 半導体検査装置の製造方法 |