JPH0766559B2 - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JPH0766559B2
JPH0766559B2 JP61155543A JP15554386A JPH0766559B2 JP H0766559 B2 JPH0766559 B2 JP H0766559B2 JP 61155543 A JP61155543 A JP 61155543A JP 15554386 A JP15554386 A JP 15554386A JP H0766559 B2 JPH0766559 B2 JP H0766559B2
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JP
Japan
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recording medium
semiconductor laser
pickup device
optical pickup
spot
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豊 山中
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ピックアップ装置に関し、特に、光照射によ
り情報の記録、再生および消去を行う光情報記録装置に
適用される光ピックアップ装置に関する。
The present invention relates to an optical pickup device, and more particularly to an optical pickup device applied to an optical information recording device that records, reproduces, and erases information by light irradiation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の光ピックアップ装置においては、光照射
により情報の記録を行う記録媒体としては、多結晶とア
モルファスとの間の相変化を利用するものがあり、この
媒体材料としては、Te−O−Ge−Sn合金系またはTe−Se
−Sn合金系などが用いられている。これらの材料の特徴
は、材料に温度変化を与える場合、急速加熱、急速冷却
を行うとアモルファス化し、比較的ゆっくりとした加
熱、冷却を行うと結晶化することである。この相変化に
よって、その材料の表面の反射率も変化するので、微弱
な光を照射することにより相状態を知ることができる。
この相変化を用いることにより、情報の記録、再生およ
び消去を行うことが可能である。
Conventionally, in this type of optical pickup device, as a recording medium for recording information by light irradiation, there is a recording medium that utilizes a phase change between polycrystalline and amorphous. -Ge-Sn alloy system or Te-Se
-Sn alloy system is used. A characteristic of these materials is that when a temperature change is applied to the materials, they are made amorphous by rapid heating and rapid cooling, and crystallized by relatively slow heating and cooling. This phase change also changes the reflectance of the surface of the material, so the phase state can be known by irradiating weak light.
By using this phase change, it is possible to record, reproduce and erase information.

光ディスク形状において、結晶からアモルファスへ、ア
モルファスから結晶への双方の相変化を1トラック幅内
にて実現する手段としては、第3図の平面図に示される
ように、光ピックアップから記録媒体6上に対する円形
スポット102および長円形スポット103を形成するものが
ある。第3図において、記録媒体6が矢印101の方向に
一定速度で移動しているものとすると、高いパワーの円
形スポット102により記録媒体6の急熱、急冷が行われ
比較的低いパワーの長円形スポット103により記録媒体
6の徐熱、徐冷が行われて、前記手段が実現される。こ
の円形スポット102により情報ビットの形成を行い、長
円形スポット103により情報ビットの消去を行えば、1
トラック幅ごとに記録および消去を実現することができ
る。
As shown in the plan view of FIG. 3, on the recording medium 6, as shown in the plan view of FIG. 3, in order to realize both the phase change from the crystal to the amorphous and the phase change from the amorphous to the crystal within the optical disc shape. To form a circular spot 102 and an oval spot 103 relative to. In FIG. 3, assuming that the recording medium 6 is moving in the direction of arrow 101 at a constant speed, the circular spot 102 having a high power causes the recording medium 6 to be rapidly heated and cooled, so that the ellipse has a relatively low power. The spot 103 gradually heats and cools the recording medium 6 to realize the above means. When the information bit is formed by the circular spot 102 and the information bit is erased by the oval spot 103, 1
Recording and erasing can be realized for each track width.

第4図に示されるのは、従来の光ピックアップ装置の一
例を示す構成図で、半導体レーザ12の出射光は、コリメ
ートレンズ13、ビーズスプリッタ15および集光レンズ16
を介して記録媒体6上に収束される。記録媒体6からの
反射光はビームスプリッタ15において分離され、信号お
よびエラー検出のための検出光学系17に導かれる。この
場合、記録媒体4上に長円形スポットを形成するために
は、コリメート光中に、第4図に破線にて示されるシリ
ドリカルレンズ14が挿入される。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a conventional optical pickup device. The emitted light of the semiconductor laser 12 is a collimator lens 13, a bead splitter 15, and a condenser lens 16.
It is converged on the recording medium 6 via. The reflected light from the recording medium 6 is separated by the beam splitter 15 and guided to a detection optical system 17 for detecting a signal and an error. In this case, in order to form an oval spot on the recording medium 4, the cylindrical lens 14 shown by the broken line in FIG. 4 is inserted into the collimated light.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来の光ピックアップ装置においては、記録媒
体6上に長円形スポットを形成するために、シリンドリ
カルレンズ14がコリメート光中に挿入される。しかしな
がら、長軸が数μm(ミクロン)ないし数十μm(ミク
ロン)の長円形スポットを形成するためには、シリンド
リカレンズ14としては長焦点距離のレンズが必要とな
り、その製作に困難がともなうという欠点がある。
In the conventional optical pickup device described above, the cylindrical lens 14 is inserted into the collimated light in order to form the elliptical spot on the recording medium 6. However, in order to form an elliptical spot having a long axis of several μm (microns) to several tens of μm (microns), a lens having a long focal length is required as the cylindrical lens 14, which is difficult to manufacture. There are drawbacks.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザの出射光
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして発振軸モード
がマルチモードである半導体レーザと、前記半導体レー
ザと前記記録媒体との間に、波長によって回折角の異な
る透過型または反射型グレーティング素子の回折光を利
用する光路変換素子とを備えて構成される。
An optical pickup device of the present invention is an optical pickup device including an optical system that irradiates a recording medium with emitted light of a semiconductor laser as a minute spot and guides the light from the recording medium to a photodetector. A semiconductor laser having an axial mode of multi-mode, and an optical path conversion element that uses the diffracted light of a transmission type or reflection type grating element having different diffraction angles depending on the wavelength between the semiconductor laser and the recording medium. To be done.

〔作用〕[Action]

第2図において、ピッチがdの透過型のグレーティング
素子3に対して、波長λの光が入射光θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
In FIG. 2, considering the case where light of wavelength λ is incident as incident light θ on the transmission type grating element 3 having a pitch of d, the following formula is established.

dsinθ=λ 入射光の波長がΔλ変化すると、出射光のビーム角度は
次式のΔθだけ変化する。
dsin θ = λ When the wavelength of the incident light changes by Δλ, the beam angle of the outgoing light changes by Δθ in the following equation.

Δθ=sinθ・(Δλ/λ) 集光レンズの焦点距離をfとすると、記録媒体上におい
てはf・(Δθ)のスポット中心のずれとなる。θ=3
0,λ=800nm(ナノ・メートル)、Δλ=0.3nmおよびf
=4mm(ミリ・メートル)、とすると、f・(Δθ)
0.7μm(ミクロン)となる。一方、共振器長300μmの
半導体レーザの軸モード間隔は約0.3nmであるので、Δ
λの波長変化に対応して、隣接軸モード間においてスポ
ット位置が0.7μmずれることになる。一つの軸モード
による円形スポット径の大きさが1μmψ程度であるの
で、半導体レーザがマルチモード発振をしている状態に
おいては、モード数に対応する長さの長円形スポットを
記録媒体上に形成することができる。このことは、グレ
ーティング素子の代りに反射型のグレーティング素子を
用いる場合も、その効果は同様である。グレーティング
素子としては、単純格子だけではく、集光レンズ等の代
りに使用されるオフアクシス型のゾーンプレートレンズ
でもよい。その回折効率は、格子のブレーズ化などによ
り70%以上の効率が実現可能である。
Δθ = sin θ · (Δλ / λ) When the focal length of the condenser lens is f, the spot center shifts by f · (Δθ) on the recording medium. θ = 3
0, λ = 800 nm (nanometer), Δλ = 0.3 nm and f
= 4 mm (millimeter meter), then f · (Δθ)
It becomes 0.7 μm (micron). On the other hand, the axial mode interval of a semiconductor laser with a cavity length of 300 μm is about 0.3 nm, so Δ
The spot position shifts by 0.7 μm between the adjacent axis modes according to the change in the wavelength of λ. Since the size of the circular spot diameter due to one axis mode is about 1 μmφ, an elliptical spot having a length corresponding to the number of modes is formed on the recording medium when the semiconductor laser is oscillating in multimode. be able to. This also applies to the case where a reflective grating element is used instead of the grating element. The grating element is not limited to a simple grating, and may be an off-axis type zone plate lens used in place of a condenser lens or the like. As for the diffraction efficiency, it is possible to achieve an efficiency of 70% or more by blazing the grating.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明について図面を参照して説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の構成を示す図である。第
1図に示されるように、本実施例は、記録媒体6に対応
して、半導体レーザ1と、コリメートレンズ2と、グレ
ーティング素子3と、ビームスプリッタ4と、集光レン
ズ5と、収束レンズ7と、ビームスプリッタ8と、トラ
ックエラー検出器9と、ナイフエッジ10と、フォーカス
エラー検出器11と、を備えて構成される。なお、半導体
レーザ1の発振軸モードは、マルチモードにより形成さ
れる。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in this embodiment, the semiconductor laser 1, the collimator lens 2, the grating element 3, the beam splitter 4, the condenser lens 5, and the converging lens are provided corresponding to the recording medium 6. 7, a beam splitter 8, a track error detector 9, a knife edge 10, and a focus error detector 11. The oscillation axis mode of the semiconductor laser 1 is formed by a multi mode.

第1図において、マルチモード発振をする半導体レーザ
1からの出射ビームは、コリメートレンズ2によりコリ
メート化され、グレーティング素子3により光路が曲げ
られて、ビームスプリッタ4に導かれる。更に、ビーク
スプリッタ4および集光レンズ5を介して記録媒体6上
に長円形スポットとして収束される。記録媒体6上に長
円形スポットが形成される理由は、半導体レーザ1の発
光点が、マルチモードであることによる。記録媒体6か
らの反射光は、ビームスプリッタ4において分離され、
収束レンズ7を介してビームスプリッタ8に導かれ、ビ
ームスプリッタ8において分離されて、一部はトラック
エラー検出器9に、一部はナイフエッジ10を介してフォ
ーカスエラー検出器11に、それぞれ入射される。これら
の反射光によりスポット位置エラーが検出される。本実
施例においては、グレーティン素子3は楕円ビームを円
形化するビーム整形機能をも兼ね備えている。なお、グ
レーティング素子3の配置は、ビームスプリッタ4と集
光レンズ5との間に設置されてもよい。
In FIG. 1, a beam emitted from a semiconductor laser 1 that oscillates in multimode is collimated by a collimator lens 2, an optical path is bent by a grating element 3, and is guided to a beam splitter 4. Further, it is converged as an oval spot on the recording medium 6 via the beak splitter 4 and the condenser lens 5. The reason why the elliptical spot is formed on the recording medium 6 is that the light emitting point of the semiconductor laser 1 is in the multimode. The reflected light from the recording medium 6 is separated by the beam splitter 4,
The light is guided to the beam splitter 8 via the converging lens 7, separated by the beam splitter 8, and a part thereof is incident on the track error detector 9 and a part is incident on the focus error detector 11 via the knife edge 10 respectively. It A spot position error is detected by these reflected lights. In this embodiment, the grating element 3 also has a beam shaping function for circularizing the elliptical beam. The grating element 3 may be arranged between the beam splitter 4 and the condenser lens 5.

本実施例の光ピックアップ装置は、上述のように、記録
媒体6上に長円形スポットを形成する消去用ヘッドとし
て適用されるが、所定の波長フィルタ等を用いて円形ス
ポットを形成する別の光源による出射ビームと合波し
て、記録ならび消去の可能なマルチビーム型の光ピック
アップ装置を構成することもできる。
The optical pickup device of this embodiment is applied as an erasing head for forming an elliptical spot on the recording medium 6 as described above, but another light source for forming a circular spot using a predetermined wavelength filter or the like. It is also possible to configure a multi-beam type optical pickup device capable of recording and erasing by combining with the emitted beam by the.

〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、製作上問題のあるシリ
ンドカルレンズを用いることなく、マルチモード発振の
半導体レーザを光源とすることにより、極めて容易に記
録媒体上に長円形スポットを形成することのできる光ピ
ックアップ装置を提供することができるという効果があ
る。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a semiconductor laser of multi-mode oscillation is used as a light source without using a cylindrical lens, which is problematic in manufacturing. There is an effect that an optical pickup device capable of forming a circular spot can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示す図、第2図は本
発明の作用を説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第3図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第4図は従来の光ピックアップ装置の構成を示す図
である。 図において、1……アレイ型半導体レーザ、2,13……コ
リメートレンズ、3……グレーティング素子、4,8,15…
…ビームスプリッタ、5,16……集光レンズ、6……記録
媒体、7……収束レンズ、9……トラックエラー検出
器、10……ナイフエッジ、11……フォーカスエラー検出
器、12……半導体レーザ、14……シリンドリカルレン
ズ、17……検出光学系。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram of a transmission type grating element for explaining the operation of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a beam spot on a recording medium. , FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional optical pickup device. In the figure, 1 ... Array type semiconductor laser, 2, 13 ... Collimating lens, 3 ... Grating element, 4, 8, 15 ...
… Beam splitter, 5,16 …… Condenser lens, 6 …… Recording medium, 7 …… Convergent lens, 9 …… Track error detector, 10 …… Knife edge, 11 …… Focus error detector, 12 …… Semiconductor laser, 14 ... Cylindrical lens, 17 ... Detection optical system.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザの出射光を微小スポットにし
て記録媒体に照射し、前記記録媒体からの光を光検出器
に導く光学系を備える光ピックアップ装置において、前
記半導体レーザとして発振軸モードがマルチモードであ
る半導体レーザと、前記半導体レーザと前記記録媒体と
の間に、波長によって回折角の異なる透過型または反射
型グレーティング素子の回折光を利用する光路変換素子
とを備え、前記記録媒体上に長円形スポットを形成する
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
1. An optical pickup device comprising an optical system for irradiating a recording medium with emitted light of a semiconductor laser as a minute spot and guiding the light from the recording medium to a photodetector, wherein the semiconductor laser has an oscillation axis mode. On the recording medium, a multimode semiconductor laser and an optical path conversion element that uses diffracted light of a transmission type or reflection type grating element having different diffraction angles depending on wavelengths are provided between the semiconductor laser and the recording medium. An optical pickup device, characterized in that an elliptical spot is formed on the surface.
JP61155543A 1986-07-01 1986-07-01 Optical pickup device Expired - Lifetime JPH0766559B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158319A (en) * 1980-05-09 1981-12-07 Mitsubishi Electric Corp Light projecting device
JPS59146013A (en) * 1983-12-23 1984-08-21 Sony Corp Optical device
JPS6154688A (en) * 1984-08-25 1986-03-18 Fujitsu Ltd Semiconductor light-emitting device

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JPS6310338A (en) 1988-01-16

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