JPH0792926B2 - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JPH0792926B2
JPH0792926B2 JP61150366A JP15036686A JPH0792926B2 JP H0792926 B2 JPH0792926 B2 JP H0792926B2 JP 61150366 A JP61150366 A JP 61150366A JP 15036686 A JP15036686 A JP 15036686A JP H0792926 B2 JPH0792926 B2 JP H0792926B2
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JP
Japan
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recording medium
spot
light
semiconductor laser
pickup device
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豊 山中
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ピックアップ装置に関し、特に、光照射によ
り情報の記録、再生および消去を行う光情報記録装置に
適合する光ピックアップ装置に関する。
The present invention relates to an optical pickup device, and more particularly to an optical pickup device adapted to an optical information recording device for recording, reproducing and erasing information by light irradiation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の光ピックアップ装置においては、光照射
により情報の記録を行なう記録媒体としては、多結晶と
アモルファスとの間の相変化を利用するものがあり、こ
の媒体材料としては、Te−O−Ge−Sn合金系またはTe−
Se−Sn合金系などが用いられている。これらの材料の特
徴は、材料に温度変化を与える場合、急速加熱,急速冷
却を行なうとアモルファス化し、比較的ゆっくりとした
加熱,冷却を行なうと結晶化することである。この相変
化によって、その材料の表面の反射率も変化するので、
微弱な光を照射することで相状態を知ることができる。
この相変化を用いることにより、情報の記録、再生およ
び消去を行うことが可能である。
Conventionally, in this type of optical pickup device, as a recording medium for recording information by light irradiation, there is a recording medium which utilizes a phase change between polycrystalline and amorphous. -Ge-Sn alloy system or Te-
Se-Sn alloy system is used. A characteristic of these materials is that when a temperature change is applied to the materials, they are made amorphous by rapid heating and rapid cooling, and crystallized by relatively slow heating and cooling. Due to this phase change, the reflectance of the surface of the material also changes,
The phase state can be known by irradiating weak light.
By using this phase change, it is possible to record, reproduce and erase information.

光ディスク形状において、結晶からアモルファスへ、ア
モルファスから結晶へと、双方の相変化を1トラック幅
内にて実現する手段としては、第3図の平面図に示され
るように、光ピックアップから記録媒体6上に対する円
形スポット102および長円形スポット103を形成するもの
がある。第3図において、記録媒体6が矢印101の方向
に一定速度で移動しているものとすると、高いパワーの
円形スポット102により記録媒体6の急熱、急冷が行わ
れ、比較的低いパワーの長円形スポット103により記録
媒体6の徐熱、徐冷が行われて、前記手段が実現され
る。この円形スポット102により情報ビットの形成を行
い、長円形スポット103により情報ビットの消去を行え
ば、1トラック幅ごとに記録および消去を実現すること
ができる。
As shown in the plan view of FIG. 3, as a means for realizing a phase change from crystal to amorphous and from amorphous to crystal within one track width in the shape of an optical disk, as shown in the plan view of FIG. Some form a circular spot 102 and an oblong spot 103 to the top. In FIG. 3, assuming that the recording medium 6 is moving in the direction of arrow 101 at a constant speed, the circular spot 102 of high power causes the recording medium 6 to be rapidly heated and rapidly cooled, resulting in a relatively low power. The circular spot 103 gradually heats and slowly cools the recording medium 6 to realize the above means. If information bits are formed by the circular spots 102 and information bits are erased by the oval spots 103, recording and erasing can be realized for each track width.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来の光ピックアップ装置は、第4図に示され
るように、円形スポットと長円形スポットとを形成する
ために、波長の異なる二つの半導体レーザからの出射光
を合波する方法が用いられている。第4図において、半
導体レーザ12からの出射光は、コリメートレンズ14によ
りコリメート化され、偏光ビームスプリッタ18において
反射されて、1/4波長板17および集光レンズ16を介して
記録媒体6上に円形スポットとして集光される。記録媒
体6からの反射光は、集光レンズ16、1/4波長板17、偏
光ビームスプリッタ18、1/4波長板19および波長フィル
タ20を介して、検出光学系22に導かれる。一方、長円形
スポットを形成する半導体レーザ13からの出射光は、コ
リメートレンズ15およびシリンドリカルレンズ21を通過
し、偏光ビームスプリッタ18において反射されて、1/4
波長板19を介して波長フィルタ20に到達する。この波長
の光は反射されて記録媒体6上に集光される。しかしな
がら、この従来の光ピックアップ装置は、その構成が複
雑であり形状も大型化するとともに、円形スポットおよ
び長円形スポットの焦点位置合わせが困難であるという
欠点がある。
As shown in FIG. 4, the above-mentioned conventional optical pickup device uses a method of combining emitted lights from two semiconductor lasers having different wavelengths in order to form a circular spot and an oval spot. ing. In FIG. 4, the light emitted from the semiconductor laser 12 is collimated by the collimator lens 14, reflected by the polarization beam splitter 18, and passed through the quarter-wave plate 17 and the condenser lens 16 onto the recording medium 6. It is collected as a circular spot. The reflected light from the recording medium 6 is guided to the detection optical system 22 via the condenser lens 16, the 1/4 wavelength plate 17, the polarization beam splitter 18, the 1/4 wavelength plate 19 and the wavelength filter 20. On the other hand, the emitted light from the semiconductor laser 13 forming the elliptical spot passes through the collimating lens 15 and the cylindrical lens 21, is reflected by the polarization beam splitter 18, and
It reaches the wavelength filter 20 via the wave plate 19. Light of this wavelength is reflected and condensed on the recording medium 6. However, this conventional optical pickup device has the drawbacks that the configuration is complicated and the shape is large, and it is difficult to focus the circular spot and the elliptical spot.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザの出射光
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして、それぞれ独
立に駆動可能な複数の発光点を有し、且つ前記発光点の
内の少なくとも一つの発光点の発振軸モードがマルチモ
ードであるアレイ型の半導体レーザと、前記半導体レー
ザと前記記録媒体との間に、波長によって回折角の異な
る透過型または反射型グレーティング素子の回折光を利
用する光路変換素子とを備えて構成される。
The optical pickup device of the present invention is an optical pickup device including an optical system that irradiates a recording medium with emitted light of a semiconductor laser as a minute spot and guides light from the recording medium to a photodetector, wherein the semiconductor laser is: An array type semiconductor laser having a plurality of light emitting points that can be independently driven, and an oscillation axis mode of at least one of the light emitting points is a multimode, the semiconductor laser, and the recording medium. And an optical path conversion element that utilizes the diffracted light of a transmissive or reflective grating element having a different diffraction angle depending on the wavelength.

〔作 用〕[Work]

第2図において、ピッチがdの透過型のグレーティング
素子3に対して、波長λの光が入射角θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
In FIG. 2, considering the case where light of wavelength λ is incident on the transmissive grating element 3 having a pitch of d at an incident angle θ, the following equation holds.

d sinθ=λ 入射光の波長がΔλ変化すると、出射光のビーム角度は
次式のΔθだけ変化する。
d sin θ = λ When the wavelength of the incident light changes by Δλ, the beam angle of the outgoing light changes by Δθ in the following equation.

Δθ=sinθ・(Δλ/λ) 集光レンズの焦点距離をfとすると、記録媒体上におい
てはf・(Δθ)のスポット中心のずれとなる。θ=30
゜、λ=800nm(ナノ・メートル)、Δλ=0.3nmおよび
f=4mm(ミリ・メートル)とすると、f・(Δθ)
0.7μm(ミクロン)となる。一方、共振器長300μmの
半導体レーザの軸モード間隔は約0.3nmであるので、Δ
λの波長変化に対応して、隣接軸モード間においてスポ
ット位置が0.7μmずれることになる。一つの軸モード
による円形スポット径の大きさが1μmφ程度であるの
で、半導体レーザがマルチモード発振をしている状態に
おいては、モード数に対応する長さの長円形スポットを
記録媒体上に形成することができる。このことは、グレ
ーティング素子の代りに反射型のグレーティング素子を
用いる場合も、その効果は同様である。グレーティング
素子としては、単純格子だけでなく、集光レンズ等の代
りに使用されるオフアクシス型のゾーンプレートレンズ
でもよく、また、ブレーズ型格子でも回折効率が十分に
得られる。
Δθ = sin θ · (Δλ / λ) When the focal length of the condenser lens is f, the spot center shifts by f · (Δθ) on the recording medium. θ = 30
If ゜, λ = 800nm (nanometer), Δλ = 0.3nm and f = 4mm (millimeter meter), then f ・ (Δθ)
It becomes 0.7 μm (micron). On the other hand, the axial mode interval of a semiconductor laser with a cavity length of 300 μm is about 0.3 nm, so Δ
The spot position shifts by 0.7 μm between the adjacent axis modes according to the change in the wavelength of λ. Since the size of the circular spot diameter due to one axis mode is about 1 μmφ, an elliptical spot having a length corresponding to the number of modes is formed on the recording medium when the semiconductor laser is oscillating in multimode. be able to. This also applies to the case where a reflective grating element is used instead of the grating element. The grating element may be not only a simple grating but also an off-axis type zone plate lens used in place of a condenser lens or the like, and a blazed type grating can sufficiently obtain diffraction efficiency.

光源としては、複数の発光点を独立に駆動することがで
きるアレイ型の半導体レーザを用い、少くとも一つの発
光点の軸モードがマルチモードであり、他の発光点が単
一モードであれば、グレーティング素子により容易に円
形スポットと長円形スポットとの両スポットを形成する
ことができる。光源の発光点が三つ以上ある場合には、
記録および消去だけでなく、記録前後または消去前後の
ディスク状態のチェック等が可能となる。
As the light source, an array-type semiconductor laser capable of independently driving a plurality of light emitting points is used, and if at least one light emitting point has a multi-mode axial mode and the other light emitting points are a single mode. Both the circular spot and the oval spot can be easily formed by the grating element. If the light source has three or more emission points,
In addition to recording and erasing, it is possible to check the disc state before and after recording or erasing.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明について図面を参照して説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の構成を示す図である。第
1図に示されるように、本実施例は、アレイ型半導体レ
ーザ1と、コリメートレンズ2と、グレーティング素子
3と、ビームスプリッタ4と、集光レンズ5と、収束レ
ンズ7と、ビームスプリッタ8と、トラックエラー検出
器9と、ナイフエッジ10と、フォーカスエラー検出器11
と、を備えており、記録媒体6に対応して構成される。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in this embodiment, an array type semiconductor laser 1, a collimating lens 2, a grating element 3, a beam splitter 4, a condenser lens 5, a condenser lens 7, and a beam splitter 8 are used. , Track error detector 9, knife edge 10, focus error detector 11
And are provided corresponding to the recording medium 6.

第1図において、アレイ型半導体レーザ1からの出射ビ
ームは、コリメートレンズ2によりコリメートされグレ
ーティング素子3により光路が曲げられて、ビームスプ
リッタ4に送られる。更に、ビームスプリッタ4および
集光レンズ5を介して記録媒体6上にスポットとして収
束される。この場合、発光点が単一モードであれば円形
スポットが形成され、マルチモードであれば長円形スポ
ットが形成される。記録媒体6からの反射光は、ビーム
スプリッタ4および収束レンズ7を経由してビームスプ
リッタ8に入射され、ビームスプリッタ8において分離
されて、一部はトラックエラー検出器9に、一部はナイ
フエッジ10を介してフォーカスエラー検出器11に、それ
ぞれ入射される。これらの反射光よりスポット位置エラ
ーが検出される。本実施例の構成においては、グレーテ
ィング素子3は楕円ビームを円形化するビーム整形機能
をも兼え備えている。なお、グレーティング素子3の配
置位置は、ビームスプリッタ4と集光レンズ5との間に
設定されてもよい。
In FIG. 1, the beam emitted from the array type semiconductor laser 1 is collimated by the collimator lens 2, the optical path is bent by the grating element 3, and is sent to the beam splitter 4. Further, it is converged as a spot on the recording medium 6 via the beam splitter 4 and the condenser lens 5. In this case, a circular spot is formed when the light emitting point is in the single mode, and an elliptical spot is formed when the light emitting point is in the multi mode. The reflected light from the recording medium 6 enters the beam splitter 8 via the beam splitter 4 and the converging lens 7 and is separated by the beam splitter 8, part of which is the track error detector 9 and part of which is the knife edge. The light is incident on the focus error detector 11 via 10. A spot position error is detected from these reflected lights. In the configuration of this embodiment, the grating element 3 also has a beam shaping function for circularizing the elliptical beam. The arrangement position of the grating element 3 may be set between the beam splitter 4 and the condenser lens 5.

なお、アレイ型半導体レーザの複数の発光点を同時に発
光させ、それぞれの発光点に対応する各スポットからの
反射光を個別に受光する場合には、反射ビームを集束し
て分離し、アレイ型光検出器等により、それぞれの光を
受光すればよい。
In addition, when a plurality of light emitting points of the array type semiconductor laser are simultaneously emitted and the reflected light from each spot corresponding to each light emitting point is individually received, the reflected beam is focused and separated to obtain the array type light. Each light may be received by a detector or the like.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、比較的簡易な構成によ
り、所定の円形スポットおよび長円形スポットを容易に
形成することのできる光ピックアップ装置を提供するこ
とができるという効果がある。
As described above, the present invention has an effect that it is possible to provide an optical pickup device that can easily form a predetermined circular spot and elliptical spot with a relatively simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示す図、第2図は本
発明の作用を説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第3図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第4図は、従来の光ピックアップ装置の構成を示す
図である。 図において、1……アレイ型半導体レーザ、2,14,15…
…コリメートレンズ、3……グレーティング素子、4,8
……ビームスプリッタ、5,16……集光レンズ、6……記
録媒体、7……集束レンズ、9……トラックエラー検出
器、10……ナイフエッジ、11……フォーカスエラー検出
器、12,13……半導体レーザ、17,19……1/4波長板、18
……偏光ビームスプリッタ、20……波長フィルタ、21…
…シリンドリカルレンズ、22……検出光学系。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram of a transmission type grating element for explaining the operation of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a beam spot on a recording medium. , FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional optical pickup device. In the figure, 1 ... Array type semiconductor laser, 2, 14, 15 ...
… Collimating lens, 3 …… Grating element, 4,8
...... Beam splitter, 5,16 ...... Condenser lens, 6 …… Recording medium, 7 …… Focusing lens, 9 …… Track error detector, 10 …… Knife edge, 11 …… Focus error detector, 12, 13 …… Semiconductor laser, 17,19 …… 1/4 wave plate, 18
...... Polarizing beam splitter, 20 …… Wavelength filter, 21…
… Cylindrical lens, 22… Detection optical system.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザの出射光を微小スポットにし
て記録媒体に照射し、前記記録媒体からの光を光検出器
に導く光学系を備える光ピックアップ装置において、前
記半導体レーザとして、それぞれ独立に駆動可能な複数
の発光点を有し、且つ前記発光点の内の少なくとも一つ
の発光点の発振軸モードがマルチモードであるアレイ型
の半導体レーザと、前記半導体レーザと前記記録媒体と
の間に、波長によって回折角の異なる透過型または反射
型グレーティング素子の回折光を利用する光路変換素子
とを備え、前記記録媒体上に円形スポットと長円形スポ
ットとを同時に形成することを特徴とする光ピックアッ
プ装置。
1. An optical pickup device comprising an optical system for irradiating a recording medium with emitted light of a semiconductor laser as a minute spot and guiding the light from the recording medium to a photodetector, wherein each of the semiconductor lasers is independently provided. An array type semiconductor laser having a plurality of drivable light emitting points, and the oscillation axis mode of at least one of the light emitting points being a multimode, and between the semiconductor laser and the recording medium. An optical path conversion element that uses diffracted light of a transmission type or reflection type grating element having different diffraction angles depending on wavelengths, and a circular spot and an oval spot are simultaneously formed on the recording medium. apparatus.
JP61150366A 1986-06-25 1986-06-25 Optical pickup device Expired - Lifetime JPH0792926B2 (en)

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