JPH0765428A - 熱磁気記録再生消去方法および装置 - Google Patents
熱磁気記録再生消去方法および装置Info
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- JPH0765428A JPH0765428A JP5206146A JP20614693A JPH0765428A JP H0765428 A JPH0765428 A JP H0765428A JP 5206146 A JP5206146 A JP 5206146A JP 20614693 A JP20614693 A JP 20614693A JP H0765428 A JPH0765428 A JP H0765428A
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- erasing
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
- G11B13/045—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties combined recording by magnetic and optic means
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1409—Heads
Abstract
(57)【要約】
【目的】 テラビット級の超高密度記録および高速消去
ができる記録再生消去方法及び装置を提供する。 【構成】 先鋭化した電極を用いて記録媒体に電圧を印
加し、電流が流れることにより発生する熱をエネルギ源
として磁区を記録する。微小領域で発熱するため微小磁
区記録が可能であり、さらに記録媒体内に電極を設ける
ことで一括消去もできる。 【効果】 従来の光記録に比べてはるかに高密度な記録
が可能であり、さらに一括消去も可能なテラビット級の
熱磁気記録再生消去方法、記録媒体および記録再生消去
装置を提供することができる。
ができる記録再生消去方法及び装置を提供する。 【構成】 先鋭化した電極を用いて記録媒体に電圧を印
加し、電流が流れることにより発生する熱をエネルギ源
として磁区を記録する。微小領域で発熱するため微小磁
区記録が可能であり、さらに記録媒体内に電極を設ける
ことで一括消去もできる。 【効果】 従来の光記録に比べてはるかに高密度な記録
が可能であり、さらに一括消去も可能なテラビット級の
熱磁気記録再生消去方法、記録媒体および記録再生消去
装置を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録または消去を行う
熱磁気記録において、特に超高密度記録に有用な熱磁気
記録再生消去方法、記録媒体および記録再生消去装置に
関する。
熱磁気記録において、特に超高密度記録に有用な熱磁気
記録再生消去方法、記録媒体および記録再生消去装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは書き換え可能な大容量
メモリとして注目されており、パーソナルコンピュータ
やＯＡ機器等に広く用いられつつある。今後さらに情報
化社会が進展するなかで、特にイメージを含むマルチメ
ディア情報が増加する傾向にあり、光磁気ディスクはさ
らなる大容量，高密度化を求められている。
メモリとして注目されており、パーソナルコンピュータ
やＯＡ機器等に広く用いられつつある。今後さらに情報
化社会が進展するなかで、特にイメージを含むマルチメ
ディア情報が増加する傾向にあり、光磁気ディスクはさ
らなる大容量，高密度化を求められている。
【０００３】光磁気ディスクの記録原理は、レーザ光を
照射することにより記録媒体内に発生する熱をエネルギ
源として、磁化方向を反転させることにある。現製品の
光磁気ディスクでは、波長７８０〜８３０ｎｍのレーザ
光を用いて、約０．８μｍの磁区を記録し再生してい
る。この波長を４００〜５００ｎｍと短くすれば、レン
ズで絞りこむ光スポットの直径は光の波長に比例するの
で、０．４〜０．５μｍの磁区を記録し、分離して読み
だすことが可能となる。さらに、現製品では記録磁区
（ピット）の中心位置を記録データに対応させるいわゆ
るピットポジション方式を用いているが、データ位置を
ピットの前縁と後縁に対応させるいわゆるピットエッジ
記録を採用することによって、一つの磁区に２個の情報
を盛り込むことができる。このような種々の手法により
光磁気ディスクの高密度化が図られている。
照射することにより記録媒体内に発生する熱をエネルギ
源として、磁化方向を反転させることにある。現製品の
光磁気ディスクでは、波長７８０〜８３０ｎｍのレーザ
光を用いて、約０．８μｍの磁区を記録し再生してい
る。この波長を４００〜５００ｎｍと短くすれば、レン
ズで絞りこむ光スポットの直径は光の波長に比例するの
で、０．４〜０．５μｍの磁区を記録し、分離して読み
だすことが可能となる。さらに、現製品では記録磁区
（ピット）の中心位置を記録データに対応させるいわゆ
るピットポジション方式を用いているが、データ位置を
ピットの前縁と後縁に対応させるいわゆるピットエッジ
記録を採用することによって、一つの磁区に２個の情報
を盛り込むことができる。このような種々の手法により
光磁気ディスクの高密度化が図られている。
【０００４】しかし、レーザ光を短波長化した場合で
も、計算上の記録密度は現製品の約４倍である約２Ｇｂ
／ｉｎ2（ギガビット／平方インチ）に留まる。また、
ピットエッジ記録を用いることによる高密度化も約２倍
であり、飛躍的な高密度化は望めない。さらに他の技術
を用いても、約１０Ｇｂ／ｉｎ2であるという報告があ
り〔ワイ ツノダ，プロシ−デイングズ オブ エムオ
−ア−ルアイエス ９１，ジャ−ナル オブ マグネテ
ィクス ソサエテイ オブ ジャパン（Ｙ．Ｔｓｕｎｏ
ｄａ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＭＯＲ−ＩＳ’
９１，Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ，Ｊｐｎ．），Ｖｏｌ．１
５，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ Ｎｏ．Ｓ１（１９９１），
ｐｐ１４７−１４８〕、超高密度記録を実現するまでに
至っていない。
も、計算上の記録密度は現製品の約４倍である約２Ｇｂ
／ｉｎ2（ギガビット／平方インチ）に留まる。また、
ピットエッジ記録を用いることによる高密度化も約２倍
であり、飛躍的な高密度化は望めない。さらに他の技術
を用いても、約１０Ｇｂ／ｉｎ2であるという報告があ
り〔ワイ ツノダ，プロシ−デイングズ オブ エムオ
−ア−ルアイエス ９１，ジャ−ナル オブ マグネテ
ィクス ソサエテイ オブ ジャパン（Ｙ．Ｔｓｕｎｏ
ｄａ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＭＯＲ−ＩＳ’
９１，Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ，Ｊｐｎ．），Ｖｏｌ．１
５，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ Ｎｏ．Ｓ１（１９９１），
ｐｐ１４７−１４８〕、超高密度記録を実現するまでに
至っていない。
【０００５】１９９２年ＡＴ＆Ｔ社のＥ．Ｂｅｔｚｉｇ
らは、ＮＳＯＭ（Ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ Ｓｃａｎｎｉ
ｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）の技術
を用いて４５Ｇｂ／ｉｎ2の高密度記録を実現した。こ
の技術は光ファイバにレーザ光を導入し、光ファイバの
先端をディスク表面に接近させて、もれ出た光を照射す
るものであり、レンズで絞り込んだときにレーザ光の波
長で制限されるスポット径以下の微小スポットを照射す
ることができる。しかし、ここでも１Ｔｂ／ｉｎ2（テ
ラビット／平方インチ）以上の記憶容量を実現すること
は困難であった。
らは、ＮＳＯＭ（Ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ Ｓｃａｎｎｉ
ｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）の技術
を用いて４５Ｇｂ／ｉｎ2の高密度記録を実現した。こ
の技術は光ファイバにレーザ光を導入し、光ファイバの
先端をディスク表面に接近させて、もれ出た光を照射す
るものであり、レンズで絞り込んだときにレーザ光の波
長で制限されるスポット径以下の微小スポットを照射す
ることができる。しかし、ここでも１Ｔｂ／ｉｎ2（テ
ラビット／平方インチ）以上の記憶容量を実現すること
は困難であった。
【０００６】消去方法では重ね書きのできない光磁気デ
ィスクの場合、外部磁界を印加しながらＤＣ光を照射
し、ある温度まで昇温した領域を外部磁界の方向になら
わせて消去を行なう。このようなレーザを用いて消去す
る方法ではデータの一括消去はできなかった。
ィスクの場合、外部磁界を印加しながらＤＣ光を照射
し、ある温度まで昇温した領域を外部磁界の方向になら
わせて消去を行なう。このようなレーザを用いて消去す
る方法ではデータの一括消去はできなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光の
波長で決まる限界よりも小さなピッチの超高密度記録、
すなわち、テラビット級の超高密度記録および高速消去
を行うことのできる熱磁気記録再生消去方法、記録媒体
および記録再生消去装置を提供することにある。
波長で決まる限界よりも小さなピッチの超高密度記録、
すなわち、テラビット級の超高密度記録および高速消去
を行うことのできる熱磁気記録再生消去方法、記録媒体
および記録再生消去装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の目
的を達成するために検討を重ねた結果、本発明に至った
ものである。
的を達成するために検討を重ねた結果、本発明に至った
ものである。
【０００９】すなわち、本発明にかかる熱磁気記録再生
消去方法は、情報の記録・消去を行なう熱磁気記録再生
消去方法において、先鋭化した電極と磁性膜を有する記
録媒体表面を１０ｎｍ以下に接近させて電流を流すこと
により発生する熱をエネルギ源として磁化方向を変化さ
せて記録または消去を行ない、その記録された磁区の少
なくとも一方向の長さが３００ｎｍ以下であることを特
徴とするものである。この時、発生する熱で記録媒体内
の磁化方向を変化させる際に、外部から磁界を印加する
のが好ましい。外部磁界を印加することにより、記録の
際は磁化が一方向にそろった形状の良好な磁区が形成さ
れ、消去の際は消し残りがなくなるため、高い信頼性を
有する記録再生消去方法を提供できる。
消去方法は、情報の記録・消去を行なう熱磁気記録再生
消去方法において、先鋭化した電極と磁性膜を有する記
録媒体表面を１０ｎｍ以下に接近させて電流を流すこと
により発生する熱をエネルギ源として磁化方向を変化さ
せて記録または消去を行ない、その記録された磁区の少
なくとも一方向の長さが３００ｎｍ以下であることを特
徴とするものである。この時、発生する熱で記録媒体内
の磁化方向を変化させる際に、外部から磁界を印加する
のが好ましい。外部磁界を印加することにより、記録の
際は磁化が一方向にそろった形状の良好な磁区が形成さ
れ、消去の際は消し残りがなくなるため、高い信頼性を
有する記録再生消去方法を提供できる。
【００１０】また、本発明にかかる記録再生消去装置
は、先鋭化した電極を記録媒体に接近あるいは接触させ
る手段および電圧を印加する手段を有することを特徴と
するものである。先鋭化した電極にはプローブ電極を用
いることが好ましい。先端部の鋭いプローブ電極と記録
媒体の間に電圧を印加することにより、記録媒体内に局
所的に電流が流れ、微小領域に熱が発生する。この時、
電極先端と記録媒体表面とを５ｎｍ以下に近接あるいは
接触させて電圧をかけると極微小領域に熱が発生し、数
十ｎｍ以下の極微小記録が可能となる。その他、先鋭化
した電極として、先鋭化した光ファイバを用いることも
好ましい。用いる光ファイバは導電膜でコーティングさ
れており、光ファイバと記録媒体との間に電流を流すこ
とができる。ただし、光ファイバ自体が導電性である場
合は必ずしも導電膜でコーティングする必要はない。ま
た、再生時には光ファイバにレーザ光を導入して記録媒
体上に照射できるように、光ファイバの先端はピンホー
ルが開いていることが好ましい。
は、先鋭化した電極を記録媒体に接近あるいは接触させ
る手段および電圧を印加する手段を有することを特徴と
するものである。先鋭化した電極にはプローブ電極を用
いることが好ましい。先端部の鋭いプローブ電極と記録
媒体の間に電圧を印加することにより、記録媒体内に局
所的に電流が流れ、微小領域に熱が発生する。この時、
電極先端と記録媒体表面とを５ｎｍ以下に近接あるいは
接触させて電圧をかけると極微小領域に熱が発生し、数
十ｎｍ以下の極微小記録が可能となる。その他、先鋭化
した電極として、先鋭化した光ファイバを用いることも
好ましい。用いる光ファイバは導電膜でコーティングさ
れており、光ファイバと記録媒体との間に電流を流すこ
とができる。ただし、光ファイバ自体が導電性である場
合は必ずしも導電膜でコーティングする必要はない。ま
た、再生時には光ファイバにレーザ光を導入して記録媒
体上に照射できるように、光ファイバの先端はピンホー
ルが開いていることが好ましい。
【００１１】情報は、光磁気ディスクと同様に記録磁区
の大きさまたは形状を変えることによって記録される。
この時、先鋭化した電極に印加する電圧および電圧を印
加する時間を変える等の手段により電流値等を調節し、
発生する熱および記録媒体の上昇温度さらに昇温領域を
制御する。
の大きさまたは形状を変えることによって記録される。
この時、先鋭化した電極に印加する電圧および電圧を印
加する時間を変える等の手段により電流値等を調節し、
発生する熱および記録媒体の上昇温度さらに昇温領域を
制御する。
【００１２】消去方法は、記録媒体内にある領域ごとに
電極を設置し、電極に電圧を印加して電流を流すことに
より発生する熱をエネルギ源として、その領域内の磁性
体の磁化方向を一度に変化させて情報の一括消去を行な
う。このように、消去用の電極を形成することにより、
高速消去が可能となる。
電極を設置し、電極に電圧を印加して電流を流すことに
より発生する熱をエネルギ源として、その領域内の磁性
体の磁化方向を一度に変化させて情報の一括消去を行な
う。このように、消去用の電極を形成することにより、
高速消去が可能となる。
【００１３】記録媒体は、記録層として磁性膜を少なく
とも１層もった記録媒体を用いる。この磁性膜は微小磁
区を記録するために垂直磁化膜であることが望ましい。
ただし、本発明の記録再生消去方法では、面内磁化膜で
も情報を記録することは可能である。また、記録媒体
は、電圧を印加することにより電流が流れて発熱し、磁
性膜が昇温するものであればどのような構造でも良い
が、磁性膜に電流が流れて発熱する構造が好ましい。磁
性膜に電流が流れなくても、磁性膜以外の記録媒体内に
電流が流れて発熱し、その放熱を受けて磁性膜が昇温す
る構造であっても良い。
とも１層もった記録媒体を用いる。この磁性膜は微小磁
区を記録するために垂直磁化膜であることが望ましい。
ただし、本発明の記録再生消去方法では、面内磁化膜で
も情報を記録することは可能である。また、記録媒体
は、電圧を印加することにより電流が流れて発熱し、磁
性膜が昇温するものであればどのような構造でも良い
が、磁性膜に電流が流れて発熱する構造が好ましい。磁
性膜に電流が流れなくても、磁性膜以外の記録媒体内に
電流が流れて発熱し、その放熱を受けて磁性膜が昇温す
る構造であっても良い。
【００１４】具体的には、導電性のある磁性膜を最表面
に設けた場合は、直接電流が磁性膜を流れやすいために
微小電流で記録できる。また、保護膜を最表面に設けて
もよい。保護膜が導電性の場合、その膜厚は１０ｎｍ以
下が望ましい。１０ｎｍより厚いと、主に金属膜に電流
が流れて放射状に広がり微小磁区記録が困難になる。ま
た、保護膜に窒化シリコンなどの絶縁膜を設けた場合で
も、電界放射電流が流れる膜厚であれば、記録可能であ
る。
に設けた場合は、直接電流が磁性膜を流れやすいために
微小電流で記録できる。また、保護膜を最表面に設けて
もよい。保護膜が導電性の場合、その膜厚は１０ｎｍ以
下が望ましい。１０ｎｍより厚いと、主に金属膜に電流
が流れて放射状に広がり微小磁区記録が困難になる。ま
た、保護膜に窒化シリコンなどの絶縁膜を設けた場合で
も、電界放射電流が流れる膜厚であれば、記録可能であ
る。
【００１５】また、微小磁区を記録するために、記録層
の下に電気伝導率の高い物質、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ等の金属層を設置し、プローブ電極から磁性膜
を通過して金属層に電流が流れるようにすると良い。こ
のような構造にすることにより、電流が磁性膜中に広が
ることなく金属層に流れるので、磁性膜での熱の発散を
防ぐことができ、結果として微小磁区を記録できる。
の下に電気伝導率の高い物質、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ等の金属層を設置し、プローブ電極から磁性膜
を通過して金属層に電流が流れるようにすると良い。こ
のような構造にすることにより、電流が磁性膜中に広が
ることなく金属層に流れるので、磁性膜での熱の発散を
防ぐことができ、結果として微小磁区を記録できる。
【００１６】さらに、記録媒体内での発熱が主に磁性膜
以外の層であり、磁性膜以外の層で発生した熱を磁性膜
に伝導することによって磁性膜を昇温し磁化方向を変化
させても良い。この時、磁性膜以外の層は、磁性膜より
電気伝導率が小さい、例えば、窒化シリコンなどの絶縁
膜、および半導体膜が挙げられる。
以外の層であり、磁性膜以外の層で発生した熱を磁性膜
に伝導することによって磁性膜を昇温し磁化方向を変化
させても良い。この時、磁性膜以外の層は、磁性膜より
電気伝導率が小さい、例えば、窒化シリコンなどの絶縁
膜、および半導体膜が挙げられる。
【００１７】磁性膜は、光ディスクで用いられているよ
うな垂直磁化膜が良い。ＰｔとＣｏを数原子層の膜厚で
交互に多層積層したＰｔ／Ｃｏ多層膜は、大きな垂直磁
気異方性を有しているために形状の良い微小磁区が記録
でき、さらに耐食性に優れているので好ましい。Ｐｔ／
Ｃｏ多層膜以外にもＮｉ／Ｃｏ，Ｐｔ／Ｆｅ，Ｐｄ／Ｃ
ｏ，Ｐｄ／Ｆｅ等の白金族−遷移金属多層膜でもよい。
また、希土類−鉄族元素非晶質合金のような磁性膜を用
いてもよい。この場合は、磁性膜を最表面に設置すると
酸化する恐れがあるので、磁性膜の上部に保護膜を設け
ることが望ましい。磁性膜は上記に限られるものではな
く、光ディスクの記録媒体として用いられる磁性膜であ
ればよい。その他にも磁気ディスク等で用いられる磁気
記録媒体、例えば、ＣｏＯ，ＣｏＣｒＰｔなども適当で
ある。
うな垂直磁化膜が良い。ＰｔとＣｏを数原子層の膜厚で
交互に多層積層したＰｔ／Ｃｏ多層膜は、大きな垂直磁
気異方性を有しているために形状の良い微小磁区が記録
でき、さらに耐食性に優れているので好ましい。Ｐｔ／
Ｃｏ多層膜以外にもＮｉ／Ｃｏ，Ｐｔ／Ｆｅ，Ｐｄ／Ｃ
ｏ，Ｐｄ／Ｆｅ等の白金族−遷移金属多層膜でもよい。
また、希土類−鉄族元素非晶質合金のような磁性膜を用
いてもよい。この場合は、磁性膜を最表面に設置すると
酸化する恐れがあるので、磁性膜の上部に保護膜を設け
ることが望ましい。磁性膜は上記に限られるものではな
く、光ディスクの記録媒体として用いられる磁性膜であ
ればよい。その他にも磁気ディスク等で用いられる磁気
記録媒体、例えば、ＣｏＯ，ＣｏＣｒＰｔなども適当で
ある。
【００１８】基板は、Ａｌ基板のような導電性のある基
板でも、ポリカーボネート基板やガラス基板、あるいは
ガラス基板上にＵＶ樹脂を積層したような基板であって
も、なんら支障はない。
板でも、ポリカーボネート基板やガラス基板、あるいは
ガラス基板上にＵＶ樹脂を積層したような基板であって
も、なんら支障はない。
【００１９】
【作用】本発明にかかる熱磁気記録再生消去方法では、
先鋭化した電極を用いて記録媒体の微小領域に電流を流
し情報の記録・消去を行なう。電流が流れた部分および
その周辺部分のみが発熱するため微小領域を昇温させる
ことができ、結果として超微小磁区を記録することがで
きる。さらに、消去時には、ある領域ごとに設置した電
極間に電流を流すことにより一定領域を昇温させ、一括
消去を行なうこともできるので高速消去が可能である。
従って、本発明により超高密度熱磁気記録および／また
は高速消去を実現できる。
先鋭化した電極を用いて記録媒体の微小領域に電流を流
し情報の記録・消去を行なう。電流が流れた部分および
その周辺部分のみが発熱するため微小領域を昇温させる
ことができ、結果として超微小磁区を記録することがで
きる。さらに、消去時には、ある領域ごとに設置した電
極間に電流を流すことにより一定領域を昇温させ、一括
消去を行なうこともできるので高速消去が可能である。
従って、本発明により超高密度熱磁気記録および／また
は高速消去を実現できる。
【００２０】
【実施例】図１はＡＦＭ（Ａｔｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，原子間力顕微鏡）を本発明に適用
した具体例を示す。ここでは、ＡＦＭ探針をプローブ電
極として使用した。このＡＦＭ探針は媒体表面上に一定
な力で接触させることができる。接触力は約１０-10〜
１０-6Ｎであり、プローブ電極は媒体表面と約０．５ｎ
ｍ以下の一定間隙で接触を保つ。このＡＦＭの機能に電
圧印加手段を加え、記録手段とする。ＡＦＭ探針を導電
膜で被膜し探針と媒体との間に電圧を印加する。また、
この探針が媒体表面上の所望の位置にあるとき、電圧パ
ルスを印加できるような電気回路を設けている。
ｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，原子間力顕微鏡）を本発明に適用
した具体例を示す。ここでは、ＡＦＭ探針をプローブ電
極として使用した。このＡＦＭ探針は媒体表面上に一定
な力で接触させることができる。接触力は約１０-10〜
１０-6Ｎであり、プローブ電極は媒体表面と約０．５ｎ
ｍ以下の一定間隙で接触を保つ。このＡＦＭの機能に電
圧印加手段を加え、記録手段とする。ＡＦＭ探針を導電
膜で被膜し探針と媒体との間に電圧を印加する。また、
この探針が媒体表面上の所望の位置にあるとき、電圧パ
ルスを印加できるような電気回路を設けている。
【００２１】次に各機能を説明する。
【００２２】ＡＦＭ部は、探針を含むカンチレバー、こ
のカンチレバーの変位を計測して原子間力を検出する半
導体レーザ、ポジションセンサ、およびポジションセン
サ用位置検出回路で構成する光てこ部、この検出信号を
一定に保つためのサーボ回路および探針・媒体表面間隙
制御用圧電素子、および探針を媒体表面に接近する探針
接近機構部（図示していない）から構成されている。
のカンチレバーの変位を計測して原子間力を検出する半
導体レーザ、ポジションセンサ、およびポジションセン
サ用位置検出回路で構成する光てこ部、この検出信号を
一定に保つためのサーボ回路および探針・媒体表面間隙
制御用圧電素子、および探針を媒体表面に接近する探針
接近機構部（図示していない）から構成されている。
【００２３】探針接近機構で探針を媒体表面に接近させ
て探針に斥力が加わるようにすると、カンチレバーは斥
力によりたわみ、このたわみの変位がカンチレバー上に
入射されたレーザ光の強度変化として計測されて、ポジ
ションセンサ用位置検出回路の出力信号が変化する。こ
の出力信号の変化は探針の受ける力が自由状態から斥力
状態に変化した時に発生した力に相当する。これをサー
ボ回路で一定にサーボすると、媒体表面上に探針を一定
の斥力状態で保持することができる。斥力（接触力）は
ほぼ１０-10〜１０-6Ｎの範囲で設定する。
て探針に斥力が加わるようにすると、カンチレバーは斥
力によりたわみ、このたわみの変位がカンチレバー上に
入射されたレーザ光の強度変化として計測されて、ポジ
ションセンサ用位置検出回路の出力信号が変化する。こ
の出力信号の変化は探針の受ける力が自由状態から斥力
状態に変化した時に発生した力に相当する。これをサー
ボ回路で一定にサーボすると、媒体表面上に探針を一定
の斥力状態で保持することができる。斥力（接触力）は
ほぼ１０-10〜１０-6Ｎの範囲で設定する。
【００２４】この状態で探針を媒体表面に沿ってＸＹ方
向にラスタ走査し、所望の位置で電圧パルスを印加す
る。このパルス印加により、近接した探針・媒体表面と
の間の接触抵抗部分で熱が発生する。この熱を利用し
て、媒体温度を媒体のキュリー温度付近あるいはその温
度以上にすると、昇温領域の磁化方向を変化させること
ができる。このとき、磁性膜に垂直磁化膜を用いた場
合、媒体内に存在する反磁界により昇温領域の磁化方向
は反転する。反磁界とは、磁区が形成される場所の周り
の領域から生じる漏れ磁界である。この反磁界を利用し
て記録を行う場合は、記録磁区の周囲の磁化方向が記録
磁区の磁化と反対方向であることが必要である。従っ
て、磁区を記録する場合、隣接した記録磁区から一定距
離を保って記録しなければならないので、記録密度が低
くなる。また、円形でない記録磁区を、良好な形状に、
しかも安定に記録することは困難である。このため、記
録したい方向に外部磁界を印加することにより、微小磁
区を密に記録できるようにして記録密度を増し、さらに
磁区を安定に記録できるようにした。この例は、接触抵
抗を利用し局所部分を加熱することによる熱磁気記録を
実現した例である。また、情報消去の場合も外部からの
磁界を加えることが必要である。
向にラスタ走査し、所望の位置で電圧パルスを印加す
る。このパルス印加により、近接した探針・媒体表面と
の間の接触抵抗部分で熱が発生する。この熱を利用し
て、媒体温度を媒体のキュリー温度付近あるいはその温
度以上にすると、昇温領域の磁化方向を変化させること
ができる。このとき、磁性膜に垂直磁化膜を用いた場
合、媒体内に存在する反磁界により昇温領域の磁化方向
は反転する。反磁界とは、磁区が形成される場所の周り
の領域から生じる漏れ磁界である。この反磁界を利用し
て記録を行う場合は、記録磁区の周囲の磁化方向が記録
磁区の磁化と反対方向であることが必要である。従っ
て、磁区を記録する場合、隣接した記録磁区から一定距
離を保って記録しなければならないので、記録密度が低
くなる。また、円形でない記録磁区を、良好な形状に、
しかも安定に記録することは困難である。このため、記
録したい方向に外部磁界を印加することにより、微小磁
区を密に記録できるようにして記録密度を増し、さらに
磁区を安定に記録できるようにした。この例は、接触抵
抗を利用し局所部分を加熱することによる熱磁気記録を
実現した例である。また、情報消去の場合も外部からの
磁界を加えることが必要である。
【００２５】次に、ＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎ
ｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，走査型トンネル
電子顕微鏡）のように金属探針を媒体に近接させ、トン
ネル電流あるいは電界放射電流により、媒体の微小部分
を加熱する具体例を示す。
ｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，走査型トンネル
電子顕微鏡）のように金属探針を媒体に近接させ、トン
ネル電流あるいは電界放射電流により、媒体の微小部分
を加熱する具体例を示す。
【００２６】まず、前述したＡＦＭと同様に探針を媒体
表面に接近させる。例えば、探針に電圧を印加してトン
ネル電流を検出し、そのトンネル電流を１ｎＡ以内にサ
ーボすることにより、探針は媒体表面から１ｎｍ離れた
位置に保持される。この状態で探針をＸ，Ｙ，Ｚに一時
的にホールドし、探針にパルス電圧を加える。その結
果、トンネル抵抗あるいは電界放射抵抗によるジュール
熱が発生し、熱磁気記録を行うことができる。ただし、
ここでは常に探針を一時的にホールドしなければならな
いことで、書き込み時間がＡＦＭ動作よりも遅いなどの
欠点がある。
表面に接近させる。例えば、探針に電圧を印加してトン
ネル電流を検出し、そのトンネル電流を１ｎＡ以内にサ
ーボすることにより、探針は媒体表面から１ｎｍ離れた
位置に保持される。この状態で探針をＸ，Ｙ，Ｚに一時
的にホールドし、探針にパルス電圧を加える。その結
果、トンネル抵抗あるいは電界放射抵抗によるジュール
熱が発生し、熱磁気記録を行うことができる。ただし、
ここでは常に探針を一時的にホールドしなければならな
いことで、書き込み時間がＡＦＭ動作よりも遅いなどの
欠点がある。
【００２７】次に、先鋭化した電極に光ファイバを用い
た場合の例を挙げる。光ファイバは先端を鋭く加工して
から導電膜で被膜し、さらに先端部には、光ファイバに
導入した光がもれ出るようにピンホールを形成する。こ
の光ファイバの先端部を記録媒体に接近させ、ＡＦＭと
同様に、パルス電圧を加えて電流を流すことにより記録
する。再生時には、レーザを光ファイバに導入し、先端
部のピンホールからもれ出る光のカー回転角あるいは／
およびファラデー回転角の変化を検出できる。
た場合の例を挙げる。光ファイバは先端を鋭く加工して
から導電膜で被膜し、さらに先端部には、光ファイバに
導入した光がもれ出るようにピンホールを形成する。こ
の光ファイバの先端部を記録媒体に接近させ、ＡＦＭと
同様に、パルス電圧を加えて電流を流すことにより記録
する。再生時には、レーザを光ファイバに導入し、先端
部のピンホールからもれ出る光のカー回転角あるいは／
およびファラデー回転角の変化を検出できる。
【００２８】本発明での記録消去と再生の組み合わせは
上記に限るものではなく、その他、ＡＦＭ動作モードあ
るいはＳＴＭ動作モードで電圧パルスにより書き込みを
行ない、ＭＦＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｅ，磁気力顕微鏡）動作モードで読み出
しを行なってもよい。さらに、ＡＦＭ動作モードあるい
はＳＴＭ動作モードで記録し、再生技術としてＮＳＯＭ
を用いても良い。また、ＸＹ方向の走査ではなく、記録
媒体を回転させて行う、いわゆる、ディスク型の記録・
再生方法も可能である。
上記に限るものではなく、その他、ＡＦＭ動作モードあ
るいはＳＴＭ動作モードで電圧パルスにより書き込みを
行ない、ＭＦＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｅ，磁気力顕微鏡）動作モードで読み出
しを行なってもよい。さらに、ＡＦＭ動作モードあるい
はＳＴＭ動作モードで記録し、再生技術としてＮＳＯＭ
を用いても良い。また、ＸＹ方向の走査ではなく、記録
媒体を回転させて行う、いわゆる、ディスク型の記録・
再生方法も可能である。
【００２９】（実施例１）ＡＦＭ装置を用いて実際に記
録を行なった。本実施例に用いた記録媒体を図２に示
す。記録媒体は、Ａｌ基板上にＡｕ層を５０ｎｍ積層
し、その上にＰｔ１．５ｎｍ，Ｃｏ０．５ｎｍを交互に
８組積層したＰｔ／Ｃｏ多層膜とした。Ａｕでコーティ
ングしたプローブ電極を記録媒体に接触させ、８０ｎｍ
ずつプローブ電極を移動させながら、順次、パルス電圧
を印加した。電圧は４Ｖ，電圧印加時間は１ｍｓｅｃで
ある。この時、外部磁界は３００Ｏｅとした。この記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約５０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
録を行なった。本実施例に用いた記録媒体を図２に示
す。記録媒体は、Ａｌ基板上にＡｕ層を５０ｎｍ積層
し、その上にＰｔ１．５ｎｍ，Ｃｏ０．５ｎｍを交互に
８組積層したＰｔ／Ｃｏ多層膜とした。Ａｕでコーティ
ングしたプローブ電極を記録媒体に接触させ、８０ｎｍ
ずつプローブ電極を移動させながら、順次、パルス電圧
を印加した。電圧は４Ｖ，電圧印加時間は１ｍｓｅｃで
ある。この時、外部磁界は３００Ｏｅとした。この記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約５０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
【００３０】さらに、プローブ電極を記録媒体から１ｎ
ｍの距離に近接させて、電圧１０Ｖ，電圧印加時間１ｍ
ｓｅｃにてプローブ電極を移動させながら、順次パルス
電圧を印加した場合も、直径約５０ｎｍの円形磁区が形
成されていた。
ｍの距離に近接させて、電圧１０Ｖ，電圧印加時間１ｍ
ｓｅｃにてプローブ電極を移動させながら、順次パルス
電圧を印加した場合も、直径約５０ｎｍの円形磁区が形
成されていた。
【００３１】本実施例での磁性膜はＰｔ／Ｃｏ多層膜を
用いたが、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜以外にもＮｉ／Ｃｏ，Ｐｔ
／Ｆｅ，Ｐｄ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｆｅ等の白金族−遷移金属
多層膜でも本発明の効果は変わらない。
用いたが、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜以外にもＮｉ／Ｃｏ，Ｐｔ
／Ｆｅ，Ｐｄ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｆｅ等の白金族−遷移金属
多層膜でも本発明の効果は変わらない。
【００３２】（実施例２）本実施例では、先端を鋭く加
工した後でＰｔをコーティングし、さらに先端にピンホ
ールを形成した光ファイバを電極として用いた場合を示
す。記録媒体はガラス基板上に窒化シリコン５０ｎｍを
積層し、続けてＴｂＦｅＣｏ膜２０ｎｍ、窒化シリコン
を５ｎｍ積層した記録媒体を用いた。光ファイバの先端
を記録媒体から２ｎｍの距離に接近させ、実施例１と同
様に順次パルス電圧を印加した。外部磁界は４００Ｏｅ
である。その後、波長５１５ｎｍのＡｒレーザを光ファ
イバに導入して、先端部のピンホールからもれ出る光を
記録媒体に照射して磁区を観察したところ、直径約９０
ｎｍの磁区が観察された。
工した後でＰｔをコーティングし、さらに先端にピンホ
ールを形成した光ファイバを電極として用いた場合を示
す。記録媒体はガラス基板上に窒化シリコン５０ｎｍを
積層し、続けてＴｂＦｅＣｏ膜２０ｎｍ、窒化シリコン
を５ｎｍ積層した記録媒体を用いた。光ファイバの先端
を記録媒体から２ｎｍの距離に接近させ、実施例１と同
様に順次パルス電圧を印加した。外部磁界は４００Ｏｅ
である。その後、波長５１５ｎｍのＡｒレーザを光ファ
イバに導入して、先端部のピンホールからもれ出る光を
記録媒体に照射して磁区を観察したところ、直径約９０
ｎｍの磁区が観察された。
【００３３】（実施例３）本実施例では、実施例１で用
いた記録媒体のＰｔ／Ｃｏ多層膜上にさらに保護膜とし
て窒化シリコン膜１．５ｎｍを設けた記録媒体に記録し
た場合を示す。Ｐｔでコーティングしたプローブ電極を
保護膜に接触させ、電圧１５Ｖにて１００ｎｍずつプロ
ーブ電極を移動させながら、順次、パルス電圧を印加し
た。この時、外部磁界は１００Ｏｅとした。かかる記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約８０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
いた記録媒体のＰｔ／Ｃｏ多層膜上にさらに保護膜とし
て窒化シリコン膜１．５ｎｍを設けた記録媒体に記録し
た場合を示す。Ｐｔでコーティングしたプローブ電極を
保護膜に接触させ、電圧１５Ｖにて１００ｎｍずつプロ
ーブ電極を移動させながら、順次、パルス電圧を印加し
た。この時、外部磁界は１００Ｏｅとした。かかる記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約８０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
【００３４】本実施例のように記録媒体に保護膜が積層
されている場合は、磁性膜が最表面に積層されていると
きよりも高い電圧を必要とする。
されている場合は、磁性膜が最表面に積層されていると
きよりも高い電圧を必要とする。
【００３５】また、記録媒体では希土類−鉄族元素非晶
質合金を磁性膜とした場合も本発明の効果は変わらな
い。この場合、磁性膜の上部に設ける保護膜の厚さは５
ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。前記範囲以下では磁
性膜の耐食性が悪化し、後記範囲を越えると印加する電
圧が５０Ｖ以上と高くなる。磁性層はさらにＣｏＯ，Ｐ
ｔＭｎＳｂ，ガーネット等の光磁気記録媒体，ＣｏＣｒ
Ｐｔなどの磁気記録媒体でも記録可能であった。
質合金を磁性膜とした場合も本発明の効果は変わらな
い。この場合、磁性膜の上部に設ける保護膜の厚さは５
ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。前記範囲以下では磁
性膜の耐食性が悪化し、後記範囲を越えると印加する電
圧が５０Ｖ以上と高くなる。磁性層はさらにＣｏＯ，Ｐ
ｔＭｎＳｂ，ガーネット等の光磁気記録媒体，ＣｏＣｒ
Ｐｔなどの磁気記録媒体でも記録可能であった。
【００３６】（実施例４）本実施例では、実施例１で用
いた記録媒体のＰｔ／Ｃｏ多層膜上にさらに保護膜とし
てＡｌ合金膜２ｎｍを設けた記録媒体に記録した場合を
示す。導電性を有するカーボンから成るプローブ電極を
保護膜に接触させ、電圧１３Ｖにて２００ｎｍずつプロ
ーブ電極を移動させながら、順次パルス電圧を印加し
た。この時、外部磁界は３００Ｏｅとした。かかる記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約７０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
いた記録媒体のＰｔ／Ｃｏ多層膜上にさらに保護膜とし
てＡｌ合金膜２ｎｍを設けた記録媒体に記録した場合を
示す。導電性を有するカーボンから成るプローブ電極を
保護膜に接触させ、電圧１３Ｖにて２００ｎｍずつプロ
ーブ電極を移動させながら、順次パルス電圧を印加し
た。この時、外部磁界は３００Ｏｅとした。かかる記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約７０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
【００３７】さらに、保護膜としてＡｌ合金膜を１５ｎ
ｍ積層した記録媒体を用いた場合、記録できる最も小さ
い磁区の直径は磁性膜が最表面に積層されているときよ
りも高い電圧を必要とする。
ｍ積層した記録媒体を用いた場合、記録できる最も小さ
い磁区の直径は磁性膜が最表面に積層されているときよ
りも高い電圧を必要とする。
【００３８】（実施例５）本実施例では、記録媒体に電
極を設け、実施例１で用いた装置を用いて記録および消
去を行なった。
極を設け、実施例１で用いた装置を用いて記録および消
去を行なった。
【００３９】ガラス基板上に縦５０００ｎｍ，横５００
ｎｍ，高さ１０ｎｍのＡｕ電極を５０００ｎｍの距離を
隔てて設置し、その間にＰｄ１．３ｎｍ，Ｃｏ０．７ｎ
ｍを交互に５組積層したＰｄ／Ｃｏ多層膜を積層した記
録媒体を作製した。実施例１と同様にＰｄ／Ｃｏ多層膜
にプローブ電極を接触させ、電圧３Ｖで５０ｎｍずつプ
ローブ電極を移動させながら、順次、パルス電圧を印加
した。この時の外部磁界は１５０Ｏｅとした。この記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約５０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
ｎｍ，高さ１０ｎｍのＡｕ電極を５０００ｎｍの距離を
隔てて設置し、その間にＰｄ１．３ｎｍ，Ｃｏ０．７ｎ
ｍを交互に５組積層したＰｄ／Ｃｏ多層膜を積層した記
録媒体を作製した。実施例１と同様にＰｄ／Ｃｏ多層膜
にプローブ電極を接触させ、電圧３Ｖで５０ｎｍずつプ
ローブ電極を移動させながら、順次、パルス電圧を印加
した。この時の外部磁界は１５０Ｏｅとした。この記録
媒体の磁化方向をＭＦＭを用いて観察したところ、直径
約５０ｎｍの円形磁区が形成されていることがわかっ
た。
【００４０】さらに、この記録媒体のＡｕ電極に電圧を
印加して電極間に電流を流したところ、記録されていた
情報が一括消去されていることを確認した。この時の外
部磁界は−５００Ｏｅである。
印加して電極間に電流を流したところ、記録されていた
情報が一括消去されていることを確認した。この時の外
部磁界は−５００Ｏｅである。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、従来の光記録に比べて
はるかに高密度な記録が可能であり、さらに部分的に一
括消去もできるテラビット級の熱磁気記録再生消去方
法、記録媒体および記録再生消去装置を提供することが
できる。
はるかに高密度な記録が可能であり、さらに部分的に一
括消去もできるテラビット級の熱磁気記録再生消去方
法、記録媒体および記録再生消去装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の実施例における記録再生消去装置のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】本発明の実施例における記録媒体の断面図であ
る。
る。
１…ポジションセンサ、２…半導体レーザ、３…カンチ
レバー、４…導電膜、５…スイッチ、６…記録・消去電
圧源、７…記録媒体、８…トライポッド型スキャナ、９
…ＸＹ駆動制御装置、１０…表示装置、１１…サーボ回
路、１２…変位検出器、１３…探針、１４…レーザ光、
１５…Ｚ制御信号、１６…ＸＹ走査信号、１７…基板、
１８…金属膜、１９…磁性膜。
レバー、４…導電膜、５…スイッチ、６…記録・消去電
圧源、７…記録媒体、８…トライポッド型スキャナ、９
…ＸＹ駆動制御装置、１０…表示装置、１１…サーボ回
路、１２…変位検出器、１３…探針、１４…レーザ光、
１５…Ｚ制御信号、１６…ＸＹ走査信号、１７…基板、
１８…金属膜、１９…磁性膜。
Claims (6)
- 【請求項１】情報の記録または消去を行なう熱磁気記録
再生消去方法において、先鋭化した電極と、磁性膜を有
する記録媒体の表面とを、１０ｎｍ以下に近接させて電
流を流すことにより発生する熱をエネルギ源として、磁
化方向を変化させて情報を記録または消去し、記録され
た磁区の少なくとも一方向の長さが３００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする熱磁気記録再生消去方法。 - 【請求項２】上記発生した熱で前記記録媒体内の磁化方
向を変化させる際に、外部から磁界を印加して記録また
は消去を行なうことを特徴とする請求項１記載の熱磁気
記録再生消去方法。 - 【請求項３】熱磁気記録再生消去方法において、ある領
域ごとに電極を設置し、電極に電圧を印加して電流を流
すことにより発生する熱をエネルギ源として、その領域
内の磁性膜の磁化方向を一度に変化させて情報の一括消
去を行なうことを特徴とする熱磁気記録再生消去方法。 - 【請求項４】情報の記録、再生または消去を行なう記録
再生消去装置において、プローブ電極と、前記プローブ
電極を記録媒体に近接あるいは接触させる手段、および
前記プローブ電極・記録媒体間に電圧を印加する手段を
有し、電流を流すことにより発生するジュール熱により
情報を記録または消去することを特徴とする熱磁気記録
再生消去装置。 - 【請求項５】情報の記録、再生または消去を行なう記録
再生消去装置において、先鋭化されかつ導電膜でコーテ
ィングされた光ファイバと、前記光ファイバの先端を記
録媒体に近接あるいは接触させる手段および光ファイバ
と記録媒体との間に電圧を印加する手段を有し、電流を
流すことにより発生するジュール熱により情報を記録ま
たは消去することを特徴とする熱磁気記録再生消去装
置。 - 【請求項６】磁化の方向により情報を記録または消去す
る記録媒体において、先鋭化した電極と磁性膜を有する
記録媒体表面を１０ｎｍ以下に接近させて電流を流すこ
とにより発生する熱をエネルギ源として、情報を記録ま
たは消去し、記録された磁区の少なくとも一方向の長さ
が３００ｎｍ以下である熱磁気記録再生消去方法に用い
る記録媒体の記録層として、垂直磁化膜を少なくとも１
層有することを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206146A JPH0765428A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 熱磁気記録再生消去方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206146A JPH0765428A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 熱磁気記録再生消去方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765428A true JPH0765428A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16518558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5206146A Pending JPH0765428A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 熱磁気記録再生消去方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765428A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998036409A1 (fr) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Procede d'enregistrement magnetique |
| US7068377B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-06-27 | Georgia-Tech Rsearch Corporation | System and method for surface profiling a target object |
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| US7518737B2 (en) | 2002-03-29 | 2009-04-14 | Georgia Tech Research Corp. | Displacement-measuring optical device with orifice |
| US7752898B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-07-13 | Georgia Tech Research Corporation | Devices for probe microscopy |
| US7797757B2 (en) | 2006-08-15 | 2010-09-14 | Georgia Tech Research Corporation | Cantilevers with integrated actuators for probe microscopy |
| US8220318B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-07-17 | Georgia Tech Research Corporation | Fast microscale actuators for probe microscopy |
| JP2017073189A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 株式会社アイ・オー・データ機器 | 磁気ディスク装置 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP5206146A patent/JPH0765428A/ja active Pending
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