JPH0761867B2 - 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 - Google Patents
複合酸化物超電導薄膜の作製方法Info
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- JPH0761867B2 JPH0761867B2 JP62332302A JP33230287A JPH0761867B2 JP H0761867 B2 JPH0761867 B2 JP H0761867B2 JP 62332302 A JP62332302 A JP 62332302A JP 33230287 A JP33230287 A JP 33230287A JP H0761867 B2 JPH0761867 B2 JP H0761867B2
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超電導薄膜の製造方法に関する。より詳細に
は、優れた超電導特性を有し、組成および組織の均一な
超電導薄膜の作製方法に関する。
は、優れた超電導特性を有し、組成および組織の均一な
超電導薄膜の作製方法に関する。
従来の技術 電子の相転移であるといわれる超電導現象は、特定の条
件下で導体の電気抵抗が零の状態となり完全な反磁性を
示す現象である。
件下で導体の電気抵抗が零の状態となり完全な反磁性を
示す現象である。
エレクトロニクスの分野では各種の超電導素子が知られ
ている。代表的なものとしては、超電導材料どうしを弱
く接合した場合に、印加電流によって量子効果が巨視的
に現れるジョセフソン効果を利用した素子が挙げられ
る。
ている。代表的なものとしては、超電導材料どうしを弱
く接合した場合に、印加電流によって量子効果が巨視的
に現れるジョセフソン効果を利用した素子が挙げられ
る。
トンネル接合型ジョセフソン素子は、超電導材料のエネ
ルギーギャップが小さいことから、極めて高速な低電力
消費のスイッチング素子として期待されている。また、
電磁波や磁場に対するジョセフソン効果が正確な量子現
象として現れることから、スイッチング素子を磁場、マ
イクロ波、放射線等の超高感度センサとして利用するこ
とも期待されている。さらに、電子回路の集積度が高く
なるにつれて単位面積当たりの消費電力が冷却能力の限
界に達する。そこで超高速計算機には超電導素子の開発
が要望されている。
ルギーギャップが小さいことから、極めて高速な低電力
消費のスイッチング素子として期待されている。また、
電磁波や磁場に対するジョセフソン効果が正確な量子現
象として現れることから、スイッチング素子を磁場、マ
イクロ波、放射線等の超高感度センサとして利用するこ
とも期待されている。さらに、電子回路の集積度が高く
なるにつれて単位面積当たりの消費電力が冷却能力の限
界に達する。そこで超高速計算機には超電導素子の開発
が要望されている。
一方、様々な努力にもかかわらず、超電導材料の超電導
臨界温度Tcは長期間に亘ってNb3Geの23Kを越えることが
できなかったが、昨年末来、〔La,Ba〕2CuO4または〔L
a,Sr〕2CuO4等の酸化物の焼結材が高いTcをもつ超電導
材料として発見され、非低温超電導を実現する可能性が
大きく高まれている。これらの物質では、30乃至50Kと
いう従来に比べて飛躍的に高いTcが観測され、70K以上
のTcも観測されている。
臨界温度Tcは長期間に亘ってNb3Geの23Kを越えることが
できなかったが、昨年末来、〔La,Ba〕2CuO4または〔L
a,Sr〕2CuO4等の酸化物の焼結材が高いTcをもつ超電導
材料として発見され、非低温超電導を実現する可能性が
大きく高まれている。これらの物質では、30乃至50Kと
いう従来に比べて飛躍的に高いTcが観測され、70K以上
のTcも観測されている。
また、YBCOと称されるY1Ba2Cu3O７−ｘで表される複合
酸化物は、90K級の超電導体であることが発表されてい
る。これら複合酸化物超電導体の超電導特性には、結晶
中の酸素欠陥が大きな役割を果たしている。すなわち、
結晶中の酸素欠陥が適正でないと、Tcは低く、また、オ
ンセット温度と抵抗が完全に０となる温度との差も大き
くなる。
酸化物は、90K級の超電導体であることが発表されてい
る。これら複合酸化物超電導体の超電導特性には、結晶
中の酸素欠陥が大きな役割を果たしている。すなわち、
結晶中の酸素欠陥が適正でないと、Tcは低く、また、オ
ンセット温度と抵抗が完全に０となる温度との差も大き
くなる。
発明が解決しようとする問題点 従来、例えば、YBCO系超電導薄膜を作製する際には、YB
a2Cu3O７−ｘ焼結体をターゲットとしてスパッタリング
等の物理蒸着で成膜し、酸素含有雰囲気で700〜1000℃
に加熱する熱処理（アニール）を行っていた。
a2Cu3O７−ｘ焼結体をターゲットとしてスパッタリング
等の物理蒸着で成膜し、酸素含有雰囲気で700〜1000℃
に加熱する熱処理（アニール）を行っていた。
上記の熱処理を行わないと、薄膜は超電導性を示さない
か、また、超電導性を示しても超電導臨界温度、臨界電
流等の諸特性は非常に悪い。これは、超電導体結晶中の
酸素欠陥が上記のアニールにより適正化されるためであ
ると考えられている。
か、また、超電導性を示しても超電導臨界温度、臨界電
流等の諸特性は非常に悪い。これは、超電導体結晶中の
酸素欠陥が上記のアニールにより適正化されるためであ
ると考えられている。
しかしながら、従来行っていた上記のようなアニールで
はまだ不十分で、超電導特性は経時的に悪化したり、ま
た、特性そのものにもばらつきがあった。
はまだ不十分で、超電導特性は経時的に悪化したり、ま
た、特性そのものにもばらつきがあった。
そこで、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
し、高い臨界温度Tcを始めとする優れた超電導諸特性を
安定的に有し、均一な組成および組織の複合酸化物超電
導材料の薄膜を作製する方法を提供することにある。
し、高い臨界温度Tcを始めとする優れた超電導諸特性を
安定的に有し、均一な組成および組織の複合酸化物超電
導材料の薄膜を作製する方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明に従うと、周期律表IIa族元素から選択された少
なくとも１種の元素α、周期律表IIIa族元素から選択さ
れた少なくとも１種の元素β、周期律表Ib、IIb、III
b、IVa、VIIIa族元素から選択された少なくとも１種の
元素γを含有する複合酸化物超電導体薄膜を作製する方
法において、蒸着源として上記元素α、βおよびγの単
体を組み合わせたもの、および／または上記元素α、β
およびγを含む酸化物を用いて物理蒸着を行い、酸化物
の薄膜を形成した後、酸素含有雰囲気中で上記の薄膜を
600乃至700℃に加熱し、１時間以上該薄膜温度を保持
し、その後さらに薄膜を900乃至950℃に加熱し、該薄膜
温度を１時間以上保持する熱処理を行うことを特徴とす
る複合酸化物超電導薄膜の作製方法が提供される。
なくとも１種の元素α、周期律表IIIa族元素から選択さ
れた少なくとも１種の元素β、周期律表Ib、IIb、III
b、IVa、VIIIa族元素から選択された少なくとも１種の
元素γを含有する複合酸化物超電導体薄膜を作製する方
法において、蒸着源として上記元素α、βおよびγの単
体を組み合わせたもの、および／または上記元素α、β
およびγを含む酸化物を用いて物理蒸着を行い、酸化物
の薄膜を形成した後、酸素含有雰囲気中で上記の薄膜を
600乃至700℃に加熱し、１時間以上該薄膜温度を保持
し、その後さらに薄膜を900乃至950℃に加熱し、該薄膜
温度を１時間以上保持する熱処理を行うことを特徴とす
る複合酸化物超電導薄膜の作製方法が提供される。
本発明の方法で作製される複合酸化物超電導薄膜は、下
記一般式： （α１−ｘβｘ）γｙＯｚ （但し、αは周期律表IIa族族に含まれる元素であり、
βは周期律表IIIa族に含まれる元素であり、γは周期律
表Ib、IIb、IIIb、IVaおよびIIIa族から選択される少な
くとも１つの元素であり、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.1≦
ｘ≦0.9、0.4≦ｙ≦3.0、１≦ｚ≦５を満たす数であ
る） で示される複合酸化物で構成されることが好ましい。こ
れらの複合酸化物はペロブスカイト型または擬似ペロブ
スカイト型酸化物を主体としたものと考えられる。
記一般式： （α１−ｘβｘ）γｙＯｚ （但し、αは周期律表IIa族族に含まれる元素であり、
βは周期律表IIIa族に含まれる元素であり、γは周期律
表Ib、IIb、IIIb、IVaおよびIIIa族から選択される少な
くとも１つの元素であり、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.1≦
ｘ≦0.9、0.4≦ｙ≦3.0、１≦ｚ≦５を満たす数であ
る） で示される複合酸化物で構成されることが好ましい。こ
れらの複合酸化物はペロブスカイト型または擬似ペロブ
スカイト型酸化物を主体としたものと考えられる。
上記周期律表IIa族元素αとしては、Ba、Sr、Ca、Ma、B
e等が好ましく、例えば、Ba、Srを挙げることができ、
この元素αの10〜80％をMg、Ca、Srから選択された１種
または２種の元素で置換することもできる。また上記周
期律表IIIa族元素βはとしては、Ｙの他La、Sc、Ce、G
d、Ho、Br、Tm、Yb、Lu等ランタノイド元素が好まし
く、例えばＹ、La、Hoとすることができ、この元素βの
うち、10〜80％をScまたはランタノイド元素から選択さ
れた１種または２種の元素で置換することもできる。前
記元素γは一般にCuであるが、その一部を周期律表Ib、
IIb、IIIb、IVaおよびVIIIa族から選択される元素、例
えば、Ti、Ｖ等で置換することもできる。
e等が好ましく、例えば、Ba、Srを挙げることができ、
この元素αの10〜80％をMg、Ca、Srから選択された１種
または２種の元素で置換することもできる。また上記周
期律表IIIa族元素βはとしては、Ｙの他La、Sc、Ce、G
d、Ho、Br、Tm、Yb、Lu等ランタノイド元素が好まし
く、例えばＹ、La、Hoとすることができ、この元素βの
うち、10〜80％をScまたはランタノイド元素から選択さ
れた１種または２種の元素で置換することもできる。前
記元素γは一般にCuであるが、その一部を周期律表Ib、
IIb、IIIb、IVaおよびVIIIa族から選択される元素、例
えば、Ti、Ｖ等で置換することもできる。
本発明の態様に従うと、上記の複合酸化物超電導薄膜を
形成する基板としては、MgO単結晶、SrTiO3単結晶また
はZrO2単結晶が好ましく、特に、MgO単結晶またはSrTiO
3単結晶基板の成膜面を、｛001｝面または｛011｝面と
することが好ましい。
形成する基板としては、MgO単結晶、SrTiO3単結晶また
はZrO2単結晶が好ましく、特に、MgO単結晶またはSrTiO
3単結晶基板の成膜面を、｛001｝面または｛011｝面と
することが好ましい。
作用 本発明の複合酸化物超電導薄膜の作製方法は、各種物理
蒸着で薄膜を成膜後、O2分圧0.1〜２気圧の雰囲気下に
おいて薄膜を600〜700℃の温度まで加熱、１時間以上保
持した後、さらに薄膜を900〜950℃まで加熱し、その温
度を１時間以上保持するところにその主要な特徴があ
る。
蒸着で薄膜を成膜後、O2分圧0.1〜２気圧の雰囲気下に
おいて薄膜を600〜700℃の温度まで加熱、１時間以上保
持した後、さらに薄膜を900〜950℃まで加熱し、その温
度を１時間以上保持するところにその主要な特徴があ
る。
すなわち、上記の複合酸化物超電導体の超電導特性に
は、その結晶中の酸素欠陥が大きく影響している。特
に、薄膜にした場合、成膜しただけでは酸素欠陥が適正
な範囲から外れた結晶となり、超電導特性が悪い。従っ
て、従来は成膜後酸素含有雰囲気中において700〜1000
℃でアニールしていた。
は、その結晶中の酸素欠陥が大きく影響している。特
に、薄膜にした場合、成膜しただけでは酸素欠陥が適正
な範囲から外れた結晶となり、超電導特性が悪い。従っ
て、従来は成膜後酸素含有雰囲気中において700〜1000
℃でアニールしていた。
しかしながら、従来の方法のアニールは、不十分であ
り、従来の方法で作製された超電導薄膜は超電導特性に
ばらつきがあるだけでなく、経時変化を起こし、超電導
特性が大幅に悪化する。
り、従来の方法で作製された超電導薄膜は超電導特性に
ばらつきがあるだけでなく、経時変化を起こし、超電導
特性が大幅に悪化する。
本発明の方法に従うと、O2分圧0.1〜２気圧雰囲気でア
ニールを行う。O2分圧0.1気圧未満ではアニールしても
超電導体結晶中の酸素欠陥が改善されない。また、O2分
圧が高いと短時間でアニールが完了するが、２気圧より
高い酸素分圧下でアニールしても効果は変わらないだけ
でなく安定した超電導特性が得られない。従って、アニ
ール時のO2分圧は0.1〜２気圧が好ましい。高圧でアニ
ールを行うには、高圧チャンバが必要となる。したがっ
て、特にO2分圧１気圧でアニールを行うことが、アニー
ル時間、装置の経済性から好ましい。
ニールを行う。O2分圧0.1気圧未満ではアニールしても
超電導体結晶中の酸素欠陥が改善されない。また、O2分
圧が高いと短時間でアニールが完了するが、２気圧より
高い酸素分圧下でアニールしても効果は変わらないだけ
でなく安定した超電導特性が得られない。従って、アニ
ール時のO2分圧は0.1〜２気圧が好ましい。高圧でアニ
ールを行うには、高圧チャンバが必要となる。したがっ
て、特にO2分圧１気圧でアニールを行うことが、アニー
ル時間、装置の経済性から好ましい。
また、本発明の方法に従うと、アニールは薄膜を600〜7
00℃、好ましくは650℃に加熱し、その温度を１時間以
上好ましくは６時間保った後、さらに900〜950℃、好ま
しくは920℃に加熱し、その温度を１時間以上好ましく
は６時間保つ。これは、本発明者等の実験により得られ
たもので、上記の熱処理を行うことにより、複合酸化物
超電導薄膜は、緻密な構造を有するようになり、Tc、Jc
ともに従来のものより向上する。
00℃、好ましくは650℃に加熱し、その温度を１時間以
上好ましくは６時間保った後、さらに900〜950℃、好ま
しくは920℃に加熱し、その温度を１時間以上好ましく
は６時間保つ。これは、本発明者等の実験により得られ
たもので、上記の熱処理を行うことにより、複合酸化物
超電導薄膜は、緻密な構造を有するようになり、Tc、Jc
ともに従来のものより向上する。
本発明の態様では、基板温度を100〜1000℃にして蒸着
を行う。基板温度が、100℃未満の時に成膜しても、上
記超電導体は結晶性が悪く薄膜にならず、また基板温度
が1000℃を超える超電導体中に液相が生じ、得られる超
電導薄膜の特性は極端に悪化する。
を行う。基板温度が、100℃未満の時に成膜しても、上
記超電導体は結晶性が悪く薄膜にならず、また基板温度
が1000℃を超える超電導体中に液相が生じ、得られる超
電導薄膜の特性は極端に悪化する。
本発明の態様に従うと、上記の複合酸化物超電導薄膜を
形成する基板としては、MgO単結晶、SrTiO3単結晶また
はZrO2単結晶基板が好ましい。特に、MgO単結晶基板ま
たはSrTiO3単結晶基板の｛001｝面または｛011｝面を成
膜面として用いることが好ましい。
形成する基板としては、MgO単結晶、SrTiO3単結晶また
はZrO2単結晶基板が好ましい。特に、MgO単結晶基板ま
たはSrTiO3単結晶基板の｛001｝面または｛011｝面を成
膜面として用いることが好ましい。
本発明の複合酸化物超電導体は、その電気抵抗に結晶異
方性を有する。すなわち、結晶のａ軸およびｂ軸で決定
される面に平行な方向に電流が流れ易い。上記の基板の
上記成膜面上に形成された複合酸化物超電導薄膜は、そ
の結晶のｃ軸が基板成膜面に対し垂直または垂直に近い
角度となるため、特に臨界電流密度Jcが大きくなる。従
って、MgO単結晶基板またはSrTiO3単結晶基板の｛001｝
面を成膜面として用いることが好ましい。また、｛01
1｝面を用いてｃ軸を基板と平行にし、ｃ軸と垂直な方
向を特定して用いることもできる。さらに、MgO、SrTiO
3は、熱膨脹率が上記の複合酸化物超電導体と近いた
め、加熱、冷却の過程で薄膜に不必要な応力を加えるこ
とがなく、薄膜を破損する恐れもない。
方性を有する。すなわち、結晶のａ軸およびｂ軸で決定
される面に平行な方向に電流が流れ易い。上記の基板の
上記成膜面上に形成された複合酸化物超電導薄膜は、そ
の結晶のｃ軸が基板成膜面に対し垂直または垂直に近い
角度となるため、特に臨界電流密度Jcが大きくなる。従
って、MgO単結晶基板またはSrTiO3単結晶基板の｛001｝
面を成膜面として用いることが好ましい。また、｛01
1｝面を用いてｃ軸を基板と平行にし、ｃ軸と垂直な方
向を特定して用いることもできる。さらに、MgO、SrTiO
3は、熱膨脹率が上記の複合酸化物超電導体と近いた
め、加熱、冷却の過程で薄膜に不必要な応力を加えるこ
とがなく、薄膜を破損する恐れもない。
実施例 以下に本発明を実施例により説明するが、本発明の技術
的範囲はこれらの実施例に何等制限されるものではない
ことは勿論である。
的範囲はこれらの実施例に何等制限されるものではない
ことは勿論である。
本発明の方法で、複合酸化物超電導体を作製した。原料
ターゲットとして、BaCO3とCuOを混合、加熱して得たBa
CuO2、Y2O3およびCuOを混合し、940℃焼結して得たYBa2
Cu3O7焼結体ブロックを用いた。焼結体のY:Ba:Cuの原子
比は、1:2:4.3とした。これは、Cuがスパッタリングさ
れやすく、薄膜の組成とターゲットの組成が変わってし
まうためである。
ターゲットとして、BaCO3とCuOを混合、加熱して得たBa
CuO2、Y2O3およびCuOを混合し、940℃焼結して得たYBa2
Cu3O7焼結体ブロックを用いた。焼結体のY:Ba:Cuの原子
比は、1:2:4.3とした。これは、Cuがスパッタリングさ
れやすく、薄膜の組成とターゲットの組成が変わってし
まうためである。
基板にはMgO単結晶を用い、（001）面を成膜面とした。
スパッタリングガスとして、チャンバ内に8.0×10-2Tor
rのArガスと2.0×10-2TorrのO2ガスを導入、基板温度65
0℃でスパッタリングを行った。成膜速度は、約0.50Å
／秒で膜厚が１μｍになるまで成膜した。
スパッタリングガスとして、チャンバ内に8.0×10-2Tor
rのArガスと2.0×10-2TorrのO2ガスを導入、基板温度65
0℃でスパッタリングを行った。成膜速度は、約0.50Å
／秒で膜厚が１μｍになるまで成膜した。
成膜後、１気圧のO2雰囲気の下で基板温度を670℃に６
時間保ち、その後920℃まで加熱、やはり６時間保持し
た後、７℃／分の冷却速度で冷却した。尚、比較のため
１気圧のO2雰囲気下で基板温度830℃で15時間保持する
従来の方法のアニールも行った。
時間保ち、その後920℃まで加熱、やはり６時間保持し
た後、７℃／分の冷却速度で冷却した。尚、比較のため
１気圧のO2雰囲気下で基板温度830℃で15時間保持する
従来の方法のアニールも行った。
次いで、得られた薄膜の抵抗を測定するためサンプルを
作製した。抵抗測定を行うサンプルは、基板上に形成さ
れた薄膜の両端部分に、さらに真空蒸着で一対のAl電極
を形成し、このAl電極にリード線をハンダ付けした。
作製した。抵抗測定を行うサンプルは、基板上に形成さ
れた薄膜の両端部分に、さらに真空蒸着で一対のAl電極
を形成し、このAl電極にリード線をハンダ付けした。
臨界温度Tco並びにTciの測定は、クライオスタット中で
液体ヘリウムに浸して一旦8Kまで冷却し、試料が超電導
を示すことを確認した後ヒータによって徐々に昇温し、
試料が超電導を失い始め、電気抵抗を示し始める温度
（Tci）と、試料の超電導が消失して常態と同じ電気抵
抗を示す温度（Tco）とを測定した。なお、Tco、Tciの
測定は、超電導薄膜作製直後と１ケ月後の２回行い、経
時変化の影響を調べた。測定の結果を第１表に示す。
液体ヘリウムに浸して一旦8Kまで冷却し、試料が超電導
を示すことを確認した後ヒータによって徐々に昇温し、
試料が超電導を失い始め、電気抵抗を示し始める温度
（Tci）と、試料の超電導が消失して常態と同じ電気抵
抗を示す温度（Tco）とを測定した。なお、Tco、Tciの
測定は、超電導薄膜作製直後と１ケ月後の２回行い、経
時変化の影響を調べた。測定の結果を第１表に示す。
以上の実施例により、本発明の方法に従って作製した超
電導薄膜は、従来の方法で作製した超電導薄膜に較べTc
o、Tci共に高く、しかもその好特性を長期間に亘って維
持することが立証された。
電導薄膜は、従来の方法で作製した超電導薄膜に較べTc
o、Tci共に高く、しかもその好特性を長期間に亘って維
持することが立証された。
発明の効果 以上説明したように、本発明により、従来の超電導体よ
りもはるかに安定した超電導特性を有する酸化物超電導
薄膜および作製方法が提供される。これは、本発明の方
法に独特な、アニールにより初めて可能になったもので
ある。
りもはるかに安定した超電導特性を有する酸化物超電導
薄膜および作製方法が提供される。これは、本発明の方
法に独特な、アニールにより初めて可能になったもので
ある。
従って、本発明を、超電導体を薄膜素子として応用する
分野、例えばジョセフソン素子と呼ばれるマティソー
（Matisoo）のスイッチング素子やアナッカー（Anacke
r）のメモリ素子、さらには超電導量子干渉計（SQUID）
などに利用すると効果的である。
分野、例えばジョセフソン素子と呼ばれるマティソー
（Matisoo）のスイッチング素子やアナッカー（Anacke
r）のメモリ素子、さらには超電導量子干渉計（SQUID）
などに利用すると効果的である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢津 修示 兵庫県伊丹市昆陽北１丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 上代 哲司 兵庫県伊丹市昆陽北１丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (15)
- 【請求項１】周期律表IIa族元素から選択された少なく
とも１種の元素α、周期律表IIIa族元素から選択された
少なくとも１種の元素β、周期律表Ib、IIb、IIIb、IV
a、VIIIa族元素から選択された少なくとも１種の元素γ
を含有する複合酸化物超電導体薄膜を作製する方法にお
いて、蒸着源として上記元素α、βおよびγの単体を組
み合わせたもの、および／または上記元素α、βおよび
γを含む酸化物を用いて物理蒸着を行い、酸化物の薄膜
を形成した後、酸素含有雰囲気中で上記の薄膜を600乃
至700℃に加熱し、１時間以上該薄膜温度を保持し、そ
の後さらに薄膜を900乃至950℃に加熱し、該薄膜温度を
１時間以上保持する熱処理を行うことを特徴とする複合
酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項２】上記熱処理時のO2分圧が、0.1乃至２気圧
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
複合酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項３】上記複合酸化物超電導薄膜が、 一般式：（α１−ｘβｘ）γｙＯｚ （但し、α、β、γは、上記定義の元素であり、ｘはα
＋βに対するβの原子比で、0.1≦ｘ≦0.9であり、ｙお
よびｚは（α１−ｘβｘ）を１とした場合に0.4≦ｙ≦
3.0、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項に記載の複合酸化物超電導
薄膜の作製方法。 - 【請求項４】上記複合酸化物超電導薄膜が、ペロブスカ
イト型または酸素欠陥ペロブスカイト型酸化物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
れか１項に記載の複合酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項５】上記複合酸化物超電導薄膜が、BaおよびＹ
を含み、さらにAl、Fe、Co、Ni、Zn、Cu、Ag、Tiによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含む複合酸化物超電導体で構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載
の複合酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項６】上記複合酸化物超電導薄膜が、 Y1Ba2Cu3O７−ｘ（ただしｘは０＜ｘ＜１を満たす数で
ある） で表される複合酸化物で構成されることを特徴とする特
許請求の範囲第５項に記載の複合酸化物超電導薄膜の作
製方法。 - 【請求項７】上記複合酸化物超電導薄膜が、BaおよびLa
を含み、さらにAl、Fe、Co、Ni、Zn、Cu、Ag、Tiによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含む複合酸化物超電導体で構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載
の複合酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項８】上記複合酸化物超電導薄膜が、 La1Ba2Cu3O７−ｘ（ただしｘは０＜ｘ＜１を満たす数で
ある） で表される複合酸化物で構成されることを特徴とする特
許請求の範囲第７項に記載の超電導体層を有する半導体
基板。 - 【請求項９】上記複合酸化物超電導薄膜が、SrおよびLa
を含み、さらにAl、Fe、Co、Ni、Zn、Cu、Ag、Tiによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含む複合酸化物超電導体で構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載
の複合酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項１０】上記複合酸化物超電導薄膜が、 La1Sr2Cu3O７−ｘ（ただしｘは０＜ｘ＜１を満たす数で
ある） で表される複合酸化物で構成されることを特徴とする特
許請求の範囲第９項に記載の複合酸化物超電導薄膜の作
製方法。 - 【請求項１１】上記複合酸化物超電導薄膜が、Baおよび
Hoを含み、さらにAl、Fe、Co、Ni、Zn、Cu、Ag、Tiによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含む複合酸化物超電導体で構成されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記
載の複合酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項１２】上記複合酸化物超電導薄膜が、 Ho1Ba2Cu3O７−ｘ（ただしｘは０＜ｘ＜１を満たす数で
ある） で表される複合酸化物で構成されることを特徴とする特
許請求の範囲第11項に記載の複合酸化物超電導薄膜の作
製方法。 - 【請求項１３】上記基板として、MgO単結晶、SrTiO3単
結晶またはZrO2単結晶を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第12項のいずれか１項に記載の複合
酸化物超電導薄膜の作製方法。 - 【請求項１４】上記MgO単結晶またはSrTiO3単結晶基板
の成膜面を、｛001｝面または｛011｝面とすることを特
徴とする特許請求の範囲第13項に記載の複合酸化物超電
導薄膜の作製方法。 - 【請求項１５】上記基板が、ガラス、石英、Si、ステン
レス鋼、サファイアおよびセラミックスからなる群より
選択された１種であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第12項のいずれか１項に記載の複合酸化物超
電導薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332302A JPH0761867B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332302A JPH0761867B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01176216A JPH01176216A (ja) | 1989-07-12 |
| JPH0761867B2 true JPH0761867B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=18253442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332302A Expired - Lifetime JPH0761867B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0761867B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11406330B1 (en) | 2018-09-26 | 2022-08-09 | Amazon Technologies, Inc. | System to optically determine blood pressure |
| CN115403065B (zh) * | 2022-08-30 | 2023-08-18 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 一种铯铜卤晶体的制备方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62332302A patent/JPH0761867B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01176216A (ja) | 1989-07-12 |
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