JPH0761806A - 半導体材料の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の方法に比べて、より短時間でより安価
に半導体材料を製造する方法の提供。 【構成】 特定な触媒を使用してヒドロシランモノマー
を脱水素縮合し、得られた縮合物を熱分解する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体材料の製造法に関
し、さらに詳しくは、特定な金属あるいは金属化合物又
はこれと特定なシリル化合物あるいは特定な金属（重）
水素化物との混合物を触媒として、ヒドロシランモノマ
ーを、脱水素縮合させ、得られた縮合物を熱分解して半
導体材料を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコンや化合物半導体な
どの薄膜は、低分子量の原料ガスを高真空下で熱分解あ
るいは化学反応させて基板上に堆積させる気相成長法に
よって製造されてきた。しかし、この方法は大型の真空
装置が必要であること、および膜の堆積速度に制約があ
ることなどの理由で、膜を大面積化するには非常にコス
ト高となる問題点がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の方法
に比べて、より短時間でより安価に半導体材料を製造す
る方法を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の様
な状況に鑑みて鋭意検討した結果、特定な金属あるいは
金属化合物、又はこれと特定なシリル化合物あるいは特
定な金属（重）水素化物との混合物を触媒に用いてヒド
ロシランモノマーを脱水素縮合し、得られた縮合物を熱
分解すると、より短時間でより安価に半導体材料が得ら
れることを見い出し、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明によれば、下記の化７で示されるヒドロモ
ノシラン、化８で示されるヒドロジシラン及び化９で示
されるヒドロシランからなる群から選ばれる１種もしく
は２種以上のヒドロシラン類を、(a) 周期律表第３Ｂ族
〜第７Ｂ族又は第８族から選ばれる少なくとも１種の金
属又は金属化合物、(b) 上記(a) と下記の化１１で示さ
れるシリル化合物との混合物、及び(c) 上記(a) と下記
の化１２で示される金属（重）水素化物との混合物から
なる群から選ばれる触媒の存在下に脱水素縮合し、得ら
れた縮合物を熱分解することからなる半導体材料の製造
法が提供される。

【化７】 （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は互いに異なり、水素、
炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル基、ハロ
ゲン化アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、ハ
ロゲン化アラルキル基、炭素数６〜１２のアリ−ル基又
は下記の化８で示されるシリル基から選ばれる。）

【化８】 （式中、Ｒ⁶ 〜Ｒ¹⁰はそれぞれ同一又は互いに異なり、
水素、炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキ
ル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数６〜１２のアリ
−ル基から選ばれる。但し、Ｒ⁶ 〜Ｒ¹⁰のいずれか一つ
は必ず水素である。）

【化９】 （式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁷はそれぞれ同一又は互いに異なり、
水素、炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキ
ル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数６〜１２のアリ
−ル基又は上記の化８で示されるシリル基から選ばれ
る。但し、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁷のいずれか一つは必ず水素であ
る。）

【化１０】Ｒ³ Ｒ⁴ Ｒ⁵ Ｓｉ− （式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁵ はそれぞれ同一又は互いに異なり、
炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリ−
ル基から選ばれる。）

【化１１】Ｒ¹⁸Ｒ¹⁹Ｒ²⁰ＳｉＡ （式中、Ｒ¹⁸〜²⁰はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭
素数１〜１２のアルキル基、炭素数７〜１２のアラルキ
ル基、炭素数６〜１２のアリ−ル基又は上記化８で示さ
れるシリル基から選ばれ、ＡはＬｉ、Ｎａ又はＫであ
る。）

【化１２】Ａ´Ｘ_ｎ （式中、Ａ´はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ、Ｒ²¹
_(3-n) Ａｌ、ＬｉＡｌ、ＬｉＡｌＲ²² _(4-n) 、ＮａＡｌ
Ｒ²² _(4-n) 、Ｂ、Ｒ²¹ _(3-n) Ｂ、ＬｉＢ、ＬｉＢＲ²²、
ＮａＢ、ＫＢ又はＲ²³Ｂを表し、Ｒ²¹は炭素数１〜５の
アルキル基、Ｒ²²は炭素数１〜８のアルキル基又はアル
コキシ基、Ｒ²³は水素あるいは炭素数１〜４のアルキル
基を有する第４級アンモニウムであり、Ｘは水素又は重
水素であり、ｎは１〜４の整数である。但し、ｎが１〜
３である場合、個々のＲ²¹、Ｒ²²及びＲ²³はそれぞれ異
種であって差し支えない。）

【０００５】以下、本発明をさらに詳細に説明する。原
料モノマーには、化７で示されるヒドロモノシラン、化
８で示されるヒドロジシラン及び化９で示されるヒドロ
シランからなる群から選ばれるモノマーの１種もしくは
２種以上が使用される。ヒドロモノシランとしては、化
７で示されるモノマーが何れも使用可能であるが、化７
において、Ｒ¹ およびＲ² は、前述のとおり、互いに同
一でも異なっても良く、水素、炭素数１〜12のアルキル
基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、炭素数
７〜12のアラルキル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素
数６〜12のアリール基である。アルキル基としては、炭
素数１〜12、好ましくは１〜８のものが望ましく、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基、
１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、
ドデシル基等が挙げられる。シクロアルキル基として
は、炭素数３〜12、好ましくは５〜６が望ましく、例え
ば、シクロペンチル基、シクロヒキシル基等が挙げられ
る。ハロゲン化アルキル基としては、炭素数１〜12、好
ましくは１〜８のものが望ましく、ハロゲンとしては、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、好ましくはフ
ッ素であり、また、基本骨格であるアルキル基における
ハロゲンの置換数は、１〜12、好ましくは１〜６であ
り、例えば３，３，３−トリフルオロプロピル基が特に
好適である。アラルキル基としては、例えば、ベンジル
基、フェネチル基等が挙げられる。アリール基として
は、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、
メシチル基等が挙げられる。ハロゲン化アラルキル基と
しては、トリフルオロベンジル基等が挙げられる。なか
でも、シラン、メチルシラン、エチルシラン、ｎ−プロ
ピルシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）シ
ラン、ｎ−ブチルシラン、ｔ−ブチルシラン、（１−メ
チルプロピル）シラン、（２−メチルプロピル）シラ
ン、ｎ−ヘキシルシラン、シクロヘキシルシラン、ｎ−
ヘプチルシラン、ｎ−オクチルシラン、ｎ−ノニルシラ
ン、ｎ−デシルシラン、ｎ−ドデシルシラン、フェニル
シラン、ｐ−トリルシラン、メシチルシラン、ベンジル
シラン、フェネチルシラン、（トリメチルシリルメチ
ル）シラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、ジ−ｎ
−プロピルシラン、ジ−ｎ−ブチルシラン、ジ−ｎ−ヘ
キシルシラン、ジ−ｎ−オクチルシラン、ジフェニルシ
ラン、ジベンジルシラン、ジフェネチルシラン、メチル
フェニルシラン、ｐ−トリルメチルシラン、ベンジルメ
チルシラン、メチルフェネチルシラン等が好ましい。

【０００６】このほか、ビス（３，３，３−トリフルオ
ロプロピル）シラン、ジ−ｎ−ブチルシラン、ジ−ｔ−
ブチルシラン、ジ（１−メチルプロピル）シラン、ジ
（２−メチルプロピル）シラン、ジペンチルシラン、ジ
シクロヘキシルシラン、ジ−ｎ−ヘプチルシラン、ジ−
ｎ−ノニルシラン、ジ−ｎ−デシルシラン、ジ−ｎ−ド
デシルシラン、ジ−ｐ−トリルシラン、ジメチルシラ
ン、ビス（トリメチルシリルメチル）シラン、エチルメ
チルシラン、メチル−ｎ−プロピルシラン、メチル
（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、メチル
−ｉ−プロピルシラン、ｎ−ブチルメチルシラン、ｔ−
ブチルメチルシラン、メチル（１−メチルプロピル）シ
ラン、メチル（２−メチルプロピル）シラン、アミルメ
チルシラン、ｎ−ヘキシルメチルシラン、シクロヘキシ
ルメチルシラン、ｎ−ヘプチルメチルシラン、メチル−
ｎ−オクチルシラン、メチル−ｎ−ノニルシラン、ｎ−
デシルメチルシラン、ｎ−ドデシルメチルシラン、メチ
ルメシチルシラン、（ｐ−メチルフェネチル）シラン、
エチルフェニルシラン、ｔ−ブチルフェニルシラン等も
ヒドロモノシランモノマーとして使用できる。

【０００７】ヒドロジシランとしては、化８で示される
モノマーが何れも使用可能であって、化８におけるＲ⁶
〜Ｒ¹⁰は前述の通りであるが、その具体的な基は前記７
と各々同様なものを意味する。なかでも、ジシラン、メ
チルジシラン、エチルジシラン、ｎ−プロピルジシラ
ン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジシラン、
ｎ−ブチルジシラン、ｔ−ブチルジシラン、（１−メチ
ルプロピル）ジシラン、（２−メチルプロピル）ジシラ
ン、ペチルジシラン、ｎ−ヘキシルジシラン、シクロヘ
キシルジシラン、ｎ−ヘプチルジシラン、ｎ−オクチル
ジシラン、ｎ−ノニルジシラン、ｎ−デシルジシラン、
ｎ−ドデシルジシラン、フェニルジシラン、ｐ−トリル
ジシラン、メシチルジシラン、メチル（トリメチルシリ
ルメチル）シラン、ベンジルジシラン、フェネチルジシ
ラン、１，１−ジメチルジシラン、１，１−ジエチルジ
シラン、１，１−ジ−ｎ−プロピルシラン、１，１−ジ
−ｎ−ブチルジシラン、１，１−ジ−ｎ−アミルジシラ
ン、１，１−ジ−ｎ−ヘキシルジシラン、１，１−ジシ
クロヘキシルジシラン、１，１−ジフェニルジシラン、
１，１−ジメシチルジシラン、１，２−ジメチルジシラ
ン、１，２−ジエチルジシラン、１，２−ジ−ｎ−プロ
ピルジシラン、１，２−ジ−ｎ−ブチルジシラン、１，
２−ジ−ｎ−アミルジシラン、１，２−ジ−ｎ−ヘキシ
ルジシラン、１，２−ジシクロヘキシルジシラン、１，
２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメシチルジシラン
などが好ましい。

【０００８】このほか、本発明で使用できるヒドロジシ
ランモノマーとしては、１−エチル−１−メチルジシラ
ン、１−メチル−１−ｎ−プロピルジシラン、１−メチ
ル−１−ｉ−プロピルジシラン、１−ｎ−ブチル−１−
メチルジシラン、１−ｔ−ブチル−１−メチルジシラ
ン、１−ｎ−ヘキシル−１−メチルジシラン、１−シク
ロヘキシル−１−メチルジシラン、１−ｎ−ヘプチル−
１−メチルジシラン、１−メチル−１−ｎ−オクチルジ
シラン、１−ｎ−デシル−１−メチルジシラン、１−メ
チル−１−フェニルジシラン、１−（ｐ−メチルフェネ
チル）−１−メチルジシラン、１−メチル−１−（β−
フェネチル）ジシラン、１−ｐ−トリル−１−メチルジ
シラン、１−フェニル−１−エチルジシラン、１−ｔ−
ブチル−１−フェニルジシラン、１−エチル−２−メチ
ルジシラン、１−メチル−２−ｎ−プロピルジシラン、
１−メチル−２−ｉ−プロピルジシラン、１−ｎ−ブチ
ル−２−メチルジシラン、１−ｔ−ブチル−２−メチル
ジシラン、１−ｎ−ヘキシル−２−メチルジシラン、１
−シクロヘキシル−２−メチルジシラン、１−ｎ−ヘプ
チル−２−メチルジシラン、１−メチル−２−ｎ−オク
チルジシラン、１−ｎ−デシル−２−メチルジシラン、
１−メチル−２−フェニルジシラン、１−（ｐ−メチル
フェネチル）−２−メチルジシラン、１−メチル−２−
（β−フェネチル）ジシラン、１−ｐ−トリル−２−メ
チルジシラン、１−フェニル−２−エチルジシラン、１
−ｔ−ブチル−２−フェニルジシラン、トリメチルシリ
ルシラン、トリフェニルシリルシラン、（ｔ−ブチルジ
メチルシリル）シラン、１，１，２−トリメチルジシラ
ン、１，１，２−トリエチルジシラン、１，１，２−ト
リ−ｎ−プロピルジシラン、１，１，２−トリ−ｎ−ブ
チルジシラン、１，１，２−トリ−ｎ−アミルジシラ
ン、１，１，２−トリ−ｎ−ヘキシルジシラン、１，
１，２−トリシクロヘキシルジシラン、１，１，２−ト
リフェニルジシラン、１，１，２−トリメシチルジシラ
ン、１，１−ジエチル−２−メチルジシラン、１，１−
ジメチル−２−ｎ−プロピルジシラン、１，１−ジメチ
ル−２−ｉ−プロピルジシラン、１，１−ジ−ｎ−ブチ
ル−２−メチルジシラン、１，１−ジ−ｔ−ブチル−２
−メチルジシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘキシル−２−メ
チルジシラン、１，１−ジシクロヘキシル−２−メチル
ジシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘプチル−２−メチルジシ
ラン、１，１−ジメチル−２−ｎ−オクチルジシラン、
１，１−ジ−ｎ−デシル−２−メチルジシラン、１，１
−ジメチル−２−フェニルジシラン、１，１−ジ−（ｐ
−メチルフェネチル）−２−メチルジシラン、１，１−
ジメチル−２−（β−フェネチル）ジシラン、１，１−
ジ−ｐ−トリル−２−メチルジシラン、１，１−ジフェ
ニル−２−エチルジシラン、１，１−ジ−ｔ−ブチル−
２−フェニルジシラン、１−エチル−２，２−ジメチル
ジシラン、１−メチル−２，２−ジ−ｎ−プロピルジシ
ラン、１−メチル−２，２−ジ−ｉ−プロピルジシラ
ン、１−ｎ−ブチル−２，２−ジメチルジシラン、１−
ｔ−ブチル−２，２−ジメチルジシラン、１−ｎ−ヘキ
シル−２，２−ジメチルジシラン、１−シクロヘキシル
−２，２−ジメチルジシラン、１−ｎ−ヘプチル−２，
２−ジメチルジシラン、１−メチル−２，２−ジ−ｎ−
オクチルジシラン、１−ｎ−デシル−２，２−ジメチル
ジシラン、１−メチル−２，２−ジフェニルジシラン、
１−（ｐ−メチルフェネチル）−２，２−ジメチルジシ
ラン、１−メチル−２，２−ジ（β−フェネチル）ジシ
ラン、１−ｐ−トリル−２，２−ジメチルジシラン、１
−フェニル−２，２−ジエチルジシラン、１−ｔ−ブチ
ル−２，２−ジフェニルジシラン、１，１，１，２−テ
トラメチルジシラン、１，１，１，２−テトラエチルジ
シラン、１，１，１，２−テトラ−ｎ−プロピルジシラ
ン、１，１，１，２−テトラ−ｎ−ブチルジシラン、
１，１，１，２−テトラ−ｎ−アミルジシラン、１，
１，１，２−テトラ−ｎ−ヘキシルジシラン、１，１，
１，２−テトラシクロヘキシルジシラン、１，１，１，
２−テトラフェニルジシラン、１，１，１，２−テトラ
メチルジシラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，１，
２，２−テトラ−ｎ−プロピルジシラン、１，１，２，
２−テトラ−ｎ−ブチルジシラン、１，１，２，２−テ
トラ−ｎ−アミルジシラン、１，１，２，２−テトラ−
ｎ−ヘキシルジシラン、１，１，２，２−テトラシクロ
ヘキシルジシラン、１，１，２，２−テトラフェニルジ
シラン、１，１，２，２−テトラメシチルジシラン、
１，１，１−トリエチル−２−メチルジシラン、１，
１，１−トリメチル−２−ｎ−プロピルジシラン、１，
１，１−トリメチル−２−ｉ−プロピルジシラン、１，
１，１−トリ−ｎ−ブチル−２−メチルジシラン、１，
１，１−トリ−ｔ−ブチル−２−メチルジシラン、１，
１，１−トリ−ｎ−ヘキシル−２−メチルジシラン、
１，１，１−トリシクロヘキシル−２−メチルジシラ
ン、１，１，１−ｎ−ヘプチル−２−メチルジシラン、
１，１，１−トリメチル−２−ｎ−オクチルジシラン、
１，１，１−トリ−ｎ−デシル−２−メチルジシラン、
１，１，１−トリメチル−２−フェニルジシラン、１，
１，１−トリ−（ｐ−メチルフェネチル）−２−メチル
ジシラン、１，１，１−トリメチル−２−（β−フェネ
チル）ジシラン、１，１，１−トリ−ｐ−トリル−２−
メチルジシラン、１，１，１−トリフェニル−２−エチ
ルジシラン、１，１，１−トリ−ｔ−ブチル−フェニル
ジシラン、１−エチル−２，２，２−トリメチルジシラ
ン、１−メチル−２，２，２−トリ−ｎ−プロピルジシ
ラン、１−メチル−２，２，２−トリ−ｉ−プロピルジ
シラン、１−ｎ−ブチル−２，２，２−トリメチルジシ
ラン、１−ｔ−ブチル−２，２，２−トリメチルジシラ
ン、１−ｎ−ヘキシル−２，２，２−トリメチルジシラ
ン、１−シクロヘキシル−２，２，２−トリメチルジシ
ラン、１−ｎ−ヘプチル−２，２，２−トリメチルジシ
ラン、１−メチル−２，２，２−トリ−ｎ−オクチルジ
シラン、１−ｎ−デシル−２，２，２−トリメチルジシ
ラン、１−メチル−２，２，２−トリフェニルジシラ
ン、１−（ｐ−メチルフェネチル）−２，２，２−トリ
メチルジシラン、１−メチル−２，２，２−トリ（β−
フェネチル）ジシラン、１−ｐ−トリル−２，２，２−
トリメチルジシラン、１−フェニル−２，２，２−トリ
エチルジシラン、１−ｔ−ブチル−２，２，２−トリフ
ェニルジシラン、，１−ジエチル−２，２−ジメチルジ
シラン、１，１−ジメチル−２，２−ジ−ｎ−プロピル
ジシラン、１，１−ジメチル−２，２−ジ−ｉ−プロピ
ルジシラン、１，１−ジ−ｎ−ブチル−２，２−ジメチ
ルジシラン、１，１−ジ−ｔ−ブチル−２，２−ジメチ
ルジシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘキシル−２，２−ジメ
チルジシラン、１，１−ジシクロヘキシル−２，２−ジ
メチルジシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘプチル−２，２−
ジメチルジシラン、１，１−ジメチル−２，２−ジ−ｎ
−オクチルジシラン、１，１−ジ−ｎ−デシル−２，２
−ジメチルジシラン、１，１−ジメチル−２，２−ジフ
ェニルジシラン、１，１−ジ−（ｐ−メチルフェネチ
ル）−２，２−ジメチルジシラン、１，１−ジメチル−
２，２−ジ（β−フェネチル）ジシラン、１，１−ジ−
ｐ−トリル−２，２−ジメチルジシラン、１，１−ジフ
ェニル−２，２−ジエチルジシラン、１，１−ジ−ｔ−
ブチル−２，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジエチ
ル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジメチル−
１，２−ジ−ｎ−プロピルジシラン、１，２−ジメチル
−１，２−ジ−ｉ−プロピルジシラン、１，２−ジ−ｎ
−ブチル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジ−ｔ
−ブチル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジ−ｎ
−ヘキシル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジシ
クロヘキシル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジ
−ｎ−ヘプチル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−
ジメチル−１，２−ジ−ｎ−オクチルジシラン、１，２
−ジ−ｎ−デシル−１，２−ジメチルジシラン、１，２
−ジメチル−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジ
−（ｐ−メチルフェネチル）−１，２−ジメチルジシラ
ン、１，２−ジメチル−１，２−ジ（β−フェネチル）
ジシラン、１，２−ジ−ｐ−トリル−１，２−ジメチル
ジシラン、１，２−ジフェニル−１，２−ジエチルジシ
ラン、１，２−ジ−ｔ−ブチル−１，２−ジフェニルジ
シランなどが挙げられる。

【０００９】本発明のヒドロシランモノマーとしては、
化９で示されるモノマーが使用可能である。化９におけ
るＲ¹¹およびＲ¹⁷は、前述のとおり、互いに同一でも異
なっても良く、水素、炭素数１〜12のアルキル基、シク
ロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、炭素数７〜12の
アラルキル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数６〜12
のアリール基、又は、前記化10で示されるシリル基であ
る。アルキル基としては、炭素数１〜12、好ましくは１
〜８のものが望ましく、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、１−メチルプロ
ピル基、２−メチルプロピル基、ペンチル基、ヘキシル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が
挙げられる。シクロアルキル基としては、炭素数３〜1
2、好ましくは５〜６が望ましく、例えば、シクロペン
チル基、シクロヒキシル基等が挙げられる。ハロゲン化
アルキル基としては、炭素数１〜12、好ましくは１〜８
のものが望ましく、ハロゲンとしては、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、好ましくはフッ素であり、ま
た、基本骨格であるアルキル基におけるハロゲンの置換
数は、１〜12、好ましくは１〜６であり、例えば、３，
３，３−トリフルオロプロピル基が特に好適である。ア
ラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル
基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、
キシリル基、クメニル基、メシチル基等が挙げられる。
ハロゲン化アラルキル基としては、トリフルオロベンジ
ル基等が挙げられる。また、化10で示されるシリル基に
おいて、Ｒ³ ，Ｒ⁴ およびＲ⁵ は、前述のとおり、炭素
数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜10のアリール基で
ある。アルキル基としては、炭素数１〜12、好ましくは
１〜８のものが望ましく、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、１−メチル
プロピル基、２−メチルプロピル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられる。アリー
ル基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ク
メニル基、メシチル基等が挙げられる。化10で示される
シリル基の具体例としては、例えばトリメチルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、
トリフェニルシリル基が挙げられる。化９で示されるモ
ノマーなかでも、トリシラン、１−メチルトリシラン、
１−エチルトリシラン、１−１−ｎ−プロピルトリシラ
ン、１−（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリシ
ラン、１−ｎ−ブチルトリシラン、１−ｔ−ブチルトリ
シラン、１−（１−メチルプロピル）トリシラン、１−
（２−メチルプロピル）トリシラン、１−アミルトリシ
ラン、１−ｎ−ヘキシルトリシラン、１−シクロヘキシ
ルトリシラン、１−ｎ−ヘプチルトリシラン、１−ｎ−
オクチルトリシラン、１−ｎ−ノニルトリシラン、１−
ｎ−デシルトリシラン、１−ｎ−ドデシルトリシラン、
１−フェニルトリシラン、１−ｐ−トリルトリシラン、
１−メシチルトリシラン、１−ベンジルトリシラン、１
−フェネチルトリシラン、１−（トリメチルシリルメチ
ル）トリシラン、２−メチルトリシラン、２−エチルト
リシラン、２−ｎ−プロピルトリシラン、２−（３，
３，３−トリフルオロプロピル）トリシラン、２−ｎ−
ブチルトリシラン、２−ｔ−ブチルトリシラン、２−
（１−メチルプロピル）トリシラン、２−（２−メチル
プロピル）トリシラン、２−アミルトリシラン、２−ｎ
−ヘキシルトリシラン、２−シクロヘキシルトリシラ
ン、２−ｎ−ヘプチルトリシラン、２−ｎ−オクチルト
リシラン、２−ｎ−ノニルトリシラン、２−ｎ−デシル
トリシラン、２−ｎ−ドデシルトリシラン、２−フェニ
ルトリシラン、２−ｐ−トリルトリシラン、２−メシチ
ルトリシラン、２−ベンジルトリシラン、２−フェネチ
ルトリシラン、２−（トリメチルシリルメチル）トリシ
ラン、１，１−ジメチルトリシラン、１，１−ジエチル
トリシラン、１，１−ジ−ｎ−プロピルトリシラン、ビ
ス（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリシラン、
１，１−ジ−ｎ−ブチルトリシラン、１，１−ジ−ｔ−
ブチルトリシラン、ジ（１−メチルプロピル）トリシラ
ン、ジ（２−メチルプロピル）トリシラン、１，１−ジ
アミルトリシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘキシルトリシラ
ン、１，１−ジシクロヘキシルトリシラン、１，１−ジ
−ｎ−ヘプチルトリシラン、１，１−ジ−ｎ−オクチル
トリシラン、１，１−ジ−ｎ−ノニルトリシラン、１，
１−ジ−ｎ−デシルトリシラン、１，１−ジ−ｎ−ドデ
シルトリシラン、１，１−ジフェニルトリシラン、１，
１−ジ−ｐ−トリルトリシラン、１，１−ジメチルトリ
シラン、１，１−ジベンジルトリシラン、１，１−ジフ
ェネチルトリシラン、１，１−ビス（トリメチルシリル
メチル）トリシラン、１，２−ジメチルトリシラン、
１，２−ジエチルトリシラン、１，２−ジ−ｎ−プロピ
ルトリシラン、ビス（３，３，３−トリフルオロプロピ
ル）トリシラン、１，２−ジ−ｎ−ブチルトリシラン、
１，２−ジ−ｔ−ブチルトリシラン、ジ（１−メチルプ
ロピル）トリシラン、ジ（２−メチルプロピル）トリシ
ラン、１，２−ジアミルトリシラン、１，２−ジ−ｎ−
ヘキシルトリシラン、１，２−ジシクロヘキシルトリシ
ラン、１，２−ジ−ｎ−ヘプチルトリシラン、１，２−
ジ−ｎ−オクチルトリシラン、１，２−ジ−ｎ−ノニル
トリシラン、１，２−ジ−ｎ−デシルトリシラン、１，
２−ジ−ｎ−ドデシルトリシラン、１，２−ジフェニル
トリシラン、１，２−ジ−ｐ−トリルトリシラン、１，
２−ジメシチルトリシラン、１，２−ジベンジルトリシ
ラン、１，２−ジフェネチルトリシラン、１，２−ビス
（トリメチルシリルメチル）トリシラン、１，３−ジメ
チルトリシラン、１，３−ジエチルトリシラン、１，３
−ジ−ｎ−プロピルトリシラン、ビス（３，３，３−ト
リフルオロプロピル）トリシラン、１，３−ジ−ｎ−ブ
チルトリシラン、１，３−ジ−ｔ−ブチルトリシラン、
ジ（１−メチルプロピル）トリシラン、ジ（２−メチル
プロピル）トリシラン、１，３−ジアミルトリシラン、
１，３−ジ−ｎ−ヘキシルトリシラン、１，３−ジシク
ロヘキシルトリシラン、１，３−ジ−ｎ−ヘプチルトリ
シラン、１，３−ジ−ｎ−オクチルトリシラン、１，３
−ジ−ｎ−ノニルトリシラン、１，３−ジ−ｎ−デシル
トリシラン、１，３−ジ−ｎ−ドデシルトリシラン、
１，３−ジフェニルトリシラン、１，３−ジ−ｐ−トリ
ルトリシラン、１，３−ジメシチルトリシラン、１，３
−ジベンジルトリシラン、１，３−ジフェネチルトリシ
ラン、１，３−ビス（トリメチルシリルメチル）トリシ
ラン、１，１，１−トリメチルトリシラン、１，１，１
−トリエチルトリシラン、１，１，１−トリ−ｎ−プロ
ピルトリシラン、１，１，１−トリス（３，３，３−ト
リフルオロプロピル）トリシラン、１，１，１−トリ−
ｎ−ブチルトリシラン、１，１，１−トリ−ｔ−ブチル
トリシラン、１，１，１−トリ（１−メチルプロピル）
トリシラン、１，１，１−トリ（２−メチルプロピル）
トリシラン、１，１，１−トリアミルトリシラン、１，
１，１−トリ−ｎ−ヘキシルトリシラン、１，１，１−
トリシクロヘキシルトリシラン、１，１，１−トリ−ｎ
−ヘプチルトリシラン、１，１，１−トリ−ｎ−オクチ
ルトリシラン、１，１，１−トリ−ｎ−ノニルトリシラ
ン、１，１，１−トリ−ｎ−デシルトリシラン、１，
１，１−トリ−ｎ−ドデシルトリシラン、１，１，１−
トリフェニルトリシラン、１，１，１−トリ−ｐ−トリ
ルトリシラン、１，１，１−トリメシチルトリシラン、
１，１，１−トリベンジルトリシラン、１，１，１−ト
リフェネチルトリシラン、１，１，１−トリス（トリメ
チルシリルメチル）トリシラン、１−エチル−１，１−
ジメチルトリシラン、１−メチル−１，１−ジ−ｎ−プ
ロピルトリシラン、１−メチル−１，１−ビス（３，
３，３−トリフルオロプロピル）トリシラン、１−メチ
ル−１，１−ジ−ｉ−プロピルトリシラン、１−ｎ−ブ
チル−１，１−ジメチルトリシラン、１−ｔ−ブチル−
１，１−ジメチルトリシラン、１−メチル−１，１−ジ
（１−メチルプロピル）トリシラン、１−メチル−１，
１−ジ（２−メチルプロピル）トリシラン、１−アミル
−１，１−ジメチルトリシラン、１−ｎ−ヘキシル−
１，１−ジメチルトリシラン、１−シクロヘキシル−
１，１−ジメチルトリシラン、１−ｎ−ヘプチル−１，
１−ジメチルトリシラン、１−メチル−１，１−ジ−ｎ
−オクチルトリシラン、１−メチル−１，１−ジ−ｎ−
ノニルトリシラン、１−ｎ−デシル−１，１−ジメチル
トリシラン、１−ｎ−ドデシル−１，１−ジメチルトリ
シラン、１−メチル−１，１−ジフェニルトリシラン、
１−ｐ−トリル−１，１−ジメチルトリシラン、１−メ
チル−１，１−ジメシチルトリシラン、１−ベンジル−
１，１−ジメチルトリシラン、１−メチル−１，１−ジ
フェネチルトリシラン、１−メチル−１，１−ビス（ト
リメチルシリルメチル）トリシラン、１−（ｐ−メチル
フェネチル）−１，１−ジメチルトリシラン、１−エチ
ル−１，１−ジフェニルトリシラン、１−ｔ−ブチル−
１，１−ジフェニルトリシランなどが好ましい。

【００１０】このほか、本発明で使用可能なヒドロトリ
シランモノマーを例示すると、１−エチル−１−メチル
トリシラン、１−メチル−１−ｎ−プロピルトリシラ
ン、１−メチル−１−（３，３，３−トリフルオロプロ
ピル）トリシラン、１−メチル−１−ｉ−プロピルトリ
シラン、１−ｎ−ブチル−１−メチルトリシラン、１−
ｔ−ブチル−１−メチルトリシラン、１−メチル−１−
（１−メチルプロピル）トリシラン、１−メチル−１−
（２−メチルプロピル）トリシラン、１−アミル−１−
メチルトリシラン、１−ｎ−ヘキシル−１−メチルトリ
シラン、１−シクロヘキシル−１−メチルトリシラン、
１−ｎ−ヘプチル−１−メチルトリシラン、１−メチル
−１−ｎ−オクチルトリシラン、１−メチル−１−ｎ−
ノニルトリシラン、１−ｎ−デシル−１−メチルトリシ
ラン、１−ｎ−ドデシル−１−メチルトリシラン、１−
メチル−１−フェニルトリシラン、１−ｐ−トリル−１
−メチルトリシラン、１−メシチル−１−メチルトリシ
ラン、１−ベンジル−１−メチルトリシラン、１−メチ
ル−１−フェネチルトリシラン、１−メチル−１−（ト
リメチルシリルメチル）トリシラン、１−（ｐ−メチル
フェネチル）−１−メチルトリシラン、１−エチル−１
−フェニルトリシラン、１−ｔ−ブチル−１−フェニル
トリシラン、１−エチル−２−メチルトリシラン、１−
メチル−２−ｎ−プロピルトリシラン、１−メチル−２
−（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリシラン、
１−メチル−２−ｉ−プロピルトリシラン、１−ｎ−ブ
チル−２−メチルトリシラン、１−ｔ−ブチル−２−メ
チルトリシラン、１−メチル−２−（１−メチルプロピ
ル）トリシラン、１−メチル−２−（２−メチルプロピ
ル）トリシラン、１−アミル−２−メチルトリシラン、
１−ｎ−ヘキシル−２−メチルトリシラン、１−シクロ
ヘキシル−２−メチルトリシラン、１−ｎ−ヘプチル−
２−メチルトリシラン、１−メチル−２−ｎ−オクチル
トリシラン、１−メチル−２−ｎ−ノニルトリシラン、
１−ｎ−デシル−２−メチルトリシラン、１−ｎ−ドデ
シル−２−メチルトリシラン、１−メチル−２−フェニ
ルトリシラン、１−ｐ−トリル−２−メチルトリシラ
ン、１−メチル−２−メシチルトリシラン、１−ベンジ
ル−２−メチルトリシラン、１−メチル−２−フェネチ
ルトリシラン、１−メチル−２−（トリメチルシリルメ
チル）トリシラン、１−（ｐ−メチルフェネチル）−２
−メチルトリシラン、１−エチル−２−フェニルトリシ
ラン、１−ｔ−ブチル−２−フェニルトリシラン、１−
エチル−３−メチルトリシラン、１−メチル−３−ｎ−
プロピルトリシラン、１−メチル−３−（３，３，３−
トリフルオロプロピル）トリシラン、１−メチル−３−
ｉ−プロピルトリシラン、１−ｎ−ブチル−３−メチル
トリシラン、１−ｔ−ブチル−３−メチルトリシラン、
１−メチル−３−（１−メチルプロピル）トリシラン、
１−メチル−３−（２−メチルプロピル）トリシラン、
１−アミル−３−メチルトリシラン、１−ｎ−ヘキシル
−３−メチルトリシラン、１−シクロヘキシル−３−メ
チルトリシラン、１−ｎ−ヘプチル−３−メチルトリシ
ラン、１−メチル−３−ｎ−オククチルトリシラン、１
−メチル−３−ｎ−ノニルトリシラン、１−ｎ−デシル
−３−メチルトリシラン、１−ｎ−ドデシル−３−メチ
ルトリシラン、１−メチル−３−フェニルトリシラン、
１−ｐ−トリル−３−メチルトリシラン、１−メチル−
３−メシチルトリシラン、１−ベンジル−３−メチルト
リシラン、１−メチル−３−フェネチルトリシラン、１
−メチル−３−（トリメチルシリルメチル）トリシラ
ン、１−（ｐ−メチルフェネチル）−３−メチルトリシ
ラン、１−エチル−３−フェニルトリシラン、１−ｔ−
ブチル−３−フェニルトリシラン、１，１，２−トリメ
チルトリシラン、１，１，２−トリエチルトリシラン、
１，１，２−トリ−ｎ−プロピルトリシラン、１，１，
２−トリス（３，３，３−トルフルオロプロピル）トリ
シラン、１，１，２−トリ−ｎ−ブチルトリシラン、
１，１，２−トリ−ｔ−ブチルトリシラン、１，１，２
−トリ（１−メチルプロピル）トリシラン、１，１，２
−トリ（２−メチルプロピル）トリシラン、１，１，２
−トリアミルトリシラン、１，１，２−トリ−ｎ−ヘキ
シルトリシラン、１，１，２−トリシクロヘキシルトリ
シラン、１，１，２−トリ−ｎ−ヘプチルトリシラン、
１，１，２−トリ−ｎ−オクチルトリシラン、１，１，
２−トリ−ｎ−ノニルトリシラン、１，１，２−トリ−
ｎ−デシルトリシラン、１，１，２−トリ−ｎ−ドデシ
ルトリシラン、１，１，２−トリフェニルトリシラン、
１，１，２−トリ−ｐ−トリルトリシラン、１，１，２
−トリメシチルトリシラン、１，１，２−トリベンジル
トリシラン、１，１，２−トリフェネチルトリシラン、
１，１，２−トリス（トリメチルシリルメチル）トリシ
ラン、１，１，３−トリメチルトリシラン、１，１，３
−トリエチルトリシラン、１，１，３−トリ−ｎ−プロ
ピルトリシラン、１，１，３−トリス（３，３，３−ト
リフルオロプロピル）トリシラン、１，１，３−トリ−
ｎ−ブチルトリシラン、１，１，３−トリ−ｔ−ブチル
トリシラン、１，１，３−トリ（１−メチルプロピル）
トリシラン、１，１，３−トリ（２−メチルプロピル）
トリシラン、１，１，３−トリアミルトリシラン、１，
１，３−トリ−ｎ−ヘキシルトリシラン、１，１，３−
トリシクロヘキシルトリシラン、１，１，３−トリ−ｎ
−ヘプチルトリシラン、１，１，３−トリ−ｎ−オクチ
ルトリシラン、１，１，３−トリ−ｎ−ノニルトリシラ
ン、１，１，３−トリ−ｎ−デシルトリシラン、１，
１，３−トリ−ｎ−ドデシルトリシラン、１，１，３−
トリフェニルトリシラン、１，１，３−トリ−ｐ−トリ
ルトリシラン、１，１，３−トリメシチルトリシラン、
１，１，３−トリベンジルトリシラン、１，１，３−ト
リフェネチルトリシラン、１，１，３−トリス（トリメ
チルシリルメチル）トリシラン、１，２，３−トリメチ
ルトリシラン、１，２，３−トリエチルトリシラン、
１，２，３−トリ−ｎ−プロピルトリシラン、１，２，
３−トリス（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリ
シラン、１，２，３−トリ−ｎ−ブチルトリシラン、
１，２，３−トリ−ｔ−ブチルトリシラン、１，２，３
−トリ（１−メチルプロピル）トリシラン、１，２，３
−トリ（２−メチルプロピル）トリシラン、１，２，３
−トリアミルトリシラン、１，２，３−トリ−ｎ−ヘキ
シルトリシラン、１，２，３−トリシクロヘキシルトリ
シラン、１，２，３−トリ−ｎ−ヘプチルトリシラン、
１，２，３−トリ−ｎ−オクチルトリシラン、１，２，
３−トリ−ｎ−ノニルトリシラン、１，２，３−トリ−
ｎ−デシルトリシラン、１，２，３−トリ−ｎ−ドデシ
ルトリシラン、１，２，３−トリフェニルトリシラン、
１，２，３−トリ−ｐ−トリルトリシラン、１，２，３
−トリメシチルトリシラン、１，２，３−トリベンジル
トリシラン、１，２，３−トリフェネチルトリシラン、
１，２，３−トリス（トリメチルシリルメチル）トリシ
ラン、１，１−ジエチル−２−メチルトリシラン、１，
１−ジメチル−２−ｎ−プロピルトリシラン、１，１−
ジメチル−２−ｉ−プロピルトリシラン、１，１−ジ−
ｎ−ブチル−２−メチルトリシラン、１，１−ジ−ｔ−
ブチル−２−メチルトリシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘキ
シル−２−メチルトリシラン、１，１−ジシクロヘキシ
ル−２−メチルトリシラン、１，１−ジ−ｎ−ヘプチル
−２−メチルトリシラン、１，１−ジメチル−２−ｎ−
オクチルトリシラン、１，１−ジ−ｎ−デシル−２−メ
チルトリシラン、１，１−ジメチル−２−フェニルトリ
シラン、１，１−ジ（ｐ−メチルフェネチル）−２−メ
チルトリシラン、１，１−ジメチル−２−（β−フェネ
チル）トリシラン、１，１−ジ−ｐ−トリル−２−メチ
ルトリシラン、１，１−ジフェニル−２−エチルトリシ
ラン、１，１−ジ−ｔ−ブチル−２−フェニルトリシラ
ン、１，１−ジ（フェニルジメチルシリル）−２−メチ
ルトリシラン、１，１−ビス（トリメチルシリル）−２
−メチルトリシラン、１，１−ジエチル−３−メチルト
リシラン、１，１−ジメチル−３−ｎ−プロピルトリシ
ラン、１，１−ジメチル−３−ｉ−プロピルトリシラ
ン、１，１−ジ−ｎ−ブチル−３−メチルトリシラン、
１，１−ジ−ｔ−ブチル−３−メチルトリシラン、１，
１−ジ−ｎ−ヘキシル−３−メチルトリシラン、１，１
−ジシクロヘキシル−３−メチルトリシラン、１，１−
ジ−ｎ−ヘプチル−３−メチルトリシラン、１，１−ジ
メチル−３−ｎ−オクチルトリシラン、１，１−ジ−ｎ
−デシル−３−メチルトリシラン、１，１−ジメチル−
３−フェニルトリシラン、１，１−ジ−（ｐ−メチルフ
ェネチル）−３−メチルトリシラン、１，１−ジメチル
−３−（β−フェネチル）トリシラン、１，１−ジ−ｐ
−トリル−３−メチルトリシラン、１，１−ジフェニル
−３−エチルトリシラン、１，１−ジ−ｔ−ブチル−３
−フェニルトリシラン、１，１−ジ（フェニルジメチル
シリル）−３−メチルトリシラン、１，１−ビス（トリ
メチルシリル）−３−メチルトリシラン、１，２−ジエ
チル−３−メチルトリシラン、１，２−ジメチル−３−
ｎ−プロピルトリシラン、１，２−ジメチル−３−ｉ−
プロピルトリシラン、１，２−ジ−ｎ−ブチル−３−メ
チルトリシラン、１，２−ジ−ｔ−ブチル−３−メチル
トリシラン、１，２−ジ−ｎ−ヘキシル−３−メチルト
リシラン、１，２−ジシクロヘキシル−３−メチルトリ
シラン、１，２−ジ−ｎ−ヘプチル−３−メチルトリシ
ラン、１，２−ジメチル−３−ｎ−オクチルトリシラ
ン、１，２−ジ−ｎ−デシル−３−メチルトリシラン、
１，２−ジメチル−３−フェニルトリシラン、１，２−
ジ（ｐ−メチルフェネチル）−３−メチルトリシラン、
１，２−ジメチル−３−（β−フェネチル）トリシラ
ン、１，２−ジ−ｐ−トリル−３−メチルトリシラン、
１，２−ジフェニル−３−エチルトリシラン、１，２−
ジ−ｔ−ブチル−３−フェニルトリシラン、１，２−ジ
（フェニルジメチルシリル）−３−メチルトリシラン、
１，２−ビス（トリメチルシリル）−３−メチルトリシ
ラン、（トリメチルシリル）メチルジシラン、１−（フ
ェニルジメチルシリル）−１−メチルジシラン、１−
（トリメチルシリル）−１−メチルジシラン、１−（フ
ェニルジメチルシリル）−２−メチルジシラン、１−
（トリメチルシリル）−２−メチルジシラン、１，１−
ビス（フェニルジメチルシリル）−２−メチルジシラ
ン、１，１−ビス（トリメチルシリル）−２−メチルジ
シラン、１−（フェニルジメチルシリル）−２，２−ジ
メチルジシラン、１−（トリメチルシリル）−２，２−
ジメチルジシラン、１，１，１−トリ（フェニルジメチ
ルシリル）−２−メチルジシラン、１，１，１−トリ
（トリメチルシリル）−２−メチルジシラン、１−（フ
ェニルジメチルシリル）−２，２，２−トリメチルジシ
ラン、１−ビス（トリメチルシリル）−２，２，２−ト
リメチルジシラン、１，１−ビス（フェルジメチルシリ
ル）−２，２−ジメチルジシラン、１，１−ビス（トリ
メチルシリル）−２，−ジメチルジシラン、１，２−ビ
ス（フェニルジメチルシリル）−１，２−ジメチルジシ
ラン、１，２−ビス（トリメチルシリル）−１，２−ジ
メチルジシランなどが挙げられる。上に例示されたシラ
ンモノマーは単独でも複数組み合わせて用いることがで
きることはもちろん、例えば、化７と化８、化８と化
９、化７と化８と化９なるモノマーの組み合わせもまた
可能である。

【００１１】次に触媒について説明すると、本発明では
下記(a) 〜(c) から選ばれる少なくとも１種が、原料モ
ノマーの脱水素縮合触媒として使用される。 (a) 周期律表第３Ｂ族〜７Ｂ族又は第８族から選ばれる
少なくとも１種の金属又は金属化合物 (b) 上記(a) と化１１で示されるシリル化合物との混合
物 (c) 上記(a) と化１２で示される金属（重）水素化物と
の混合物 本発明で使用可能な触媒を具体的に例示すると、第３Ｂ
族ではサマリウム、ユーロビウム、イッテルビウムなど
のランタニドが、第４Ｂ族ではチタニウム、ジルコニウ
ム、ハフニウムが、第５Ｂ族ではバナジウム、ニオビウ
ム、タンタルが、第６Ｂ族ではクロム、モリブデン、タ
ングステンが、第７Ｂ族ではマンガン、テクネチウム、
レニウムが、第８族では鉄、ルテニウム、オスミウム、
コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウ
ム、白金の各金属及びその化合物を挙げることができ
る。なかでもランタニド、チタニウム、ジルコニウム、
ハフニウム、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジ
ウム、ニッケル、パラジウム、白金などの各金属及びそ
の化合物が好ましい。

【００１２】ランタニド化合物としては、酢酸塩、ハロ
ゲン化合物、アセチルアセトナートやシクロペンタジエ
ニル基やアルキルシクロペンタジエニル基やインデニル
基等の置換（環を形成していてもよい）シクロペンタジ
エニル基などのシクロペンタジエニル骨格を有する有機
化合物や、アルカリ金属との化合物などが挙げられる。
このようなランタニドとしては、例えば、酢酸ランタニ
ド、ランタニド（アセチルアセトナート）、ハロゲン化
ランタニド、テトラ（ｔ−ブチル）リチウムランタニ
ド、テトラフェニルランタニドリチウム、ヨウ化メチル
ランタニド、ヨウ化フェニルランタニド、ビス（η−シ
クロペンタジエニル）ランタニド、クロロビス（η−シ
クロペンタジエニル）ランタニド、ジクロロビス（η−
シクロペンタジエニル）ランタニド、トリス（η−シク
ロペンタジエニル）ランタニド、ビス（トリメチルシリ
ル）メチルビス（η−ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ランタニド、ヒドリドビス（η−ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）ランタニド、メチルビス（η−シク
ロペンタジエニル）ランタニド、ビス（η−シクロペン
タジエニル）ランタニドジ（μ−メチル）ジメチルアル
ミニウムなどが挙げられる。さらに具体的には、酢酸サ
マリウム、サマリウム（アセチルアセトナート）、ハロ
ゲン化サマリウム、テトラ（ｔ−ブチル）リチウムサマ
リウム、テトラフェニルサマリウムリチウム、ヨウ化メ
チルサマリウム、ヨウ化フェニルサマリウム、ビス（η
−シクロペンタジエニル）サマリウム、クロロビス（η
−シクロペンタジエニル）サマリウム、ジクロロビス
（η−シクロペンタジエニル）サマリウム、トリス（η
−シクロペンタジエニル）サマリウム、ビス（トリメチ
ルシリル）メチルビス（η−ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）サマリウム、ヒドリドビス（η−ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル）サマリウム、メチルビス（η
−シクロペンタジエニル）サマリウム、ビス（η−シク
ロペンタジエニル）サマリウムジ（μ−メチル）ジメチ
ルアルミニウム、酢酸ユーロビウム、ユーロビウム（ア
セチルアセトナート）、ハロゲン化ユーロビウム、テト
ラ（ｔ−ブチル）リチウムユーロビウム、テトラフェニ
ルユーロビウムリチウム、ヨウ化メチルユーロビウム、
ヨウ化フェニルユーロビウム、ビス（η−シクロペンタ
ジエニル）ユーロビウム、クロロビス（η−シクロペン
タジエニル）ユーロビウム、ジクロロビス（η−シクロ
ペンタジエニル）ユーロビウム、トリス（η−シクロペ
ンタジエニル）ユーロビウム、ビス（トリメチルシリ
ル）メチルビス（η−ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ユーロビウム、ヒドリドビス（η−ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）ユーロビウム、メチルビス（η−
シクロペンタジエニル）ユーロビウム、ビス（η−シク
ロペンタジエニル）ユーロビウムジ（μ−メチル）ジメ
チルアルミニウム、酢酸イッテルビウム、イッテルビウ
ム（アセチルアセトナート）、ハロゲン化イッテルビウ
ム、テトラ（ｔ−ブチル）リチウムイッテルビウム、テ
トラフェニルイッテルビウムリチウム、ヨウ化メチルイ
ッテルビウム、ヨウ化フェニルイッテルビウム、ビス
（η−シクロペンタジエニル）イッテルビウム、クロロ
ビス（η−シクロペンタジエニル）イッテルビウム、ジ
クロロビス（η−シクロペンタジエニル）イッテルビウ
ム、トリス（η−シクロペンタジエニル）イッテルビウ
ム、ビス（トリメチルシリル）メチルビス（η−ペンタ
メチルシクロペンタジエニル）イッテルビウム、ヒドリ
ドビス（η−ペンタメチルシクロペンタジエニル）イッ
テルビウム、メチルビス（η−シクロペンタジエニル）
イッテルビウム、ビス（η−シクロペンタジエニル）イ
ッテルビウムジ（μ−メチル）ジメチルアルミニウムな
どが挙げられる。

【００１３】第４Ｂ族金属の化合物としては、係る金属
のハロゲン化合物、アセチルアセトナート、アルコキシ
化合物、アリールオキシ化合物、アルコキシハロゲン化
合物、アリールオキシハロゲン化合物共役π結合置換
基、例えばシクロペンタジエニル基やアルキルシクロペ
ンタジエニル基やインデニル基等の置換（環を形成して
いてもよい）シクロペンタジエニル基などのシクロペン
タジエニル骨格を有する化合物が挙げられる。チタニウ
ム化合物としては、例えば、（η−シクロヘプタトリエ
ニル）（η−シクロペンタジエニル）チタン、水素化チ
タン、ジカルボニルビス（η−シクロペンタジエニル）
チタン、ビス（η−ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）チタン、三塩化チタン、クロロビス（η−シクロペ
ンタジエニル）チタン、ジクロロ（η−シクロペンタジ
エニル）チタン、四塩化チタン、四臭化チタン、四よう
化チタン、トリクロロメチルチタン、メチルトリイソプ
ロポキシチタン、チタニウムテトラエトキシド、チタニ
ウムテトラプロポキシド、チタニウムテトライソプロポ
キシド、チタニウムテトラブトキシド、ジヒドリドビス
（η−ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン、ト
リクロロ（η−シクロペンタジエニル）チタン、ジクロ
ロビス（η−シクロペンタジエニル）チタン、ジクロロ
ビス（η−メチルシクロペンタジエニル）チタン、ジク
ロロビス（η−ジメチルシクロペンタジエニル）チタ
ン、ジクロロビス（η−トリメチルシクロペンタジエニ
ル）チタン、ジクロロビス（η−ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル）チタン、ジクロロビス（η−トリフルオ
ロメチルシクロペンタジエニル）チタン、ジクロロビス
（η−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チタ
ン、ジクロロ（η−ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（η−シクロペンタジエニル）チタン、ジクロロ
（η−トリフルオロメチルシクロペンタジエニル）（η
−シクロペンタジエニル）チタン、ジクロロメチレンビ
ス（η−シクロペンタジエニル）チタン、ジクロロエチ
レンビス（η−シクロペンタジエニル）チタン、ジクロ
ロプロピレンビス（η−シクロペンタジエニル）チタ
ン、ジクロロジメチルシリレンビス（η−シクロペンタ
ジエニル）チタン、ジクロロビス（η−インデニル）チ
タン、ジクロロビス（η−メチルインデニル）チタン、
ジクロロビス（η−ジメチルインデニル）チタン、ジク
ロロビス（η−トリメチルシリルインデニル）チタン、
ジクロロメチレンビス（η−インデニル）チタン、ジク
ロロエチレンビス（η−インデニル）チタン、ジクロロ
プロピレンビス（η−インデニル）チタン、ジメチルビ
ス（η−シクロペンタジエニル）チタン、ジメチルビス
（η−メチルシクロペンタジエニル）チタン、ジメチル
ビス（η−ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタ
ン、ジメチルビス（η−トリメチルシリルシクロペンタ
ジエニル）チタン、ジメチルビス（η−インデニル）チ
タン、ジフェニルビス（η−シクロペンタジエニル）チ
タン、ジフェニルビス（η−メチルシクロペンタジエニ
ル）チタン、ジベンジルビス（η−シクロペンタジエニ
ル）チタン、ビス（トリメチルシリルメチル）ビス（η
−シクロペンタジエニル）チタン、ジメトキシビス（η
−シクロペンタジエニル）チタン、ジエトキシビス（η
−シクロペンタジエニル）チタン、ジブトキシビス（η
−シクロペンタジエニル）チタン、ジフェノキシビス
（η−シクロペンタジエニル）チタンなどが挙げられ
る。

【００１４】ジルコニウム化合物としては、例えば、ビ
ス（η−シクロオクタテトラエン）ジルコニウム、水素
化ジルコニウム、ビス（η−シクロペンタジエニル）
（η−１，３−ブタジエン）ジルコニウム、ジカルボニ
ルビス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウム、ク
ロロビス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウム、
ベンジルビス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウ
ム、トリメチルシリルメチルビス（η−シクロペンタジ
エニル）ジルコニウム、四塩化ジルコニウム、ジルコニ
ウムアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラエトキ
シド、ジルコニウムテトラブトキシド、テトラアリルジ
ルコニウム、トリクロロ（η−ペンタメチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウム、トリブロモ（η−シクロペ
ンタジエニル）ジルコニウム、ビス（η−シクロペンタ
ジエニル）ジヒドリドジルコニウム、クロロビス（η−
シクロペンタジエニル）ヒドリドジルコニウム、ビス
（テトラヒドロホウ酸）ビス（η−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム、ジクロロビス（η−シクロペンタジ
エニル）ジルコニウム、ジクロロビス（η−メチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウム、ジクロロビス（η−
ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、ジクロ
ロビス（η−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウム、ジクロロビス（η−ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウム、ジクロロビス（η−トリフル
オロメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、ジク
ロロビス（η−トリメチルシリルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム、ジクロロ（η−ペンタメチルシクロ
ペンタジエニル）（η−シクロペンタジエニル）ジルコ
ニウム、ジクロロ（η−トリフルオロメチルシクロペン
タジエニル）（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウ
ム、ジクロロメチレンビス（η−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム、ジクロロエチレンビス（η−シクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム、ジクロロプロピレンビ
ス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウム、ジクロ
ロジメチルシリレンビス（η−シクロペンタジエニル）
ジルコニウム、ジクロロビス（η−インデニル）ジルコ
ニウム、ジクロロビス（η−メチルインデニル）ジルコ
ニウム、ジクロロビス（η−ジメチルインデニル）ジル
コニウム、ジクロロビス（η−トリメチルシリルインデ
ニル）ジルコニウム、ジクロロメチレンビス（η−イン
デニル）ジルコニウム、ジクロロエチレンビス（η−イ
ンデニル）ジルコニウム、ジクロロプロピレンビス（η
−インデニル）ジルコニウム、ジメチルビス（η−シク
ロペンタジエニル）ジルコニウム、ジメチルビス（η−
ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、ジ
メチルビス（η−インデニル）ジルコニウム、ジフェニ
ルビス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウム、ジ
フェニルビス（η−メチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウム、ジベンジルビス（η−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム、ビス（トリメチルシリルメチル）ビ
ス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウム、ジメト
キシビス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニウム、
ジエトキシビス（η−シクロペンタジエニル）ジルコニ
ウム、ジブトキシビス（η−シクロペンタジエニル）ジ
ルコニウム、ジフェノキシビス（η−シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムなどが挙げられる。

【００１５】ハフニウム化合物としては、例えば、ビス
（η−ブタジエン）〔１，２−ビス（ジメチルホスフィ
ノ）エタン〕ハフニウム、ジカルボニルビス（η−シク
ロペンタジエニル）ハフニウム、トリメチルシリルメチ
ルビス（η−イソプロピルシクロペンタジエニル）ハフ
ニウム、テトラベンジルハフニウム、トリクロロ（η−
シクロペンタジエニル）ハフニウム、クロロビス（η−
シクロペンタジエニル）ヒドリドハフニウム、ジヒドリ
ドビス（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ビス
（テトラヒドロホウ酸）ビス（η−メチルシクロペンタ
ジエニル）ハフニウム、ジクロロビス（η−シクロペン
タジエニル）ハフニウム、ジクロロビス（η−メチルシ
クロペンタジエニル）ハフニウム、ジクロロビス（η−
ジメチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、ジクロロ
ビス（η−トリメチルシクロペンタジエニル）ハフニウ
ム、ジクロロ（η−ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジクロ
ロ（η−トリフルオロメチルシクロペンタジエニル）
（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジクロロメ
チレンビス（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、
ジクロロエチレンビス（η−シクロペンタジエニル）ハ
フニウム、ジクロロプロピレンビス（η−シクロペンタ
ジエニル）ハフニウム、ジクロロジメチルシリレンビス
（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジクロロビ
ス（η−インデニル）ハフニウム、ジクロロビス（η−
メチルインデニル）ハフニウム、ジクロロビス（η−ジ
メチルインデニル）ハフニウム、ジクロロビス（η−ト
リメチルインデニル）ハフニウム、ジクロロメチレンビ
ス（η−インデニル）ハフニウム、ジクロロエチレンビ
ス（η−インデニル）ハフニウム、ジクロロプロピレン
ビス（η−インデニル）ハフニウム、ジメチルビス（η
−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジメチルビス
（η−ペンタメチルシクロペンタジエニル）ハフニウ
ム、ジメチルビス（η−インデニル）ハフニウム、ジフ
ェニルビス（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、
ジフェニルビス（η−メチルシクロペンタジエニル）ハ
フニウム、ジベンジルビス（η−シクロペンタジエニ
ル）ハフニウム、ビス（トリメチルシリルメチル）ビス
（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジメトキシ
ビス（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジエト
キシビス（η−シクロペンタジエニル）ハフニウム、ジ
ブトキシビス（η−シクロペンタジエニル）ハフニウ
ム、ジフェノキシビス（η−シクロペンタジエニル）ハ
フニウムなどが挙げられる。

【００１６】コバルト化合物としては、ハロゲン化合
物、酢酸塩、硫黄含有有機化合物、カルボニル化合物、
リン含有有機化合物、共役π結合置換基、例えばシクロ
ペンタジエニル基やアルキルシクロペンタジエニル基や
インデニル基等の置換（環を形成していてもよい）シク
ロペンタジエニル基などのシクロペンタジエニル骨格を
有する基を有する化合物が挙げられる。このようなコバ
ルト化合物には、例えば、ヘキサカルボニルビス（トリ
ブチルホスフィン）二コバルト、ヘキサカルボニル−μ
−（ジフェニルアセチレン）二コバルト、テトラカルボ
ニルビス（η−ブタジエン）二コバルト、ドデカカルボ
ニル四コバルト、ヒドリドテトラカルボニルコバルト、
テトラカルボニル（トリメチルシリル）コバルト、（η
−アリル）トリカルボニルコバルト、ヒドリド（二窒
素）トリス（トリフェニルホスフィン）コバルト、テト
ラキス（トリメチルホスフィン）メチルコバルト、ジカ
ルボニル（η−シクロペンタジエニル）コバルト、ビス
〔（μ−カルボニル）（η−シクロペンタジエニル）コ
バルト〕、トリス〔（μ−カルボニル）（η−シクロペ
ンタジエニル）コバルト〕、ジカルボニル（η−ペンタ
メチルシクロペンタジエニル）コバルト、ビス（トリメ
チルホスフィト）（η−シクロペンタジエニル）コバル
ト、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）コバル
ト、（η−シクロペンタジエニル）ビス（トリフェニル
ホスフィン）コバルト、（η−シクロペンタジエニル）
ビス（η−エチレン）コバルト、（η−シクロペンタジ
エニル）（η−１，５−シクロオクタジエン）コバル
ト、（η−シクロペンタジエニル）（η−シクロヘキサ
ジエン）コバルト、酢酸コバルト、コバルト（アセチル
アセトナート）、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化
コバルト、コバルトチオシアネート、ビス（η−シクロ
ペンタジエニル）コバルト、カルボニル（η−シクロペ
ンタジエニル）ジヨードコバルト、（η−シクロペンタ
ジエニル）（トリフェニルホスフィン）ジヨードコバル
ト、ビス（η−シクロペンタジエニル）コバルト三臭化
物、（η−シクロペンタジエニル）（η−シクロヘキサ
ジエニル）コバルトヨウ化物、（η−ベンゼン）（η−
シクロペンタジエニル）コバルトテトラフルオロホウ酸
塩などが挙げられる。

【００１７】ニッケル化合物としては、ハロゲン化合
物、酢酸塩、含窒素有機化合物、含硫黄有機化合物、カ
ルボニル化合物、含リン有機化合物、共役π結合置換
基、例えばシクロペンタジエニル基やアルキルシクロペ
ンタジエニル基やインデニル基等の置換（環を形成して
いてもよい）シクロペンタジエニル基などのシクロペン
タジエニル骨格を有する基やシクロオクタジエニル基、
アリル基等を有する化合物が挙げられる。このようなニ
ッケル化合物には、例えば、テトラカルボニルニッケ
ル、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ニッ
ケル、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル、
（η−エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッ
ケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケ
ル、テトラキス（イソシアン化ｔ−ブチル）ニッケル、
μ−（２窒素）ビス〔ビス（トリシクロヘキシルホスフ
ィン）ニッケル〕、酢酸ニッケル、ニッケル（アセチル
アセトナート）、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ジクロ
ロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン〕ニ
ッケル、トランス−ビス（１，３−ブタジイニル）ビス
（トリブチルホスフィン）ニッケル、ジメチルビス（ト
リメチルホスフィン）ニッケル、ジエチル（２，２´−
ビピリジル）ニッケル、トランス−ブロモ（フェニル）
ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル、テトラメチレ
ンビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、トランス
−クロロ（ヒドリド）ビス（トリシクロヘキシルホスフ
ィン）ニッケル、ビス（η−シクロペンタジエニル）ニ
ッケル、クロロ（η−シクロペンタジエニル）（トリフ
ェニルホスフィン）ニッケル、メチル（η−シクロペン
タジエニル）（トリフェニルホスフィン）ニッケル、
（η−アリル）（η−シクロペンタジエニル）ニッケ
ル、（η−１，５−シクロオクタジエン）（η−シクロ
ペンタジエニル）ニッケルテトラフルオロホウ酸塩、ビ
ス（η−アリル）ニッケル、（η−アリル）ブロモ（ト
リフェニルホスフィン）ニッケル、ビス（η−シクロペ
ンタジエニル）ジ（μ−カルボニル）二ニッケルなどが
挙げられる。

【００１８】ルテニウム化合物としては、例えば、ルテ
ニウムカーボン、ルテニウムアルミナ、ドデカカルボニ
ル３ルテニウム、テトラ−μ−ヒドリドドデカカルボニ
ル四ルテニウム、テトラカルボニル（トリメチルホスフ
ィト）ルテニウム、ペンタキス（トリメチルホスフィ
ト）ルテニウム、トリカルボニル（シクロオクタテトラ
エン）ルテニウム、トリカルボニル（１，５−シクロオ
クタジエン）ルテニウム、テトラカルボニルビス（η−
シクロペンタジエニル）二ルテニウム、テトラカルボニ
ルビス（η−ペンタメチルシクロペンタジエニル）二ル
テニウム、ジカルボニルトリス（トリフェニルホスフィ
ン）ルテニウム、ジアセタトジカルボニルビス（トリフ
ェニルホスフィン）ルテニウム、ジ−μ−クロロビス
（クロロトリカルボニルルテニウム）、ジクロロトリス
（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、カルボニルク
ロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニ
ウム、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ルテニウム、トランス−ジクロロテトラキス（イソ
シアン化ｔ−ブチル）ルテニウム、ビス（η−シクロペ
ンタジエニル）ルテニウム、クロロ（η−シクロペンタ
ジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、ヒドリド（η−シクロペンタジエニル）ビス（トリ
フェニルホスフィン）ルテニウム、シクロペンタジエニ
ルトリス（トリメチルホスフィン）ルテニウムヘキサフ
ルオロリン酸塩、クロロジカルボニル（η−シクロペン
タジエニル）ルテニウム、ヒドリド（シクロペンタジエ
ニル）（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム、ク
ロロ（シクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタ
ジエン）ルテニウム、トリカルボニル（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）ルテニウムテトラフルオロホウ酸
塩、ルテニウム（アセチルアセトナート）、塩化ルテニ
ウム、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
ルテニウム、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル）（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、テトラ
ヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、トリクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
ルテニウム、トリヒドロ（ペンタメチルシクロペンタジ
エニル）（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジク
ロロ（η−アリル）（シクロペンタジエニル）ルテニウ
ムなどが挙げられる。

【００１９】ロジウム化合物としては、例えば、ロジウ
ムカーボン、ロジウムアルミナ、ロジウムシリカ、オク
タカルボニル２ロジウム、ドデカカルボニル四ロジウ
ム、ロジウム（ジカルボニル）（アセチルアセトナー
ト）、ジ−μ−クロロテトラカルボニル２ロジウム、ヒ
ドリドテトラカルボニルロジウム、クロロトリス（トリ
フェニルホスフィン）ロジウム、テトラキス（トリメチ
ルホスフィン）ロジウム塩化物、トランス−〔クロロカ
ルボニルビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ロジウ
ム〕、ヒドリドトリス（トリイソプロピルホスフィン）
ロジウム、ヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ロジウム、ヒドリドテトラキス（トリイソプロピル
ホスフィト）２ロジウム、ジ−μ−クロロ−テトラ（η
−エチレン）２ロジウム、ジ−μ−クロロテトラキス
（シクロオクテン）２ロジウム、ジ−μ−クロロビス
（シクロオクタジエン）２ロジウム、ジ−μ−クロロ−
ビス（η−テトラフェニルシクロブタジエン）２ロジウ
ム、２，４−ペンタンジオナートビス（エチレン）ロジ
ウム、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウ
ム、１，５−シクロオクタジエンビス（アセトニトリ
ル）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩、ジアンミンシク
ロオクタジエンロジウムヘキサフルオロリン酸塩、酢酸
ロジウム、ロジウム（アセチルアセトナート）、塩化ロ
ジウム、臭化ロジウム、ジ−μ−クロロジクロロビス
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）２ロジウム、ジ
−μ−カルボニル−ビス（ペンタメチルシクロペンタジ
エニル）２ロジウム、トリス（アセトニトリル）ペンタ
メチルシクロペンタジエニルロジウム２ヘキサフルオロ
リン酸塩、（１，４−ブタンジイル）（η−ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル）（トリフェニルホスフィン）
ロジウム、ジ−μ−クロロ−テトラキス（η−アリル）
２ロジウム、トリス（η−アリル）ロジウム、ヒドリド
オクタエチルポルフィリナトロジウム、ジメチル−ジ−
μ−メチレンビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）２ロジウム、ジヒドリドビス（トリエチルシリル）
ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウムなどが挙げ
られる。

【００２０】パラジウム化合物としては、例えば、パラ
ジウムカーボン、パラジウムアルミナ、テトラキス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロ
ヘキシルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリエ
チルホスフィト）パラジウム、カルボニルトリス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム、（η−エチレン）ビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（シク
ロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム、トリス（ジベ
ンジリデンアセトン）２パラジウム、ジクロロ−μ−ビ
ス〔ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン〕２パラジウ
ム、酢酸パラジウム、パラジウム（アセチルアセトナー
ト）、塩化パラジウム、ヨウ化パラジウム、ジクロロビ
ス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジクロロ（１，５−
シクロオクタジエン）パラジウム、ジクロロビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム、ジ−μ−クロロ−ジ
クロロビス（イソシアニド）２パラジウム、ジ−μ−ク
ロロ−ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）２パラ
ジウム、トランス−〔ビス（ｔ−ブチルイソシアニド）
ジクロロパラジウム〕、クロロメチル（１，５−シクロ
オクタジエン）パラジウム、ジメチルビス（トリエチル
ホスフィン）パラジウム、トランス−〔ブロモ（メチ
ル）ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム〕、トラ
ンス−クロロ（フェニルエチニル）ビス（トリブチルホ
スフィン）パラジウム、シクロペンタジエニル（フェニ
ル）（トリエチルホスフィン）パラジウム、η−アリル
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）パラジウム、η
−アリル（１，５−シクロオクタジエン）パラジウムテ
トラフルオロホウ酸塩、ジ−μ−クロロビス（η−アリ
ル）２パラジウムなどが挙げられる。

【００２１】イリジウム化合物としては、例えば、ドデ
カカルボニル四イリジウム、ヘキサカルボニル六イリジ
ウム、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）２
イリジウム、ジ−μ−クロロテトラキス（エチレン）２
イリジウム、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオク
タジエン）２イリジウム、クロロトリス（トリフェニル
ホスフィン）イリジウム、クロロカルボニルビス（トリ
フェニルホスフィン）イリジウム、クロロエチレンビス
（トリフェニルホスフィン）イリジウム、クロロ（２窒
素）ビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム、（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）ジカルボニルイリジ
ウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルビス（エチレ
ン）イリジウム、カルボニルヒドリドトリス（トリフェ
ニルホスフィン）イリジウム、クロロジカルボニル（ｐ
−トルイジン）イリジウム、カルボニルメチルビス（ト
リフェニルホスフィン）イリジウム、イリジウム（アセ
チルアセトナート）、塩化イリジウム、トリス（η−ア
リル）イリジウム、ジ−μ−クロロジクロロビス（ペン
タメチルシクロペンタジエニル）２イリジウム、トリク
ロロトリス（トリエチルホスフィン）イリジウム、ジヒ
ドリド（ペンタメチルシクロペンタジエニル）トリメチ
ルホスフィンイリジウム、ペンタヒドリドビス（トリメ
チルホスフィン）イリジウムなどが挙げられる。

【００２２】白金化合物としては、例えば、白金カーボ
ン、白金アルミナ、ビス（ジベンジリデンアセトン）白
金、トリス（エチレン）白金、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）白金、トリス（トリフェニルホスフィ
ン）白金、テトラキス（トリフェニルホスフィト）白
金、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）白
金、ビス（トリフェニルホスフィン）（ジフェニルアセ
チレン）白金、ビス（トリフェニルホスフィン）（トラ
ンス−スチルベン）白金、ビス〔カルボニル（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）白金〕、μ−〔ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）メタン〕−ビス（クロロ白金）、白
金（アセチルアセトナート）、二塩化白金、二臭化白
金、シス−ビス（ベンゾニトリル）ジクロロ白金、シス
−ジクロロビス（アセトニトリル）白金、トランス−ジ
クロロビス（アセトニトリル）白金、ジクロロ（η−
１，５−シクロオクタジエン）白金、シス−ジクロロビ
ス（トリブチルホスフィン）白金、トランス−ジクロロ
ビス（トリブチルホスフィン）白金、シス−〔ジクロロ
（フェニルイソシアニド）（トリフェニルホスフィン）
白金〕、シス−〔ジクロロ（ジアミノカルベン）（トリ
エチルホスフィン）白金〕、トリクロロ（η−エチレ
ン）白金酸カリウム、ジ−μ−クロロ−ジクロロ（エチ
レン）２白金、ビス（１，５−シクロオクタジエン）白
金、トランス−ヒドリドクロロビス（トリエチルホスフ
ィン）白金、ジメチル（１，５−シクロオクタジエン）
白金、トランス−〔ヨード（メチル）ビス（トリエチル
ホスフィン）白金〕、シス−〔クロロ（メチル）ビス
（ジメチルフェニルホスフィン）白金〕、ジブチルビス
（トリフェニルホスフィン）白金、四塩化白金などが挙
げられる。上に例示した各金属及び各金属化合物はそれ
ぞれ２種以上を混合して用いることができる。

【００２３】上記した金属及び／又は金属化合物と共
に、触媒として使用される本発明のシリル化合物及び金
属（重）水素化物（メタルハイドライド）は、それぞれ
化11及び化１２で示される。化11におけるＲ¹⁸〜Ｒ
²⁰は、前述のとおり、互いに同一でも異なっても良く、
炭素数１〜12のアルキル基、炭素数７〜12のアラルキル
基、炭素数６〜12のアリール基または前記化10で示され
るシリル基である。アルキル基としては、炭素数１〜1
2、好ましくは１〜８のものが望ましく、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル
基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ドデシル基等が挙げられる、アラルキル基として
は、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられ
る。アリール基としては、フェニル基、トリル基、キシ
リル基、クメニル基、メシチル基等が挙げられる。ま
た、シリル基としては、例えばトリメチリシリル基、フ
ェニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフ
ェニルシリル基等が挙げられる。化12におけるＲ²¹〜Ｒ
²³は、前述のとおり、Ｒ²¹は炭素数１〜５の例えば、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル
基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、ペ
ンチル基等に例示されるアルキル基、Ｒ²²は炭素数１〜
８のアルキル基、アルコキシ基であり、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、ヘキシルオキシ
基、ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられ
るＲ²³は、炭素数１〜４の例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、１−メチル
プロピル基、２−メチルプロピル基に例示されるアルキ
ル基や第４級アンモニウムである。また、Ｘは水素また
は重水素である。そのシリル化合物の具体例を示せば、
フェニルジメチルシリルリチウム、ジフェニルメチルシ
リルリチウム、ｔ−ブチルジフェニルシリルリチウム、
トリフェニルシリルリチウム、トリス（トリメチルシリ
ル）シリルリチウム、トリメチルシリルナトリウム、ト
リエチルシリルナトリウム、トリ−ｎ−プロピルシリル
ナトリウム、トリ−ｉ−プロピルシリルナトリウム、ト
リ−ｎ−ブチルシリルナトリウム、トリ−ｎ−ヘキシル
シリルナトリウム、トリフェニルシリルナトリウム、エ
チルジメチルシリルナトリウム、ｎ−プロピルジメチル
シリルナトリウム、ｉ−プロピルジメチルシリルナトリ
ウム、ｎ−ブチルジメチルシリルナトリウム、ｔ−ブチ
ルジメチルシリルナトリウム、ｎ−ヘキシルジメチルシ
リルナトリウム、シクロヘキシルジメチルシリルナトリ
ウム、ｎ−オクチルジメチルシリルナトリウム、ｎ−デ
シルジメチルシリルナトリウム、フェニルジメチルシリ
ルナトリウム、ベンジルジメチルシリルナトリウム、フ
ェネチルジメチルシリルナトリウム、ジ−ｎ−ブチルメ
チルシリルナトリウム、ジフェニルメチルシリルナトリ
ウム、ｔ−ブチルジフェニルシリルナトリウム、トリス
（トリメチルシリル）シリルナトリウム、トリメチルシ
リルカリウム、トリエチルシリルカリウム、トリ−ｎ−
プロピルシリルカリウム、トリ−ｉ−プロピルシリルカ
リウム、トリ−ｎ−ブチルシリルカリウム、トリ−ｎ−
ヘキシルシリルカリウム、トリフェニルシリルカリウ
ム、エチルジメチルシリルカリウム、ｎ−プロピルジメ
チルシリルカリウム、ｉ−プロピルジメチルシリルカリ
ウム、ｎ−ブチルジメチルシリルカリウム、ｔ−ブチル
ジメチルシリルカリウム、ｎ−ヘキシルジメチルシリル
カリウム、シクロヘキシルジメチルシリルカリウム、ｎ
−オクチルジメチルシリルカリウム、ｎ−デシルジメチ
ルシリルカリウム、フェニルジメチルシリルカリウム、
ベンジルジメチルシリルカリウム、フェネチルジメチル
シリルカリウム、ジ−ｎ−ブチルメチルシリルカリウ
ム、ジフェニルメチルシリルカリウム、ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルカリウム、トリス（トリスメチルシリル）
シリルカリウムなどが挙げられる。これらのシリル化合
物は２種以上を混合して用いても差し支えなく、またこ
れらシリル化合物は、エーテル、ＴＨＦなどの溶媒を配
位子として有していてもよい。

【００２４】また、化１２で表される金属（重）水素化
物（メタルハイドライド）としては、例えば、ＬｉＨ、
ＮａＨ、ＫＨ、ＣａＨ₂ 、ＡｌＨ₃ 、ＭｅＡｌＨ₂ 、Ｅ
ｔＡｌＨ₂ 、ｉ−ＰｒＡｌＨ₂ 、ｎ−ＢｕＡｌＨ₂ 、ｉ
−ＢｕＡｌＨ₂ 、ｓｅｃ−ＢｕＡｌＨ₂ 、ｔ−ＢｕＡｌ
Ｈ₂ 、Ｍｅ₂ ＡｌＨ₂ 、Ｅｔ₂ ＡｌＨ、ｎ−Ｐｒ₂ Ａｌ
Ｈ、ｉ−Ｐｒ₂ ＡｌＨ、ｎ−Ｂｕ₂ ＡｌＨ、ｉ−Ｂｕ₂
ＡｌＨ、ｓｅｃ−Ｂｕ₂ ＡｌＨ、ｔ−Ｂｕ₂ ＡｌＨ、Ｌ
ｉＡｌＨ₄ 、ＬｉＡｌ（Ｅｔ）₂ Ｈ₂ 、ＬｉＡｌ（ｎ−
Ｐｒ）₂ Ｈ₂ 、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｐｒ）₂ Ｈ₂ 、ＬｉＡｌ
（ｎ−Ｂｕ）₂Ｈ₂ 、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｂｕ）₂ Ｈ₂ 、Ｌ
ｉＡｌ（ｓｅｃ−Ｂｕ）₂ Ｈ₂ 、ＬｉＡｌ（ｔ−Ｂｕ）
₂ Ｈ₂ 、ＬｉＡｌ（Ｅｔ）₃ Ｈ、ＬｉＡｌ（ｎ−Ｐｒ）
₃ Ｈ、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｐｒ）₃ Ｈ、ＬｉＡｌ（ｎ−Ｂ
ｕ）₂ Ｈ、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｂｕ）₃Ｈ、ＬｉＡｌ（ｓｅ
ｃ−Ｂｕ）₃ Ｈ、ＬｉＡｌ（ＯＭｅ）₃ Ｈ、ＬｉＡｌ
（ＯＥｔ）₃ Ｈ、ＬｉＡｌ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）₃ Ｈ、Ｎａ
Ａｌ（ＯＣＨ₂ ＣＨ₂ −ＯＭｅ）₃ Ｈ、ＢＨ₃ 、〔（Ｃ
Ｈ₃ ）₂ ＣＨＣＨ（ＣＨ₃ ）〕₂ ＢＨ、ＬｉＢＨ₄ 、Ｌ
ｉＢ（ｓｅｃ−Ｂｕ）₃ Ｈ、ＬｉＢ（Ｅｔ）₃ Ｈ、Ｌｉ
（９−ＢＢＮ）Ｈ、ＮａＢＨ₄ 、ＫＢＨ₄ 、Ｍｅ₄ ＮＢ
Ｈ₄ 、Ｅｔ₄ ＮＢＨ₄ 、ＬｉＤ、ＮａＤ、ＫＤ、ＣａＤ
₂ 、ＡｌＤ₃ 、ＭｅＡｌＤ₂ 、ＥｔＡｌＤ₂ 、ｎ−Ｐｒ
ＡｌＤ₂ 、ｉ−ＰｒＡｌＤ₂ 、ｎ−ＢｕＡｌＤ₂ 、ｉ−
ＢｕＡｌＤ₂ 、ｓｅｃ−ＢｕＡｌＤ₂ 、ｔ−ＢｕＡｌＤ
₂ 、Ｍｅ₂ ＡｌＤ、Ｅｔ₂ ＡｌＤ、ｎ−Ｐｒ₂ ＡｌＤ、
ｉ−Ｐｒ₂ＡｌＤ、ｎ−Ｂｕ₂ ＡｌＤ、ｉ−Ｂｕ₂ Ａｌ
Ｄ、ｓｅｃ−Ｂｕ₂ ＡｌＤ、ｔ−Ｂｕ₂ ＡｌＤ、ＬｉＡ
ｌＤ₄ 、ＬｉＡｌ（Ｅｔ）₂ Ｄ₂ 、ＬｉＡｌ（ｎ−Ｐ
ｒ）₂Ｄ₂ 、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｐｒ）₂ Ｄ₂ 、ＬｉＡｌ
（ｎ−Ｂｕ）₂ Ｄ₂ 、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｂｕ）₂ Ｄ₂ 、Ｌ
ｉＡｌ（ｓｅｃ−Ｂｕ）₂ Ｄ₂ 、ＬｉＡｌ（ｔ−Ｂｕ）
₂Ｄ₂ 、ＬｉＡｌ（Ｅｔ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（ｎ−Ｐｒ）
₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｐｒ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（ｎ−Ｂ
ｕ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（ｉ−Ｂｕ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（ｓｅ
ｃ−Ｂｕ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（ＯＭｅ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ
（ＯＥｔ）₃ Ｄ、ＬｉＡｌ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）₃ Ｄ、Ｎａ
Ａｌ（ＯＣＨ₂ ＣＨ₂ ＯＭｅ）₃ Ｄ、ＢＤ₃ 、〔（ＣＨ
₃ ）₂ ＣＨＣＨ（ＣＨ₃ ）〕₂ ＢＤ、ＬｉＢＤ₄ 、Ｌｉ
Ｂ（ｓｅｃ−Ｂｕ）₃ Ｄ、ＬｉＢ（Ｅｔ）₃ Ｄ、Ｌｉ
（９−ＢＢＮ）Ｄ、ＮａＢＤ₄ 、ＫＢＤ₄ 、Ｍｅ₄ ＮＢ
Ｄ₄ 、Ｅｔ₄ ＮＢＤ₄ などが挙げられる。これらの金属
（重）水素化物も、任意に２種以上混合して用いること
ができる。

【００２５】進んで、触媒の使用量について言えば、上
記した金属及び／又は金属化合物は、ヒドロシランモノ
マー100 モル当り、0.01〜10モル、好ましくは0.1 〜５
モルの範囲で選ばれ、シリル化合物及び金属（重）水素
化物は、通常ヒドロシランモノマー100 モル当り、それ
ぞれ0.005 〜50モル、好ましくは0.05〜20モルの範囲で
選ばれる。また、金属及び／又は金属化合物とシリル化
合物の割合は、金属及び／又は金属化合物／シリル化合
物（モル比）が通常１／0.01〜１／100 、好ましくは１
／0.1 〜１／50が望ましく、金属及び／又は金属化合物
と金属（重）水素化物の割合は、金属及び／又は金属化
合物／金属（重）水素化物（モル比）が通常１／0.01／
〜１／100 、好ましくは１／0.1 〜１／50が望ましい。
本発明で使用する触媒には添加物として、１２−クラウ
ン４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６、ジベ
ンゾ−１２−クラウン４、ジベンゾ−１５−クラウン
５、ジベンゾ−１８−クラウン−６などのクラウンエー
テル類やテトラメチルエチレンジアミンなどのジアミン
類などを加えてもよい。該添加物の使用割合は、ヒドロ
シランモノマー100 モル当り、0.005 〜50モル、好まし
くは0.05〜20モルの範囲にある。

【００２６】本発明の脱水素縮合反応の条件は特に限定
されてないが、反応温度は、通常０〜250 ℃、好ましく
は25〜210 ℃であり、反応圧力は、通常１mmHg〜200 kg
/cm²、好ましくは常圧〜100kg/cm²であり、反応時間
は、反応温度、触媒量、原料モノマー量などの条件によ
って異なるが、通常５分〜24時間、好ましくは30分から
３時間である。反応は触媒の存在下に行ってもよく、ま
たは非存在下に行ってもよい。溶媒を用いる場合は、ト
ルエン、キシレン、ヘプタン、デカン、ドデカンなどの
炭化水素溶媒や、ジエチルエーテル、イソプロピルエー
テル、メチルブチルエーテル、ジメトキシエタン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル溶媒、ジメ
チルホルムアミド、ヘキサメチルホスフォリックトリア
ミドなどのアミド溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの
エステル溶媒、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類など、さらにこれらの混合物などが用いられる。反
応の方法としては、触媒成分とモノマー成分を同時に混
合してもよいし、触媒成分にモノマー成分を加えてもよ
いし、あるいはモノマー成分に触媒成分を加えてもよ
い。また、溶媒や添加物は任意の時点で加えることがで
きる。脱水素縮合反応は、溶媒の有無にかかわらず、ア
ルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気下で行うことが好
ましい。得られた縮合物は、塩酸、硫酸、酢酸、トリフ
ルオロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、などの酸での処理や
フロリジルなどのカラムで精製することができるほか、
再沈降で精製することができる。また、これらの方法を
組み合わせて精製することもできる。得られる縮合生成
物の構造は、ＩＲ、 ¹ＨＮＭＲ、¹³ＣＮＭＲ、²⁹ＳｉＮ
ＭＲ、ＵＶ、ＧＰＣなどによって確認される。こうして
得られる縮合物は、通常ポリシラン類から実質的にな
り、その構造は、通常繰り返し単位として下記の化13、
化14及び化15を含む。

【００２７】

【化１３】

【００２８】

【化１４】

【００２９】

【化１５】

【００３０】化13、化14および化15において、Ｒ²⁴、Ｒ
²⁵およびＲ²⁶は同一又は互いに異なり、水素、炭素数、
１〜12のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、炭素数７〜12のアラルキル基、ハロゲン化ア
ラルキル基、炭素数６〜12のアリール基又は上記化式
（８）で示されるシリル基から選ばれる。また、Ｒ²⁴〜
Ｒ²⁶は繰り返し単位構造内及び繰り返し単位構造間で互
いに架橋してつながっていてもよい。化13〜化15で表さ
れる単位の組成割合は反応温度によって異なる。例えば
反応温度が低いとき（通常０〜60℃）は、直鎖構造ある
いは単環構造が多くて、枝分かれ構造や橋掛け構造が少
ないポリシランが得られる。このとき重合度は２以上で
あるが、通常20〜100 であり分子量は通常Ｍｗ100 〜10
00万、Ｍｎ100〜100万、好ましくはＭｗ500〜100万、Ｍ
ｎ300〜50 万である。また、ｎ／ｍは通常０〜10、好ま
しくは０〜５、ｏ／ｎは通常０〜10、好ましくは０〜５
である。反応温度が高くなるにつれて、ｎ及び／または
ｏの値が大きくなる傾向があり、通常180〜250℃では、
直鎖構造あるいは単環構造が少なくて、枝分かれ構造や
橋架け構造あるいは縮合多環構造が多いポリシランが得
られる。重合度は２以上であるが、通常は６〜2000であ
り、分子量は通常Ｍｗ100〜1000万、Ｍｎ100〜100万、
好ましくはＭｗ500〜100万、Ｍｎ300〜50万である。こ
の場合、ｍ、ｎ、ｏはそれぞれ、０となる可能性がある
ために、ｎ／ｍ、ｏ／ｎの値のとり得る範囲を一概には
示せないが、ｎ／ｍは通常０〜1000、好ましくは０〜10
0 、ｏ／ｎは通常０〜1000、好ましくは０〜100 程度で
ある。さらに、途中の温度（60〜180 ℃）では、重合度
は２以上であるが、通常は10〜1000であり、分子量はＭ
ｗ100〜1000万、Ｍｎ100〜100万、好ましくはＭｗ500〜
100万、Ｍｎ300〜50万であり、ｎ／ｍは通常０〜100、
好ましくは０〜20、ｏ／ｎは通常０〜100、好ましくは
０〜20程度である。また、ｍ、ｎ、ｏの比率は、用いる
ヒドロシランの種類及び２種類以上のヒドロシランを用
いるときはそれらの使用割合によって調節することがで
きる。得られた縮合物の熱分解は、縮合物をトルエンや
テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）などの適当な溶媒に溶
かし、石英ガラス板、ステンレス板、シリコンウェハー
上にキャストして行うことができる。得られた縮合物の
熱分解は、集合物をトルエンやテトラハイドロフラン
（ＴＨＦ）などの適当な溶媒に溶かし、石英ガラス板、
ステンレス板又はシリコンウェハー上にキャストして行
うことができる。別法として、縮合物を繊維状やペレッ
ト状に成形してから熱分解することもできる。熱分解
は、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気下、水素等
の還元性ガス又は係る還元性ガスと前記不活性ガスの混
合ガスなどの還元性雰囲気下、あるいは10^-5〜10⁴ Ｐ
ａ、好ましくは10^-3〜10³ Ｐａの真空下で行われること
が望ましい。この際、還元性ガスと不活性ガスの混合ガ
スを用いる場合の混合比は通常還元性ガスが0.01以上、
0.1〜100vol％未満、好ましくは１〜50vol％ が望まし
い。また熱分解の温度は100 〜2000℃、200 〜1000℃の
温度で行われる。熱分解に際しては、水素などの還元性
ガスや、ヨウ素、塩化第二鉄、五フッ化アンチモン、五
塩化アンチモン、五フッ化砒素、三塩化リン、三臭化ホ
ウ素、三塩化アルミニウムなどの上記を熱分解雰囲気に
共存させることができる。かくして得られる半導体材料
は黄色〜焦げ茶色、あるいは光沢のある銀鏡状の物質で
ある。膜状の場合、膜厚は通常0.01μm〜500μm、好ま
しくは0.1μm〜50μmである。光学的バンドギャップ（E
o）の値は通常0.1 〜4.0eV、好ましくは0.5〜2.eVであ
る。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば、従来の方法に比べてよ
り短時間でより安価に、ダイオード、トランジスタ、電
解効果型トランジスタ、サイリスタ等の半導体素子に利
用できる半導体材料を製造することができるので、本発
明は工業的に極めて有用である。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。実施例１ 磁気撹拌機を備えた100ml ガラス製フラスコに、アルゴ
ン雰囲気下で、触媒としてＣｐ₂ ＨｆＣｌ₂ （166mg、
0.437mmol)と（Ｍｅ₃ Ｓｉ）₃ ＳｉＬｉ・ＴＨＦ₃ （36
9mg、0.784mmol)を入れた。ついで、ＰｈＳｉＨ₃ (5.0m
l、40mmol)を室温で加えた。添加直後、激しい気体の発
生が見られ、反応物は黄褐色に変色した。激しい気体の
発生は10分ほど続き、その後は穏やかになった。反応温
度を100 ℃で１時間、続いて200 ℃で２時間撹拌した
後、反応生成物をトルエン(500ml) に溶かし、フロリジ
ル(55g) のカラムをで精製後、トルエンを留去すること
により、黄色粉末状の縮合物（収率96％；ＰｈＳｉＨ₃
を基準とした重量％）を得た。この縮合物のトルエン溶
液を石英ガラス板上にキャストし、アルゴン雰囲気下、
700 ℃で１時間加熱したところ、暗褐色の薄膜となっ
た。この膜の電導度は１０^-3 s/cm であった。

【００３３】実施例２ 触媒としてＣｐ₂ ＨｆＣｌ₂ （64mg、0.17mmol)とＫＨ
（30mg、0.76mmol)と１８−Ｃｒｏｗｎ−６(249mg、0.9
42mmol)mを用い、ここへ、ｎ−ＨｅｘＨ₂ ＳｉＳｉＨ₃
(2.5g、17mmol) を加え、100 ℃で１時間、150 ℃で１
時間で２時間加熱した。反応生成物に実施例１と同様の
精製処理を行ったところ、赤褐色固体状のポリシラン
（収率75％；ｎ−ＨｅｘＨ₂ ＳｉＳｉＨ₃ を基準とした
重量％）が得られた。この縮合物のトルエン溶液を石英
ガラス板上にキャストし、アルゴン雰囲気下、500 ℃で
２時間加熱したところ、暗褐色の薄膜となった。この膜
の電導度は１０^-5 s/cm であった。実施例３ 攪拌機を備えた1Lオートクレーブに、触媒としてジクロ
ロビスシクロペンタジエニルジルコニウム（290.7mg、
0.9945mol）とトリス（トリメチルシリル）シリルリチ
ウム３テトラヒドロフラナート（868.9mg、1.845mmo
l）、モノマーとしてシクロペンチルシラン（11.03g、1
10.0mmol）とシランガス（2.40g、74.8mmol）、溶媒と
してトルエン（14ml）を仕込み、200 ℃で５時間攪拌し
た。その後、反応溶液にトルエン（30ml）トリフルオロ
酢酸（10ml）を加えて80℃で１時間攪拌した。この溶液
をメタノール（500 ml）に滴下して、析出した沈殿を濾
別、沈殿をメタノールで洗浄、沈殿をオイルポンプで減
圧乾燥し、黄土色パウダー状のポリマー（9.64g、収率7
5％、 Mw=2600 Mw/Mn=1.7; ポリスチレン換算）を得
た。このポリマーをキシレンに溶かして10wt％溶液と
し、５cm角の石英基板上にスピンコートした。これをア
ルゴン気流下（2L/min）、600 ℃で３時間焼成し、焦げ
茶色の薄膜（膜厚0.2μm;触針法）を得た。この膜の電
導度は10^-5s/cm、光学的バンドギャップ（Eo）は1.6 eV
であった。

【００３４】実施例４ 触媒としてジクロロビスシクロペンタジエニルチタニウ
ム（199.0mg、0.7991mol）とトリス（トリメチルシリ
ル）シリルリチウム３ヒドロフラナート（875.6mg、1.8
59mmol）、モノマーとしてn-ヘキシルシラン（9.36g、8
0.5mmol）とシランガス（2.40g、74.8mmol）を用いた以
外は実施例３と同様にして反応したところ、乳白色パウ
ダー状のポリマー（8.23g、収率70％、Mw=15000 Mw/Mn=
3.2; ポリスチレン換算）を得た。このポリマーをキシ
レンに溶かして10wt％溶液とし、５cm角の石英基板上に
スピンコートした。これをアルゴン気流下（2L/min）、
600 ℃で３時間焼成し、茶色の薄膜（膜厚0.1μm;触針
法）を得た。この膜の電導度は10^-6s/cm、光学的バンド
ギャップ（Eo）は1.8eV であった。 実施例５ 原料モノマーにn-ヘキシルシラン（4.0g、34mmol）とモ
ノシランガス（1.1g、35mmol）を使用し、触媒にビス
（トリメチルシリル）メチルビス（η−ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）ネオジウム（196mg、0.342mmol）
を用いて、200 ℃で24時間反応させた以外は、実施例３
と同様にして反応を行ったところ、褐色パウダー状ポリ
シラン（3.5g、収率69％、Mw=9800 Mw/Mn=4.4; ポリス
チレン換算）を得た。同様に焼成したところ褐色の薄膜
を得た。この電導度は10^-6s/cm 、光学的バンドギャッ
プ（Eo）は、2.2eV であった。実施例６ 触媒にジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテ
ニウム（666mg、0.695mmol）と水素化カリウム（94.4m
g、2.35mmol）、を用いた以外は実施例３と同様にして
反応を行ったところ、褐色パウダー状のポリシラン（3.
3g、収率65％）を得た。この電導度は10^-6s/cm、光学的
バンドギャップ（Eo）は1.5eVであった。実施例７ 原料モノマーにベンジルシラン（4.89g、40mmol）、触
媒にジクロロビス（トリフェニルホスフィン）コバルト
（440mg、0.673mmol）、とトリス（トリメチルシリル）
シリルリチウム３テトラヒドロフラナート（339mg、0.7
22mmol）を用いた以外は実施例１と同様にして反応を行
ったところ、黄色パウダー状のポリシラン（3.4g、収率
70％）を得た。同様に焼成したところ褐色の薄膜を得
た。この電導度は10^-3s/cmあった。

【００３５】実施例８ 原料モノマーにα−フェネチルジシラン（6.65g、40mmo
l）、触媒にヒドリドカルボニルトリス（トリフェニル
ホスフィン）ロジウム（573mg、0.624mmol）、を用いた
以外は実施例１と同様にして反応を行ったところ、褐色
パウダー状のポリシラン（5.4g、収率82％）を得た。同
様に焼成したところ褐色の薄膜を得た。この電導度は10
^-2s/cmあった。実施例９ β−フェネチルジシラン（6.65g、40mmol）、触媒にク
ロロカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）イリジ
ウム（550mg、0.705mmol）とトリス（トリメチルシリ
ル）シリルリチウム３テトラヒドロフラナート（339m
g、0.722mmol）を用いた以外は実施例１と同様にして反
応を行ったところ、薄黄色パウダー状のポリシラン（3.
5g、収率52％）を得た。同様に焼成したところ褐色の薄
膜を得た。この電導度は10^-6s/cmあった。実施例10 原料モノマーに1,3-ジ-n-ヘキシルトリシラン（2.08g、
8.0mmol）、触媒にジクロロビス（トリフェニルホスフ
ィン）ニッケル（90mg、0.138mmol）と水素化カリウム
（12mg、0.29mmol）と18−クラウン−６（27mg、0.101m
mol）を用いた以外は実施例１と同様にして反応を行っ
たところ、薄黄色パウダー状のポリシラン（1.51g、収
率73％）を得た。この電導度は10^-1s/cmあった。実施例11 原料モノマーにベンジルジシラン（2.03g、13mmol）、
触媒にジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（150mg、0.230mmol）とトリス（トリメチルシリ
ル）シリルリチウム３テトラヒドロフラナート（218m
g、0.463mmol）を用いた以外は実施例１と同様にして反
応を行ったところ、薄黄色パウダー状のポリシラン（0.
71g、収率35％）を得た。この電導度は10^-2s/cmあっ
た。実施例12 原料モノマーにシクロヘキシルシラン（4.57g、40mmo
l）、触媒にcis-ジクロロビス（トリフェニルホスフィ
ン）白金（541mg、0.684mmol）を用いた以外は実施例１
と同様にして反応を行ったところ、褐色パウダー状のポ
リシラン（3.66g、収率80％）を得た。この電導度は10
^-6s/cmあった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 【化１】 （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は互いに異なり、水素、
   炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル基、ハロ
   ゲン化アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、ハ
   ロゲン化アラルキル基、炭素数６〜１２のアリ−ル基か
   ら選ばれる。） 【化２】 （式中、Ｒ⁶ 〜Ｒ¹⁰はそれぞれ同一又は互いに異なり、
   水素、炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル
   基、ハロゲン化アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキ
   ル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数６〜１２のアリ
   −ル基から選ばれる。但し、Ｒ⁶ 〜Ｒ¹⁰のいずれか一つ
   は必ず水素である。） 【化３】 （式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁷はそれぞれ同一又は互いに異なり、
   水素、炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル
   基、ハロゲン化アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキ
   ル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数６〜１２のアリ
   −ル基又は下記の化４で示されるシリル基から選ばれ
   る。但し、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁷のいずれか一つは必ず水素であ
   る。） 【化４】Ｒ³ Ｒ⁴ Ｒ⁵ Ｓｉ− （式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁵ はそれぞれ同一又は互いに異なり、
   炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリ−
   ル基から選ばれる。） 上記の化１で示されるヒドロモノシラン、化２で示され
   るヒドロジシラン及び化３で示されるヒドロシランから
   なる群から選ばれる１種もしくは２種以上のヒドロシラ
   ン類を、(a) 周期律表第３Ｂ族〜第７Ｂ族又は第８族か
   ら選ばれる少なくとも１種の金属又は金属化合物、(b)
   上記(a) と下記の化５で示されるシリル化合物との混合
   物、及び(c) 上記(a) と下記の化６で示される金属
   （重）水素化物との混合物からなる群から選ばれる触媒
   の存在下に脱水素縮合し、得られた縮合物を熱分解する
   ことからなる半導体材料の製造法。 【化５】Ｒ¹⁸Ｒ¹⁹Ｒ²⁰ＳｉＡ （式中、Ｒ¹⁸〜²⁰はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭
   素数１〜１２のアルキル基、炭素数７〜１２のアラルキ
   ル基、炭素数６〜１２のアリ−ル基又は上記化２で示さ
   れるシリル基から選ばれ、ＡはＬｉ、Ｎａ又はＫであ
   る。） 【化６】Ａ´Ｘ_ｎ （式中、Ａ´はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ、Ｒ²¹
   _(3-n) Ａｌ、ＬｉＡｌ、ＬｉＡｌＲ²² _(4-n) 、ＮａＡｌ
   Ｒ²² _(4-n) 、Ｂ、Ｒ²¹ _(3-n) Ｂ、ＬｉＢ、ＬｉＢＲ²²、
   ＮａＢ、ＫＢ又はＲ²³Ｂを表し、Ｒ²¹は炭素数１〜５の
   アルキル基、Ｒ²²は炭素数１〜８のアルキル基又はアル
   コキシ基、Ｒ²³は水素あるいは炭素数１〜４のアルキル
   基を有する第４級アンモニウムであり、Ｘは水素又は重
   水素であり、ｎは１〜４の整数である。但し、ｎが１〜
   ３である場合、個々のＲ²¹、Ｒ²²及びＲ²³はそれぞれ異
   種であって差し支えない。）