JPH0758386A - 光周波数コム発生器 - Google Patents
光周波数コム発生器Info
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- JPH0758386A JPH0758386A JP20344193A JP20344193A JPH0758386A JP H0758386 A JPH0758386 A JP H0758386A JP 20344193 A JP20344193 A JP 20344193A JP 20344193 A JP20344193 A JP 20344193A JP H0758386 A JPH0758386 A JP H0758386A
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Abstract
周波数コム発生器を提供する。 【構成】 入射端反射膜17と出射端反射膜18が光入
射端と光出射端に形成された光位相変調器12におい
て、入射されたレーザ光の位相を発振器11からの周波
数fmの変調信号に応じて変調することにより、上記レ
ーザ光の周波数を中心に低周波側と高周波側に上記変調
信号の周波数fm間隔毎にレーザ光のサイドバンドを発
生する。
Description
トバンドをもつレーザ光を発生する光周波数コム発生器
に関し、特に、光位相変調器を用いた光周波数コム発生
器に関するものである。
てその差周波数を測定あるいは制御する場合、その帯域
は受光素子の帯域で制限され、おおむね数十GHz程度
であるので、光周波数コム発生器を用いて広帯域なヘテ
ロダイン検波系を構築するようにしている。光周波数コ
ム発生器は、入射したレーザ光のサイドバンドを等周波
数間隔毎に数百本発生させるもので、発生されたサイド
バンドの周波数安定度はもとのレーザ光のそれとほぼ同
等である。そこで、このサイドバンドと他のレーザ光を
ヘテレドダイン検波させれば、数THzに亘る広帯域な
ヘテロダイン検波系を構築することができる。
に示すように、2枚の反射鏡31,32を対向させて設
置してなる光共振器33と、マイクロ波の変調信号が注
入されるマイクロ波導波管34中にニオブ酸リチウム
(LiNbO3 )などの電気光学結晶基板35を設置し
てなるバルク型の光位相変調器36とを備え、上記光共
振器33内を往復するレーザ光の光路上に上記光位相変
調器36を設置した構造となっていた。
造の従来の光周波数コム発生器では、次のような問題点
があった。第1に、光共振器33内を往復するレーザ光
の光路上に光位相変調器36が設置されているために、
1往復当たり2回の入射損失と2回の出射損失があるの
で上記光共振器33のフィネスが低下し、サイドバンド
の発生効率が極めて低い。第2に、光共振器33を構成
する2枚の反射鏡31,32を正確に平行に保持するた
めの保持具が必要であり、光周波数コム発生器全体が大
型化する。
の問題点に鑑み、高効率、低コスト、無調整で精度の良
好な光周波数コム発生器を提供することにある。
めに、本発明に係る光周波数コム発生器は、周波数fm
の変調信号を発生する発振器と、上記発振器からの変調
信号に応じて、入射されたレーザ光の位相を変調する光
位相変調器と、上記光位相変調器の光入射端と光出射端
に形成され、入射されたレーザ光を上記光位相変調器内
部で共振させる入射端反射膜と出射端反射膜とからな
り、上記光位相変調器において入射されたレーザ光の周
波数を中心に低周波側と高周波側に上記変調信号の周波
数fm間隔毎にレーザ光のサイドバンドを発生すること
を特徴とするものである。
は、導波路型光位相変調器によりレーザ光の位相を変調
してサイドバンドを発生することを特徴とするものであ
る。
反射膜と出射端反射膜が光入射端と光出射端に形成され
た光位相変調器自身が光共振器として機能する。また、
導波路型光位相変調器は、変調信号による電界を導波路
に集中させることができる。
施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
10を用いて構築したヘテロダイン検波系を示すブロッ
クである。このヘテロダイン検波系は、ヘテロダイン検
波用のレーザ光を出射する第1のレーザ光源1と、被測
定用のレーザ光を出射する第2のレーザ光源1と、上記
第1のレーザ光源1からのヘテロダイン検波用のレーザ
光が入射される光周波数コム発生器10と、上記光周波
数コム発生器10で発生された光周波数コムと上記第2
のレーザ光源2からの被測定用のレーザ光とを混合する
光学系3と、この光学系3により混合されたレーザ光を
受光する光検出器4とからなり、ヘテロダイン検波出力
として上記光周波数コムと被測定用のレーザ光の差周波
数成分を上記光検出器4から出力する。
係る光周波数コム発生器であって、発振器11からの周
波数fmの変調信号に応じて、入射されたレーザ光の位
相を変調する導波路型光位相変調器12を備える。
酸リチウム(LiNbO3 )などの電気光学結晶基板1
3からなる。この基板13には、光軸に沿って導波路1
4が形成されているとともに、上記光軸に沿って上記導
波路14上と該導波路14の両側に電極15,16が形
成されている。また、上記基板13には、上記光軸に対
して垂直な光入射端と光出射端にクロム,金,アルミニ
ウムあるいは誘電体多層膜などを蒸着することにより、
入射端反射膜17と出射端反射膜18が形成されてい
る。
2において、上記入射端反射膜17と出射端反射膜18
は、該入射端反射膜17を介して入射端から導波路14
に入射されたレーザ光を該導波路14内部で共振させる
ファブリペロエタロンを構成している。
は、上記発振器11からの周波数fmの変調信号が上記
電極15,16に印加され、上記変調信号の応じた電界
が上記導波路14に印加されることにより、上記入射端
から上記導波路14に入射されたレーザ光の位相を上記
変調信号に応じて変調する。しかも、上記導波路型光位
相変調器12では、変調信号による電界を導波路14に
集中させて、極めて小さな変調所要電力で効率良くレー
ザ光の位相を変調することができる。
は、図3に示すような周波数fsのレーザ光を上記導波
路型光位相変調器12に入射することにより、図4に示
すように、上記レーザ光の周波数fsを中心に低周波側
と高周波側に上記変調信号の周波数fm間隔毎にサイド
バンドfs±nfmが発生する。
して、本発明に係る光周波数コム発生器10が出射した
レーザ光と従来の光周波数コム発生器が出射したレーザ
光のサイドバンドのエンベロープを光スペクトルアナラ
イザで実測して比較した結果を図5に示してある。従来
の光周波数コム発生器では、サイドバンドのエンベロー
プの幅が32nmで4THzまで広がった光周波数コム
を発生していたのに対し、本発明に係る光周波数コム発
生器10では、サイドバンドのエンベロープの幅が48
nmで6.1THzまで広がった光周波数コムを発生す
ることができた。
10を用いることにより、サイドバンドの光強度が増
し、より広帯域でS/Nの高いヘテロダイン検波系を構
築することができる。
変調器12を用いて光周波数コム発生器10を構成した
が、図6に示すように、バルク型の光位相変調器22を
用いて光周波数コム発生器20を構成することもでき
る。
と光出射端に入射端反射膜27と出射端反射膜28が形
成されたニオブ酸リチウム(LiNbO3 )などの電気
光学結晶基板23をマイクロ波導波管29中に設置して
成るバルク型の光位相変調器22を備える。上記入射端
反射膜27と出射端反射膜28は、該入射端反射膜27
を介して入射端から上記電気光学結晶基板23に入射さ
れたレーザ光を該基板24内部で共振させるファブリペ
ロエタロンを構成している。そして、このバルク型の光
位相変調器22では、発振器21からマイクロ波の変調
信号が上記マイクロ波導波管29内に注入されることに
より、入射されたレーザ光の位相を上記変調信号に応じ
て変調する。これにより、上記レーザ光の周波数fsを
中心に低周波側と高周波側に上記変調信号の周波数fm
間隔毎にサイドバンドfs±nfmを発生する。
光位相変調器の光入射端と光出射端に入射端反射膜と出
射端反射膜を形成したことにより、光位相変調器自身が
光共振器として機能するので、高効率、低コスト、無調
整で精度の良好な光周波数コム発生器を実現することが
できる。さらに、上記光位相変調器として導波路型光位
相変調器を用いることにより、上記導波路型光位相変調
器において、変調信号による電界を導波路に集中させ
て、極めて小さな変調所要電力で効率良くレーザ光の位
相を変調することができる。
では、サイドバンドの光強度が増し、より広帯域でS/
Nの高いヘテロダイン検波系を構築することができる。
したヘテロダイン検波系を示すブロック図である。
的に示す斜視図である。
のスペクトル図である。
数コムのスペクトル図である。
ーザ光と従来の光周波数コム発生器が出射したレーザ光
のサイドバンドのエンベロープを光スペクトルアナライ
ザで実測した結果を示す特性特性線図である。
模式的に示す斜視図である。
す斜視図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 周波数fmの変調信号を発生する発振
器と、 上記発振器からの変調信号に応じて、入射されたレーザ
光の位相を変調する光位相変調器と、 上記光位相変調器の光入射端と光出射端に形成され、入
射されたレーザ光を上記光位相変調素子内部で共振させ
る入射端反射膜と出射端反射膜とからなり、 上記光位相変調器において入射されたレーザ光の周波数
を中心に低周波側と高周波側に上記変調信号の周波数f
m間隔毎に光のサイドバンドを発生することを特徴とす
る光周波数コム発生器。 - 【請求項2】 上記光位相変調器は導波路型光位相変
調器からなることを特徴とする光周波数コム発生器。
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JP20344193A JP3756959B2 (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 光周波数コム発生器 |
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