JPH0758186A - ノッチを有する半導体ウェハの一致したジャムを生じない整合を行う装置および方法 - Google Patents
ノッチを有する半導体ウェハの一致したジャムを生じない整合を行う装置および方法Info
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- JPH0758186A JPH0758186A JP7326994A JP7326994A JPH0758186A JP H0758186 A JPH0758186 A JP H0758186A JP 7326994 A JP7326994 A JP 7326994A JP 7326994 A JP7326994 A JP 7326994A JP H0758186 A JPH0758186 A JP H0758186A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、複数の処理装置中で処理するため
に周辺に形成されたノッチを有する半導体ウェハのジャ
ムを生じない整合を行う装置を得ることを目的とする。 【構成】 ノッチ45を備えた半導体ウェハ46の支持手段
41と、半導体ウェハ46のノッチ45と可動的に適応する整
合を行う手段42と、半導体ウェハの周囲に沿った第１の
点47に可動的に適応させる整合を行う手段43と、ノッチ
45を備えた半導体ウェハ46の周囲に沿った第２の点53に
可動的に適応させる整合を行う手段48とを具備し、ノッ
チとの整合手段42、第１の点との整合手段43および第２
の点との整合手段48が、第２の点における整合手段48に
与えられた外力52によって半導体ウェハ46に与えられた
力によって半導体ウェハ46を可動的に適応させることを
特徴とする。各整合手段42,43,48はローラで構成されて
摩擦力を低くしている。
に周辺に形成されたノッチを有する半導体ウェハのジャ
ムを生じない整合を行う装置を得ることを目的とする。 【構成】 ノッチ45を備えた半導体ウェハ46の支持手段
41と、半導体ウェハ46のノッチ45と可動的に適応する整
合を行う手段42と、半導体ウェハの周囲に沿った第１の
点47に可動的に適応させる整合を行う手段43と、ノッチ
45を備えた半導体ウェハ46の周囲に沿った第２の点53に
可動的に適応させる整合を行う手段48とを具備し、ノッ
チとの整合手段42、第１の点との整合手段43および第２
の点との整合手段48が、第２の点における整合手段48に
与えられた外力52によって半導体ウェハ46に与えられた
力によって半導体ウェハ46を可動的に適応させることを
特徴とする。各整合手段42,43,48はローラで構成されて
摩擦力を低くしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄化およびエッチング
プロセスによって後続される計測ステップ等の多数の連
続プロセスを経た半導体ウェハの整合、特に多数の連続
プロセスを通して半導体ウェハの整合を相関させるノッ
チを備えた半導体ウェハの一致したジャムを生じない整
合を行う装置に関する。
プロセスによって後続される計測ステップ等の多数の連
続プロセスを経た半導体ウェハの整合、特に多数の連続
プロセスを通して半導体ウェハの整合を相関させるノッ
チを備えた半導体ウェハの一致したジャムを生じない整
合を行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの外側材料層の厚さを測定
するプロセスは、ウェハ表面計測として知られている。
このようなウェハ表面計測プロセス中、半導体ウェハは
厚さ測定工具の台部に機械的に整合される。この工具
は、ウェハの全表面にわたってウェハの外側材料層の厚
さを示すマップを生成する。この計測プロセスから生成
された外側層の厚さマップは、所望の厚さにまたは所望
の位置にウェハの外側層の材料をそれぞれ薄化またはエ
ッチングする他のプロセスにおいて使用されることが多
い。これらの外側層薄化およびエッチングの両プロセス
は、ウェハの表面上に導かれるあるタイプの器具を含ん
でいる。この器具は、薄化またはエッチングプロセスが
ウェハ面上の正しい位置で行われることを保証するため
にウェハ表面に沿って適切に位置されなければならな
い。この適切なウェハ整合を確保するために、外側層厚
さマップと薄化またはエッチング工具に関するウェハの
位置との間の正しい相関が必要とされる。
するプロセスは、ウェハ表面計測として知られている。
このようなウェハ表面計測プロセス中、半導体ウェハは
厚さ測定工具の台部に機械的に整合される。この工具
は、ウェハの全表面にわたってウェハの外側材料層の厚
さを示すマップを生成する。この計測プロセスから生成
された外側層の厚さマップは、所望の厚さにまたは所望
の位置にウェハの外側層の材料をそれぞれ薄化またはエ
ッチングする他のプロセスにおいて使用されることが多
い。これらの外側層薄化およびエッチングの両プロセス
は、ウェハの表面上に導かれるあるタイプの器具を含ん
でいる。この器具は、薄化またはエッチングプロセスが
ウェハ面上の正しい位置で行われることを保証するため
にウェハ表面に沿って適切に位置されなければならな
い。この適切なウェハ整合を確保するために、外側層厚
さマップと薄化またはエッチング工具に関するウェハの
位置との間の正しい相関が必要とされる。
【０００３】平面を有する半導体ウェハに対して、薄化
またはエッチング装置中のウェハの位置と外側層厚さマ
ップを相関する現在の方法は、計測プロセス中に１組の
整列基点によりウェハをマークすることによって始ま
る。その後、ウェハは外周枠として機能する大きい直径
のウェハ上に配置される。外周枠はウェハエッジに沿っ
た薄化またはエッチングプロセスで一致した反応を維持
するために処理を受けるウェハと同じ材料から形成され
る。基点を設けられたウェハの平面は、枠の表面に接着
された同じウェハ材料の平坦な整合面に接しており、そ
れによって１方向にウェハを整合する。その後、ウェハ
計測基点は装置のアルミニウム保持プレート、すなわち
プラテン上の対応した組のスクライブマークと視覚的に
整列される。整列されると、同じウェハ材料の２つの付
加的な整合面はウェハに接触し、外周枠に接着されてウ
ェハ位置を維持する。その後、枠はプラテンに接着さ
れ、そのため薄化またはエッチングプロセスが開始され
ることができる。
またはエッチング装置中のウェハの位置と外側層厚さマ
ップを相関する現在の方法は、計測プロセス中に１組の
整列基点によりウェハをマークすることによって始ま
る。その後、ウェハは外周枠として機能する大きい直径
のウェハ上に配置される。外周枠はウェハエッジに沿っ
た薄化またはエッチングプロセスで一致した反応を維持
するために処理を受けるウェハと同じ材料から形成され
る。基点を設けられたウェハの平面は、枠の表面に接着
された同じウェハ材料の平坦な整合面に接しており、そ
れによって１方向にウェハを整合する。その後、ウェハ
計測基点は装置のアルミニウム保持プレート、すなわち
プラテン上の対応した組のスクライブマークと視覚的に
整列される。整列されると、同じウェハ材料の２つの付
加的な整合面はウェハに接触し、外周枠に接着されてウ
ェハ位置を維持する。その後、枠はプラテンに接着さ
れ、そのため薄化またはエッチングプロセスが開始され
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の相関された整合
方法は時間を要し、人為的エラーを受け易いことが容易
に理解される。さらに、上記の方法ではノッチを備えた
半導体ウェハの相関された整合が許容されない。したが
って、上記の方法より費やされる時間が少なく、人為的
エラーを受け難く、またノッチを備えた半導体ウェハの
相関された整合を可能にする相関された整合装置および
方法を提供することが望ましい。上記のこのような相関
整合方法は以下の詳細な説明に記載された装置により達
成可能であり、この装置は計測並びに薄化およびエッチ
ング装置においてノッチを備えた半導体ウェハの一致し
た整合を行うために現在使用される。しかしながら、現
在使用されているこの装置の欠点は、整合されるべきウ
ェハの表面と装置の整合面との間の摩擦によりジャムが
発生することである。したがって、現在使用されている
装置においてこのようなジャムを阻止することがさらに
望ましい。したがって、本発明の主な目的は、ノッチを
備えた半導体ウェハの一致したジャムを生じない整合を
行う装置を提供することである。本発明の別の目的は、
薄化およびエッチング処理装置のウェハ整合に計測プロ
セスデータを正しく相関させることができる装置を提供
することである。本発明のさらに別の目的は、従来技術
の整合工程に比較してウェハ整合時間を減少する装置を
提供することである。
方法は時間を要し、人為的エラーを受け易いことが容易
に理解される。さらに、上記の方法ではノッチを備えた
半導体ウェハの相関された整合が許容されない。したが
って、上記の方法より費やされる時間が少なく、人為的
エラーを受け難く、またノッチを備えた半導体ウェハの
相関された整合を可能にする相関された整合装置および
方法を提供することが望ましい。上記のこのような相関
整合方法は以下の詳細な説明に記載された装置により達
成可能であり、この装置は計測並びに薄化およびエッチ
ング装置においてノッチを備えた半導体ウェハの一致し
た整合を行うために現在使用される。しかしながら、現
在使用されているこの装置の欠点は、整合されるべきウ
ェハの表面と装置の整合面との間の摩擦によりジャムが
発生することである。したがって、現在使用されている
装置においてこのようなジャムを阻止することがさらに
望ましい。したがって、本発明の主な目的は、ノッチを
備えた半導体ウェハの一致したジャムを生じない整合を
行う装置を提供することである。本発明の別の目的は、
薄化およびエッチング処理装置のウェハ整合に計測プロ
セスデータを正しく相関させることができる装置を提供
することである。本発明のさらに別の目的は、従来技術
の整合工程に比較してウェハ整合時間を減少する装置を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ノッチを備え
た半導体ウェハの一致した整合を行い、薄化およびエッ
チングプロセスと計測プロセスデータとの間の相関を行
う装置を考慮する。このような装置は、処理されるノッ
チを備えたウェハが平坦に位置される金属設置プレート
から構成されている。ウェハはプレートに固定的に取付
けられた２つのローラによって金属プレートに部分的に
整合される。これらの固定的に取付けられたローラの第
１のローラは、ウェハが適切に整合されたとき、ウェハ
ノッチの両壁がこのローラに接するように金属プレート
上に位置される。これらの固定的に取付けられたローラ
の第２のローラは、ウェハが適切に整合されたときにウ
ェハノッチからほぼ-120°のウェハ上の一点でこのロー
ラと接するように金属プレート上に位置されている。適
切な整合は、ローラがウェハに関してほぼ半径方向に移
動することを可能にする可動金属ブラケット上に固定的
に取付けられた第３の調節可能なローラによって保証さ
れる。この第３の調節可能なローラは、可動金属ブラケ
ットに与えられた外力によってウェハノッチからほぼ12
0 °のウェハ上の一点でウェハに力を与える。ローラの
回転能力と結合されたこの力は、最初に不適切に整合さ
れたウェハが回転されて適切な整合位置にされることを
保証する。またローラが回転素子ベアリングを有するた
めに一般的に僅かな摩擦、すなわちローリング摩擦しか
生じないことにより、ローラとウェハとの間の実効摩擦
係数はウェハジャムが発生する上記の摩擦の実効係数の
臨界値より著しく小さい。
た半導体ウェハの一致した整合を行い、薄化およびエッ
チングプロセスと計測プロセスデータとの間の相関を行
う装置を考慮する。このような装置は、処理されるノッ
チを備えたウェハが平坦に位置される金属設置プレート
から構成されている。ウェハはプレートに固定的に取付
けられた２つのローラによって金属プレートに部分的に
整合される。これらの固定的に取付けられたローラの第
１のローラは、ウェハが適切に整合されたとき、ウェハ
ノッチの両壁がこのローラに接するように金属プレート
上に位置される。これらの固定的に取付けられたローラ
の第２のローラは、ウェハが適切に整合されたときにウ
ェハノッチからほぼ-120°のウェハ上の一点でこのロー
ラと接するように金属プレート上に位置されている。適
切な整合は、ローラがウェハに関してほぼ半径方向に移
動することを可能にする可動金属ブラケット上に固定的
に取付けられた第３の調節可能なローラによって保証さ
れる。この第３の調節可能なローラは、可動金属ブラケ
ットに与えられた外力によってウェハノッチからほぼ12
0 °のウェハ上の一点でウェハに力を与える。ローラの
回転能力と結合されたこの力は、最初に不適切に整合さ
れたウェハが回転されて適切な整合位置にされることを
保証する。またローラが回転素子ベアリングを有するた
めに一般的に僅かな摩擦、すなわちローリング摩擦しか
生じないことにより、ローラとウェハとの間の実効摩擦
係数はウェハジャムが発生する上記の摩擦の実効係数の
臨界値より著しく小さい。
【０００６】整合面および枠が処理を受けるウェハと同
じ材料から製造される従来技術とは異なり、本発明のロ
ーラおよび関連した設置プレートはこの同一材料の制限
を受けないことに留意すべきである。上記のように、こ
の制限は一致した薄化およびエッチングプロセスがウェ
ハエッジに沿って維持されるために従来技術において必
要とされている。この材料制限は一致したプロセス維持
の目的を満たすが、薄化およびエッチングプロセスは整
合および枠材料に悪影響を与えるため、材料交換回数の
増加という不所望な結果が発生する。
じ材料から製造される従来技術とは異なり、本発明のロ
ーラおよび関連した設置プレートはこの同一材料の制限
を受けないことに留意すべきである。上記のように、こ
の制限は一致した薄化およびエッチングプロセスがウェ
ハエッジに沿って維持されるために従来技術において必
要とされている。この材料制限は一致したプロセス維持
の目的を満たすが、薄化およびエッチングプロセスは整
合および枠材料に悪影響を与えるため、材料交換回数の
増加という不所望な結果が発生する。
【０００７】従来技術の材料制限および結果的な材料交
換問題は、薄化およびエッチングプロセスの悪影響から
ローラおよび関連した取付けプレートを保護することに
よって本発明において克服される。したがって、本発明
において使用される材料は、非実用的で費用のかかる制
限の代りに、費用および信頼性等の実際的な配慮により
選択されることができる。
換問題は、薄化およびエッチングプロセスの悪影響から
ローラおよび関連した取付けプレートを保護することに
よって本発明において克服される。したがって、本発明
において使用される材料は、非実用的で費用のかかる制
限の代りに、費用および信頼性等の実際的な配慮により
選択されることができる。
【０００８】上記の本発明の装置は薄化、エッチングお
よび計測プロセスで使用されることが可能であり、特に
処理されたウェハ間の直径変化にかかわらず処理を受け
ノッチを備えた半導体ウェハの一致したジャムを生じな
い整合を行う。さらに、この装置の使用は従来技術の冗
長な視覚的整列工程と関連した整合時間を減少させ、一
方において人為的エラーの可能性を最小にすることがで
きる。
よび計測プロセスで使用されることが可能であり、特に
処理されたウェハ間の直径変化にかかわらず処理を受け
ノッチを備えた半導体ウェハの一致したジャムを生じな
い整合を行う。さらに、この装置の使用は従来技術の冗
長な視覚的整列工程と関連した整合時間を減少させ、一
方において人為的エラーの可能性を最小にすることがで
きる。
【０００９】本発明の別の目的および利点は、以下の詳
細な説明および添付された特許請求の範囲並びに図面か
ら当業者に明らかになるであろう。
細な説明および添付された特許請求の範囲並びに図面か
ら当業者に明らかになるであろう。
【００１０】
【実施例】本発明の以下の説明の理解をさらに容易にす
るために、図面を参照する。これらの図面は同寸大で示
されておらず、また単なる一例に過ぎず、本発明を制限
するものではない。
るために、図面を参照する。これらの図面は同寸大で示
されておらず、また単なる一例に過ぎず、本発明を制限
するものではない。
【００１１】図１を参照すると、従来技術のノッチを備
えた半導体ウェハ整合装置10が示されており、その使用
によって結果的にウェハジャムを生じさせる可能性が高
い。この従来技術の装置10は、２つの整合面14，15およ
び２つの案内部24が固定的に取付けられている枠12を有
する。２つの固定的に取付けられた整合面14，15の第１
のもの14は、ウェハ16のノッチ18と整合するために使用
される。整合面14，15の第２のもの15は、ウェハノッチ
18からほぼ-120°のウェハ16上の点20と整合するように
位置される。
えた半導体ウェハ整合装置10が示されており、その使用
によって結果的にウェハジャムを生じさせる可能性が高
い。この従来技術の装置10は、２つの整合面14，15およ
び２つの案内部24が固定的に取付けられている枠12を有
する。２つの固定的に取付けられた整合面14，15の第１
のもの14は、ウェハ16のノッチ18と整合するために使用
される。整合面14，15の第２のもの15は、ウェハノッチ
18からほぼ-120°のウェハ16上の点20と整合するように
位置される。
【００１２】第３の調節可能な整合面22は、２つの固定
的に取付けられた案内部24の間に位置される。ウェハ16
を確実に拘束するために、力26はこの第３の調節可能な
整合面22に、したがってウェハ16に与えられる。この力
26は、全ての整合面14，15および22との接触が行われる
まで仮定上のピボット28を中心にしてウェハ16を回転す
る傾向がある。しかしながら、ウェハ16と整合面14，15
および22との間の接触点における摩擦は、この必要な回
転を妨げる傾向がある。事実上、ウェハ16と整合面14，
15および22との間の摩擦の実効係数の臨界値は、与えら
れた力26の大きさにかかわらず必要な回転が発生するよ
り上である。これは結果的にウェハ16を示されたように
不適切に整合させる摩擦ジャムを生じさせる。
的に取付けられた案内部24の間に位置される。ウェハ16
を確実に拘束するために、力26はこの第３の調節可能な
整合面22に、したがってウェハ16に与えられる。この力
26は、全ての整合面14，15および22との接触が行われる
まで仮定上のピボット28を中心にしてウェハ16を回転す
る傾向がある。しかしながら、ウェハ16と整合面14，15
および22との間の接触点における摩擦は、この必要な回
転を妨げる傾向がある。事実上、ウェハ16と整合面14，
15および22との間の摩擦の実効係数の臨界値は、与えら
れた力26の大きさにかかわらず必要な回転が発生するよ
り上である。これは結果的にウェハ16を示されたように
不適切に整合させる摩擦ジャムを生じさせる。
【００１３】図２を参照すると、上記の従来技術の摩擦
ジャム問題を克服する本発明によるノッチを備えた半導
体ウェハ整合装置40が示されている。この装置40は、２
つのローラ42，43および２つの案内部44が固定的に取付
けられるアルミニウムプレート41を具備する。アルミニ
ウムプレート41はまた半導体ウェハ46が平坦に位置され
る領域を提供する。２つの固定的に取付けられたローラ
42，43の第１のもの42は、ウェハ46が適切に整合された
とき、ウェハノッチ45の両壁がこのローラ42に接するよ
うにプレート41上に位置される。第２の固定的に取付け
られたローラ43は、ウェハ46が適切に整合されたときウ
ェハノッチ45からほぼ-120°でウェハ46上の点47におい
てこのローラ43に接するようにプレート41上に位置され
る。
ジャム問題を克服する本発明によるノッチを備えた半導
体ウェハ整合装置40が示されている。この装置40は、２
つのローラ42，43および２つの案内部44が固定的に取付
けられるアルミニウムプレート41を具備する。アルミニ
ウムプレート41はまた半導体ウェハ46が平坦に位置され
る領域を提供する。２つの固定的に取付けられたローラ
42，43の第１のもの42は、ウェハ46が適切に整合された
とき、ウェハノッチ45の両壁がこのローラ42に接するよ
うにプレート41上に位置される。第２の固定的に取付け
られたローラ43は、ウェハ46が適切に整合されたときウ
ェハノッチ45からほぼ-120°でウェハ46上の点47におい
てこのローラ43に接するようにプレート41上に位置され
る。
【００１４】第３の調節可能なローラ48はスライドする
アルミニウムブラケット50に固定的に取付けられ、この
アルミニウムブラケット50は２つの案内部44の間におい
てアルミニウムプレート41中に製造または研削された半
径方向の溝51内に位置されている。当業者が図面から理
解するように、２つの案内部44および半径方向の溝51の
目的は、ウェハ46に関してほぼ半径方向の運動にスライ
ドするアルミニウムブラケット50、したがって第３のロ
ーラ48の運動を制限することである。その代りとして、
スライドするアルミニウムブラケット50はプレート41に
取付けられたピボットピンを中心にしてピボット運動す
るように構成されたピボットアームと置換されることが
できる。
アルミニウムブラケット50に固定的に取付けられ、この
アルミニウムブラケット50は２つの案内部44の間におい
てアルミニウムプレート41中に製造または研削された半
径方向の溝51内に位置されている。当業者が図面から理
解するように、２つの案内部44および半径方向の溝51の
目的は、ウェハ46に関してほぼ半径方向の運動にスライ
ドするアルミニウムブラケット50、したがって第３のロ
ーラ48の運動を制限することである。その代りとして、
スライドするアルミニウムブラケット50はプレート41に
取付けられたピボットピンを中心にしてピボット運動す
るように構成されたピボットアームと置換されることが
できる。
【００１５】適切なウェハ整合を確保するために、外力
52はスライドするアルミニウムブラケット50に与えられ
る。この外部的に与えられた力52により、結果的に第３
のローラ48はウェハノッチからほぼ120 °でウェハ上の
点53においてウェハ46に対して類似した力を与える。ロ
ーラ42，43および48のローリング能力と結合されたこの
結果的な力は、不適切に整合されたウェハが示されたよ
うに適切な整合位置に回転されることを保証する。ま
た、ローラ42，43および48が回転素子ベアリングを有し
ているために全体的に少量の摩擦、すなわち回転摩擦を
示すために、ローラ42，43および48とウェハ46との間の
実効摩擦係数は、ウェハジャムが発生するより上の実効
摩擦係数の臨界値より著しく小さい。したがって、ウェ
ハ46はジャムを生ぜずに適切に整合される。もちろん、
適切な整合は、このような整合を可能にするように、す
なわちウェハノッチ45が第１のローラ42に十分に近接し
ていなければならない方法でウェハ46がプレート41上に
始めに位置された時にのみ発生する。ウェハ処理システ
ムの現時点の技術によって、この元の位置決定状態は容
易に達成できる。
52はスライドするアルミニウムブラケット50に与えられ
る。この外部的に与えられた力52により、結果的に第３
のローラ48はウェハノッチからほぼ120 °でウェハ上の
点53においてウェハ46に対して類似した力を与える。ロ
ーラ42，43および48のローリング能力と結合されたこの
結果的な力は、不適切に整合されたウェハが示されたよ
うに適切な整合位置に回転されることを保証する。ま
た、ローラ42，43および48が回転素子ベアリングを有し
ているために全体的に少量の摩擦、すなわち回転摩擦を
示すために、ローラ42，43および48とウェハ46との間の
実効摩擦係数は、ウェハジャムが発生するより上の実効
摩擦係数の臨界値より著しく小さい。したがって、ウェ
ハ46はジャムを生ぜずに適切に整合される。もちろん、
適切な整合は、このような整合を可能にするように、す
なわちウェハノッチ45が第１のローラ42に十分に近接し
ていなければならない方法でウェハ46がプレート41上に
始めに位置された時にのみ発生する。ウェハ処理システ
ムの現時点の技術によって、この元の位置決定状態は容
易に達成できる。
【００１６】装置40は上記実施例においてプレート41お
よびその他の関連した部品の材料としてアルミニウムが
使用されているが、その他の実際的な材料はまた使用さ
れてもよいことに留意すべきである。
よびその他の関連した部品の材料としてアルミニウムが
使用されているが、その他の実際的な材料はまた使用さ
れてもよいことに留意すべきである。
【００１７】以上の詳細に説明された本発明のノッチを
備えた半導体ウェハの整合装置40により、上記の目的は
効果的に達成され、上記の装置40における変化は本発明
の技術的範囲を逸脱することなく行われることができる
ため、上記の説明に含まれた或は添付図面に示された全
ての項目は単なる説明に過ぎず、本発明の技術的範囲を
限定することを意味するものではないことが理解できる
であろう。
備えた半導体ウェハの整合装置40により、上記の目的は
効果的に達成され、上記の装置40における変化は本発明
の技術的範囲を逸脱することなく行われることができる
ため、上記の説明に含まれた或は添付図面に示された全
ての項目は単なる説明に過ぎず、本発明の技術的範囲を
限定することを意味するものではないことが理解できる
であろう。
【図１】ウェハジャムが発生する従来技術のノッチを備
えた半導体ウェハ整合装置の平面図。
えた半導体ウェハ整合装置の平面図。
【図２】ローラがノッチを備えた半導体ウェハを一致し
て整合するために使用される本発明の原理を使用したノ
ッチを備えた半導体ウェハ整合装置の平面図。
て整合するために使用される本発明の原理を使用したノ
ッチを備えた半導体ウェハ整合装置の平面図。
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の処理装置中で処理を受ける、周囲
の一部分に沿って形成されたノッチを有する半導体ウェ
ハの一致したジャムを生じない整合を行う装置におい
て、 整合されるノッチを備えた半導体ウェハを支持する手段
と、 前記ノッチを備えた半導体ウェハのノッチと可動的に適
応する整合を行う手段と、 前記ノッチを備えた半導体ウェハの周囲に沿った第１の
点に可動的に適応させる整合を行う手段と、 前記ノッチを備えた半導体ウェハの周囲に沿った第２の
点に可動的に適応させる整合を行う手段とを具備し、 前記ノッチとの整合手段、前記第１の点との整合手段お
よび前記第２の点との整合手段が、前記第２の点との整
合手段に与えられた外力に基づいてこの第２の点との整
合手段によって前記ノッチを備えた半導体ウェハに与え
られた力によって前記ノッチを備えた半導体ウェハを可
動的に整合位置に適応させることを特徴とする半導体ウ
ェハの整合装置。 - 【請求項２】 前記半導体ウェハの支持手段はノッチを
備えた半導体ウェハが平らに位置された表面を有するプ
レートを備えている請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記プレートは前記ノッチを備えた半導
体ウェハの半径にほぼ沿って前記与えられた力を導くこ
とを助けるほぼ半径方向の溝を有している請求項２記載
の装置。 - 【請求項４】 前記プレートは前記複数の処理装置と関
連した悪環境に耐えるようにアルミニウムから形成され
ている請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 前記ノッチを備えた半導体ウェハのノッ
チと整合を行う前記手段はローラを含み、このローラは
前記支持手段に固定的に取付けられ、このローラが前記
ノッチの両壁と接触し、ノッチを備えた半導体ウェハが
適切な整合位置に回転することを可能にすることによっ
て前記ノッチを備えた半導体ウェハの前記ノッチと可動
的に適合される請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 前記ノッチを備えた半導体ウェハの周囲
に沿った第１の点において整合を行う前記手段はローラ
を含み、このローラは前記支持手段に固定的に取付けら
れ、このローラがノッチを備えた半導体ウェハと接触
し、ノッチを備えた半導体ウェハが適切な整合位置に回
転することを可能にすることによって前記ノッチを備え
た半導体ウェハの周囲に沿った前記第１の点に可動的に
適合される請求項１記載の装置。 - 【請求項７】 前記ノッチを備えた半導体ウェハの周囲
に沿った前記第１の点は、前記ウェハノッチからほぼ-1
20°である請求項６記載の装置。 - 【請求項８】 前記ノッチを備えた半導体ウェハの周囲
に沿った第２の点において整合を行う前記手段はローラ
を含み、このローラはほぼ半径方向の力が前記ローラに
よって前記ノッチを備えた半導体ウェハに対して与えら
れるように前記ノッチを備えた半導体ウェハのほぼ半径
に沿って移動可能であるブラケットに固定的に取付けら
れ、前記ローラは前記与えられた力の結果としてノッチ
を備えた半導体ウェハが前記ローラに接触し、ノッチを
備えた半導体ウェハが適切な整合位置に回転することを
可能にすることによってノッチを備えた半導体ウェハの
周囲に沿った前記第２の点に可動的に適合される請求項
１記載の装置。 - 【請求項９】 さらに、２つの案内部を具備し、それら
２つの案内部は前記支持手段に固定的に取付けられ、そ
れら２つの案内部は前記ほぼ半径方向の移動だけに前記
ブラケットの運動を制限している請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 前記ブラケットおよび前記案内部は、
前記複数の処理装置と関連した悪環境に耐えるようにア
ルミニウムから形成されている請求項９記載の装置。 - 【請求項１１】 前記ノッチを備えた半導体ウェハの周
囲に沿った前記第２の点は前記ウェハノッチからほぼ 1
20°である請求項１０記載の装置。
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|---|---|---|---|
| US4605393A | 1993-04-12 | 1993-04-12 | |
| US046053 | 1993-04-12 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758186A true JPH0758186A (ja) | 1995-03-03 |
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| JP7326994A Pending JPH0758186A (ja) | 1993-04-12 | 1994-04-12 | ノッチを有する半導体ウェハの一致したジャムを生じない整合を行う装置および方法 |
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| JP (1) | JPH0758186A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475732B1 (ko) * | 1997-09-13 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 포토설비의웨이퍼얼라인장치 |
| CN103117239B (zh) * | 2013-02-01 | 2017-02-01 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种用于干刻设备的导航片及导航方法 |
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- 1994-04-08 TW TW083103102A patent/TW244392B/zh active
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- 1994-04-11 EP EP94105574A patent/EP0620584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-12 JP JP7326994A patent/JPH0758186A/ja active Pending
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| DE69401295D1 (de) | 1997-02-13 |
| DE69401295T2 (de) | 1997-07-24 |
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