JPH0757912B2 - アルミニウムのエッチング法 - Google Patents
アルミニウムのエッチング法Info
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- JPH0757912B2 JPH0757912B2 JP2176690A JP17669090A JPH0757912B2 JP H0757912 B2 JPH0757912 B2 JP H0757912B2 JP 2176690 A JP2176690 A JP 2176690A JP 17669090 A JP17669090 A JP 17669090A JP H0757912 B2 JPH0757912 B2 JP H0757912B2
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- JP
- Japan
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- aluminum
- etching
- substrate
- active hydrogen
- hydrogen
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、活性水素によるアルミニウムのエッチング法
に関する。
に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題） アルミニウムのエッチングは、半導体素子の電極配線の
形成上重要なものであるが、アルミニウムのドライエッ
チングは従来最も困難なものとされている。
形成上重要なものであるが、アルミニウムのドライエッ
チングは従来最も困難なものとされている。
従来、基板上のアルミニウム皮膜をエッチングするため
には、四塩化炭素、三塩化ホウ素、三塩化リン又は四塩
化ケイ素等のハロゲン化合物の気体をエッチングガスと
して使用する方法が知られている。しかしながら、これ
らのエッチングガスによるエッチングでは、エッチング
像に炭素等の残渣が生じる問題、エッチングガスの後処
理の問題等がある。
には、四塩化炭素、三塩化ホウ素、三塩化リン又は四塩
化ケイ素等のハロゲン化合物の気体をエッチングガスと
して使用する方法が知られている。しかしながら、これ
らのエッチングガスによるエッチングでは、エッチング
像に炭素等の残渣が生じる問題、エッチングガスの後処
理の問題等がある。
（課題を解決するための手段） 本発明者らは、アルミニウム単結晶表面上の吸着水素の
研究を行ってきたが、この研究中に、低温で、活性水素
を吸着させたアルミニウムを昇温すると、300゜Ｋ以上
の温度でアルミニウムの水素化物が定量的に離脱するこ
とを見いだした。この知見に基づいて、本発明者らは、
300゜Ｋ未満の低温でアルミニウム上に水素を吸着させ
た後300゜Ｋ以上の温度に昇温するか、又は300゜Ｋ以上
の温度に保持したアルミニウム上に活性水素を照射する
ことにより、アルミニウムを選択的にドライエッチング
できることを見いだし、本発明をなすに至った。
研究を行ってきたが、この研究中に、低温で、活性水素
を吸着させたアルミニウムを昇温すると、300゜Ｋ以上
の温度でアルミニウムの水素化物が定量的に離脱するこ
とを見いだした。この知見に基づいて、本発明者らは、
300゜Ｋ未満の低温でアルミニウム上に水素を吸着させ
た後300゜Ｋ以上の温度に昇温するか、又は300゜Ｋ以上
の温度に保持したアルミニウム上に活性水素を照射する
ことにより、アルミニウムを選択的にドライエッチング
できることを見いだし、本発明をなすに至った。
すなわち本発明は、基板上のアルミニウムを選択的にエ
ッチング処理するに当り、（ｉ）水素原子、励起水素原
子及び励起水素分子から選ばれた活性水素を300゜Ｋ未
満の低温で基板上のエッチングするアルミニウム上に照
射し、吸着させた後、300〜450゜Ｋの温度に昇温して、
アルミニウムの水素化物を離脱させてアルミニウムをエ
ッチングするか、又は（ii）300〜450゜Ｋの温度で基板
上のエッチングするアルミニウム上に前記活性水素を照
射して、アルミニウムの水素化物を離脱させてアルミニ
ウムをエッチングする、ことを特徴とするアルミニウム
のエッチング方法を提供するものである。
ッチング処理するに当り、（ｉ）水素原子、励起水素原
子及び励起水素分子から選ばれた活性水素を300゜Ｋ未
満の低温で基板上のエッチングするアルミニウム上に照
射し、吸着させた後、300〜450゜Ｋの温度に昇温して、
アルミニウムの水素化物を離脱させてアルミニウムをエ
ッチングするか、又は（ii）300〜450゜Ｋの温度で基板
上のエッチングするアルミニウム上に前記活性水素を照
射して、アルミニウムの水素化物を離脱させてアルミニ
ウムをエッチングする、ことを特徴とするアルミニウム
のエッチング方法を提供するものである。
本発明において活性水素とアルミニウムの反応は300゜
Ｋ以上、より具体的には300〜450゜Ｋの温度で行われ
る。
Ｋ以上、より具体的には300〜450゜Ｋの温度で行われ
る。
反応時の圧力としては、通常減圧又は真空状態が用いら
れるが、常圧又は加圧状態でも差支えない。
れるが、常圧又は加圧状態でも差支えない。
本発明方法の実施態様としては活性水素を300゜Ｋ未満
の低温でアルミニウム上に照射し、アルミニウム上に活
性水素を吸着させた後、基板を300゜Ｋ以上に昇温する
ことにより、吸着した水素原子の1/3の量のアルミニウ
ム原子をエッチングすることができる。
の低温でアルミニウム上に照射し、アルミニウム上に活
性水素を吸着させた後、基板を300゜Ｋ以上に昇温する
ことにより、吸着した水素原子の1/3の量のアルミニウ
ム原子をエッチングすることができる。
他の方法としては、300゜Ｋ以上に保持した基板上に活
性水素を照射することにより、アルミニウムを連続的に
エッチングすることもできる。
性水素を照射することにより、アルミニウムを連続的に
エッチングすることもできる。
本発明において基板上のアルミニウムを選択的にエッチ
ングすることができるとは活性水素を導入した場所のア
ルミニウム原子のみをエッチングすることができるとい
う意味である。
ングすることができるとは活性水素を導入した場所のア
ルミニウム原子のみをエッチングすることができるとい
う意味である。
本発明でいう活性水素とは化学的に活性な反応性に富む
水素を意味する。
水素を意味する。
活性水素としては、水素原子、励起水素原子、励起水素
分子を挙げることができる。またこれらの活性水素は、
この効力を著しく損なうことのない不活性気体等他の気
体中に混合されていてもよい。
分子を挙げることができる。またこれらの活性水素は、
この効力を著しく損なうことのない不活性気体等他の気
体中に混合されていてもよい。
（発明の効果） 本発明の方法に従うと、活性水素をエッチングガスとし
て用い、300゜Ｋ以上という低温で効率よくアルミニウ
ムを選択的にエッチングすることができる。この方法
は、従来法で問題となった炭素等の残渣がエッチング後
に残らず、エッチングガスの後処理も容易であり、しか
も基板上のアルミニウムを選択的にエッチングできるの
で、工業的なアルミニウムの選択エッチング法として最
適である。
て用い、300゜Ｋ以上という低温で効率よくアルミニウ
ムを選択的にエッチングすることができる。この方法
は、従来法で問題となった炭素等の残渣がエッチング後
に残らず、エッチングガスの後処理も容易であり、しか
も基板上のアルミニウムを選択的にエッチングできるの
で、工業的なアルミニウムの選択エッチング法として最
適である。
（実施例） 次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
実施例１ モリブデン単結晶基板のMo（III）表面にアルミニウム
をエピタキシャル成長させ２原子層蒸着する。この基板
の前方50mmのところにタングステンの熱フィラメントを
設置する。容器中に水素ガスを２×10-7torr導入する。
基板温度413゜Ｋで20分保持すると、１原子層のアルミ
ニウムがエッチングされる。エッチング効率は、１原子
層のアルミニウムが除去される間一定である。
をエピタキシャル成長させ２原子層蒸着する。この基板
の前方50mmのところにタングステンの熱フィラメントを
設置する。容器中に水素ガスを２×10-7torr導入する。
基板温度413゜Ｋで20分保持すると、１原子層のアルミ
ニウムがエッチングされる。エッチング効率は、１原子
層のアルミニウムが除去される間一定である。
このエッチングの様子を第１図に示す。なお、縦軸のオ
ージェ・ピークレシオとは、オージェ分光法により測定
したAlとMoのオージェ・ピークの強度比であり、表面上
に存在するAlの量を表わす。
ージェ・ピークレシオとは、オージェ分光法により測定
したAlとMoのオージェ・ピークの強度比であり、表面上
に存在するAlの量を表わす。
効率のより良い活性水素生成法と組み合わせることによ
り、エッチング効率は飛躍的に増加させることが可能で
ある。
り、エッチング効率は飛躍的に増加させることが可能で
ある。
この実施例でタングステン熱フィラメントで生成される
活性水素は主に励起水素原子である。
活性水素は主に励起水素原子である。
第１図は、Mo（III）表面上にエピタキシャル成長させ
たアルミニウム２原子層の活性水素によるエッチング状
況を示す図である。
たアルミニウム２原子層の活性水素によるエッチング状
況を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新藤 斎 茨城県つくば市東１丁目１番地 工業技術 院化学技術研究所内 (72)発明者 大西 孝治 神奈川県横浜市戸塚区平戸５―５―19 (72)発明者 堂免 一成 神奈川県横浜市金沢区六浦70―１―506 (72)発明者 原 亨和 神奈川県横浜市中区豆口台179―３ (56)参考文献 特開 昭52−90436（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−43113（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上のアルミニウムを選択的にエッチン
グ処理するに当り、（ｉ）水素原子、励起水素原子及び
励起水素分子から選ばれた活性水素を300゜Ｋ未満の低
温で基板上のエッチングするアルミニウム上に照射し、
吸着させた後、300〜450゜Ｋの温度に昇温して、アルミ
ニウムの水素化物を離脱させてアルミニウムをエッチン
グするか、又は（ii）300〜450゜Ｋの温度で基板上のエ
ッチングするアルミニウム上に前記活性水素を照射し
て、アルミニウムの水素化物を離脱させてアルミニウム
をエッチングする、ことを特徴とするアルミニウムのエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176690A JPH0757912B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | アルミニウムのエッチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176690A JPH0757912B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | アルミニウムのエッチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466682A JPH0466682A (ja) | 1992-03-03 |
| JPH0757912B2 true JPH0757912B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=16018033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176690A Expired - Lifetime JPH0757912B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | アルミニウムのエッチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0757912B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201812A (ja) * | 1994-01-11 | 1995-08-04 | Tadahiro Omi | 固体表面処理装置及び処理方法、不動態膜形成装置及び方法、並びにプロセス装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290436A (en) * | 1976-01-26 | 1977-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | Plasm etching method |
| FR2462365A1 (fr) * | 1979-07-30 | 1981-02-13 | Mecanique Gle Decolletage Tour | Transporteur accumulateur |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2176690A patent/JPH0757912B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466682A (ja) | 1992-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |