JPH075407A - 液晶基板の異物検査装置 - Google Patents
液晶基板の異物検査装置Info
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- JPH075407A JPH075407A JP17113393A JP17113393A JPH075407A JP H075407 A JPH075407 A JP H075407A JP 17113393 A JP17113393 A JP 17113393A JP 17113393 A JP17113393 A JP 17113393A JP H075407 A JPH075407 A JP H075407A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＦＴ等の段差の大きなパターンを多数有す
る液晶基板の異物検査装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板状に形成された矩形状のパターンの１つ
の辺に対して水平面に投影した照射角がほぼ４５度にな
る状態で対向させて互いに異なる波長の２本のレーザ光
をほぼ等しい仰角で斜めに検出点に照射して前記検出点
の上方でそれぞれの散乱光を受光し、それぞれの散乱光
の受光レベルがほぼ等しいときに異物と判定するもので
ある。
る液晶基板の異物検査装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板状に形成された矩形状のパターンの１つ
の辺に対して水平面に投影した照射角がほぼ４５度にな
る状態で対向させて互いに異なる波長の２本のレーザ光
をほぼ等しい仰角で斜めに検出点に照射して前記検出点
の上方でそれぞれの散乱光を受光し、それぞれの散乱光
の受光レベルがほぼ等しいときに異物と判定するもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶基板の異物検査
装置に関し、詳しくは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を
有するアクディブマトリックスＬＣＤの基板の異物検査
において、異物を有効に検出できるような異物検査装置
に関する。
装置に関し、詳しくは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を
有するアクディブマトリックスＬＣＤの基板の異物検査
において、異物を有効に検出できるような異物検査装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクディブマトリックスＬＣＤの基板に
は、半導体ウエハと同様にＴＦＴや透明電極の微細パタ
ーンが表面に形成される。また、カラー液晶基板（ＬＣ
Ｄ基板）の場合には、さらに微細なフィルタパターンが
形成される。これら基板の表面上に付着した異物は、品
質を劣化させたり、ＴＦＴや配向膜を破損させて画素不
良の原因になる。したがって、半導体ウエハの場合と同
様に異物が問題にされ、液晶基板の製造過程の各工程で
検査する必要になる。半導体ウエハの異物検査装置は、
種々のものあり、その技術はより微細な異物を検出する
方向にあるが、液晶基板の異物検査装置は、まだ手探り
状態であって、液晶基板専用の検査方法が技術として明
確に確立されているわけではない。
は、半導体ウエハと同様にＴＦＴや透明電極の微細パタ
ーンが表面に形成される。また、カラー液晶基板（ＬＣ
Ｄ基板）の場合には、さらに微細なフィルタパターンが
形成される。これら基板の表面上に付着した異物は、品
質を劣化させたり、ＴＦＴや配向膜を破損させて画素不
良の原因になる。したがって、半導体ウエハの場合と同
様に異物が問題にされ、液晶基板の製造過程の各工程で
検査する必要になる。半導体ウエハの異物検査装置は、
種々のものあり、その技術はより微細な異物を検出する
方向にあるが、液晶基板の異物検査装置は、まだ手探り
状態であって、液晶基板専用の検査方法が技術として明
確に確立されているわけではない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、ウエハ異物検
査装置の技術がそのまま液晶基板の異物検査に利用でき
ることが望ましいが、実際に形成されるパターンが相違
するのでそう簡単なものではない。ウエハ異物検査装置
の技術としては、ウエハの表面に対してレーザビームを
照射し、異物が散乱させる散乱光を受光して異物を検出
し、この検出信号を適当な処理回路により処理して得ら
れる異物データをディスプレイ装置にマップ表示する。
これを液晶基板の異物検査装置として実際に使用してみ
ると、ウエハの異物検査装置のような異物検出感度が得
られないことが分かった。
査装置の技術がそのまま液晶基板の異物検査に利用でき
ることが望ましいが、実際に形成されるパターンが相違
するのでそう簡単なものではない。ウエハ異物検査装置
の技術としては、ウエハの表面に対してレーザビームを
照射し、異物が散乱させる散乱光を受光して異物を検出
し、この検出信号を適当な処理回路により処理して得ら
れる異物データをディスプレイ装置にマップ表示する。
これを液晶基板の異物検査装置として実際に使用してみ
ると、ウエハの異物検査装置のような異物検出感度が得
られないことが分かった。
【０００４】その理由として考えられることは、ＴＦＴ
のパターンは、ウエハに形成されるＬＳＩのパターンに
比べて膜厚が厚く、段差が大きいこと。ＬＳＩのパター
ンに比べて形成されるパターンのエッジが粗いこと。Ｔ
ＦＴのパターンが形成されていない透明電極膜（ＩＴＯ
膜，インジュウムすず酸化電極膜）が大きな領域で存在
し、ここでの反射率が低いこと。などである。すなわ
ち、異物は、それが置かれたバックグランドの反射率が
高いほどその散乱光も大きくなるが、ＩＴＯ膜の反射率
は低く、ここに存在する異物は、その散乱光のレベルが
比較的低い。これに対してＴＦＴ側は、ＩＴＯ膜の３０
倍以上もの反射率がある。そこで、ＴＦＴ上の異物の散
乱光は大きい。また、ＴＦＴのパターンの角の部分で散
乱した場合、特に、ＴＦＴパターンのうちＡｌ配線の角
の部分で散乱した場合、その散乱光のレベルは、異物よ
りも高くなる。ＩＴＯ膜の角部分の散乱も段差が大き
く、そのレベルは、この領域にある異物より高い。異物
検出の範囲は、ＴＦＴの形成領域とＩＴＯ膜の領域の双
方を含むことになるが、ＩＴＯ膜に異物が存在していて
もＩＴＯ膜の角部分やＴＦＴの形成領域の角の部分から
の散乱光が大きく、特にＴＦＴの角ではＩＴＯ膜状の異
物の１０倍以上もある。このようなことからＩＴＯ膜上
の異物を検出する適切な感度の選択ができない。また、
ＴＦＴ領域状の異物もその角部分からの散乱が大きいの
で、これも検出することが難しい。液晶基板では、高い
段差の矩形状のパターンが基本となり、それが多数配列
されることから角部分が多く存在しかつそこでの散乱が
多く、この散乱光を除く、簡単で有効な手段が現在のと
ころみい出せない。
のパターンは、ウエハに形成されるＬＳＩのパターンに
比べて膜厚が厚く、段差が大きいこと。ＬＳＩのパター
ンに比べて形成されるパターンのエッジが粗いこと。Ｔ
ＦＴのパターンが形成されていない透明電極膜（ＩＴＯ
膜，インジュウムすず酸化電極膜）が大きな領域で存在
し、ここでの反射率が低いこと。などである。すなわ
ち、異物は、それが置かれたバックグランドの反射率が
高いほどその散乱光も大きくなるが、ＩＴＯ膜の反射率
は低く、ここに存在する異物は、その散乱光のレベルが
比較的低い。これに対してＴＦＴ側は、ＩＴＯ膜の３０
倍以上もの反射率がある。そこで、ＴＦＴ上の異物の散
乱光は大きい。また、ＴＦＴのパターンの角の部分で散
乱した場合、特に、ＴＦＴパターンのうちＡｌ配線の角
の部分で散乱した場合、その散乱光のレベルは、異物よ
りも高くなる。ＩＴＯ膜の角部分の散乱も段差が大き
く、そのレベルは、この領域にある異物より高い。異物
検出の範囲は、ＴＦＴの形成領域とＩＴＯ膜の領域の双
方を含むことになるが、ＩＴＯ膜に異物が存在していて
もＩＴＯ膜の角部分やＴＦＴの形成領域の角の部分から
の散乱光が大きく、特にＴＦＴの角ではＩＴＯ膜状の異
物の１０倍以上もある。このようなことからＩＴＯ膜上
の異物を検出する適切な感度の選択ができない。また、
ＴＦＴ領域状の異物もその角部分からの散乱が大きいの
で、これも検出することが難しい。液晶基板では、高い
段差の矩形状のパターンが基本となり、それが多数配列
されることから角部分が多く存在しかつそこでの散乱が
多く、この散乱光を除く、簡単で有効な手段が現在のと
ころみい出せない。
【０００５】しかし、あらたに液晶基板の異物検査につ
いて装置を開発するには時間と費用がかかるので、でき
るだけ従来からあるウエハ異物検査装置の技術を利用し
て液晶基板の異物検査を行うことが望ましい。この発明
は、前記のような従来技術の欠点を解決するものであっ
て、段差の大きな矩形状のパターンを多数有し、照射光
に対して強い散乱がパターンの角部分で発生する液晶基
板について散乱光で異物を検出する液晶基板の異物検査
装置を提供することを目的とする。
いて装置を開発するには時間と費用がかかるので、でき
るだけ従来からあるウエハ異物検査装置の技術を利用し
て液晶基板の異物検査を行うことが望ましい。この発明
は、前記のような従来技術の欠点を解決するものであっ
て、段差の大きな矩形状のパターンを多数有し、照射光
に対して強い散乱がパターンの角部分で発生する液晶基
板について散乱光で異物を検出する液晶基板の異物検査
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るためのこの発明の液晶基板の異物検査装置の特徴は、
基板上に形成された矩形状のパターンの１つの辺に対し
て水平面に投影した照射角がほぼ４５度になる状態で対
向させて互いに異なる波長の２本のレーザ光をほぼ等し
い仰角で斜めに照射して照射点の上方でそれぞれの散乱
光を受光し、それぞれの散乱光を分離してセンサで検出
し、それぞれの検出レベルがほぼ等しいときに異物と判
定するものである。
るためのこの発明の液晶基板の異物検査装置の特徴は、
基板上に形成された矩形状のパターンの１つの辺に対し
て水平面に投影した照射角がほぼ４５度になる状態で対
向させて互いに異なる波長の２本のレーザ光をほぼ等し
い仰角で斜めに照射して照射点の上方でそれぞれの散乱
光を受光し、それぞれの散乱光を分離してセンサで検出
し、それぞれの検出レベルがほぼ等しいときに異物と判
定するものである。
【０００７】
【作用】このように、ほぼ４５度の等しい角度で対向さ
せて２本のレーザビームを照射した場合、２本のレーザ
ビームを受けた異物の前方散乱はほぼ等しいので、照射
点上方の散乱光はほぼ等しくなるが、パターンの角の部
分では、２本のレーザビームのうち一方は、直角に当た
り、他方は、平行に近い形になるので、直角に当たった
方のレーザビームの前方散乱光は大きいが、平行に当た
った方のレーザビームの前方散乱光は小さい。したがっ
て、これらに差が生じ、これらの散乱光のレベルは等し
くはならない。ＩＴＯ膜の領域とＴＦＴ領域とでは散乱
光のレベルに相違があるが、以上の関係は、ＩＴＯ膜で
もＴＦＴ領域でも同じである。これによりＩＴＯ膜の領
域でも、ＴＦＴ領域でも異物とパターンとを分けて検出
することができる。
せて２本のレーザビームを照射した場合、２本のレーザ
ビームを受けた異物の前方散乱はほぼ等しいので、照射
点上方の散乱光はほぼ等しくなるが、パターンの角の部
分では、２本のレーザビームのうち一方は、直角に当た
り、他方は、平行に近い形になるので、直角に当たった
方のレーザビームの前方散乱光は大きいが、平行に当た
った方のレーザビームの前方散乱光は小さい。したがっ
て、これらに差が生じ、これらの散乱光のレベルは等し
くはならない。ＩＴＯ膜の領域とＴＦＴ領域とでは散乱
光のレベルに相違があるが、以上の関係は、ＩＴＯ膜で
もＴＦＴ領域でも同じである。これによりＩＴＯ膜の領
域でも、ＴＦＴ領域でも異物とパターンとを分けて検出
することができる。
【０００８】
【実施例】図１は、この発明の一実施例の液晶基板の異
物検査装置を適用した検査装置の構成図、図２はその検
出原理の説明図である。図１において、１は、ＬＣＤ基
板であって、このＬＣＤ基板１に対して２つのレーザビ
ームの照射系２，３が斜めから対向するように設けられ
ている。照射系２は、レーザダイオード（ＬＤ）２ａと
集束レンズ２ｂ、ミラー２ｃからなり、ＬＣＤ基板１の
表面を基準として仰角３５度でかつ基板（ＸＹ平面）上
へ投影したときのＸ軸（正方向の軸）となす角が４５度
となる波長λ1 のレーザビームをＬＣＤ基板１上の検査
点Ｐに照射する。照射系３は、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）３ａと集束レンズ３ｂ、ミラー３ｃからなり、同様
に仰角３５度角度でかつ基板（ＸＹ平面）上へ投影した
ときのＸ軸（正方向の軸）となす角が１３５度となる波
長λ2 のレーザビームを検査点Ｐに照射する。したがっ
て、基板（ＸＹ平面）上へ投影したときの照射系２と３
のレーザビームは、Ｙ軸（正方向の軸）に対して４５度
の角度で両側に配置され対向する。なお、Ｘ軸，Ｙ軸
は、ＬＣＤ基板１の横の辺と縦の辺にそれぞれ対応して
いる。
物検査装置を適用した検査装置の構成図、図２はその検
出原理の説明図である。図１において、１は、ＬＣＤ基
板であって、このＬＣＤ基板１に対して２つのレーザビ
ームの照射系２，３が斜めから対向するように設けられ
ている。照射系２は、レーザダイオード（ＬＤ）２ａと
集束レンズ２ｂ、ミラー２ｃからなり、ＬＣＤ基板１の
表面を基準として仰角３５度でかつ基板（ＸＹ平面）上
へ投影したときのＸ軸（正方向の軸）となす角が４５度
となる波長λ1 のレーザビームをＬＣＤ基板１上の検査
点Ｐに照射する。照射系３は、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）３ａと集束レンズ３ｂ、ミラー３ｃからなり、同様
に仰角３５度角度でかつ基板（ＸＹ平面）上へ投影した
ときのＸ軸（正方向の軸）となす角が１３５度となる波
長λ2 のレーザビームを検査点Ｐに照射する。したがっ
て、基板（ＸＹ平面）上へ投影したときの照射系２と３
のレーザビームは、Ｙ軸（正方向の軸）に対して４５度
の角度で両側に配置され対向する。なお、Ｘ軸，Ｙ軸
は、ＬＣＤ基板１の横の辺と縦の辺にそれぞれ対応して
いる。
【０００９】４は、検査点Ｐの上部に配置された対物光
学系であり、対物レンズ４ａと集束レンズ４ｂ、ミラー
４ｃ、スリット４ｄ、レンズ４ｅ、ダイクロイックミラ
ー４ｆ、ＣＣＤ等の光電変換センサ４ｇ，４ｈで構成さ
れる。ダイクロイックミラー４ｆは、波長λ1 とλ2 と
を分離し、照射系２に対応する波長λ1 の散乱光をセン
サ４ｇに送り、照射系３に対応する波長λ2 の散乱光を
センサ４ｈに送り出す。５は、顕微鏡観測光学系であ
り、点線で示すミラー５ａ、レンズ５ｂ，５ｃ、ミラー
５ｄ，５ｅ、観測光学器５ｆからなり、必要に応じて対
物光学系４の光路にミラー５ａが挿入され、さらに点線
で示す光学系が挿入される。
学系であり、対物レンズ４ａと集束レンズ４ｂ、ミラー
４ｃ、スリット４ｄ、レンズ４ｅ、ダイクロイックミラ
ー４ｆ、ＣＣＤ等の光電変換センサ４ｇ，４ｈで構成さ
れる。ダイクロイックミラー４ｆは、波長λ1 とλ2 と
を分離し、照射系２に対応する波長λ1 の散乱光をセン
サ４ｇに送り、照射系３に対応する波長λ2 の散乱光を
センサ４ｈに送り出す。５は、顕微鏡観測光学系であ
り、点線で示すミラー５ａ、レンズ５ｂ，５ｃ、ミラー
５ｄ，５ｅ、観測光学器５ｆからなり、必要に応じて対
物光学系４の光路にミラー５ａが挿入され、さらに点線
で示す光学系が挿入される。
【００１０】６は、検出回路であって、センサ４ｇから
の検出信号を受けて所定の閾値ＴＨa 以上の信号を増幅
するアンプ（ＡＭＰ）６ａと、センサ４ｈから検出信号
を受けて所定の閾値ＴＨb 以上の信号を増幅するアンプ
（ＡＭＰ）６ｂ、これらアンプの出力を受けてアンプ６
ａの値をアンプ６ｂの値で割る割算回路６ｃ、そして割
算回路６ｃの出力を受けて異物か否かを判定する異物判
定回路６ｄとからなる。なお、それぞれの閾値ＴＨa ，
ＴＨb のレベル調整は可能である。また、異物判定回路
６ｄは、アナログのレベル判定回路あるいはＡ／Ｄ変換
回路と判定プログラムを有するマイクロプロセッサ等で
構成されていてもよい。
の検出信号を受けて所定の閾値ＴＨa 以上の信号を増幅
するアンプ（ＡＭＰ）６ａと、センサ４ｈから検出信号
を受けて所定の閾値ＴＨb 以上の信号を増幅するアンプ
（ＡＭＰ）６ｂ、これらアンプの出力を受けてアンプ６
ａの値をアンプ６ｂの値で割る割算回路６ｃ、そして割
算回路６ｃの出力を受けて異物か否かを判定する異物判
定回路６ｄとからなる。なお、それぞれの閾値ＴＨa ，
ＴＨb のレベル調整は可能である。また、異物判定回路
６ｄは、アナログのレベル判定回路あるいはＡ／Ｄ変換
回路と判定プログラムを有するマイクロプロセッサ等で
構成されていてもよい。
【００１１】次に図２を参照してこの発明の検出原理を
説明する。ＬＣＤ基板１上に形成されたパターンは、矩
形の基板の各辺に対応して表示のための画素が配列され
る関係で、ほぼ矩形のＩＴＯ膜のパターンが縦横に配列
されている。図２（ａ）に示すように、１画素形成のパ
ターン７には、ＩＴＯ膜８の片隅にＴＦＴ形成領域９が
あり、ＩＴＯ膜８がＴＦＴ領域９のソースに接続され
る。その外側周囲には、信号線とアドレス線を構成する
Ａｌ配線ＳL ，ＡL が設けられている。
説明する。ＬＣＤ基板１上に形成されたパターンは、矩
形の基板の各辺に対応して表示のための画素が配列され
る関係で、ほぼ矩形のＩＴＯ膜のパターンが縦横に配列
されている。図２（ａ）に示すように、１画素形成のパ
ターン７には、ＩＴＯ膜８の片隅にＴＦＴ形成領域９が
あり、ＩＴＯ膜８がＴＦＴ領域９のソースに接続され
る。その外側周囲には、信号線とアドレス線を構成する
Ａｌ配線ＳL ，ＡL が設けられている。
【００１２】同図（ｂ）に示すように、この画素のパタ
ーン７に対しては、波長λ1 の照射系２からレーザビー
ムＡ，波長λ2 の照射系３からレーザビームＢがそれぞ
れ４５度の角度で対向して照射される。その結果、異物
１０については、レーザビームＡとＢの散乱光Ａ＋Ｂが
対物光学系４の対物レンズ４ａに入射される。したがっ
て、センサ４ｇと４ｈの出力は、ほぼ等しくなり、それ
が閾値ＴＨa ，ＴＨb を越える一定値以上になると各ア
ンプ６ａ，６ｂで増幅され、割算回路６ｃに入力され
る。このとき、各入力信号に対して割算回路６ｃで割り
算した結果はほぼ１になる。異物判定回路６ｄは、割算
回路６ｃの出力が“１”あるいはほぼ“１”のときに異
物と判定する。
ーン７に対しては、波長λ1 の照射系２からレーザビー
ムＡ，波長λ2 の照射系３からレーザビームＢがそれぞ
れ４５度の角度で対向して照射される。その結果、異物
１０については、レーザビームＡとＢの散乱光Ａ＋Ｂが
対物光学系４の対物レンズ４ａに入射される。したがっ
て、センサ４ｇと４ｈの出力は、ほぼ等しくなり、それ
が閾値ＴＨa ，ＴＨb を越える一定値以上になると各ア
ンプ６ａ，６ｂで増幅され、割算回路６ｃに入力され
る。このとき、各入力信号に対して割算回路６ｃで割り
算した結果はほぼ１になる。異物判定回路６ｄは、割算
回路６ｃの出力が“１”あるいはほぼ“１”のときに異
物と判定する。
【００１３】同図（ｃ）に示すように、パターン７の角
部分については、この部分にレーザビームＡとＢが照射
された場合、角に直角に照射されるビームと平行に照射
されるビームとに分かれる。パターン７の角部分は、実
際には、異物と同様に多少角に丸みがあって、直角に照
射されたレーザビームＡか、Ｂのいずれかを異物に照射
した場合と同様になる。その結果、レーザビームＡの散
乱光Ａ又はレーザビームＢの散乱光Ｂのいずれかが対物
光学系４に多く入射する。したがって、センサ４ｇと４
ｈの出力は、いずれか一方が強くなり、他方が弱くな
る。一方の出力のみが閾値を越えたとき、割算回路６ｃ
で割り算した結果は“０”又は“∞”になる。また、両
者が閾値ＴＨa ，ＴＨb を越えたときであっても、
“１”以外の値になる。なお、閾値ＴＨa ，ＴＨb の値
を選択すれば、その出力はいずれか一方のみにすること
ができる。これにより割算回路６ｃで割り算した結果
は、ほぼ“０”又は“∞”にすることができので、割算
回路６ｃの出力が“１”あるいはほぼ“１”のときにそ
れを異物として検出することができる。
部分については、この部分にレーザビームＡとＢが照射
された場合、角に直角に照射されるビームと平行に照射
されるビームとに分かれる。パターン７の角部分は、実
際には、異物と同様に多少角に丸みがあって、直角に照
射されたレーザビームＡか、Ｂのいずれかを異物に照射
した場合と同様になる。その結果、レーザビームＡの散
乱光Ａ又はレーザビームＢの散乱光Ｂのいずれかが対物
光学系４に多く入射する。したがって、センサ４ｇと４
ｈの出力は、いずれか一方が強くなり、他方が弱くな
る。一方の出力のみが閾値を越えたとき、割算回路６ｃ
で割り算した結果は“０”又は“∞”になる。また、両
者が閾値ＴＨa ，ＴＨb を越えたときであっても、
“１”以外の値になる。なお、閾値ＴＨa ，ＴＨb の値
を選択すれば、その出力はいずれか一方のみにすること
ができる。これにより割算回路６ｃで割り算した結果
は、ほぼ“０”又は“∞”にすることができので、割算
回路６ｃの出力が“１”あるいはほぼ“１”のときにそ
れを異物として検出することができる。
【００１４】また、同図（ｄ）に示すように、パターン
７の辺については、この部分にレーザビームＡとＢが照
射された場合、辺に対する照射角が４５度であるので、
対物光学系４に入射される散乱光は少ないか、ほとんど
ない。したがって、センサ４ｇと４ｈの出力は、いずれ
も弱い。その検出信号は、閾値ＴＨa ，ＴＨb の値を選
択すれば、これ以下となる。その結果、これらの出力は
発生しない。この閾値ＴＨa ，ＴＨb の値の選択は、前
記の閾値ＴＨa ，ＴＨb の値をある値以上に設定すれば
よいので、一方の出力のみを有効とする前記の閾値の選
択と両立させることができる。その結果、割算回路６ｃ
で割り算した結果は“１”あるいはほぼ“１”か、
“０”又は“∞”のいずれかとなる。“０”又は“∞”
のときには、パターンになるので、ほぼ“１”あるいは
“１”を異物と判定して検出することができる。
７の辺については、この部分にレーザビームＡとＢが照
射された場合、辺に対する照射角が４５度であるので、
対物光学系４に入射される散乱光は少ないか、ほとんど
ない。したがって、センサ４ｇと４ｈの出力は、いずれ
も弱い。その検出信号は、閾値ＴＨa ，ＴＨb の値を選
択すれば、これ以下となる。その結果、これらの出力は
発生しない。この閾値ＴＨa ，ＴＨb の値の選択は、前
記の閾値ＴＨa ，ＴＨb の値をある値以上に設定すれば
よいので、一方の出力のみを有効とする前記の閾値の選
択と両立させることができる。その結果、割算回路６ｃ
で割り算した結果は“１”あるいはほぼ“１”か、
“０”又は“∞”のいずれかとなる。“０”又は“∞”
のときには、パターンになるので、ほぼ“１”あるいは
“１”を異物と判定して検出することができる。
【００１５】以上説明してきたが、実施例における照射
系のＬＣＤ基板に対する仰角は、３５度に限定されな
い。また、実施例では、割算回路により受光センサによ
る散乱光の検出レベルが等しいか否かを検出している
が、これは、アナログコンパレータを始め、各種のレベ
ル比較回路を使用することができる。
系のＬＣＤ基板に対する仰角は、３５度に限定されな
い。また、実施例では、割算回路により受光センサによ
る散乱光の検出レベルが等しいか否かを検出している
が、これは、アナログコンパレータを始め、各種のレベ
ル比較回路を使用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による液
晶基板の異物検査装置にあっては、等しい角度で対向さ
せて２本のレーザビームを照射しているので、これらの
レーザビームを受けた異物の前方散乱はほぼ等しく、ま
た、パターンの角の部分では、２本のレーザビームのう
ち一方は、直角に当たり、他方は、平行に近い形になる
ので、直角に当たった方のレーザビームの前方散乱光は
大きく、平行に当たった方のレーザビームの前方散乱光
は小さくなる。したがって、これらに差が生じ、等しく
はならないので、ＩＴＯ膜の領域でも、ＴＦＴ領域でも
異物とパターンとを分けて検出することができる。
晶基板の異物検査装置にあっては、等しい角度で対向さ
せて２本のレーザビームを照射しているので、これらの
レーザビームを受けた異物の前方散乱はほぼ等しく、ま
た、パターンの角の部分では、２本のレーザビームのう
ち一方は、直角に当たり、他方は、平行に近い形になる
ので、直角に当たった方のレーザビームの前方散乱光は
大きく、平行に当たった方のレーザビームの前方散乱光
は小さくなる。したがって、これらに差が生じ、等しく
はならないので、ＩＴＯ膜の領域でも、ＴＦＴ領域でも
異物とパターンとを分けて検出することができる。
【図１】図１は、この発明の一実施例の液晶基板の異物
検査装置を適用した検査装置の構成図である。
検査装置を適用した検査装置の構成図である。
【図２】図２はその検出原理の説明図であって、（ａ）
は画素パターンの説明図、（ｂ）は異物の散乱状態の説
明図、（ｃ）はパターンの角部分の散乱状態の説明図、
（ｄ）はパターンの辺部分の散乱状態の説明図である。
は画素パターンの説明図、（ｂ）は異物の散乱状態の説
明図、（ｃ）はパターンの角部分の散乱状態の説明図、
（ｄ）はパターンの辺部分の散乱状態の説明図である。
１…ＬＣＤ基板、２，３…照射系、４…対物光学系、５
…顕微鏡観測光学系、６…検出回路、７…１画素形成の
パターン、８…ＩＴＯ膜、９…ＴＦＴ形成領域、１０…
異物。
…顕微鏡観測光学系、６…検出回路、７…１画素形成の
パターン、８…ＩＴＯ膜、９…ＴＦＴ形成領域、１０…
異物。
Claims (2)
- 【請求項１】矩形状のパターンが配列された基板の表面
に投影されたときの照射角が前記矩形状のパターンの１
つの辺に対してほぼ４５度になる状態で照射点に立てた
法線を挟んで対向する互いに異なる波長の２本のレーザ
光を前記基板の表面に対してほぼ等しい仰角で斜めに照
射する第１及び第２の照射系と、前記照射点の上方でそ
れぞれの散乱光を受光し、前記異なる波長のそれぞれに
分離してこれら分離された散乱光を第１及び第２の光電
変換センサでそれぞれ受光してそれぞれの検出信号を発
生する検出光学系と、前記第１及び第２の光電変換セン
サにより得られる検出信号のレベルがほぼ等しいか否か
を検出する検出回路とを備える液晶基板の異物検査装
置。 - 【請求項２】前記検出回路は、第１及び第２の光電変換
センサより得られるそれぞれの検出信号を受け、この検
出信号に対して所定の閾値を有する第１及び第２の増幅
回路と、これら第１及び第２の増幅回路の出力を受けて
これら出力がほぼ等しいか否か検出する割算回路あるい
はアナログ比較回路とを備える請求項１記載の液晶基板
の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113393A JP3266217B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 液晶基板の異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113393A JP3266217B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 液晶基板の異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075407A true JPH075407A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3266217B2 JP3266217B2 (ja) | 2002-03-18 |
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ID=15917599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17113393A Expired - Fee Related JP3266217B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 液晶基板の異物検査装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3266217B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220006A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| JPH08220005A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| JP2009016870A (ja) * | 2004-10-05 | 2009-01-22 | Asml Netherlands Bv | 粒子検出デバイス、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP17113393A patent/JP3266217B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPH08220006A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| JPH08220005A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| US5877035A (en) * | 1995-02-14 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6124142A (en) * | 1995-02-14 | 2000-09-26 | Seiko Instruments, Inc. | Method for analyzing minute foreign substance elements |
| US6255127B1 (en) | 1995-02-14 | 2001-07-03 | Seiko Instruments Inc. | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6355495B1 (en) | 1995-02-14 | 2002-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for analyzing minute foreign substance, and process for semiconductor elements or liquid crystal elements by use thereof |
| JP2009016870A (ja) * | 2004-10-05 | 2009-01-22 | Asml Netherlands Bv | 粒子検出デバイス、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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