JPH0752673B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH0752673B2 JPH0752673B2 JP1010732A JP1073289A JPH0752673B2 JP H0752673 B2 JPH0752673 B2 JP H0752673B2 JP 1010732 A JP1010732 A JP 1010732A JP 1073289 A JP1073289 A JP 1073289A JP H0752673 B2 JPH0752673 B2 JP H0752673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating layer
- sixnyoz
- thin film
- composition ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 57
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910020782 SixNyO Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）素子に
関し、より詳しくは、絶縁層の少なくとも一部がプラズ
マCVD（化学気相成長）法により形成したSixNyOz:H膜で
ある薄膜EL素子に関する。
関し、より詳しくは、絶縁層の少なくとも一部がプラズ
マCVD（化学気相成長）法により形成したSixNyOz:H膜で
ある薄膜EL素子に関する。
〈従来の技術〉 従来、薄膜EL素子は例えば第７図に示すような構造をし
ている。すなわち、ガラス基板11上に帯状の透明電極12
と、SiO膜13およびSiN膜14からなる下部絶縁層と、発光
層15と、SiN層16およびAlO膜17からなる上部絶縁層と、
上記透明電極12に直交する帯状の背面Al電極18とが順次
積層された構造をしている。
ている。すなわち、ガラス基板11上に帯状の透明電極12
と、SiO膜13およびSiN膜14からなる下部絶縁層と、発光
層15と、SiN層16およびAlO膜17からなる上部絶縁層と、
上記透明電極12に直交する帯状の背面Al電極18とが順次
積層された構造をしている。
そして、上記絶縁層はスパッタ法により形成されてい
る。
る。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記従来の薄膜EL素子は、成膜速度が遅
い（特にAlO膜17の形成時に遅い）スパッタ法で絶縁層
を形成しているため、生産性が低いという問題がある。
い（特にAlO膜17の形成時に遅い）スパッタ法で絶縁層
を形成しているため、生産性が低いという問題がある。
そこで、この発明の目的は、絶縁層が短時間で形成さ
れ、生産性を高めた薄膜EL素子を提供することにある。
れ、生産性を高めた薄膜EL素子を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、この発明の薄膜EL素子は、
透光性基板に透明電極，下部絶縁層，発光層，上部絶縁
層および背面電極を順次積層した薄膜EL素子において、
上記絶縁層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成
したSixNyOz:H膜であり、上記SixNyOz:H膜の膜中の水素
量が２×1022atoms/cm3以下であることを特徴としてい
る。
透光性基板に透明電極，下部絶縁層，発光層，上部絶縁
層および背面電極を順次積層した薄膜EL素子において、
上記絶縁層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成
したSixNyOz:H膜であり、上記SixNyOz:H膜の膜中の水素
量が２×1022atoms/cm3以下であることを特徴としてい
る。
また、上記SixNyOz:H膜の膜中の酸素と窒素の組成比（z
/y）が０から3.0の範囲にあり、かつ珪素と窒素の組成
比（x/y）が0.7から3.0の範囲にあるのが望ましい。
/y）が０から3.0の範囲にあり、かつ珪素と窒素の組成
比（x/y）が0.7から3.0の範囲にあるのが望ましい。
〈作用〉 プラズマCVD法によりSixNyOz:H膜を成膜する場合、スパ
ッタ法に比して成膜速度が10倍程度速いため、絶縁層を
短時間で形成することができ、薄膜EL素子の生産性が高
まる。
ッタ法に比して成膜速度が10倍程度速いため、絶縁層を
短時間で形成することができ、薄膜EL素子の生産性が高
まる。
また、SixNyOz:H膜は、膜中の水素含有量が３×1022ato
ms/cm3程度以上である場合、素子の駆動時に水素の気泡
が発生する不具合を生じるが、膜中の水素含有量が２×
1022atoms/cm3以下になると上記不具合を生じない。膜
中の水素含有量が２×1022atoms/cm3以下であるようなS
ixNyOz:H膜は、プラズマCVD法により、原料ガスとしてN
2，N2OおよびSiH4ガスを用いて形成される。
ms/cm3程度以上である場合、素子の駆動時に水素の気泡
が発生する不具合を生じるが、膜中の水素含有量が２×
1022atoms/cm3以下になると上記不具合を生じない。膜
中の水素含有量が２×1022atoms/cm3以下であるようなS
ixNyOz:H膜は、プラズマCVD法により、原料ガスとしてN
2，N2OおよびSiH4ガスを用いて形成される。
上記SixNyOz:H膜は、プラズマCVD法にて原料であるN2，
N2OおよびSiH4ガスの分圧または流量を調節して膜の組
成が定められる。つまり、N2中のN2O分圧（N2Oガス圧／
（N2ガス圧＋N2Oガス圧））を制御して組成比z/yを定め
ると共に、SiH4流量比（SiH4流量／（SiH4流量＋N2とN2
O混合ガス流量）を制御して組成比x/yを定める。
N2OおよびSiH4ガスの分圧または流量を調節して膜の組
成が定められる。つまり、N2中のN2O分圧（N2Oガス圧／
（N2ガス圧＋N2Oガス圧））を制御して組成比z/yを定め
ると共に、SiH4流量比（SiH4流量／（SiH4流量＋N2とN2
O混合ガス流量）を制御して組成比x/yを定める。
上記SixNyOz:H膜の膜中の酸素と窒素の組成比z/yが小さ
い場合、素子の駆動時に生ずる絶縁破壊のモードがプロ
パゲイトモード（拡大型）になる一方、エージング時の
発光開始電圧Vthの移動が小さくなる。反対に上記z/yが
大きい場合、絶縁破壊モードがセルフヒーリングモード
（自己回復型）になる一方、発光開始電圧Vthの移動が
大きくなる。そこで、上記上部絶縁層または下部絶縁層
を単一の組成のSixNyOz:H膜で形成する場合、上記z/yの
許容範囲を0.3乃至1.0に定めて、絶縁破壊モードとセル
フヒーリングモードにすると共に、発光開始電圧Vthの
移動を実用上支障がないレベルに抑えることが可能とな
る。上記上部絶縁層または下部絶縁層を、組成の異なる
SixNyOz:H膜を積層して形成する場合、発光層と接する
側を窒素リッチ（z/yは小）にする一方、背面電極また
は透明電極と接する側を酸素リッチ（z/yは大）にすれ
ば、素子の特性を損なうことがない。この場合、上記z/
yの許容範囲は０乃至3.0になる。
い場合、素子の駆動時に生ずる絶縁破壊のモードがプロ
パゲイトモード（拡大型）になる一方、エージング時の
発光開始電圧Vthの移動が小さくなる。反対に上記z/yが
大きい場合、絶縁破壊モードがセルフヒーリングモード
（自己回復型）になる一方、発光開始電圧Vthの移動が
大きくなる。そこで、上記上部絶縁層または下部絶縁層
を単一の組成のSixNyOz:H膜で形成する場合、上記z/yの
許容範囲を0.3乃至1.0に定めて、絶縁破壊モードとセル
フヒーリングモードにすると共に、発光開始電圧Vthの
移動を実用上支障がないレベルに抑えることが可能とな
る。上記上部絶縁層または下部絶縁層を、組成の異なる
SixNyOz:H膜を積層して形成する場合、発光層と接する
側を窒素リッチ（z/yは小）にする一方、背面電極また
は透明電極と接する側を酸素リッチ（z/yは大）にすれ
ば、素子の特性を損なうことがない。この場合、上記z/
yの許容範囲は０乃至3.0になる。
また、上記SiH4流量比を大きくしてSixNyOz:H膜を形成
して絶縁層とした場合、成膜速度が大きくなる一方、素
子の発光輝度が低下する。SiH4流量比を小さくした場
合、成膜速度が小さくなる一方、素子の発光輝度が増大
する。したがって、SiH4流量比は、実用上の最適値2.0
％に定めることができる。上記SiH4流量比を最適値2.0
％に定めた場合、上記成膜速度と発光輝度とが共に実用
レベルになる。なお、上記組成比 z/yが０乃至3.0に定まると、それに伴い組成比x/yが0.7
乃至3.0に定まることになる。
して絶縁層とした場合、成膜速度が大きくなる一方、素
子の発光輝度が低下する。SiH4流量比を小さくした場
合、成膜速度が小さくなる一方、素子の発光輝度が増大
する。したがって、SiH4流量比は、実用上の最適値2.0
％に定めることができる。上記SiH4流量比を最適値2.0
％に定めた場合、上記成膜速度と発光輝度とが共に実用
レベルになる。なお、上記組成比 z/yが０乃至3.0に定まると、それに伴い組成比x/yが0.7
乃至3.0に定まることになる。
〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図はこの発明の薄膜EL素子の一実施例を示す断面構
造図である。この薄膜EL素子は、ガラス基板１上に帯状
の透明電極２と、スパッタ法により形成したSiO膜３お
よびSiN膜４からなる下部絶縁層と、発光層５と、プラ
ズマCVD法により形成したSixNyOz:H膜からなる上部絶縁
層９と、上記透明電極２に直交する帯状の背面Al電極８
とが順次積層された構造をしている。
造図である。この薄膜EL素子は、ガラス基板１上に帯状
の透明電極２と、スパッタ法により形成したSiO膜３お
よびSiN膜４からなる下部絶縁層と、発光層５と、プラ
ズマCVD法により形成したSixNyOz:H膜からなる上部絶縁
層９と、上記透明電極２に直交する帯状の背面Al電極８
とが順次積層された構造をしている。
上記上部絶縁層９を構成するSixNyOz:H膜をプラズマCVD
法によって形成しているため、スパッタ法による場合に
比して成膜速度が10倍程度速く、したがって上記上部絶
縁層９を短時間で形成することができ、薄膜EL素子の生
産性を高めることができる。
法によって形成しているため、スパッタ法による場合に
比して成膜速度が10倍程度速く、したがって上記上部絶
縁層９を短時間で形成することができ、薄膜EL素子の生
産性を高めることができる。
上記SixNyOz:H膜は、プラズマCVD法にて原料であるN2ガ
ス，N2ガスおよびSiH4ガスの分圧または流量を調節し
て、膜の組成が定められる。つまり、N2中のN2O分圧（N
2Oガス圧）／（N2ガス圧＋N2Oガス圧）を制御して組成
比z/yを定めると共に、SiH4流量比（SiH4流量／（SiH4
流量＋N2とN2O混合ガス流量））を制御して組成比z/yを
定める。薄膜EL素子に最適の組成比を決めるために、次
のように実験を行った。
ス，N2ガスおよびSiH4ガスの分圧または流量を調節し
て、膜の組成が定められる。つまり、N2中のN2O分圧（N
2Oガス圧）／（N2ガス圧＋N2Oガス圧）を制御して組成
比z/yを定めると共に、SiH4流量比（SiH4流量／（SiH4
流量＋N2とN2O混合ガス流量））を制御して組成比z/yを
定める。薄膜EL素子に最適の組成比を決めるために、次
のように実験を行った。
まず、SiH4流量比を一定値2.0％とし、N2中のN2O分圧
を変化させて、上記上部絶縁層９のSixNyOz:H膜の組成
比が異なる複数の薄膜EL素子を作製した。この膜の組成
比は、オージェ電子分光法により分析したところ、第２
図および第３図に示すような結果となった。組成比z/y
は、第２図に示すように、N2中のN2O分圧０乃至5.0％に
て単調に増加している。組成比x/yは、N2中のN2O中のN2
O分圧０乃至1.5％にて略一定値を示し、1.5乃至5.0％に
て増加傾向を示している。
を変化させて、上記上部絶縁層９のSixNyOz:H膜の組成
比が異なる複数の薄膜EL素子を作製した。この膜の組成
比は、オージェ電子分光法により分析したところ、第２
図および第３図に示すような結果となった。組成比z/y
は、第２図に示すように、N2中のN2O分圧０乃至5.0％に
て単調に増加している。組成比x/yは、N2中のN2O中のN2
O分圧０乃至1.5％にて略一定値を示し、1.5乃至5.0％に
て増加傾向を示している。
上記薄膜EL素子の駆動時に生ずる絶縁破壊のモードは、
上記膜中の酸素量が増加するに伴いプロッパゲントモー
ド（拡大型）からセルフヒーリングモード（自己回復
型）に移行して、酸素と窒素の組成比z/yが0.3以上であ
ればセルフヒーリングモードになることがわかった。一
方、N2中のN2O分圧を増加させて上記膜中の酸素量が増
加するのに伴って、第４図に示すように、発光開始電圧
Vthのエージングによる移動量が増加することがわかっ
た。この移動量を実用上の許容レベルである10％程度以
下に抑えるためには、N2中のN2O分圧が2.0％以下、すな
わち第２図から組成比z/yが1.0以下であれは良いことに
なる。
上記膜中の酸素量が増加するに伴いプロッパゲントモー
ド（拡大型）からセルフヒーリングモード（自己回復
型）に移行して、酸素と窒素の組成比z/yが0.3以上であ
ればセルフヒーリングモードになることがわかった。一
方、N2中のN2O分圧を増加させて上記膜中の酸素量が増
加するのに伴って、第４図に示すように、発光開始電圧
Vthのエージングによる移動量が増加することがわかっ
た。この移動量を実用上の許容レベルである10％程度以
下に抑えるためには、N2中のN2O分圧が2.0％以下、すな
わち第２図から組成比z/yが1.0以下であれは良いことに
なる。
次に、N2中のN2O分圧を一定値1.5％とし、SiH4流量比
を変化させて、上記上部絶縁層９のSixNyOz:H膜の成長
を行った。成膜速度は、第５図に示すように、SiH4流量
比1.0乃至3.0％にて略直線的に増加している。一方、こ
のように形成したSixNyOz:H膜を上部絶縁層９として備
えた薄膜EL素子は、第６図に示すように、輝度がSiH4流
量比1.0乃至3.0％にて単調減少を示している。そこで、
SiH4流量比を最適値2.0％として、成膜速度と発光輝度
とを実用上両立させることができる。
を変化させて、上記上部絶縁層９のSixNyOz:H膜の成長
を行った。成膜速度は、第５図に示すように、SiH4流量
比1.0乃至3.0％にて略直線的に増加している。一方、こ
のように形成したSixNyOz:H膜を上部絶縁層９として備
えた薄膜EL素子は、第６図に示すように、輝度がSiH4流
量比1.0乃至3.0％にて単調減少を示している。そこで、
SiH4流量比を最適値2.0％として、成膜速度と発光輝度
とを実用上両立させることができる。
また、，で形成したSixNyOz:H膜の膜中の水素含
有量を赤外吸収分光光度計で測定したところ、１×1021
乃至２×1022atoms/cm3の範囲にあった。ところで、原
料のN2ガスの代わりにNH3ガスを用いて形成したSixNyO
z:H膜の膜中の水素含有量は３×1022atoms/cm3以上であ
り、この膜を絶縁層として備えた薄膜EL素子は、駆動時
に水素の気泡が発生する不具合を生じる。一方、この発
明の薄膜EL素子は、この膜の水素含有量が少なく２×10
22atoms/cm3以下であるため、気泡発生という不具合が
生じない。
有量を赤外吸収分光光度計で測定したところ、１×1021
乃至２×1022atoms/cm3の範囲にあった。ところで、原
料のN2ガスの代わりにNH3ガスを用いて形成したSixNyO
z:H膜の膜中の水素含有量は３×1022atoms/cm3以上であ
り、この膜を絶縁層として備えた薄膜EL素子は、駆動時
に水素の気泡が発生する不具合を生じる。一方、この発
明の薄膜EL素子は、この膜の水素含有量が少なく２×10
22atoms/cm3以下であるため、気泡発生という不具合が
生じない。
このようにして、プラズマCVD法により形成するSixNyO
z:H膜の膜中の酸素と窒素の組成比z/yを0.3乃至1.0の範
囲に、そして珪素と窒素の組成比x/yを上記z/yの範囲に
対応する0.7乃至1.5の範囲に、さらに水素含有量を２×
1022atoms/cm3以下の値にして、絶縁破壊する際にセル
フヒーリングモードを示し、エージングに対して安定
で、かつ実用的な発光輝度を示し、気泡発生のない薄膜
EL素子を提供することができる。
z:H膜の膜中の酸素と窒素の組成比z/yを0.3乃至1.0の範
囲に、そして珪素と窒素の組成比x/yを上記z/yの範囲に
対応する0.7乃至1.5の範囲に、さらに水素含有量を２×
1022atoms/cm3以下の値にして、絶縁破壊する際にセル
フヒーリングモードを示し、エージングに対して安定
で、かつ実用的な発光輝度を示し、気泡発生のない薄膜
EL素子を提供することができる。
なお、上記実施例は、上部絶縁層９を単一組成のSixNyO
z:H膜で構成する場合を示したが、これに限られるので
はなく、組成の異なるSixNyOz:H膜を積層して構成して
も良い。積層して構成する場合、上部絶縁層は、発光層
５と接する側を窒素リッチ（z/yは小）にする一方、背
面電極８に接する側を酸素リッチ（z/yは大）にすれ
ば、素子の特性を損うことがないので好ましい。このよ
うにした場合、組成比z/yは０乃至3.0の範囲、組成比x/
yはそれに対応して0.7乃至3.0の範囲が許容される。
z:H膜で構成する場合を示したが、これに限られるので
はなく、組成の異なるSixNyOz:H膜を積層して構成して
も良い。積層して構成する場合、上部絶縁層は、発光層
５と接する側を窒素リッチ（z/yは小）にする一方、背
面電極８に接する側を酸素リッチ（z/yは大）にすれ
ば、素子の特性を損うことがないので好ましい。このよ
うにした場合、組成比z/yは０乃至3.0の範囲、組成比x/
yはそれに対応して0.7乃至3.0の範囲が許容される。
また、上記実施例は、上部絶縁層９をプラズマCVD法に
より形成する場合を示したが、下部絶縁層もプラズマCV
D法により形成することができるのは当然である。下部
絶縁層を積層して構成する場合、発光層５と接する側を
窒素リッチにする一方、透明電極２に接する側を酸素リ
ッチにするのが好ましい。
より形成する場合を示したが、下部絶縁層もプラズマCV
D法により形成することができるのは当然である。下部
絶縁層を積層して構成する場合、発光層５と接する側を
窒素リッチにする一方、透明電極２に接する側を酸素リ
ッチにするのが好ましい。
〈発明の効果〉 以上より明らかなように、この発明によれば、透光性基
板に透明電極，下部絶縁層，発光層，上部絶縁層および
背面電極を順次積層した薄膜EL素子において、上記絶縁
層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成したSixNy
Oz:H膜であるため、絶縁層を短時間で形成することがで
き、生産性を高めた薄膜EL素子を提供することができ
る。
板に透明電極，下部絶縁層，発光層，上部絶縁層および
背面電極を順次積層した薄膜EL素子において、上記絶縁
層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成したSixNy
Oz:H膜であるため、絶縁層を短時間で形成することがで
き、生産性を高めた薄膜EL素子を提供することができ
る。
また、上記SixNyOz:H膜の膜中の水素量が２×1022atoms
/cm3以下であるから、気泡発生のない薄膜EL素子を提供
することができる。
/cm3以下であるから、気泡発生のない薄膜EL素子を提供
することができる。
また、上記SixNyOz:H膜の膜中の酸素と窒素の組成比（z
/y）が０から3.0の範囲にあり、かつ珪素と窒素の組成
比（x/y）が0.7から3.0の範囲にある場合、絶縁破壊す
る際にセルフヒーリングモードを示し、エージングに対
して安定で、かつ実用的な輝度を示す薄膜EL素子を提供
することができる。
/y）が０から3.0の範囲にあり、かつ珪素と窒素の組成
比（x/y）が0.7から3.0の範囲にある場合、絶縁破壊す
る際にセルフヒーリングモードを示し、エージングに対
して安定で、かつ実用的な輝度を示す薄膜EL素子を提供
することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略断面図、第２図
はSixNyOz:H膜中の酸素／窒素の組成比z/yとN2中のN2O
分圧との関係を示す図、第３図は上記膜中の珪素／窒素
の組成比x/yとN2中のN2O分圧との関係を示す図、第４図
はエージングによる発光開始電圧Vthの移動を示す図、
第５図は成膜速度とSiH4流量比の関係を示す図、第６図
は輝度とSiH4流量比の関係を示す図、第７図は従来の薄
膜EL素子を示す概略断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３…SiO膜、４…SiN
膜、５…発光層、９…SixNyOz:H膜からなる上部絶縁
層、８…背面電極。
はSixNyOz:H膜中の酸素／窒素の組成比z/yとN2中のN2O
分圧との関係を示す図、第３図は上記膜中の珪素／窒素
の組成比x/yとN2中のN2O分圧との関係を示す図、第４図
はエージングによる発光開始電圧Vthの移動を示す図、
第５図は成膜速度とSiH4流量比の関係を示す図、第６図
は輝度とSiH4流量比の関係を示す図、第７図は従来の薄
膜EL素子を示す概略断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３…SiO膜、４…SiN
膜、５…発光層、９…SixNyOz:H膜からなる上部絶縁
層、８…背面電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 勝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−245891（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−202687（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−93896（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透光性基板に透明電極，下部絶縁層，発光
層，上部絶縁層および背面電極を順次積層した薄膜EL素
子において、 上記絶縁層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成
したSixNyOz:H膜であり、 上記SixNyOz:H膜の膜中の水素量が２×1022atoms/cm3以
下であることを特徴とする薄膜EL素子。 - 【請求項２】上記SixNyOz:H膜の膜中の酸素と窒素の組
成比（z/y）が０から3.0の範囲にあり、かつ珪素と窒素
の組成比（x/y）が0.7から3.0の範囲にあることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜EL素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1010732A JPH0752673B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US07/466,649 US5194777A (en) | 1989-01-18 | 1990-01-17 | Method for fabricating electroluminescence display device and electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1010732A JPH0752673B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189891A JPH02189891A (ja) | 1990-07-25 |
| JPH0752673B2 true JPH0752673B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=11758467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1010732A Expired - Lifetime JPH0752673B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5194777A (ja) |
| JP (1) | JPH0752673B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248186A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Toshiba Corp | 表示属性変換装置 |
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| US5491379A (en) * | 1994-10-11 | 1996-02-13 | Timex Corporation | Electroluminescent edge connect-composite lamp/strip and method of making the same |
| US6022799A (en) * | 1995-06-07 | 2000-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods for making a semiconductor device with improved hot carrier lifetime |
| US5710067A (en) * | 1995-06-07 | 1998-01-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silicon oxime film |
| US6121133A (en) | 1997-08-22 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Isolation using an antireflective coating |
| US6294459B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-09-25 | Micron Technology, Inc. | Anti-reflective coatings and methods for forming and using same |
| US6444588B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Anti-reflective coatings and methods regarding same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871589A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6174293A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-16 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| US4721631A (en) * | 1985-02-14 | 1988-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin-film electroluminescent display panel |
| JPS6329398A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Yokogawa Electric Corp | 波形記憶装置 |
| JPH027387A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
| US4897319A (en) * | 1988-07-19 | 1990-01-30 | Planar Systems, Inc. | TFEL device having multiple layer insulators |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1010732A patent/JPH0752673B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-17 US US07/466,649 patent/US5194777A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5194777A (en) | 1993-03-16 |
| JPH02189891A (ja) | 1990-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0752673B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| US5264714A (en) | Thin-film electroluminescence device | |
| CN114026703B (zh) | 量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
| US5539424A (en) | Thin-film electroluminescence display device | |
| JPH01220393A (ja) | 薄膜型エレクトロルミネセンス素子 | |
| WO1992008333A1 (en) | Thin-film el element | |
| JP3422266B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2614098B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JPS60134277A (ja) | Ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS6315715B2 (ja) | ||
| JPH06223974A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の誘電体層 | |
| JPH0686660B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法による酸化ケイ素薄膜形成方法 | |
| JPH0754750B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH027387A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| KR960030748A (ko) | 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JPS6343880B2 (ja) | ||
| JPS63291487A (ja) | スイッチング素子 | |
| JPH05347187A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63291486A (ja) | スイッチング素子 | |
| JPH04312791A (ja) | 高コントラスト薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0265094A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| KR970072511A (ko) | 백색 발광용 전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| JPH08255925A (ja) | 発光素子用ＧａＰエピタキシャル基板 | |
| KR20010054537A (ko) | 동일 모재료를 갖는 다층 구조의 백색 형광막과 그를사용한 교류 구동형 박막 전계발광소자 | |
| JPH09129373A (ja) | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090605 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090605 Year of fee payment: 14 |