JPH07508849A - 高臨界温度超伝導体及びその製造方法 - Google Patents

高臨界温度超伝導体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH07508849A
JPH07508849A JP6502570A JP50257094A JPH07508849A JP H07508849 A JPH07508849 A JP H07508849A JP 6502570 A JP6502570 A JP 6502570A JP 50257094 A JP50257094 A JP 50257094A JP H07508849 A JPH07508849 A JP H07508849A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheath
conductor
multifilament
cross
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP6502570A
Other languages
English (en)
Inventor
リリー,ギルバート・エヌ,ジュニアー
Original Assignee
アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション filed Critical アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション
Publication of JPH07508849A publication Critical patent/JPH07508849A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0801Manufacture or treatment of filaments or composite wires
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49014Superconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 高臨界温度超伝導体及びその製造方法 発明の分野 本発明は、超伝導体に関し、より詳細には、酸化物超伝導体の超伝導特性を改善 するための方法に関する。
発明の背景 1986年におけるランタン−バリウム−銅の酸化物の超伝導性の発見は、高い 臨界温度(Tc)を有する酸化物超伝導体に対する世界的な活動を刺激した。
それ以来、かなりの数の他のセラミック酸化物超伝導体材料が発見されており、 例えば、Y−Ba−Cu−0系、B i −3r−Ca−0系、及び、Tl−C a−Ba−Cu系に基づくセラミック酸化物成分がある。現在発行されている多 数の米国特許は、そのような材料から超伝導線材を形成することを提案しており 、そのような提案においては、延性を有する金属チューブに超伝導材料の粉末す なわち前駆体を充填する工程と、充填されたチューブを引き抜き又は押し出し、 該チューブの直径を減少させると共に、超伝導材料又は前駆体のコア、並びに、 該コアを包囲する金属シースを有する所定の直径の線材を形成する工程と、該線 材を熱処理して上記コアに所望の超伝導性を与える工程とを備えるプロセスを使 用している。パウダー・イン・チューブ(Powder−In−Tube)すな わち”PIT”として一般に知られる汎用的なプロセスが、例えば、ジン外(J in et al、)の米国特許第4,952.554号、ベーク(Boeke )の米国特許第4,980.964号、並びに、マイヤ(Meyer)の米国特 許第5. 043. 320号に記載されている。上述の米国特許に教示されて いるPITプロセスによれば、チューブの中の超伝導粉末は、超伝導組成を有す る酸化物成分の粉末から成る混合物か、あるいは、超伝導体の公称組成を有する 粉末とすることができる。
ユーレク外(Yurek et al、)の米国特許第4,826.808号は 、所望の超伝導酸化物と同じ金属成分を有する金属合金前駆体の酸化によって、 超伝導セラミック酸化物を形成することを教示している。
上述の一般的なPIT手順を用い、延性の金属チューブの中に最初に入れられる 特定の粉末の性質に関係無く、超伝導線材を製造する際には、最終製品の超伝導 線材のコアは均一にテクスチャー化される必要がある。すなわち、一般に異方性 でありその形状が板状である酸化物超伝導体の粒子は、ランダムな向きではなく 、近接して重なり合った概ね平行な平面に配列されなければならない。高度に均 一な組織は、超伝導コアの全長に沿って高い密度並びに低い空隙率を確実にもた らす。
実際には、そのようにすることは困難であることが証明されている。製造の過程 において、線材は一般に、多くの変形(例えば、押し出し、スェージング、引き 抜きあるいは圧延)を受け、これら各々の変形はテクスチャー化及び緻密化に悪 影響を及ぼすことがあり、また、セラミック酸化物の超伝導性を低下させること がある(あるいは完全に破壊することもある)。また、線材は、複数の一連の熱 処理を受けることが多く、これら各々の熱処理は一般に、変形工程の後に行われ る。従って、所望の形状及び性能レベルを得るためには、線材テープを変形及び 加熱する必要があり、熱機械的なプロセスのいずれかの工程力坏適当に(例えば 、過剰な変形、あるいは、マイクロクラックの開始)が実行された場合には、セ ラミックの顕微鏡組織が、所望の如くテクスチャー化され且つ緻密化されること がな(、その性質は最適なものとならなくなる。更に、適正に実行した場合でも 、圧密化の後の熱処理の1つの効果により、超伝導材料のテクスチャー組織及び 密度を幾分低下させることが多い。逆行焼結(retrograde sint ering)と時々呼称される上記現象は、高温セラミック超伝導体に限定され ず、その材料が更に熱処理される前に、再度緻密化することを一般に必要とする 。
高温セラミック超伝導材料の場合には、最終的な変形及び物理的な緻密化の後に 行われる最終的な熱処理によって、超伝導性が、最終製品のコアに与えられる。
しかしながら、押し出し、引き抜き、圧延又はスェージングによって形成され且 つ緻密化された線材の臨界電流密度(Jc)は、多くの用途に関して所望の値よ りも低い。
特に、十分な長さを有する線材又は池の導電体を製造する際に使用するのに実用 的であり、より大きな臨界電流密度を有する超伝導体をもたらすプロセスが必要 とされている。
発明の摘要 本発明は、広範なセラミック酸化物超伝導体に応用可能であって、通常の引き抜 き一スェージングー押し出し一圧延の変形を用いて製造される同じ公称の半導体 組成から成る導電体に比較して、十分に大きな電流密度を有する超伝導線材又は テープを製造するPITプロセスを提供する。線材を形成するためのPITプロ セスにおいては、超伝導体前駆体が、延性を有するチューブの中に入れられる。
次に、上記チューブは、その中の粉末と共に変形されてその直径を減少させるが 、あるいは、その断面形状を変化させ、概ね所望の形態を形成する。次に、変形 されたチューブは、複数の熱処理を受水上記前駆体を所望の超伝導セラミック酸 化物相に変換する。本発明によれば、上記変形したチューブは、引き抜き加工あ るいは他の変形操作によりほぼ最終製品の所望の直径又は断面を有する導電体と なった後であって且つ最後の熱処理の前に、アイソスタティック圧縮されて超伝 導材料をテクスチャー化及び緻密化する。本発明の好ましい実施例においては、 延性を有するマトリックスの中にある超伝導体前駆体材料の非円形の複数のフィ ラメントを含むマルチフィラメント構造が形成され、そのマルチフィラメント構 造は、最後の熱処理を除く総ての熱処理の後に、アイソスタティック圧縮され、 その後、最終的な時間だけ熱処理を受ける。
別の特徴においては、本発明は、延性の金属シースの中に設けられる異方性の平 坦な(aspected)セラミックを含むどのような製品にも使用することの できる方法を提供し、該方法においては、一連の圧密化及び熱処理工程によって 所望のセラミックの性質が形成される。上記セラミックは、逆行焼結の現象を受 け易い。そのような製品の製造において、本発明は、上記セラミックの断面が非 円形である実質的に最終的な形状に上記製品が形成された後に、且つ、最後の熱 処理工程を除く総ての熱処理の後に、上記製品をアイソスタティック圧縮して該 セラミックを緻密化及びテクスチャー化する特徴を有している。上記最後の熱処 理は、上記アイソスタティック圧縮の後に、あるいは、該アイソスタティック圧 縮と同時に行うことができる。
図面 図1及び図2は、本発明のプロセスの最初の段階におけるモノフィラメント線材 の幾分概略的な断面図である。
図3は、本発明のプロセスのフローダイアダラムである。
図4は、本発明を用いて形成した他の導電体の断面図である。
図5A及び図5Bは、本発明に従って形成されたマルチフィラメントテープを、 より通常のプロセスを用いて形成したマルチフィラメントテープと比較する顕微 鏡写真である。
図6A、図6B及び図6Cは、本発明に従って形成されたマルチフィラメントテ ープを、池のプロセスによって形成されたテープと比較する顕微鏡写真である。
好ましい実施例の説明 図1及び図2は、例示的なモノフィラメント線材を概略的に示しており、該モノ フィラメント線材には、図1においては符号10が付され、また、図2において は符号10′ が付されている。図1及び図2においては、符号11は、セラミ ック酸化物の超伝導体フィラメントであり、符号12は、該フィラメントを包囲 する延性金属のチューブである。図示のように、酸化物の超伝導体フィラメント は、概ね血小板状の粒子14を含んでいる。図1の線材10のフィラメント状の コア11の全体的な断面は、概ね円形状であり、また、セラミックの超伝導コア の粒子14は、当該線材の軸線に対して種々の角度をなしてランダムに配向され ている。図2は、より望ましい粒子の配向を示しており、コア10゛ のコアの 粒子14′ は、テクスチャー状になっている。すなわち、粒子14′ は、レ ンガ壁のレンガのように、線材の軸線に対して概ね平行に伸長する平行な平面に おいて概ね積み重ねられている。また、線材10′ のコア11′ の断面は、 円形というよりむしろ、概ね長円形又は矩形である。
上に説明したように、本発明の1つの基本的な目的は、セラミック酸化物の超伝 導コアの粒子がテクスチャー状になされると共に、上記コアが比較的大きな密度 及び小さな空隙率を有しており、更に、使用可能な長さを有する超伝導線材及び 他の導電体を製造するために使用するに適したプロセスすなわち方法を提供する ことである。
本発明の好ましい実施例においては、上記目的は、PIT線材製造プロセスの変 形例を用いて達成される。延性金属のチューブから成る比較的厚内の部片すなわ ちピースに、超伝導材料の前駆体である粉末を充填して該ピースの一端部を閉止 し、次に、該ピースの他端部も封止する。上記チューブは、上述のユーレック外 の米国特許に教示されているように、上記前駆体に対して化学的に「貴」な金属 から形成される。すなわち、そのような選択された材料は、上記チューブ及び粉 末が処理の間に受ける条件下で酸化しないような材料である。上記チューブとし ての好ましい金属は金であり、より一般的には銀である。
上で説明したように、本発明は、「板状(platey)Jの、すなわち、平た い粒子の形状を有するどのようなセラミック酸化物超伝導体に関しても使用可能 である。本発明によれば、チューブ12は、選択された特定のセラミック酸化物 超伝導体から成る超伝導体前駆体の粉末で充填される。本明細書及び添付の請求 の範囲で使用するように、「超伝導体前駆体」という用語は、適正な反応及び熱 処理を受けた時に、反応して連続的な超伝導セラミック酸化物相を形成する材料 を意味する。勿論、そのような特定の反応及び熱処理は、選択された特定の組成 に依存するものであり、本発明のどのような部分も構成しない。
本発明の好ましい実施例においては、図3のフローダイアダラムに示すように、 選択されたセラミック酸化物超伝導体用の各出発材料が、適正な化学量論的な量 で組み合わされて反応し、その超伝導体と同じ公称組成を有する複雑なセラミッ ク酸化物の粉末を形成する。例えば、B i −3r−Ca−Cu−0のセラミ ック超伝導体を形成する場合には、酸化ビスマス、酸化ストロンチウム、酸化カ ルシウム及び酸化銅を計量及び混合して反応させ、また、望ましい超伝導体が、 Y−Ba−Cu−0系である場合には、イツトリウム、バリウム及び銅の酸化物 を用いる。そうではなく、所望のセラミック酸化物超伝導体の金属組成を含む合 金を形成し、その後酸化させることもできる。いずれの場合においても、この段 階で形成される超伝導体前駆体は酸化物であり、この酸化物は、通常、酸化物の 粉末の形態をしていて機械的に粉砕して粉末にする必要がなく、所望の最終製品 である超伝導体と同じ公称化学組成を有している。しかしながら、そのような酸 化物は、実際には超伝導性を有しておらず、その理由は、そのような所望の超伝 導性は、後の熱処理の間に得られるからである。一般に、上記酸化物はまた、多 数の異なる相を含むことができ、そのような相の幾つかだけが、所望の最終製品 の所望の相構造を有しており、超伝導体前駆体の粉末のある部分が超伝導性を有 している場合でも、そのような超伝導性は一般に、その後の変形の間に消滅又は 低下することになる。
次に、超伝導体前駆体の粉末を銀のチューブの中に充填し、該チューブの両端部 を閉じて封止する。その後、その内部に粉末を有する上記チューブは、通常の断 面積減少工程(例えば、押し出し成形、引き抜き成形)を受け、一般には図1に 示す概ね円形の断面を有するモノフィラメント線材を形成する。所望の最終製品 がモノフィラメント線材である場合には、一般に、その線材は次に圧延され、図 2に示す如き非円形の断面に変形される。
マルチフィラメント線材又はマルチフィラメントテープが必要とされる場合には 、多数のモノフィラメント線材を束ね、次に、その束を概ね通常の手順に従って 、引き抜き又は押し出し成形する。例えば、図4は、本発明に従って構成された マルチフィラメント線材10“を示しており、このマルチフィラメント線材には 、方形の銀ケーシング12”の中に被包された8つのセラミック超伝導体フィラ メント11”が備えられている。各々のフィラメント11”は、長手方向の断面 において概ね矩形である。すなわち、各々のフィラメントは、その厚みよりも数 倍大きな幅を有しており、上記8つのフィラメント11”は、並置される2つの 積重体すなわちスタックとして配列され、各々のスタックは4つのフィラメント を含んでいる。各々のスタックにおいては、フィラメント11″は、それぞれの 断面の長い方の寸法が方形のケーシング12”の側部に対して概ね直交するよう に配列されている。図4に示す如きマルチフィラメント線材10”を形成するた めには、すなわち、全体的な断面(少な(ともアイソスタティック圧縮成形する 前)が平たくなく(すなわち、その幅と概ね等しい高さを有する)、且つ、各々 のフィラメント11”が、その断面において、その厚みよりもかなり大きな幅を 有している(例えば、約1=1よりも大きな縦横比、好ましくは約5:1よりも 大きな縦横比を有する)線材を形成するためには、個々のモノフィラメント線材 を最初に圧延して各フィラメントに非円形の断面を与え(例えば、1・1よりも 大きな縦横比を生じるように圧延する)、次に、所望の数のモノフィラメント線 材を銀の部片すなわちストリップで束ねてフィラメント間の空間を充填し、その 後、その多心アセンブリを一体に引き抜く。テープ製品を形成する際には、束に する前に各フィラメントを引き抜き加工するかあるいは引き抜き加工を行わず、 例えば一対の近接したロールの間に通すことによりマルチフィラメントの束すな わちバンドルを圧延することにより、所望の全体的な断面形状及びフィラメント の形状を確実に得ることができる。
所望の最終製品の断面と実質的に同じかあるいは非常に近似した形状にテープ又 は線材を成形した後に、該テープ又は線材は、一連の熱処理(一般には2つであ るが、必要とされる材料及び処理に応じて3以上を採用することができる)の中 の最初のすなわち第1の熱処理を受け、超伝導体の粉末前駆体を反応させて焼結 させる。一般に、第1の熱処理により、セラミック超伝導体前駆体の粒子成長及 び相変態が生じ、超伝導性を有すると共に最終製品の相構造に近似した相構造を 有するフィラメントが形成される。しかしながら、1又はそれ以上の初期の熱処 理の後のセラミック超伝導材料の粒子配向、密度及び空隙率は、超伝導セラミッ ク酸化物フィラメントの例えば臨界電流密度の如き超伝導性が所望の値よりも低 いようなものである。
1又はそれ以上の第1の熱処理の後に、上記線材又はテープを更に変形させて超 伝導材料の密度及びテクスチャー化を改善し、上記テープ又は線材をその所望の 最終製品の形態に合致させ、更に、最終的な熱処理を与える。その最終的な熱処 理の後に、テープ又は線材の単数又は複数のフィラメントは、所望の最終製品の 超伝導性を有する。
通常、最終的な変形/緻密化は、圧延加工によって行われる。しかしながら、最 終的な熱処理の前に圧延された線材及びテープの超伝導フィラメントは、所望の 値よりも低い密度及び臨界電流を有することが判明した。その理由は、圧延加工 が、応力集中又は粒子又は粒子層のその他の相対運動、並びに、粒子組織の横方 向のクラックを生じ、これらが最終的な熱処理において完全には治癒されないか らであると考えられる。
実験室の実験により、超伝導フィラメント及びコアのテクスチャー化及び臨界電 流の程度は、線材又はテープをその平坦な寸法に対して直交する方向へ一軸方向 に圧縮することにより増大することが分かったが、そのような圧縮は、短い導電 体の処理に限定され、従って、より長い導電体の製造には適さない。
本発明によれば、テープ又は線材の最終的な変形(最終的な熱処理の前あるいは 該熱処理と同時平行的に行われる)は、熱間(すなわち、当該セラミックの融解 温度の約4分の3よりも高い)、あるいは、冷間(すなわち、上記融解温度の約 4分の3よりも低い)において、そのセラミック材料及び貴金属シースの両方の 降伏点よりも高い圧力、一般的には、約2.109kg/Cm”(30,000 psi)乃至約21,090kg/cm” (300,000ps i)の範囲 の圧力でアイソスタティック圧縮することにより行われる。上で説明したように 、アイソスタティック圧縮されるテープ又は線材のフィラメントは、円形ではな く長円形又は矩形の断面を有するのが望ましい。通常、そのような断面は、大部 分のテープの製造から生じ、適宜な形状のダイスを通して圧延加工、引き抜き加 工又は押し出し加工することにより、円形の線材に与えることができる。フィラ メント組織の場合には、約10:1を越えない縦横比(幅:厚み)が望ましい。
アイソスタティック圧縮は、テープ又は線材の全体的な形状に応力集中又は他の 重要な変化(後に説明するチルテール凹凸パターンを除く)を生ずることなく、 超伝導酸化物フィラメントをテクスチャー化し且つ緻密化する。例えば、図4を 参照すると、フィラメント11”の上方の銀ケーシング12″の表面の一部が若 干凹陥しており、該ケーシングの外側面が、各フィラメントスタックの間で長手 方向に伸長する凸部すなわち隆起部15”を有していることが分かる。これらの 隆起部は、最終的な熱処理の前にアイソスタティック圧縮された超伝導線材の特 徴である。アイソスタティック圧縮の前には、ケーシング12”の頂部及び底部 は、破線で示すように平坦であった。
同様に、図5は、アイソスタティック圧縮する前の19フイラメントテープであ るサンプルA、並びに、同じテープを約8.436kg/cm” (120,0 0Qpsi)で冷間アイソスタティック圧縮した後のサンプルBの断面図を示し ている。2つのサンプルの幅は実質的に同じである。しかしながら、冷間アイソ スタティック圧縮されたフィラメントの周囲の領域の正味の厚みは小さく、その 厚みの差は、実質的に総て、超伝導フィラメント11の断面積の減少(及び、こ れに伴うテクスチャー組織及び密度の増加)に起因するものであることが分かろ う。また、アイソスタティック圧縮されていないサンプルAの外側面は、フィラ メントの少なくとも一部の上方において上方へ突出する隆起部15を有している ことが特徴的に分かるであろう。これは、最終的な熱処理の前に、セラミックフ ィラメントの上方にある表面の一部が平坦であるかあるいは若干上方へ傾斜して いる圧延されたサンプルの上面及び下面に対して通常見られることである。対称 的に、アイソスタティック圧縮されたサンプルBのフィラメントの上方にある外 側面の部分は若干凹陥している。アイソスタティック圧縮が、セラミック超伝導 体の何等かのマイクロクラックを生じさせる範囲で、上記凹陥部、その後の熱処 理によって実質的に除去され、最終製品の超伝導性に同等悪影響を及ぼさない。
アイソスタティック圧縮の間には、マイクロクラックが全(生じない。
本発明の別の利点は、線材又はテープをマンドレルの周囲にコイル状に巻くこと ができることであり、また、線材又はテープに何等かの別の操作を与え、アイソ スタティック圧縮される前にそれが使用される形状にすることができ、従って、 最終的な熱処理の後に更に成形する必要がない。
線材又はテープは、アイソスタティック圧縮された後に、通常の態様で第2の処 理を受ける。セラミック酸化物超伝導体の通常の多数回熱処理プロセスにおける ように、この最終的な熱処理(この熱処理は、特定の超伝導材料に応じて、上記 第1の熱処理とは幾分具なる条件で行うことができる)は、生成物に何等かの相 変響及び粒子成長を生じ、特に、電気を移送するための良好な粒子間接続性を達 成することにより、フィラメントの全体的な超伝導性を改善する。
本発明に従って形成された、すなわち、最終的な熱処理の前にあるいはこれと同 時平行的にアイソスタティック圧縮された、超伝導性の線材及びテープは、最後 の熱処理の前に圧延されたものに比較して、十分に大きなテクスチャー組織及び 臨界電流密度(Jc)を有することが判明した。驚くべきことに、本発明の超伝 導体のJCは、最終的な熱処理の前に圧延されるのではなく圧縮された材料のJ cに近づき、しかも、圧縮とは異なり、本発明は、大量生産に適しており、また 、実用的な長さの超伝導線材及びテープを製造するために使用することができ旦 −工 超伝導体前駆体材料は、高いT、を有する三層型のビスマス基材の所望の超伝導 体(公称化学量論が、Bi+、5Pbo、ssr+、oCaz、oCus、10 xである)を製造するに必要な相対的な化学量論的な量の酸化ビスマス、酸化鉛 、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム及び酸化第二銅を完全に混合することに より準備された。
その混合物を空気中において約8006Cで10時間加熱し、所望の全体的な公 称組成を有する複合粉末を形成した。その結果生じた粉末の相構造は均質であり 、比較的少量の粉末だけが、所望の最終製品の2223の相構造を有している程 度であった。大部分(50%以上)は、2212のB i −S r−Ca−C u−0材料であったが、アルカリ土層ビスマス酸塩、鉛酸塩、第二銅酸塩及びC uOも存在していた。
次に、25グラムの超伝導体前駆体を銀チューブの中に封入した。この鍜チュー ブは、1.58cm(0,625インチ)の外径、0.83cm(0,325イ ンチ)の内径(肉厚が0.38cm(領 150インチ))、及び、14.0c m(5,5インチ)の長さを有していた。
次に、封止されたチューブを、徐々に小さくなる直径を有する一連のダイスを介 して、押し出し成形及び引き抜き成形を行い、六角形の断面を有し、約0. 1 8cm(約10フインチ)の直径(例えば、辺間の距離)を有する線材を形成し た。次に、この線材を45.7cm(18インチ)の長さに切断し、その切断し たものを19本束にし、マルチフィラメント構造を形成した。この構造体を繰り 返し引き抜き成形して直径が0.18cm(0,070インチ)の丸い線材にし 、次に、圧延して約0.023Cm(約0.009インチ)の厚みを有するマル チフィラメントテープを形成した。図6に示すように、テープIOAは、銀のマ トリックス12Aの中に配列された19本の超伝導体前駆体フィラメント11A を備えている。テープIOAは、0.023cm(9ミル(0,009インチ) )の厚み及び約0.25cm(約1100インチ)の幅を有している。
図6のテープを2.5cm(1インチ)の長さを有する3つのサンプルに切断し た。最初の完全なテープ及び上記サンプルの中の1つの断面は、テープIOAに 関して示すようなものである。更に変形させた結果を示す残りの2つのサンプル は、符号10B、IOCで示されている。3つのサンプル総てに第1の熱処理( 7・1/2%の酸素中で約810乃至830°Cの温度において48時間)を施 した後に、サンプルIOBを2つのプレートの間で約IGPaの圧力で圧縮し、 また、サンプルIOCを約8,436kg/cm”(120,000psi)の 圧力で冷間均等圧縮した。図6は、圧縮後のサンプルIOB、及び、冷間アイソ スタティック圧縮の後のサンプルIOCを示している。
図5から、圧延されたサンプル5A、及び、圧延され且つアイソスタティック圧 縮されたサンプル5Cの断面は実質的に同じであり、図4のサンプルと同様に、 圧延されたサンプル5Aが、フィラメントの上方にあるテープの外側面の部分に 特徴的な凹部を有していることが分かる。対称的に、テープの断面は圧縮によつ て大きく変化している。圧縮の際には、テープの側縁部は拘束されておらず、サ ンプルIOBによって示すように、圧縮の結果により幅がかなり増大し、これに 伴って、テープの厚みが大幅に減少している。
次に、3つのサンプル総てを再度熱処理した。第2の熱処理の後の、77K。
0テスラ場における3つのサンプルの臨界電流密度(Jc)は以下の通りである 。
サンプル と 10A 4,000 A/cm” 10B 9,000 A/cm” 10C8,00OA/cm” 例■I Bi+、++Pbo、ssr+、1caz、ocu3.+otの全体的な公称組 成をもたらすようにpbでドープされたB i −3r−Ca−Cu−0の超伝 導体コア、並びに、銀ソースを含むモノフィラメント線材が、例Iと同様の一般 的な手順を用いて形成された。熱処理の条件は、例Iで用いた条件から若干変え られ、その結果生じた超伝導体前駆体粉末は、異なる相構造を有していた。この 線材を45. 8cm(18インチ)の長さ毎に切断して束にして19フイラメ ントの導電体を形成し、約0.023cm(約0.009インチ)の厚み及び約 0.25cm(約0. 100インチ)の幅を有するテープになるように引き抜 き加工及び圧延加工を行った。例■と同様に、上記テープから切断されたサンプ ルに第1の熱処理を施し、次に、そのようなサンプルの幾つかを平坦に圧縮する があるいはアイソスタティック圧縮した。圧延(第1の熱処理の後に)され、圧 縮され且つアイソスタティック圧縮されたテープの2.5cm(1インチ)のサ ンプルの電流密度(77K。
0テスラにおけるJc)は以下の通りであった。
サンプル lユ 圧延 3.00OA/cm” 圧縮 12.000 A/cm2 ンップド 8,000 A/cm2 (cipped) 例III 例Iと同様の一般的な手順に従って、7つのフィラメント導電体を準備し、これ らのサンプルを、0.061cm(24ミノリ、0.046cm (18ミル) 及び0.030cm (12ミル)の別個の厚みとなるように圧延した。第1及 び第2の熱処理の間に、上記サンプルを約140,060kg/cm2(200 ゜000ps i)で冷間アイソスタティック圧縮した。77に、0テスラにお ける上記サンプルの臨界電流密度(J、)は以下の通りであった。
サンプル lユ 24ミル 10.000 A/cm2 18ミル 13. 000 A/cm212ミル 16. 500 、A/cm 2例IV イツトリウム、バリウム及び銅から成る合金(Y:1;Ba2;Cu:3の原子 比)を形成し、その合金を酸化させてYBa2CusO−粉末を形成することに より、超伝導体前駆体を準備することができる。また、Y:2;Ba4;Cuニ アの原子比の合金を形成し、該合金を酸化させることにより、Y 2 B a  4Cu 70 yを準備することができる。いずれの場合においても、その結果 生ずる粉末を銀チューブの中に充填し、該チューブを引き抜き加工することによ り、銀シースによって包囲された超伝導前駆体コアを有する線材(図1に示すよ うな)が形成される。
線材は、引き抜き加工の後に、加熱処理され、円形というよりむしろ、楕円形又 は長円形の断面(図2に示すような)をもたらすように圧延され、第1の熱処理 が施され、アイソスタティック圧縮され、最終的な熱処理が施される。
皿−y 例Iの手順に概ね従い、所望のタリウム基材の超伝導酸化物(例えば、TI。
Ba2CazCu30+)を形成するに必要な相対的な化学量論的な量の酸化タ リウム、酸化カルシウム、酸化バリウム及び酸化第二銅を混合し、その粉末混合 物を反応させ、その反応した粉末を銀チューブの中へ充填することにより、超伝 導体前駆体を準備することができる。次に、粉末が充填された上記チューブを引 き抜き加工し、銀シースによって包囲された超伝導前駆体コアを有する線材を形 成する。線材は、引き抜き加工の後に、非円形のフィラメント状の断面をもたら すように圧延され、加熱処理され、アイソスタティック圧縮される。アイソスタ ティック圧縮は、該アイソスタティック圧縮及び最終的な熱処理が同時に進行す るように、高温で行うことができる。そうではなく、線材は、アイソスタティッ ク圧縮の後に、最終的な熱処理を受けることができる。
例V1 例IIIと同じ超伝導体前駆体材料を用い、且つ、異なる線材熱処理条件を用い ることにより、19フイラメントのサンプルテープを準備した。最終的な線材の 熱処理の前に、約45.695kg/cm2(65,000ps i) 、約8 7゜875kg/cm”(125,000psi)及び約11,248kg/c m’(160,000ps i)の圧力において、3つのサンプルをアイソスタ ティック圧縮し、また、3つのサンプルを単軸圧縮した。1つの制御サンプルを 圧延し、第2の制御サンプルを圧縮あるいは圧延した。そのようなサンプルの1 .(A/Cm2: 77に、Oテスラにおける)、及び、厚み(ミル)は以下の 通りであった。
サンプル lユ 厚み 単軸圧縮(65,000で) 10,600 5.2単軸圧縮(125,000 で) 9.500 6単軸圧縮(260,000で) 8,900 4.8アイ ソスタテイツク圧縮 (65,000で) 5,400 8.4アイソスタテイ 7り圧縮 (125,000で) 6,400 8.5アイソスタテイツク圧縮  (260,000で) 5,300 8.7圧延制御 4,300 7.5 第2の制御 2.400 9 圧縮とは異なり、アイソスタティック圧縮は、テープの断面に殆ど影響を与えな い。
例VTI 各々約1インチ(25,4mm)の長さを有する19フイラメントのサンプルテ ープから成る4つのグループが、PbOでドープされた2223のB1−8r− Ca−Cu−0超伝導体前駆体粉末から準備された。グループI及びIIは、グ ループIII及びIVよりも若干少ないpbを含んでおり、グループ■のサンプ ルに使用された粉末は、他のサンプルに使用された粉末が反応する時間の4分の 1よりも短い時間にわたって最初に反応された。テープが形成された後に、各々 のグループを2つのサブグループに分割し、一方のサブグループからのサンプル (”A“で示される)は、他方のサブグループからのサンプル(“B”で示され る)熱処理温度よりも若干高い(5°Cだけ)温度で熱処理された。総てのサン プルに対する最終的な熱処理は同じであった。最終的な熱処理の直前に、各々の サブグループからの1つのサンプルを約45.695kg/cm2(65,00 0ps i)で均等圧縮し、各々のサブグループからの第2のサンプルを約50 QmPaで圧縮し、第3のサンプルを約9ミルから約8ミルの厚みまで圧延した 。
下に示すように、アイソスタティック圧縮されたサンプルのJc(77に10テ スラ)は、圧延されたサンプルのJ、よりも終始一貫して大きく、1つの例外を 除いて、圧縮されたサンプルのJcよりもほんの僅が小さがった。
サンプル Jc (アイソスタティック圧縮) Je(圧縮) ≦Ic(EEμ mλ−IA 10,100 12,000 4,850B 10,200 12 .500 4.05011A 7.650 12,500 5.650B 8, 950 12,100 5.550IIIA 7.450 11,250 5. 250B 7,700 10.000 −−−IVA 9.850 11.40 0 3.680B 9,000 9.900 3.680例VIII 例Iのプロセスに概ね従って、4メートル長さの2つの19フイラメントテープ が準備された。各々のテープは、0.023cm(0,009インチ)の初期厚 みまで圧延され、同じ第1の熱処理を受けた。第1の熱処理の後に、一方のテー プを圧延して0.020cm (0,008インチ)の厚みにし、また、他方の テープを約45,695kg/cm”(65,000psi)でアイソスタティ ック圧縮した。次に、両方のテープに同一の第2の熱処理を施した。
約4メートルの全長にわたって、圧延されたテープのJc(77に、Oテスラ) は、約2,700A/cm”であり、アイソスタティック圧縮されたテープのJ Cは、約5,500A/cm”であった。
テープの長さに沿う均一性を判定するために、4メートルのテープの長さに沿う 種々の箇所から、1センチメートルの長さのサンプルを切断し、その短いサンプ ルのJc(77に、Qテスラ)を測定した。アイソスタティック圧縮されたテー プからのサンプルの平均J、は、5.85OA/cm2(77に、0テスラ)で あり、圧延されたテープからのサンプルの平均Jcは、3,580であった。ま た、アイソスタティック圧縮されたサンプルの標準偏差(17,9%)は、圧延 されたテープのサンプルの標準偏差(42,5%)よりも十分に小さかった。
例IX Y:1:Ba:2;Cu3の原子比に相当する相対的な量のイツトリウム、バリ ウム及び銅の金属粉末を混合し、該粉末を銀チューブの中へ充填することにより 、超伝導体前駆体を準備することができる。次に、上記チューブを機械的に変形 させて線材(一般には、図1に示す如き円形の断面を有している)にし、該線材 を熱処理し、上記チューブの中の粉末を酸化させて超伝導相を形成し、楕円形又 は長円形(円形ではない)の断面(図2に示す如き)をもたらすように圧延し、 複数の熱処理及び変形を施し、アイソスタティック圧縮し、最終的な熱処理を施 す。
他の実施例は、以下の請求の範囲の範囲内にある。
浄IF(内容に変更なし) 補正書の翻訳文提出書 (特許法第184条の8) 平成 7年 1月 4日

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.延性を有する金属シースの中で長手方向に伸長する超伝導セラミック酸化物 コアを有するタイプの超伝導導電体を製造するための、超伝導体前駆体を前記シ ースの中に入れる工程と、前記シースを該シースの中の粉末と共に変形させ、前 記シースの断面を実質的に前記導電体の断面まで減少させる工程と、その後、前 記シース及び前記粉末に複数の熱処理を施して前記粉末を前記超伝導酸化物コア に変換させる工程とを含む方法において、前記シースが変形されて該シースの断 面が前記導電体の前記断面まで実質的に減少した後であって、且つ、最後の熱処 理を除く前記複数の熱処理の総てが終わった後に、前記シース及びコアをアイソ スタティック圧縮して前記コアをテクスチャー化し且つ緻密化することを特徴と する方法。
  2. 2.請求項1の方法において、前記シース及びコアを、前記複数の熱処理のうち の最後の熱処理の前に、アイソスタティック圧縮することを特徴とする方法。
  3. 3.請求項1の方法において、前記アイソスタティック圧縮前の前記コアの前記 断面が、非円形であり、1:1よりも大きな縦横比を有することを特徴とする方 法。
  4. 4.請求項3の方法において、前記アイソスタティック圧縮前の前記コアの前記 縦横比が、5:1よりも大きいことを特徴とする方法。
  5. 5.請求項1の方法において、前記シースを該シースの中の前記粉末と共に圧延 し、前記アイソスタティック圧縮前の前記コアを1:1よりも大きな縦横比を有 する非円形の断面に形成する工程を含むことを特徴とする方法。
  6. 6.請求項1の方法において、前記導電体がマルチフィラメント状であり、前記 複数の熱処理及び前記アイソスタティック圧縮の前に、前記導電体の各々のフィ ラメントが、非円形の断面を有すると共に、1:1よりも大きな縦横比を有する ことを特徴とする方法。
  7. 7.請求項1の方法において、前記アイソスタティック圧縮及び前記最終的な熱 処理を同時に実行することを特徴とする方法。
  8. 8.請求項1の方法において、延性金属のシースの中に超伝導前駆体コアを各々 有する複数の線材を東にしてマルチフィラメント構造を形成する工程と、該マル チフィラメント構造を変形させて前記導電体を形成する工程とを含み、前記マル チフィラメント構造に、前記複数の熱処理を施すと共に、最後の熱処理を除く前 記総ての熱処理の後に、それをアイソスタティック圧縮することを特徴とする方 法。
  9. 9.請求項9の方法において、前記複数の熱処理の前に、前記マルチフィラメン ト構造を圧延してテープを形成する工程を含むことを特徴とする方法。
  10. 10.請求項1の方法によって製造されることを特徴とする導電体。
  11. 11.請求項8の方法によって製造されることを特徴とするマルチフィラメント 導電体。
  12. 12.請求項1の方法によって製造されるマルチフィラメント導電体において、 前記導電体の各々のフィラメントの横断面は、1:1よりも大きな縦横比を有し ており、前記導電体は、前記フィラメントの上方にあるその外側面の部分に凹所 を有していることを特徴とする多フィラメント導電体。
  13. 13.マルチフィラメント超伝導導電体において、延性を有する金属シースの中 で長手方向に伸長する複数の酸化物超伝導体フィラメントを備え、当該導電体の 外側面は、長手方向に伸長する複数の凹所を有しており、これら各々の凹所が、 長手方向に伸長するフィラメントの上方にあることを特徴とするマルチフィラメ ント導電体。
  14. 14.請求項13のマルチフィラメント導電体において、テープを含み、該テー プ及び前記各々のフィラメントが、約5:1以上の縦横比を有することを特徴と するマルチフィラメント導電体。
  15. 15.請求項13のマルチフィラメント導電体において、当該導電体の断面は、 実質的に等しい高さ及び幅を有しており、前記フィラメントは各々、1:1より も大きな縦横比を有すると共に、当該導電体の側部に対して概ね直交して伸長す ることを特徴とするマルチフィラメント導電体。
  16. 16.延性を有する金属シースの中で長手方向に伸長するセラミック材料を有す るタイプの製品を製造するための、 セラミック粉末を前記シースの中に入れる工程と、前記シースを該シースの中の 粉末と共に変形させ、前記シースの断面を実質的に前記製品の断面まで減少させ る工程と、その後、前記シース及び前記粉末に複数の熱処理を施す工程とを含む 方法において、 前記シースを変形させてその断面を実施的に前記製品の断面まで減少させた後に 、且つ、最後の熱処理を除く前記複数の熱処理の総ての後に、前記シース及びコ アをアイソスタティック圧縮して前記コアをテクスチャー化し且つ緻密化するこ とを特徴とする方法。
JP6502570A 1992-06-30 1993-06-24 高臨界温度超伝導体及びその製造方法 Ceased JPH07508849A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US90684392A 1992-06-30 1992-06-30
US906,843 1992-06-30
PCT/US1993/006033 WO1994000886A1 (en) 1992-06-30 1993-06-24 High tc superconductor and method of making

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07508849A true JPH07508849A (ja) 1995-09-28

Family

ID=25423077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6502570A Ceased JPH07508849A (ja) 1992-06-30 1993-06-24 高臨界温度超伝導体及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6218340B1 (ja)
EP (1) EP0648379B1 (ja)
JP (1) JPH07508849A (ja)
DE (1) DE69331631T2 (ja)
WO (1) WO1994000886A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0648379B1 (en) * 1992-06-30 2002-02-27 American Superconductor Corporation Method of making a high tc superconductor
DE4404138A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Siemens Ag Langgestreckter Hoch-T¶c¶-Supraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
US5674814A (en) * 1994-11-14 1997-10-07 University Of Chicago Synthesis of increased-density bismuth-based superconductors with cold isostatic pressing and heat treating
DE4444937B4 (de) * 1994-12-16 2005-08-04 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Hoch-Tc-Supraleiters mit einer Bi-2223-Phase
DE19757331C1 (de) 1997-12-22 1999-05-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Mehrkernsupraleiters mit Hoch-T¶c¶-Supraleitermaterial und mit dem Verfahren hergestellter Supraleiter
AU7594700A (en) 1999-09-21 2001-04-24 American Superconductor Corporation Simultaneous constraint and phase conversion processing of oxide superconductors
JP4016601B2 (ja) * 2000-07-14 2007-12-05 住友電気工業株式会社 酸化物超電導線材の製造方法とその製造方法に用いられる加圧熱処理装置
AU2002235120A1 (en) * 2000-09-15 2002-05-15 American Superconductor Corporation Superconducting article having low ac loss
WO2009145220A1 (ja) * 2008-05-27 2009-12-03 学校法人中部大学 超伝導テープ線材及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3243871A (en) * 1963-08-12 1966-04-05 Nat Res Corp Method of making ductile superconductors
US4411959A (en) * 1981-08-17 1983-10-25 Westinghouse Electric Corp. Submicron-particle ductile superconductor
EP0301283B1 (de) * 1987-07-24 1993-12-01 Asea Brown Boveri Ag Verfahren zur Herstellung eines ummantelten Drahtes aus einem keramischen Hochtemperatur-Supraleiter
DE3873447T2 (de) * 1987-08-21 1993-03-18 Mitsubishi Materials Corp Verfahren zur darstellung von supraleitenden materialien.
DK164423C (da) * 1988-04-25 1992-11-09 Haldor Topsoe As Superledende kabel samt fremgangsmaade til fremstilling af et superledende kabel
US4980964A (en) * 1988-08-19 1991-01-01 Jan Boeke Superconducting wire
US5004722A (en) * 1989-01-19 1991-04-02 International Superconductor Corp. Method of making superconductor wires by hot isostatic pressing after bending
JPH02247906A (ja) * 1989-03-17 1990-10-03 Hitachi Cable Ltd 酸化物超電導線材の製造方法
DE3942823C1 (ja) * 1989-12-23 1991-02-28 Battelle-Institut Ev, 6000 Frankfurt, De
JPH0479109A (ja) * 1990-07-19 1992-03-12 Hitachi Cable Ltd 酸化物超電導線材の製造方法
DE4108445A1 (de) * 1991-03-15 1992-09-17 Abb Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von draehten
US5223348A (en) * 1991-05-20 1993-06-29 Composite Materials Technology, Inc. APC orientation superconductor and process of manufacture
US5223478A (en) * 1991-05-30 1993-06-29 Westinghouse Electric Corp. Hot isostatic processing of high current density high temperature conductors
US5683969A (en) * 1992-05-12 1997-11-04 American Superconductor Corporation Strongly-linked oxide superconductor and a method of its manufacture
EP0648379B1 (en) * 1992-06-30 2002-02-27 American Superconductor Corporation Method of making a high tc superconductor
US5661114A (en) * 1993-04-01 1997-08-26 American Superconductor Corporation Process of annealing BSCCO-2223 superconductors
US6194352B1 (en) * 1994-01-28 2001-02-27 American Superconductor Corporation Multifilament composite BSCCO oxide superconductor
US5942466A (en) * 1994-10-28 1999-08-24 American Superconductor Corporation Processing of (Bi,Pb) SCCO superconductor in wires and tapes
US5674814A (en) * 1994-11-14 1997-10-07 University Of Chicago Synthesis of increased-density bismuth-based superconductors with cold isostatic pressing and heat treating
US5656574A (en) * 1995-01-13 1997-08-12 University Of Houston Fabrication of superconducting wires and rods
JP3658841B2 (ja) * 1995-04-07 2005-06-08 住友電気工業株式会社 酸化物超電導線およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69331631D1 (de) 2002-04-04
EP0648379B1 (en) 2002-02-27
US20010009888A1 (en) 2001-07-26
WO1994000886A1 (en) 1994-01-06
EP0648379A1 (en) 1995-04-19
EP0648379A4 (en) 1996-09-11
DE69331631T2 (de) 2003-02-06
US6495765B2 (en) 2002-12-17
US6218340B1 (en) 2001-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6170147B1 (en) Superconducting wire and method of manufacturing the same
US20030024730A1 (en) Filaments for composite oxide superconductors
US6310297B1 (en) Strongly-linked oxide superconductor and a method of its manufacture
EP0832050B1 (en) Multifilamentary BSCCO 2223 oxide superconductor articles and method for their preparation
JPH07508849A (ja) 高臨界温度超伝導体及びその製造方法
JPH10512387A (ja) 超電導酸化物複合体物品の捩りテキスチャー形成
US6202287B1 (en) Method for producing biaxially aligned super conducting ceramics
JP2592872B2 (ja) 酸化物超電導線の製造方法
JP2569413B2 (ja) Bi系酸化物超電導線材の製造方法
JP3029153B2 (ja) 多層セラミックス超電導々体の製造方法
JPH07282659A (ja) 高温超電導線材の製造方法
AU742588B2 (en) Cryogenic deformation of ceramic superconductors
JP4709455B2 (ja) 酸化物高温超伝導線材および製造法
JP3590567B2 (ja) 酸化物超電導線材の製造方法及び酸化物超電導線材
JP2644245B2 (ja) 酸化物超電導線
JP2834525B2 (ja) 超電導体マイクロ回路の製造方法
JPH01169815A (ja) 高臨界電流密度を有する超電導ケーブルの製造方法
Thadani et al. Superconducting and Mechanical Properties of Cold Hydrostatically Extruded Monofilamentary Nb 3 Sn Wires
JPH04334821A (ja) 酸化物系超電導テープの製造法
JPH05114320A (ja) セラミツクス超電導導体の製造方法
JPH05274933A (ja) 酸化物超電導線材の製造方法
JPH05159645A (ja) 酸化物超伝導線材の製造方法
AU6549299A (en) Simplified deformation-sintering process for oxide superconducting articles
JPH01163915A (ja) 酸化物超電導線の製造方法
JPH05208817A (ja) 酸化物系超電導材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040615

A313 Final decision of rejection without a dissenting response from the applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A313

Effective date: 20041101

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041207