JPH07507036A - ニッケルアノード廃棄物を再生利用することにより高純度ニッケル塩化物を製造する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ニッケルアノード廃棄物を再生利用することにより高純度ニッケル塩化物を製造 する方法 発明の技術分野 本発明は、Ｚｎ−Ｎｉ被覆鋼板の製造、無電解Ｎ１メッキ工業用、電子部品用、 および高純度粉末ニッケル化学添加剤の製造等における原材料としてのニッケル 塩化物の製造方法に関する。本発明は、より詳細には、製鋼プラントの電気メノ キエ場から得られるニッケルアノード廃棄物を使用することにより高純度ニッケ ル塩化物（ＮｉＣｈ）を製造する方法に関する。

発明の背景 現今、電気メッキ工業において廃山されるニッケルアノード廃棄物はステンレス 鋼を製造するための電気炉内におけるニッケル溶融源として使用される。ステン レス鋼を製造する際、ニッケルインゴットの不純物レベルは製品特性に大きな影 響を与えない。そのため、通常は、ニッケル酸化物、フェロニッケル（鉄−ニッ ケル鉱石の一種）または同様のものを溶解することによって製造される、純度か 約９８〜９８５％のニッケルか使用される。しかし、電気メッキ工業から得られ るニッケルアノード廃棄物は不純物か表面に付着しており、またその表面も酸化 されている。したかって、確かなニッケル純度は、低純度物質として分類される ９８〜９９％程度に過きず、ステンレス鋼製造のための溶融源としてのみ利用す ることかできる。

しかし、ニッケルアノード廃棄物をステンレス鋼の溶融源として使用する場合に は、アノードの表面に付着するｌｎ、　ＣＩおよび類似の物質のような不純物は り下のような問題を巷起する原因となる。

すなわち、Ｚｎ、ＣＩおよび類似の物質は低沸点であることから、加熱過程にお いて蒸発する。そのため、溶湯かガスを含有することになり、ステンレス鋼製品 に微小気泡を含むことになる。

さらに、７．ｎ、ＣＩおよびその他の有害元素は、溶〆易取り出しの際に環境汚 染の原因となる。

一般に、ニッケル塩化物はＺｎ−Ｎｉ被覆鋼板の製造および無電解Ｎｉメッキ工 業において使用される。さらに、ニッケル塩化物は（化学添加剤としての）高純 度粉末ニッケル、ニッケルフェライトのような電子部品その他を製造するための 出発物質としても使用される。一般に、ニッケル塩化物はニッケル酸化物、Ｎｉ Ｓまたはその他のようなニッケル鉱石を塩酸に溶解する溶解精錬を行い、かつ不 純物除去のための複雑な工程を経て、製造される。その等級は、純度に応じて区 別される。しかし、高純度ニッケル塩化物を製造するためには、高純度原材料を 使用すべきであり、さらに複雑な不純物除去過程か不可欠となり、その結果製造 コストの上昇をもたらすことになる。

発明の概要 したかって、本発明の目的は、電気メンキ工場から廃棄されるニッケルアノード 廃棄物を出発物質とし、複雑な不純物除去工程を適用することなしに高純度ニッ ケル塩化物か得られる、高純度ニッケル塩化物の製造方法を提供することである 。

上述の目的を達成するために、本発明にかかる高純度ニッケル塩化物の製造方法 によれば、以下のステップ、ニッケルアノード廃棄物の表面に付着する不純物を 除去する予備処理ステップと、予備処理されたニッケルアノード廃棄物の比表面 積を増加させるために細片に加工するステップと、加工されたニッケルアノード 廃棄物細片を濃度ｌＯ〜３５％の塩化水素酸溶液であって、Ｎｉ、）（ｃｌおよ びＮｉＣｌ２の間の の等価比か１またはそれ以上の塩化水素酸溶液に浸析し、そして反応温度２０〜 ８０°Ｃにおいてニッケルアノート廃棄物を溶解させてニッケル塩化物溶液を形 成するステップと、ニッケル塩化物溶液を非溶解物質除去用のフィルターを通過 させるステップと、スラッジ内に鉄イオンおよびクロムイオンを形成するために ｐＨレベルか２〜５に維持された不純物処理タンク内に空気のような酸化カスを 噴射し、かつフィルターから放出させるステップと；そして、重金属イオンを除 去するためにニッケル塩化物水溶液中に０．１ｇ／ｌまたはそれ以上のニッケル 粉末を添加するステップと、からなる。

上記の製造方法において、予備処理ステップを省略することかでき、また加熱凝 集ステップを付加することかできる。

好適な実施例の説明 以下、本発明を詳述する。

最初に、出発物質となるニッケルアノート廃棄物について説明する。

製鋼プラントの電気メッキ工場において、冷延鋼シートは、自動車用の２ｎ−Ｎ ｉ？ｆｆ１Ｆｌ鋼ンートを得るためにＺｎイオノおよびＮ１イオンを含む電解液 を使用する電気メッキか行われる。電解液中のＮ１イオンはニッケルアノードか ら供給され、またその一部は液相のニッケル塩化物として与えられる。このよう にニッケルアノートは、Ｎ１イオンの主供給源となることから、９９９５％以上 の高純度ニッケルか使用される。電気メッキの行われる間、Ｎ１アノードと鉄カ ソードとの間は所定間隔に維持される。したかって、Ｎ１アノードか所定レベル まで溶解してくると電極間隔か増大して使用できなくなることから交換されるこ とになり、ニッケルアノード廃棄物か得られることになる。

ニッケルアノード廃棄物は、その表面および内部における不純物の割合を検査し てみると、典型的なニッケルアノード廃棄物は下表のような結果を示す。

表１の上欄に示すように、不純物は全ニッケルアノードの僅かに１〜２％を構成 する表面部分に集積している。さらに、２ｎ、　Ｋ　、　ＣＩその他のような主 な不純物はＺｎ−Ｎｉ　ｍｕ液から浸入するものである。

Ｚｎ、　Ｋ　ＳＣｌその他のような不純物が含まれている廃棄アノードがＺｎ− Ｎｉ　電解物質としてＮｉＣｌ□を得るための塩化水素酸に溶解したときは、Ｚ ｎ、　Ｋ　、　ＣＩその他は電解物質として作用するため問題は生じない。他方 、ＮｉＣ１，が電解物質以外から得られるときは、ニッケルアノード廃棄物の表 面に集積している不純物は物理的手段または化学的手段によって除去すべきであ る。また、Ｎ１アノードが塩化水素酸に溶解した場合には、高純度ＮｉＣｌ２が 製造可能である。

本発明にかかる、ニッケルアノード廃棄物を使用するニッケル塩化物の製造方法 は、予備処理ステップ、加ニステップ、溶解ステップ、および不純物除去ステッ プを包含する。これらの各ステップについては、以下に詳述される。

上述のように、表面不純物層は電気メッキ後１：Ｎｉアノード上に現れ、そして 予備処理ステップはこの不純物層を除去するために行われる。Ｎ１アノード上に 付着する各種の不純物は、約１〜２ｍｍ程度の浅い層に限られているため、例え ばフライス盤のような機械的手段により除去することができる。また、表面層は 、例えばＺｎ（ＯＨ）ｚ、ＺｎＣＩｚ　・４Ｚｎ（ＯＨ）ｚ、ＫＣＩ　、　Ｚｎ Ｃ１，、Ｋ、ＺｎＣＩｚ　ノような化合物の形でＩｎ、　Ｋ　、およびＣＩ等を 含んでいるが、１〜１０％の塩酸水溶液を加えることによって、不純物を以下の ような化学式にしたがってイオンとして除去することができる。

Ｚｎ（ＯＨ）ｉ　＋２１１ＣＩ　−−＞　２１１ＣＩ２　＋　２１４２０　−− ＞　Ｚｎ＋２＋　２ＣＩ−＋　２１１２０　”　’　（１）ＺＩＩＣＩ２　・４ Ｚｎ（ＯＨ）２＋８１１ｃＩ−＞　５ＺｎＣＩ２　＋　８Ｈ２０−＞５Ｚｎ”＋ ＩＱＣＩ−＋　８ＨｒＯ・・・・・（２） ＫＣＩ　＋８２０−＞　Ｋ”＋　ＣＩ−・・・・・・（３）ＺｎＣ１２＋Ｈ，０ −＞　Ｚｎ”　＋　２ＣＩ−−・−−（４）ＫｚＺｎＣＩ＋　＋’ＨＪ　−−＞ 　ＺｎＣ１，＋　２ＫＣＩ　＋　１１２０　−−＞　Ｚｎ”＋　４ＣＩ−＋２Ｋ ”　＋　２Ｈ２０・・・・・（５） ＮｉＣＩ＋かＺｎ−Ｎｉメッキ源として利用されている場合であって、Ｉｎ、　 Ｋ　、　ＣＩその他か作用元素ではあるが不純物とはならないのであれば、この ような予備処理ステップは省略することができる。

次いで、加ニステップについて説明する。

ニッケルアノード廃棄物情は、アノード当たり８０〜１２０ｋｇのインゴットの ように非常に大きく、そして比表面積は極めて小さい。したかって、もし塩化水 素酸によって直接反応させようとすると溶解速度は非常に遅くなる。そこで、塩 化水素酸中での溶解速度を向上させるために、廃棄物アノードは機械的手段によ って破砕され、廃棄物アノードか大なる表面積を有するような細片（チップ）に 加工される。すなわち、廃棄物アノードは大きな表面積を有する金属細片に破砕 処理されるのか望ましい。この金属細片の寸法は、１０μｍ〜５　ｍｍ、より好 ましくは５０μｍ−］ｍａ＋であることか望ましい。この寸法は、加工コストお よび溶解速度を考慮するとき有利である。もちろん、ニッケルアノード廃棄物の 比表面積を向上する方法は、機械的破砕手段に陪定されるものではない。例えば 、廃棄物アノードは加熱および溶融して、ノズルから噴射することかでき、金属 をリボン状または粉末状にすることによって粒子寸法を減少し、結果的に比表面 積を増大することができる。

続いて、溶解ステップについて説明する。

塩化水素酸にニッケル細片を反応させることによるニッケル塩化物の調製は、以 下の化学式によって表すことかできる。

Ｎｉ　＋　２１１ＣＩ　−−＞　ＮｉＣｌ＋　＋　Ｎ２　・・・・・・（６）Ｎ ｉの添加量および塩化水素酸の１度は、ＮｉＣｌ＋の濃度に応して決定される。

さらに、反応速度を向上させるために、等価比〔Ｎ１（モル）　／ＮｉＣ１ｚ（ モル）〕は、１、　０またはそれ以上であることか望ましい。さらに、Ｎ１細片 は塩酸中の濃度か向上し反応速度か向上するよう付加される。しかし、塩化水素 酸の濃度か過度に高い場合には、反応後にも自由１１Ｃ１か残留し、製品品質を 劣化させることから、）１ｃＩとＮ１ＣＩｚの等価比［２ＸＩＩＣＩ（モル）／ ＮｉＣｌ□（モル）〕は、１．　０またはそれ以上か好ましく、さらに好ましく は１０〜１．５である。

反応温度か高いと、反応速度は増大する。そのため、反応温度を上昇させること か望ましいが、２０〜８０°Ｃの温度範囲が経済性、反応の容易性、作業性等を 考慮する上で望ましい。さらに、酸の１度は時間の経過に従って低下し、それに 伴ってＮｉの溶解速度も遅延するようになる。したがって、反応タンクを２また はそれ以上に分割して、溶解ステップを溶解サブステップ、凝集サブステップ、 および残留ＨＣＩ除去サブステップに分割して実施することかできる。

塩化水素酸中におけるＮ１溶解速度は反応速度に関連し、したかって、生産性や 製造容易性の目安等の経済性も密接に関連する。本発明にかかる製造方法におい ては、反応速度を増大するために、反応タンク内の溶液を撹拌し、同時に拡散を 高速化するために空気または酸素のような酸化ガスを噴射することができ、それ によって、溶液タンクの内部を酸化雰囲気に維持し、反応速度の高速化を図るこ とかできる。つまり、Ｎ１か塩化水素酸に溶解した際に、水素ガスか発生し、こ の水素ガスはＮ１の表面に付着することがらＮ１の溶解速度か低下することにな る。したかって、酸化ガスか噴射されるか、または強烈な攪拌か行われると水素 ガスは迅速に除去され、反応速度をステソブアソブさせる。他の方法としては、 酸化剤の−っである過酸化水素水を使用し、水素ガスを迅速に除去することもで きる。

この方法では、反応速度は、他の方法の３〜５倍に改善することができる。

Ｎ１ＣＬ＋の凝集をステノプアノブする手段は、溶解反応に限定されるものでは なく、加熱凝集を利用することもできる。反応後、残留する自由酸は、ＫＯ）Ｉ のようなアルカリ物質を付加することにより中和することかできる。しかし、こ の方法は、Ｎ１ＣＬｚか電気メツキ材料として使用された際に、特にを効となる 。その理由は、中和作用の際に生成されるＫＣＩが電解質の主な成分となるため である。さらに、自由酸の除去は、凝集された溶液か高温となり、その後冷却さ れることにより、Ｎ１Ｃｈ　・６Ｈ２０の粉末の形で沈殿するＮ１Ｃｈによって 行われる。その結果、自由酸はＮｉＣｌ２として除去される。

次に、純度化（不純物除去）ステップについて説明する。

塩化水素酸にＮ１細片か溶解されると、酸中に溶解しない不溶物質はスラソノ内 に形成され、加えてイオン成分も溶解している。このスラッジは、Ｓｌを含有す る非晶性物質で、反応タンク間、あるいは不純物処理タンクと反応タンクとの間 に設けられるフィルターによって除去される。表１に示したように、ニッケルア ノード廃棄物は高純度物質であるから、したかって、ニッケルアノード廃棄物を 純粋な塩化水素酸水溶液に浸析することによって得られるＮｉＣ１，は殆ど不純 物を含んでいないことになる。

したかって、高純度ＮｉＣ１，は独立の不純物除去工程を行うことなしに製造す ることかできる。しかし、鉄その他の不純物か浸入しているニッケルアノ−１・ 廃棄物か処理された場合には、不純物濃度をさらに低減するために、処理ステッ プを直列的に行うことか望ましい。予備処理ステップおよび加工ステノブか行わ れたニッケルアノード廃棄物細片の２３４ｇかＮｉＣｌ□を製造するために濃度 ６．５Ｍの純粋な塩化水素酸に溶解される。このようにして得られたＮｉＣ１１ 溶液は、不純物含イＪｆｉｌの評価か行われ、その結果は表２に示す通りである 。

表２において、各単位は、ニッケルについてはｇ／ｌ　（グラム／リットル）、 そして不純物については、ｍｇ／Ｉ（Ｅリグラム／リットル）、すなわちｐｐｍ である。

成分量　１９０．７　５００　２５　２０　１０　Ｔｒ　５　１　２溶解ステツ プにおいて得られたＮ１Ｃｈ溶液は、ｐＨ２〜４に保持され、そしてこの状態で 空気のような酸化ガスか放射されると、ｐ　ｅ　＋　２イオンはＦｅ（ＯＨ）ｒ ステップ、β−Ｆｅ００）１スラノンその他のステップを形成する。もし、この ようなスラノ／か濾過されて除去されると溶液中のＦｅイオンは除去され、同様 にＣｒイオンも除去される。反応温度は好ましくは３０〜８０°Ｃ１そしてｐＨ レベルは好ましくは２〜５である。もしもｐＨレベルか上記範囲よりも低い場合 には、Ｆｅイオンの除去か困難になる。また、ｐＨレベルが上記範囲よりも高い 場合には、Ｎ１イオンはＮ１（０１１）２の形で沈殿し、鉄系ステップその池と 共に除去され、物質か減少する原因となる。

さらに純度を改善するために、極微量の重金属イオンを無電解置換法、例えば金 属のイオン化傾向の差を利用することにより、除去することかできる。もしもＮ １粉末かＮ１ＣＬ＋溶液中に存在したとすると、Ｃｕ、　Ｐｂ、　Ｓｎその他の 電気化学的に貴である重金属イオンは、Ｎ１粉末の表面に沈析し、除去される。

このような状態にあるＮｉ扮末は加工ステノブ（Ｎｉアノードを細片に粉砕する ステップ）において生成されるＮ１屑か好ましく、コストおよび反応速度の点か ら望ましい。Ｎ１粉末の添加量は、１１当たりＯ，１〜２ｇか好ましく、Ｎ１粉 末を加えた後、温度２０〜８０°Ｃにおいて攪拌される。重金属イオンの除去の ために、濾過操作が行われる。

このような不純物除去ステップか行われた後、必要に応じて加熱凝縮を行うこと かでき、それによってＮｉＣｌ２　・５ｕ２ｏ、ＮｉＣｌ□　・４１１．０、ま たはＮ１ＣＩｘ　・２Ｈ２０の結晶粉末か形成される。このように、液相の反応 も利用することができる。

上述のように、ニッケルアノード廃棄物は僅かに処理するだけではとんと純粋な 物質に変えることができ、したがってニッケル塩化物をこれから製造する場合に は、高純度ニッケル塩化物を得ることができる。すなわち、低コスト、高純度原 材料を得ることが可能であり、複雑な不純物除去ステップを省略することかでき 、結果的に製造コストを節減することかできる。

さらに、ニッケルアノードを細片に粉砕しかつ酸化ガスの噴射を行うことから溶 解時間か大幅に短縮され、したかって、小規模製造設備によって大量生産を行う ことが可能となる。

本発明は塩素酸に代えて硫酸または硝酸とすることにより、ニッケル塩化物に代 えて硫酸化ニッケルまたは硝酸化ニッケルを製造することかできる。

以下、本発明を実際の実験例に即して説明する。

〈実験例　Ｉ〉 電気メソキ工場から廃棄された表１のニッケルアノード廃棄物は、フライス盤に よって機械的に加工され、そして不純物レベルは異なる機械的深さであることか 確認され、その結果は表３の通りである。さらに、ニッケルアノード廃棄物は、 異なる濃度の塩素酸によってニッケルアノード廃棄物の不純物層を溶解した後、 不純物の変化を検出するだめの湿式分析にかけられた。

く表　３〉 予備処理　不　純　物　濃　度（ｐＩＩＩＩ　）ＮｉＣ１２のＺｎ　Ｋ　Ｍｎ　 Ｃｒ　Ｃｕ　Ｐｂ　用途機械的深さ １ｍｍ　５２００　４１００　５５　１０　Ｔｒ”　Ｔｒ　メッキ２ｍｍ　１０ ０５１２００　５５　５　Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ３＋＋＋ｍ　３０　４０　５０　 Ｔｒ　Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ、電子部品４ａ＋ｍ以上　ＩＱ　２０　２０　Ｔｒ　 Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ、ｉｌｔ子部品酸濃度 蒸留水　２０００　１０００　６０　１０　Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ塩素酸１％　５ ０　５０　５０　Ｔｒ　Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ、電子部品塩素酸３％　３０　３０ 　５０　Ｔｒ　Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ、電子部品塩素酸７％　２０　３０　５０　 Ｔｒ　Ｔｒ　Ｔｒ　メッキ、電子部品上記表３に示すように、Ｃｒ、　Ｃｕ、　 Ｐｂその他のような重金属イオンは、ニッケルアノード廃棄物中で極めて微量で あることを示している。さらに、２ｎおよびＫはＺｎ−Ｎｉ　Ｎ解液に僅かに含 まれている。しかし、ＺｎおよびＫは不純物ではなく、ニッケル塩化物のメッキ 助剤として有効であり、したかってＺｎ−Ｎｉ　メッキにとって好ましいか、あ る種の電子的反応材にとっては好ましくないことかある。したかって、もしＮｉ Ｃｌ□か電子的反応材として使用される場合には、ＮｉＣ１，を調製する前に表 面層を３ｍｍまたはそれ以」二機械的に研削するか、またはＺｎおよびＫを除去 するために塩化水素酸によって処理すべきである。

〈実験例　２〉 表１のニッケルアノート廃棄物は、４＋ａｍの深さに機械的に研削され、そして 予備処理は、濃度７％の塩化水素酸溶液に浸析することにより行った。ついで二 ・ノケルアノード廃棄物は細片に加工され、そしてこれら細片の２３４．８ｇは ６゜５Ｍの濃度の塩化水素酸１リツトルに浸析された。以下のような異なる溶解 条件において溶解され、そして８時間放置された。ＮｉＣｌ２の濃縮液の分析を 行い、表４のような結果か得られた。

上記表４に示すように、反応温度か高いほど、攪拌速度か大きいほど、および酸 素の噴射または過酸化水素水によって酸化雰囲気か形成されるほど、反応速度か 増進される。

く実験例　３〉 表１のニッケルアノート廃棄物は、表面付着不純物を除去するために濃度３％の 塩化水素酸により酸洗いされた後、フライス盤によって細片に加工される。Ｎｉ 破砕片の２３４ｇか濃度６．５Ｍの塩化水素酸溶液に浸析して２４時間放置する ことによりＮｉＣｌ２濃縮液か調製された。

このように調製されたＮ１Ｃｌ２ａ縮液の不純物分析を行い、下記の表５のよう な結果か得られた。上述の表面不純物除去以外の表面処理ステップを加えていな いにもかかわらず、ｐＨ２〜６の異なるレベル範囲において僅かなＫＯＨか残留 しているのみである。その後、空気を４０°Ｃで１時間噴射することによりオレ ンジ色のステップの形成か確認され、このステップを濾過除去することにより鉄 不純物か除去される。その後、Ｎ１細片調製の際に得られるダスト状Ｎ１粉末は 、Ｎ１Ｃｈ溶液の１リツトルあたり０５〜２ｇの量となるようにＮｉＣ１＋溶液 に浸析される。

その後、温度４０″Ｃで１時間にわたり攪拌を行うことにより、重金属イオンか 除去された。不純物の減少状聾と処理条件の関係は、表５に示す通りである。

試　料　不純物処理　Ｎｌａ度　不純物含有量　（ｐｐｍ）の条件　（ｇ、／Ｉ ）　Ｆｅ　Ｃｒ　Ｐｂ　Ｃｕ比較例　ｄ　Ｎ皇ダスト２ｇ／ｌ噴射　１４１１． ２　５２０　５　Ｔｒ　Ｔｒ表５に示すように、Ｎｉアノードの表面不純物層の 除去を除き格別の処理を行わない発明の実施例１におけるＣｒ、　ＰｂＳＣｕ等 の重金属イオンはｌｏｐｐｍであり、実質上不純物は含まれていない。しかし、 Ｆｅイオンは、特定の用途にとってはまだ高ずきるレベルである。したがって、 本発明の実施例１の試料のｐｌ＋ｐＨレベル化せしめられ、以下のような結果か 得られた。すなわち、ｐＨ２以上てはＦｅイオンおよびＣｒイオノは急激に減少 するか、ｐＨ５以上ではＮ１イオンおよびＦｅイオンか共沈するためＮ１濃度は 極端に低下し、結果的に物質の損失をもたらす。

比較例Ｃおよびｄと本発明の実施例５及び６とを比較すれば明らかなように、以 下のような現象か生起する。すなわち、ダストＮｉを加えることによる重金属処 理か行われると、つまりダストＮｉのみか加えられると、Ｃｒ５Ｐｂ、、　Ｃｕ 等の重金属イオンは減少するか、Ｆｅイオンは比較例ｄの場合と同様に減少しな い。Ｎｉダストの添加量か比較例Ｃの場合のように非常に少量である場合には、 重金属イオンは十分には減少しない。しかし、ｐＨレベルか３５に維持されてい て、さらに実施例５および６のようにＩｇまたはそれ以上のＮ１ダストと共に酸 素または空気を噴射した場合は、Ｆｅイオンをも含む重金属イオンは完全に除去 される。

フロントページの続き （７２）発明者　リー・ジャ・ヨン 大韓民国、７９０−３３０　キヨン・サン・ブクードー、ポハン・シティ−、ヒ ョウジャードン、サン　３２ （７２）発明者　ジン・ジン・グン 大韓民国、７９０−３３０　キヨン・サン・ブクードー、ポハン・シティ−、ヒ ョウジャードン、サン　３２ （７２）発明者　アシ・七オン・ファン大韓民国、７９０−３６０　キョン・サ ン・ブクードー、ポハン・シティ−、トン・チョノードン　５ （７２）発明者　バー・ミヨン・ホ 大韓民国、７９０−３６０　キョン・サン・ブクードー、ボハン・シティ−、ト ン・チョノードン　５

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. １．高純度ニッケル塩化物の製造方法であって、製鋼プラントの電気メッキ工場 から得られるニッケルアノード廃棄物の表面に付着する不純物を除去する予備処 理ステップと；予備処理されたニッケルアノード廃棄物の比表面積を増加させる ために細片に加工するステップと； 加工されたニッケルアノード廃棄物細片を濃度１０〜３５％の塩化水素酸溶液で あって、Ｎｌ、ＨＣｌおよびＮｉＣｌ２の間の▲数式、化学式、表等があります ▼ の等価比が１またはそれ以上の塩化水素酸溶液に浸析し、そして反応温度２０〜 ８０℃においてニッケルアノード廃棄物を溶解させてニッケル塩化物溶液を形成 するステップと； ニッケル塩化物溶液を非溶解物質除去用のフィルターを通過させるステップスラ ッジ内に鉄イオンおよびクロムイオンを形成するためにｐＨレベルか２〜５に維 持された不純物処理タンク内に空気のような酸化ガスを噴射し、かつ濾過を行う ステップと；そして、 重金属イオンを除去するためにニッケル塩化物水溶液中に０．１〜２ｇ／ｌのニ ッケル粉末を添加するステップと；を含むことを特徴とする、前記高純度ニッケ ル塩化物の製造方法。
2. ２．Ｎｉ、ＨＣｌおよびＮｉＣｌ２の等価比が１．０〜１．５である、請求項１ に記載の製造方法。
3. ３．前記予備処理ステップが、濃度１〜１０重量％の塩化水素酸溶液による前記 ニッケルアノード廃棄物の酸洗い処理である、請求項１に記載の製造方法。
4. ４．前記予備処理ステップが、機械的処理によって行われる、請求項１に記載の 製造方法。
5. ５．前記酸化ガスが、酸素または空気である、請求項１に記載の製造方法。
6. ６．前記溶解ステップに過酸化水素水が添加される、請求項１乃至５のいずれか に記載の製造方法。
7. ７．Ｚｎ−Ｎｉ電気メッキ材料としての高純度ニッケル塩化物の製造方法であっ て、 製鋼プラントの電気メッキ工場から得られるニッケルアノード廃棄物の比表面積 を増加させるために加工するステップと；加工されたニッケルアノード廃棄物を 濃度１０〜３５％の塩化水素酸溶液であって、Ｎｉ、ＨＣｌおよびＮｉＣｌ２の 間の▲数式、化学式、表等があります▼ の等価比が１またはそれ以上の塩化水素酸溶液に浸析し、そして反応温度２０〜 ８０℃においてニッケルアノード廃棄物を溶解させてニッケル塩化物溶液を形成 するステップと； 前記ニッケル塩化物溶液を非溶解物質除去用のフィルターを通過させるステップ と； スラッジ内に鉄イオンおよびクロムイオンを形成するためにｐＨレベルが２〜５ に維持された不純物処理タンク内に空気のような酸化ガスを噴射し、かつ濾過を 行うステップと；そして、 重金属イオンを除去するためにニッケル塩化物水溶液中に０．１〜２ｇ／ｌのニ ッケル粉末を添加するステップと；を含むことを特徴とする、前記高純度ニッケ ル塩化物の製造方法。
8. ８．Ｎｉ、ＨＣｌおよびＮｉＣｌ２の等価比が１．０〜１．５である、請求項７ に記載の製造方法。
9. ９．Ｎｉアノード廃棄物を使用することによる高純度ニッケル塩化物の製造方法 であって、 製鋼プラントの電気メッキ工場から得られるニッケルアノード廃棄物の表面に付 着する不純物を除去する予備処理ステップと；予備処理されたニッケルアノード 廃棄物の比表面積を増加させるために加工するステップと； 加工されたニッケルアノード廃棄物細片を濃度１０〜３５％の塩化水素酸溶液で あって、Ｎｉ、ＨＣｌおよびＮｉＣｌ２の間の▲数式、化学式、表等があります ▼ の等価比が１またはそれ以上の塩化水素酸溶液に浸析し、そして反応温度２０〜 ８０℃においてニッケルアノード廃棄物を溶解させてニッケル塩化物溶液を形成 するステップと； ニッケル塩化物溶液を非溶解物質除去用のフィルターを通過させるステップと； スラッジ内に鉄イオンおよびクロムイオンを形成するためにｐＨレベルが２〜５ に維持された不純物処理タンク内に空気のような酸化ガスを噴射し、かつ濾過を 行うステップと； 重金属イオンを除去するためにニッケル塩化物水溶液中に０．１〜２ｇ／ｌのニ ッケル粉末を添加するステップと；そして、前記不純物除去処理の行われたニッ ケル塩化物を結晶粉末に加熱凝集せしめるステップと； を含むことを特徴とする、前記高純度ニッケル塩化物の製造方法。
10. １０．前記結晶粉末が、ＮｉＣｌ２・Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ２・４Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ ２・２Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを含む、請求項９に記載の製造方法。
11. １１．Ｎｉ、ＨＣｌおよびＮｉＣｌ２の等価比が１．０〜１．５である、請求項 ９または１０に記載の製造方法。