JPH0750566A - スイッチング回路 - Google Patents
スイッチング回路Info
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- JPH0750566A JPH0750566A JP6155107A JP15510794A JPH0750566A JP H0750566 A JPH0750566 A JP H0750566A JP 6155107 A JP6155107 A JP 6155107A JP 15510794 A JP15510794 A JP 15510794A JP H0750566 A JPH0750566 A JP H0750566A
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- JP
- Japan
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- switching means
- switching
- switch
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- bias voltage
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- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 例えば、ＮＰＮ型トランジスタ４のベース・
エミッタ間に逆バイアス方向にダイオード５を接続し、
そのコレクタ・ベースの間に抵抗８を接続し、トランジ
スタ４、ダイオード５及びスイッチ３をこの順序で直流
電源１の両電源端子間に順方向に直列接続し、ダイオー
ド５の電圧降下によってトランジスタ４に逆バイアス電
圧を供給するスイッチング回路において、その電圧降下
によるエネルギー損失を増大させずにその逆バイアス電
圧を増大させることである。 【構成】 例えば、ＮＰＮ型トランジスタ４のエミッタ
側にダイオード５が来る様に両者を方向を揃えて直列接
続し、そのベースとそのカソードの間に直流電源２と抵
抗９を逆方向に直列接続し、そのコレクタとそのベース
の間に抵抗８を接続し、トランジスタ４、ダイオード５
及びスイッチ３をこの順序で直流電源１の両電源端子間
に順方向に直列接続したことを特徴としている。
エミッタ間に逆バイアス方向にダイオード５を接続し、
そのコレクタ・ベースの間に抵抗８を接続し、トランジ
スタ４、ダイオード５及びスイッチ３をこの順序で直流
電源１の両電源端子間に順方向に直列接続し、ダイオー
ド５の電圧降下によってトランジスタ４に逆バイアス電
圧を供給するスイッチング回路において、その電圧降下
によるエネルギー損失を増大させずにその逆バイアス電
圧を増大させることである。 【構成】 例えば、ＮＰＮ型トランジスタ４のエミッタ
側にダイオード５が来る様に両者を方向を揃えて直列接
続し、そのベースとそのカソードの間に直流電源２と抵
抗９を逆方向に直列接続し、そのコレクタとそのベース
の間に抵抗８を接続し、トランジスタ４、ダイオード５
及びスイッチ３をこの順序で直流電源１の両電源端子間
に順方向に直列接続したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【技 術 分 野】本発明は、その１構成要素となる自
己ターン・オフ機能（自己消弧機能）を持つスイッチン
グ手段をオフ制御するときはいつも逆バイアス電圧をそ
れに印加することができる、３端子スイッチ機能を持つ
スイッチング回路に関する。尚、その逆バイアス電圧の
印加はそのスイッチング手段の漏れ電流対策あるいは誤
ターン・オン対策などに役に立つ。そして、そのスイッ
チング手段にノーマリィ・オン型でも、ノーマリィ・オ
フ型でも支障無く使うことができる。それから、本発明
を使うと、例えば、ある直流電圧源とある負荷を含む閉
回路を形成したり、その負荷だけを含む閉回路を形成し
たり、することができる。従って、本発明は、スイッチ
ング手段の駆動回路、電力変換回路、論理回路、あるい
は、容量性負荷の駆動回路（例えば、ガス放電表示パネ
ル又はエレクトロ・ルミネッサンス表示パネル等の表示
回路、圧電素子の駆動回路など。）等に役に立つ。
己ターン・オフ機能（自己消弧機能）を持つスイッチン
グ手段をオフ制御するときはいつも逆バイアス電圧をそ
れに印加することができる、３端子スイッチ機能を持つ
スイッチング回路に関する。尚、その逆バイアス電圧の
印加はそのスイッチング手段の漏れ電流対策あるいは誤
ターン・オン対策などに役に立つ。そして、そのスイッ
チング手段にノーマリィ・オン型でも、ノーマリィ・オ
フ型でも支障無く使うことができる。それから、本発明
を使うと、例えば、ある直流電圧源とある負荷を含む閉
回路を形成したり、その負荷だけを含む閉回路を形成し
たり、することができる。従って、本発明は、スイッチ
ング手段の駆動回路、電力変換回路、論理回路、あるい
は、容量性負荷の駆動回路（例えば、ガス放電表示パネ
ル又はエレクトロ・ルミネッサンス表示パネル等の表示
回路、圧電素子の駆動回路など。）等に役に立つ。
【０００２】
【背 景 技 術】従来技術として、３端子スイッチ機
能を持つスイッチング回路を図２〜図７に示す。１つ又
は複数のダイオード５が定電圧手段の役割を果たす。各
スイッチ３は半導体スイッチを含め、どんな種類のスイ
ッチでも構わない。図２の回路において、スイッチ３が
トランジスタ４のオン、オフを制御する。スイッチ３の
オン期間中、端子ｔ４に接続された外部回路（図示せ
ず。）からダイオード５とスイッチ３に電流が流れる
と、ダイオード５の電圧がトランジスタ４を逆バイアス
するので、トランジスタ４のオフはより完全となる。図
３〜図７の各スイッチング回路もほぼ同様な作用をす
る。
能を持つスイッチング回路を図２〜図７に示す。１つ又
は複数のダイオード５が定電圧手段の役割を果たす。各
スイッチ３は半導体スイッチを含め、どんな種類のスイ
ッチでも構わない。図２の回路において、スイッチ３が
トランジスタ４のオン、オフを制御する。スイッチ３の
オン期間中、端子ｔ４に接続された外部回路（図示せ
ず。）からダイオード５とスイッチ３に電流が流れる
と、ダイオード５の電圧がトランジスタ４を逆バイアス
するので、トランジスタ４のオフはより完全となる。図
３〜図７の各スイッチング回路もほぼ同様な作用をす
る。
【０００３】図３の回路では、ゲート順バイアス電圧供
給用に直流電源１０が追加されている。ツェナー・ダイ
オード１２とダイオード１３は順過電圧対策であるが、
この２つとダイオード５を１つのパワー・ツェナー・ダ
イオードにまとめることができる。図３の回路で、ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴの代わりにノーマリィ・オフで、電圧駆動形
のスイッチ・デバイスなら何でも使うことができる。例
えば、ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔ
ｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＳＩＴ
（静電誘導型トランジスタ）、ＳＩサイリスタ、Ｂｉ−
ＭＯＳ複合デバイス、等である。
給用に直流電源１０が追加されている。ツェナー・ダイ
オード１２とダイオード１３は順過電圧対策であるが、
この２つとダイオード５を１つのパワー・ツェナー・ダ
イオードにまとめることができる。図３の回路で、ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴの代わりにノーマリィ・オフで、電圧駆動形
のスイッチ・デバイスなら何でも使うことができる。例
えば、ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔ
ｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＳＩＴ
（静電誘導型トランジスタ）、ＳＩサイリスタ、Ｂｉ−
ＭＯＳ複合デバイス、等である。
【０００４】図４の回路では、トランジスタ４、１５が
サイリスタの等価回路を構成する。図５〜図７の各回路
では、スイッチ３がオンのとき、各半導体可制御スイッ
チに大きな逆バイアス電圧を供給するために、定電圧手
段として複数のダイオード５が直列接続されている。た
だし、サイリスタ１８はＧＴＯ（ゲート・ターン・オフ
・サイリスタ）で、トランジスタ１９はノーマリィ・オ
ン型ＳＩＴ（静電誘導型トランジスタ）である。
サイリスタの等価回路を構成する。図５〜図７の各回路
では、スイッチ３がオンのとき、各半導体可制御スイッ
チに大きな逆バイアス電圧を供給するために、定電圧手
段として複数のダイオード５が直列接続されている。た
だし、サイリスタ１８はＧＴＯ（ゲート・ターン・オフ
・サイリスタ）で、トランジスタ１９はノーマリィ・オ
ン型ＳＩＴ（静電誘導型トランジスタ）である。
【０００５】しかしながら、図２〜図６の各回路の様に
ノーマリィ・オフ型の可制御スイッチを使う場合、外部
からその定電圧手段（１つ又は複数のダイオード５）と
スイッチ３に電流が流れないと、その可制御スイッチは
逆バイアスされない。逆バイアスされないと、後述の図
７の回路の様に漏れ電流がその可制御スイッチに流れた
り、その可制御スイッチが誤ってターン・オンし易くな
ったり、などする。
ノーマリィ・オフ型の可制御スイッチを使う場合、外部
からその定電圧手段（１つ又は複数のダイオード５）と
スイッチ３に電流が流れないと、その可制御スイッチは
逆バイアスされない。逆バイアスされないと、後述の図
７の回路の様に漏れ電流がその可制御スイッチに流れた
り、その可制御スイッチが誤ってターン・オンし易くな
ったり、などする。
【０００６】一方、図７の回路の様にノーマリィ・オン
型の可制御スイッチを使う場合、端子ｔ５等に接続され
た外部回路（図示せず。）から流れ込む電流が定電圧手
段（複数のダイオード５）に充分大きなゲート逆バイア
ス電圧を発生しないと、トランジスタ１９とその定電圧
手段に漏れ電流が流れ、この電流がその定電圧手段に電
圧降下を生じる。その漏れ電流が大きくなると、その電
圧降下と共に逆バイアス電圧も大きくなって、その漏れ
電流を小さくしようとする作用が働く。逆に、その漏れ
電流が小さくなると、その逆バイアス電圧も小さくなっ
て、今度はその漏れ電流を大きくしようとする作用が働
く。その結果、その漏れ電流がその定電圧手段に生じる
逆バイアス電圧とその漏れ電流が釣り合ったところでト
ランジスタ１９の状態が決まるが、その状態がどうであ
れ、トランジスタ１９は完全なオフにならない。
型の可制御スイッチを使う場合、端子ｔ５等に接続され
た外部回路（図示せず。）から流れ込む電流が定電圧手
段（複数のダイオード５）に充分大きなゲート逆バイア
ス電圧を発生しないと、トランジスタ１９とその定電圧
手段に漏れ電流が流れ、この電流がその定電圧手段に電
圧降下を生じる。その漏れ電流が大きくなると、その電
圧降下と共に逆バイアス電圧も大きくなって、その漏れ
電流を小さくしようとする作用が働く。逆に、その漏れ
電流が小さくなると、その逆バイアス電圧も小さくなっ
て、今度はその漏れ電流を大きくしようとする作用が働
く。その結果、その漏れ電流がその定電圧手段に生じる
逆バイアス電圧とその漏れ電流が釣り合ったところでト
ランジスタ１９の状態が決まるが、その状態がどうであ
れ、トランジスタ１９は完全なオフにならない。
【０００７】そんな訳で、ノーマリィ・オフ型、ノーマ
リィ・オン型に関係無く、スイッチ３がオンのときはい
つも可制御スイッチが逆バイアスされることが望まれる
のである。 （
第 １ の 問 題 点 ）
リィ・オン型に関係無く、スイッチ３がオンのときはい
つも可制御スイッチが逆バイアスされることが望まれる
のである。 （
第 １ の 問 題 点 ）
【０００８】次に、図５〜図７の各回路の様に逆バイア
ス電圧を大きくするために、定電圧手段（複数のダイオ
ード５の直列回路）の電圧を大きくすると、その定電圧
手段とスイッチ３の直列回路の総オン電圧あるいは総オ
ン抵抗も大きくなってしまう、という問題点がこれらの
回路にある。 （ 第 ２ の 問 題 点 ）
ス電圧を大きくするために、定電圧手段（複数のダイオ
ード５の直列回路）の電圧を大きくすると、その定電圧
手段とスイッチ３の直列回路の総オン電圧あるいは総オ
ン抵抗も大きくなってしまう、という問題点がこれらの
回路にある。 （ 第 ２ の 問 題 点 ）
【０００９】そこで、本発明は、その様な総オン電圧あ
るいは総オン抵抗を大きくせずに、その１構成要素とな
る自己ターン・オフ機能を持つスイッチング手段をオフ
制御するときはいつも逆バイアス電圧をそれに印加する
ことができる、３端子スイッチ機能を持つスイッチング
回路を提供することを目的としている。
るいは総オン抵抗を大きくせずに、その１構成要素とな
る自己ターン・オフ機能を持つスイッチング手段をオフ
制御するときはいつも逆バイアス電圧をそれに印加する
ことができる、３端子スイッチ機能を持つスイッチング
回路を提供することを目的としている。
【００１０】
【発 明 の 開 示】即ち、本発明は、自己ターン・
オフ機能を持つ第１のスイッチング手段があって、その
駆動信号入力用に対をなすその制御端子、主端子を制御
端子ｃｔ、主端子ｍｔａとしたときに、前記主端子ｍｔ
ａ側に第１の非可制御スイッチが来る様に、しかも、第
２のスイッチング手段と前記第１のスイッチング手段で
前記第１の非可制御スイッチを挟む様に、これらを直流
電圧源の両電源端子間に直列接続し、前記第１のスイッ
チング手段に逆バイアス電圧を供給する逆バイアス電圧
供給手段を、前記第１の非可制御スイッチと前記第２の
スイッチング手段の接続点と前記制御端子ｃｔ間に接続
し、前記第２のスイッチング手段がオンのとき、前記逆
バイアス電圧供給手段が前記第２のスイッチング手段と
通流手段を介して前記制御端子ｃｔ・主端子ｍｔａ間に
逆バイアス電圧を印加する閉回路を形成し、前記第２の
スイッチング手段がオンのとき、前記第１のスイッチン
グ手段にオン信号を出力しないオン信号出力手段を設け
たスイッチング回路である。
オフ機能を持つ第１のスイッチング手段があって、その
駆動信号入力用に対をなすその制御端子、主端子を制御
端子ｃｔ、主端子ｍｔａとしたときに、前記主端子ｍｔ
ａ側に第１の非可制御スイッチが来る様に、しかも、第
２のスイッチング手段と前記第１のスイッチング手段で
前記第１の非可制御スイッチを挟む様に、これらを直流
電圧源の両電源端子間に直列接続し、前記第１のスイッ
チング手段に逆バイアス電圧を供給する逆バイアス電圧
供給手段を、前記第１の非可制御スイッチと前記第２の
スイッチング手段の接続点と前記制御端子ｃｔ間に接続
し、前記第２のスイッチング手段がオンのとき、前記逆
バイアス電圧供給手段が前記第２のスイッチング手段と
通流手段を介して前記制御端子ｃｔ・主端子ｍｔａ間に
逆バイアス電圧を印加する閉回路を形成し、前記第２の
スイッチング手段がオンのとき、前記第１のスイッチン
グ手段にオン信号を出力しないオン信号出力手段を設け
たスイッチング回路である。
【００１１】このことによって、第２のスイッチング手
段がオンときはいつも逆バイアス電圧供給手段が第２の
スイッチング手段と通流手段を介して制御端子ｃｔ・主
端子ｍｔａ間に逆バイアス電圧を印加するので、第１の
スイッチング手段はオフである。
（ 第 １ の 効 果 ）
段がオンときはいつも逆バイアス電圧供給手段が第２の
スイッチング手段と通流手段を介して制御端子ｃｔ・主
端子ｍｔａ間に逆バイアス電圧を印加するので、第１の
スイッチング手段はオフである。
（ 第 １ の 効 果 ）
【００１２】このとき、第１の非可制御スイッチと第２
のスイッチング手段の直列回路の両端が接続されるが、
大きな逆バイアス電圧を供給するために第１の非可制御
スイッチのオン電圧を大きくする必要はない。従って、
その直列回路の総オン電圧あるいは総オン抵抗が大きく
ならないで済む。 （ 第 ２ の 効 果 ）
のスイッチング手段の直列回路の両端が接続されるが、
大きな逆バイアス電圧を供給するために第１の非可制御
スイッチのオン電圧を大きくする必要はない。従って、
その直列回路の総オン電圧あるいは総オン抵抗が大きく
ならないで済む。 （ 第 ２ の 効 果 ）
【００１３】一方、第２のスイッチング手段がオフのと
きオン信号出力手段が第１のスイッチング手段にオン信
号を出力していれば、第１のスイッチング手段はオンで
ある。だから、第２のスイッチング手段のオン、オフ等
によって、その直列回路側が接続されたり、第１のスイ
ッチング手段側が接続されたり、するから、本発明は３
端子スイッチ機能を持つ。
きオン信号出力手段が第１のスイッチング手段にオン信
号を出力していれば、第１のスイッチング手段はオンで
ある。だから、第２のスイッチング手段のオン、オフ等
によって、その直列回路側が接続されたり、第１のスイ
ッチング手段側が接続されたり、するから、本発明は３
端子スイッチ機能を持つ。
【００１４】
【発明を実施するための最良の形態】本発明をより詳細
に説明するために、以下添付図面に従ってこれを説明す
る。図１の実施例では、直流電源１が前述の直流電圧源
に、トランジスタ４が前述の第１のスイッチング手段
に、直流電源２と抵抗９の直列回路が前述の逆バイアス
電圧供給手段に、ダイオード５が前述の第１の非可制御
スイッチに、それぞれ相当する。そして、スイッチ３が
前述の第２のスイッチング手段に、ダイオード６が前述
の通流手段あるいは請求項２記載中の第２の非可制御ス
イッチに、抵抗８が前述のオン信号出力手段に、それぞ
れ相当する。さらに、トランジスタ４のベースが前述の
制御端子ｃｔに、そのエミッタが前述の主端子ｍｔａ
に、それぞれ相当する。ただし、トランジスタ４の代わ
りにＧＴＯ、ノーマリィ・オン型ＳＩサイリスタ、ノー
マリィ・オン型ＳＩＴ、あるいは、ノーマリィ・オン型
ＦＥＴ等を使っても構わない。スイッチ３は可制御なス
イッチング手段なら何でもよい。
に説明するために、以下添付図面に従ってこれを説明す
る。図１の実施例では、直流電源１が前述の直流電圧源
に、トランジスタ４が前述の第１のスイッチング手段
に、直流電源２と抵抗９の直列回路が前述の逆バイアス
電圧供給手段に、ダイオード５が前述の第１の非可制御
スイッチに、それぞれ相当する。そして、スイッチ３が
前述の第２のスイッチング手段に、ダイオード６が前述
の通流手段あるいは請求項２記載中の第２の非可制御ス
イッチに、抵抗８が前述のオン信号出力手段に、それぞ
れ相当する。さらに、トランジスタ４のベースが前述の
制御端子ｃｔに、そのエミッタが前述の主端子ｍｔａ
に、それぞれ相当する。ただし、トランジスタ４の代わ
りにＧＴＯ、ノーマリィ・オン型ＳＩサイリスタ、ノー
マリィ・オン型ＳＩＴ、あるいは、ノーマリィ・オン型
ＦＥＴ等を使っても構わない。スイッチ３は可制御なス
イッチング手段なら何でもよい。
【００１５】その作用は次の通りである。スイッチ３が
オフのとき、直流電源２と抵抗９がトランジスタ４にベ
ース逆バイアス電圧を供給するのをダイオード５が阻止
し、電流が抵抗８に流れるとこれがそのベース順バイア
ス電流となる。従って、このときトランジスタ４はオン
である。一方、スイッチ３がオンのときはいつも直流電
源２と抵抗９はスイッチ３とダイオード６を介してトラ
ンジスタ４にベース逆バイアス電圧を供給するから、ト
ランジスタ４は完全にオフとなる。 （
第 １ の 効 果 ）
オフのとき、直流電源２と抵抗９がトランジスタ４にベ
ース逆バイアス電圧を供給するのをダイオード５が阻止
し、電流が抵抗８に流れるとこれがそのベース順バイア
ス電流となる。従って、このときトランジスタ４はオン
である。一方、スイッチ３がオンのときはいつも直流電
源２と抵抗９はスイッチ３とダイオード６を介してトラ
ンジスタ４にベース逆バイアス電圧を供給するから、ト
ランジスタ４は完全にオフとなる。 （
第 １ の 効 果 ）
【００１６】そして、スイッチ３がオンのとき、両端子
ｔ２・ｔ３間にはダイオード５とスイッチ３しかないか
ら、その総オン電圧あるいは総オン抵抗は図５〜図７の
回路のそれらに比べて小さい。
（ 第 ２ の 効 果 ）
ｔ２・ｔ３間にはダイオード５とスイッチ３しかないか
ら、その総オン電圧あるいは総オン抵抗は図５〜図７の
回路のそれらに比べて小さい。
（ 第 ２ の 効 果 ）
【００１７】尚、前述の通流手段としてダイオード６を
用いたが、その代わりに抵抗を用いてもよい。端子ｔ２
・ｔ３間に負荷が接続されていれば、その種類によって
はその負荷がその代わりになる。また、２つのツェナー
・ダイオード７は逆過電圧対策であるが、直流電源２の
電圧がトランジスタ４のエミッタ接合の逆耐電圧より小
さければ、それらは必要ない。さらに、抵抗９の値はゼ
ロの場合もある。それから、ダイオード５について言え
ば、その両端に印加される電圧の範囲に対して非可制御
スイッチとして働くなら、ダイオード５の代わりにツェ
ナー・ダイオードを含め何でも用いることができる。
用いたが、その代わりに抵抗を用いてもよい。端子ｔ２
・ｔ３間に負荷が接続されていれば、その種類によって
はその負荷がその代わりになる。また、２つのツェナー
・ダイオード７は逆過電圧対策であるが、直流電源２の
電圧がトランジスタ４のエミッタ接合の逆耐電圧より小
さければ、それらは必要ない。さらに、抵抗９の値はゼ
ロの場合もある。それから、ダイオード５について言え
ば、その両端に印加される電圧の範囲に対して非可制御
スイッチとして働くなら、ダイオード５の代わりにツェ
ナー・ダイオードを含め何でも用いることができる。
【００１８】図８の実施例では、ノーマリィ・オン型Ｓ
ＩＴ、トランジスタ１９が使われている。直流電源１０
と抵抗２０は、トランジスタ１９にゲート順バイアス電
圧とゲート順バイアス電流を供給するオン信号出力手段
である。それ以外の作用は図１の回路の作用と同じであ
る。トランジスタ１９の代わりに自己ターン・オフ機能
を持つスイッチング手段なら何でも使うことができる。
バイポーラ・トランジスタでも、ＧＴＯでも構わない。
ＩＴ、トランジスタ１９が使われている。直流電源１０
と抵抗２０は、トランジスタ１９にゲート順バイアス電
圧とゲート順バイアス電流を供給するオン信号出力手段
である。それ以外の作用は図１の回路の作用と同じであ
る。トランジスタ１９の代わりに自己ターン・オフ機能
を持つスイッチング手段なら何でも使うことができる。
バイポーラ・トランジスタでも、ＧＴＯでも構わない。
【００１９】図９の実施例では、トランジスタ４とサイ
リスタ１８がカスケード接続されている。直流電源２１
の電圧は直流電源２２の電圧より大きく、その電圧差が
ほぼトランジスタ４のベース逆バイアス電圧になる。
リスタ１８がカスケード接続されている。直流電源２１
の電圧は直流電源２２の電圧より大きく、その電圧差が
ほぼトランジスタ４のベース逆バイアス電圧になる。
【００２０】
【先 行 技 術】特開昭４７−３１５６８号、
実開昭４７−１４０５２号、特開昭６１−１４２
８１９号。
実開昭４７−１４０５２号、特開昭６１−１４２
８１９号。
【００２１】実開昭５３−５９３５８号、
特開昭５３−１２３０６０〜２号、特開昭６０−２０８
１１９号。
特開昭５３−１２３０６０〜２号、特開昭６０−２０８
１１９号。
【００２２】特開昭５５−３２５９号、
特開昭５５−１３６７２７号、特開昭５８−１２４３２
４号、 特開昭５８−２１９２０号、特開昭５
８−３６０２０号。
特開昭５５−１３６７２７号、特開昭５８−１２４３２
４号、 特開昭５８−２１９２０号、特開昭５
８−３６０２０号。
【００２３】特開昭５１−３８０１９号、
特開昭５４−１３２７２７号、特開昭５５−４３９０７
号、 実開昭５６−１７６５３６号、特開昭
５８−１２３３６５号、 特開昭５８−１２３
３６７号。
特開昭５４−１３２７２７号、特開昭５５−４３９０７
号、 実開昭５６−１７６５３６号、特開昭
５８−１２３３６５号、 特開昭５８−１２３
３６７号。
【００２４】実開昭５１−３８６２３号、
特開昭５５−５７２２５号。
特開昭５５−５７２２５号。
【００２５】
【関 連 特 許】（特願昭６３−４３３３４号）、
特願平１−１９９３２６号。
特願平１−１９９３２６号。
【図１】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図２】従来のスイッチング回路を示す回路図である。
【図３】従来のスイッチング回路を示す回路図である。
【図４】従来のスイッチング回路を示す回路図である。
【図５】従来のスイッチング回路を示す回路図である。
【図６】従来のスイッチング回路を示す回路図である。
【図７】従来のスイッチング回路を示す回路図である。
【図８】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図９】本発明の１実施例を示す回路図である。
１８ サイリスタ（ゲート・ターン・オフ型） １９ トランジスタ（ノーマリィ・オン型ＳＩＴ） ｔ１〜ｔ５ 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｋ 17/732 9383−5Ｊ Ｈ０３Ｋ 17/73 Ｄ
Claims (4)
- 【請求項１】 自己ターン・オフ機能を持つ第１のスイ
ッチング手段があって、その駆動信号入力用に対をなす
その制御端子、主端子を制御端子ｃｔ、主端子ｍｔａと
したときに、前記主端子ｍｔａ側に第１の非可制御スイ
ッチが来る様に、しかも、第２のスイッチング手段と前
記第１のスイッチング手段で前記第１の非可制御スイッ
チを挟む様に、これらを直流電圧源の両電源端子間に直
列接続し、前記第１のスイッチング手段に逆バイアス電
圧を供給する逆バイアス電圧供給手段を、前記第１の非
可制御スイッチと前記第２のスイッチング手段の接続点
と前記制御端子ｃｔ間に接続し、前記第２のスイッチン
グ手段がオンのとき、前記逆バイアス電圧供給手段が前
記第２のスイッチング手段と通流手段を介して前記制御
端子ｃｔ・主端子ｍｔａ間に逆バイアス電圧を印加する
閉回路を形成し、前記第２のスイッチング手段がオンの
とき、前記第１のスイッチング手段にオン信号を出力し
ないオン信号出力手段を設けたことを特徴とするスイッ
チング回路。 - 【請求項２】 前記通流手段として、前記第１の非可制
御スイッチと前記第２のスイッチング手段の直列回路に
逆向きに第２の非可制御スイッチを並列接続したことを
特徴とする請求項１記載のスイッチング回路。 - 【請求項３】 前記通流手段として、前記第１の非可制
御スイッチと前記第２のスイッチング手段の直列回路に
抵抗を並列接続したことを特徴とする請求項１記載のス
イッチング回路。 - 【請求項４】 前記通流手段として、前記第１の非可制
御スイッチと前記第２のスイッチング手段の直列回路に
並列接続した負荷を用いたことを特徴とする請求項１記
載のスイッチング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6155107A JP3057175B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | スイッチング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6155107A JP3057175B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | スイッチング回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750566A true JPH0750566A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3057175B2 JP3057175B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=15598766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6155107A Expired - Fee Related JP3057175B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | スイッチング回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3057175B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP6155107A patent/JP3057175B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3057175B2 (ja) | 2000-06-26 |
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