JPH07501658A - 強磁性非晶質合金粒子を使用する電磁線サスセプター材料 - Google Patents

強磁性非晶質合金粒子を使用する電磁線サスセプター材料

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JPH07501658A
JPH07501658A JP5510074A JP51007493A JPH07501658A JP H07501658 A JPH07501658 A JP H07501658A JP 5510074 A JP5510074 A JP 5510074A JP 51007493 A JP51007493 A JP 51007493A JP H07501658 A JPH07501658 A JP H07501658A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 強磁性非晶質合金粒子を使用する電磁線サスセプター材料(産業上の利用分野) 本発明は、誘電性バインダー内に分散した粒子を含有する電磁線サスセプター( susceptor)材料に関する。
(発明の背景) 電磁線サスセプター材料は通常、誘電性バインダー材料中に分散した1種または それ以上の粒子を含有する。入射電磁線(通常スペクトルのGHz領域内)は熱 に変換され、その熱はサスセプターによって周囲環境へ再放射される。この点で 、サスセプター材料は、本質的に加熱なしに入射電磁線を反射するシールド材料 とは異なり、および、破壊的干渉によって入射電磁線を完全に打破しようとする 吸収材料とは異なる。
(発明の要旨) 本発明は、少なくとも1種の強磁性非晶質合金粒子およびその粒子が分散してい る誘電性バインダーを含有する電磁線サスセプター材料に関する。どの分散粒子 も組成F、。。−、、M、TM、を有する強磁性非晶質合金を含有している。式 中、FはFe、 CoおよびNiから成る群から選択される1種またはそれ以上 の磁性成分;MはB、 C,^1.5iSP、 GeおよびAsから成る群から 選択される1種またはそれ以■、CrlMn、 Zr、 NbおよびTaから選 択される1種またはそれ以上の遷移金属、0≦X≦20;および10≦y≦30 である。
遷移金属成分は合金のキューリー(Curie)温度および粒子の磁性応答を制 御し、サスセプター材料周囲の温度の自己調節を可能とする。
(発明の詳細な説明) 本発明のサスセプター材料は、誘電性バインダー材料内に分散した少なくとも1 種の強磁性非晶質粒子を含有する。典型的な体積充填率は1〜50%の範囲であ る。
どの分散粒子も組成F Io o −、−、M 、 T M 、を有する強磁性 合金を含有している。
式中、FはFe% CoおよびN1から成る群から選択される1種またはそれ以 上の磁性成分1MはB、 C,^1、Si、 P、 GeおよびAsから成る群 から選択される1種またはそれ以上のメタロイド、TMは周期表第1[[B族( 稀土類元素を含む)〜第■B族、特にTi5L Cr、 Mn、 Zr、 Nb およびTaから選択される1種またはそれ以上の遷移金属;0≦X≦20;およ び10≦y≦30である。
遷移金属成分は合金のキューリー(Curie)温度を制御し、通常50〜40 0℃の範囲内でキューリ一温度を選択することを可能とする。キューリ一温度は 、強磁性非晶質合金粒子の磁性感受性(susceptability)がOと なり、入射電磁線との相互作用を終える温度を決定する。これにより、サスセプ ターがその材料と隣接する領域で温度を時間の関数として制御することを可能と する。材料のこの特徴は「自己調節(sel f−regulation)Jと して既知である。勿論、キューリ一温度は、誘電性バインダーの特性が容認でき ないほど変化する温度、例えばバインダーの融点、またはバインダー内に存在し 得るポリマー材料の硬化に影響を及ぼす温度以下に選択するべきである。
強磁性非晶質合金は急冷を含む方法、例えば誘導炉内に製造される原型合金の溶 融紡糸によって製造され得る。好ましい合金は少なくとも50%の非晶相を含む 。
結晶化温度以下での熱アニールにより、合金の透過性および性能が改良される。
通常アニール時間は30分間である。
強磁性非晶質合金は耐酸化性および耐蝕性に非常に優れる。しかしながら、どん な通常の方法、例えば磨砕機または他の高エネルギーグラインダーによる研削に よっても合金がより小さな粒子となり得る一方、欧州特許出願筒8730796 5.1号に示されるように、好ましい方法ではクロム酸処理を用い酸化を防止す る。他の適した方法には微粒化(atomization)、例えば超音波カス 微粒化または回転ディスク微粒化を含む。
その粒子サイズは入射電磁波長部分より小さいが、入射電磁線波長にも依存する 電磁波透過度(表皮厚さ)より数倍大きくなり得る。透過度が通常10〜100 μmのオーダーの1〜]DOG)lz (即ち、Cl1lオーダーの波長)の範 囲の電磁線に対して、典型的な粒子サイズは0.1〜300μmの範囲である。
誘電性バインダー内に粒子を分散することは、混合または押出を用いるどんな通 常の方法でも可能であるが、押出が最も典型的である。
誘電性バインダーをセラミック、ポリマーまたはエラストマー材料から調製し得 る。ポリマーバインダーはその可撓性および軽量性に対して好ましい一方、セラ ミyクバインダーは高温に暴す必要のある適用に対して好ましい。多くのポリマ ーが適当てあり、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレ ート、ウレタン、酢酸セルロース、エポキシおよびポリテトラフルオロエチレン (PTFE)が挙げられる。好適なエラストマーバインダーは天然ゴムおよび合 成ゴム、例えば商品名「ネオプレン(NEOPRENE)Jとして既知のポリク ロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンジエンモノマー(EPDM)をベー スとしたものである。他の好ましいバインダーは、セネラル・エレクトリック・ カンパニー(General Electric Company)から商品名 RTV−11およびRTv−615として市販のシリコーン化合物である。また 、紙も適した誘電性バインダーと成り得る。
誘電性バインダーを熱硬化性または熱可塑性材料から調製し得る。熱硬化性材料 は一度加熱すると不可逆的に硬化し、そして再溶融して非破壊的に再成形できな い。熱可塑性材料は加熱および再成形が繰り返し行われ得る。どちらの場合でも 、その材料を加熱し、そしてバインダー外部の1種またはそれ以上の力によって 成形し得る。通常、その力は熱伝導度または圧力に依存するが、重力または減圧 の影響もある。この点では、本発明に適したバインダーは、米国特許第4.81 4゜546号(ホイットニ−(Whitney)等)に示される「適合した(c onformable)j吸収体材料とは異なる。この特許のバインダーは、バ インダー内部の分子力(例えば、伸縮性材料内の機械的応力)を必要とし、吸収 体の形状変化に応答し得る。
多くのタイプの接着剤は、要求される熱可塑性または熱硬化性特性を有する。
接着剤は表面と緊密な接触を形成し、機械的力が接触界面を越えて移動し得る材 料である。適した熱可塑性または熱硬化性接着剤は、特に限定されないが、ポリ アミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ウレタン 、酢酸セルロース、酢酸ビニル、エポキシおよびシリコーンを含む。
更に、前述の適合した(conformable)材料は本発明の他の態様にも 適している。
例えば、熱可塑性熱収縮性バインダーを、架橋または配向結晶性材料、例えばポ リエチレン、ポリプロピレンおよびポリ塩化ビニル:または非晶質材料、例えば シリコーン、ポリアクリレートおよびポリスチレンから調製し得る。溶剤収縮ま たは機械的伸縮性バインダーとしてエラストマー、例えば天然ゴムまたは反応性 ジエンポリマーのような合成ゴムがあり:適した溶剤として芳香族および脂肪族 炭化水素がある。そのような材料の特定の例が、米国特許第4.814.546 号(ホイットニー(Whitney)等)に示されている。
そのバインダーは均一であり、または相互に絡み合ったフィブリルのマトリック ス、例えば米国特許第4.153.661号(リー(Ree)等)に示されるP TFEマトリックスであり得る。一般的に、本態様のサスセプターは、2層構造 の粒子およびPTFE粒子の水の染み込んだペーストの形成、約50〜約100 ℃の範囲での強制混合、約50〜約100℃の範囲での2軸カレンダー加工、お よび約20〜約100℃の範囲での乾燥を含むフィブリル化プロセスによって形 成される。PTFEフィブリルおよび粒子の複合物はPTFEマトリックスの高 引張強さを有する。
本発明は、ラジオ周波数領域(KHz−MHz)および2〜4QGHzのマイク ロ波領域内でできるだけ広い入射周波数領域での用途に適している。
マイクロ波スペクトルに有効であるように、サスセプター材料は電磁線の伝搬方 向に入射波長の約1/40(2,5%)以上の厚さを有し得る。2〜40GHz 領域は、約2mmのオーダー以上の厚さを示唆する。一般的に層をより厚くする と性能が改良されるが、多くの適用において重量の増加および可撓性の減少は望 ましくない。従って、同時に入射波長の1/40(2,5%)以下の厚さを有す る層が可能であるが、それらは好ましくない。例えば、同一周波数領域では、厚 さの上限は約37.5mmのオーダーであるが、厚さが2mm以下のオーダーの 層を用いて充分な吸収が得られ得る。
サスセプター材料は非導電性、即ち高直流抵抗率を有する。抵抗率が低ければ、 サスセプターは効果的に電磁線を吸収する代わりに反射する導電性シートになる 。
元素状態の鉄の抵抗率は、例えば室温で約10−5Ωcmである。本発明で使用 した強磁性非晶質合金の抵抗率は有意には高くなく、1.5X10”9cmのオ ーダーである。
絶縁体は通常10′2Ωcm以上の抵抗率を有する。しかし、本発明のサスセプ ター材料は室温で106Ωamの抵抗率を示し、非導電性であることを示す。
サスセプター材料は、支持体上にサスセプター材料を押出し、硬化することによ ってどんな支持体、特に電気伝導性材料と結合していてもよい。多くの熱可塑性 バインダー、特にポリ塩化ビニル、ポリアミドおよびポリウレタンは押出しに適 している。支持体は平板の代わりにワイヤーまたはケーブルであってもよい。
押出しの代わりになるものとして、接着剤の使用、および現場加熱注型を含むプ ロセスがある。
更に、各々の単層が個々に前記のように構成された積層構造が可能である。例え ば、第1の単層は1種の強磁性非晶質粒子を含有するサスセプターであってもよ く、第2の単層は第2の強磁性非晶質粒子を含有するサスセプター材料であって もよく、第3の単層は更に第3の強磁性非晶質粒子を含有するサスセプター材料 であってもよい。好ましい態様では2〜5層が用いられる。一般的にそれぞれの 単層は前記層の厚さと合致するのであるが、積層構造の合計厚は40cm以下で あってもよい。積層構造を用いることによって、複合構造の吸収異形材が興味の ある特定の周波数領域およびバンド幅に「同調(tuned)Jすることを可能 とする。
本発明では、平板形状である必要はない。例えば、円筒状の導体に対して、プレ サイズ(pre−sized)可撓性円筒状外殻サスセプター材料は、伸縮、割 れまたは積層平板の表層剥離(delamination)をできる限り最小に するのに好ましい。プリフォーム円筒状外殻を長さ方向にスリットし、小さな歪 みを有する導体の回りを覆い(または導体の長軸に沿ってスリットする)、次い で現場接着し得る。スリットのエランにより形成した継ぎをソールしてもよい。
(実施例I) 組成FeyJ+oSi5PzCr+oを有する強磁性非晶質合金を、リボン形状 に製造した。
それらの本発明への適性を誘導加熱によって試験した。それは、10kf高周波 電源(周波数20CI−450kHz)を用い、3種の電力設定、20.30お よび40%で行った。20%電力で、リボンを室温(23°C)から約45℃ま でを5秒間で、約53℃までを10秒問および約57℃までを15秒間で急昇温 した。しかし、25秒後に温度は約60℃であるだけであった。30%電力で、 リボンを室温から約50℃までを5秒間で、約57℃までを10秒間で急昇温し た。しかし、15秒後に温度は約60℃であるだけであり、35秒間で徐々に約 63℃まで上昇しただけであった。40%電力で、リボンを30%電力と大体同 じ昇温速度で加熱した。急昇温後一定温度にすることに対する時間のグラフは、 強磁性非晶質合金が温度自己調整に優れていることを示している。
(実施例■) 2種のサスセプター材料をRTV615ノリコーン誘電性バインダーを使用して 作成した。各サスセプター材料は、前記のように製造した325メツシユ(44 μIl])サイズの強磁性非晶質合金粒子を含有した。1種は組成Fe、。P+  JtCrg、もう1種は組成co6□B、 5Si 9Mn6Nb3を有した 。その粒子のキューリ一温度は、それぞれ190°Cおよび235℃であった。
l?n’615バインダー内の体積充填率は各サスセプター材料に対して20% であった。
一片の各材料を一般のマイクロ波オーブン内で加熱した。鉄ベースの合金サスセ プター材料は、室温から約80℃までを50秒問および約125℃までを100 秒間の急昇温を示した:その後、約140℃までを150秒問および約150℃ までを200秒間、続いて、550秒間は徐々に約180℃まで昇温した。コバ ルトベースの合金サスセプター材料も、約80°Cまてを50秒問および約14 0°Cまてを100秒間;その後、225秒後に約180℃および400秒後に 約200℃まで徐々に昇温した。
(実施例■) 体積充填20%てRTV615誘電性バインダー内に分散した組成Fe7□P、  3B7Cr8を有する325メツツユ(44μm)サイズの強磁性非晶質合金 粒子を含有したサスセプター材料を用いて、標準マイクロ波反射および吸収の測 定を行った。0〜10Gllz領域の周波数の関数としての透過度の計算虚部( imaginary part)は、回転磁気機構に依存する吸収の理論的モデ ルによく一致した。
(実施例■) 組成Fe765P12B6Cr55を有する強磁性非晶質合金粒子を、同一組成 の非晶質リボンを325メツンユ(4hm)サイズ以下の粉体に粉砕することに よって製造した。
その粒子は、10kG以上の磁性および215℃のキューリ一温度を有した。そ の粒子を20体積%の粒子充填率で前記プロセスに従ってPTFE膜内に分散し た。その膜を厚さ0.254.0.508および0.229mmにカレンダー加 工することによって、3種の試料を作成した。マイクロ波ブロック加熱試験によ り、40秒後に約120〜160℃まで(厚さに依存)の急昇温を示し、その後 約135〜160℃で60〜180秒間は一定昇温した。
(実施例V) 200メツツユ(70μm)以下のサイズの強磁性非晶質合金粒子を5体積%の 粒子充填率てRTV11バインダー内に分散した。試料1は、組成Fe76.5 P12B6Cr5.5および約215℃のキューリ一温度を有した:試料2は、 組成Fe、4P、 28@Craおよび約190℃のキューリ一温度を有した: および試料3は、組成Fe76B@P6Si3Cr6および約210℃のキュー リ一温度を有した。試料1を高周波誘導(5〜8MHzで360V)によるブロ ック加熱により、室温から約200℃までを10秒問および約225℃までを2 0秒間の急昇温を示し、続いて、約235℃で30〜90秒間は一定昇温した。
試料2は、室温から約170℃までを10秒問および約180℃までを20秒間 の急昇温を示し、続いて、55秒間は徐々に約200℃まて昇温した。試料3は 、約180℃までを10秒問および約200℃までを20秒間の急昇温を示し、 続いて、約200℃で90秒までは一定昇温した。
50℃/secのこれら急昇温速度は、5体積%でRTVIIに充填する従来材 料のものと比較すると有利である。例えば、ニッケル粒子を含有するサスセプタ ーを55°C/secで加熱したが、ステンレス鋼およびマイカ粒子を含有する サスセプターを60’C/sec以下の昇温速度で加熱した。適さないものとし て、約20℃/secでマグネタイト含有サスセプター;約15℃/secで鉄 含有サスセプター;約15℃/secで微小気泡被覆ステンレス鋼含有サスセプ ター:約15°C/see以下てニッケルー亜鉛フェライト含有サスセプター、 約10℃/secでPM3161合金含有サスセプター:約2℃/secで鉄カ ーホニール(carbonyl 1ron)含有サスセプターがあった。
しかし、同一体積%て40um粒子を含有する本発明の他の試料は、約90℃/ seeの昇温速度を示した。
国際調査報告 。rT/、IcQ、l。9゜、。
■ ・ 1 □ 逼 奪 ・ i 、 1

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.誘電性バインダー内に分散している少なくとも1種の強磁性非晶質合金粒子 を含有し、どの分散粒子も組成F100−y−xMyMx(式中、FはFe、C oおよびNiから成る群から選択される1種またはそれ以上の磁性成分;MはB 、C、Al、Si、P、GeおよびAsから成る群から選択される1種またはそ れ以上のメタロイド;TMは周期表第IIIB族(稀土類元素を含む)〜第VI IB族から選択される1種またはそれ以上の遷移金属;0≦x≦20;および1 0≦y≦30)を有する強磁性非晶質合金を含有している電磁線サスセプター( susceptor)材料。
  2. 2.TMがTi、V、Cr、Mn、Zr、NbおよびTaから成る群から選択さ れる1種またはそれ以上の遷移金属である請求項1記載のサスセプター材料。
  3. 3.誘電性バインダーがセラミックである請求項1記載のサスセプター材料。
  4. 4.誘電性バインダーがポリマーである請求項1記載のサスセプター材料。
  5. 5.ポリマーバインダーがポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリ レート、ウレタン、酢酸セルロースおよびポリテトラフルオロエチレンから成る 群から選択されるポリマーである請求項4記載のサスセプター材料。
  6. 6.ポリマーバインダーが熱硬化性ポリマー接着剤および熱可塑性ポリマー接着 剤から成る群から選択されるポリマーである請求項4記載のサスセプター材料。
  7. 7.ポリマーバインダーが熱収縮性ポリマー、溶剤収縮性ポリマーおよび機械的 に伸縮性のポリマーから成る群から選択されるポリマーである請求項4記載のサ スセプター材料。
  8. 8.誘電性バインダーがエラストマーである請求項1記載のサスセプター材料。
  9. 9.どの種の分散粒子も体積充填率1〜50%の範囲で誘電性バインダー内に分 散している請求項1記載のサスセプター材料。
  10. 10.支持体に結合している請求項1記載のサスセプター材料。
  11. 11.電気伝導性支持体に結合している請求項1記載のサスセプター材料。
  12. 12.それぞれの層が請求項1記載の制限に合致している電磁線サスセプター材 料の2層またはそれ以上の層から成る積層構造。
JP5510074A 1991-11-27 1992-08-21 強磁性非晶質合金粒子を使用する電磁線サスセプター材料 Pending JPH07501658A (ja)

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