JPH07501182A - 温度安定性固体レーザパッケージ - Google Patents

温度安定性固体レーザパッケージ

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JPH07501182A
JPH07501182A JP5509256A JP50925692A JPH07501182A JP H07501182 A JPH07501182 A JP H07501182A JP 5509256 A JP5509256 A JP 5509256A JP 50925692 A JP50925692 A JP 50925692A JP H07501182 A JPH07501182 A JP H07501182A
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バーガー,ジョセフ
ミック,ドロン
クレーフェルド,ジョセフ
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ハーモニック・ライトウェーブズ・インコーポレイテッド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 温度安定性固体レーザパッケージ 技術分野 この発明は、半導体ダイオードレーザに励起される固体レーザ、およびこのよう なレーザを用いるレーザベースの光通信パッケージに関し、特定的には、動作条 件が変化する際にレーザを安定化する温度制御に特徴付けられるレーザシステム に関する。
背景技術 光通信システムによって、システム内のレーザおよび他の光学素子は、地下の導 管等に埋込まれる場合でも、極端な環境条件にさらされるおそれのあるところに 置かれることを要求される。たとえば、システムの光学素子は、−30°Cない し約50°Cにわたる周囲の温度にさらされる可能性がある。レーザパッケージ は、典型的には温度に対してかなり敏感である。多くのシステムか、温度が安定 されなければ、ダイオード材料が膨張するまたは収縮するにつれて波長をシフl −する、変調される半導体レーザダイオードを用いる。共通した1つの解決策は 、ダイオードを熱電クーラおよび二重目的ヒートシンク/チップキャリアの上に 装着することであり、この場合、レーザダイオードによって発生され、ヒートシ ンクによって除去される廃熱の量は、熱電クーラに与えられる電流量に依存する 。熱電冷却されるレーザダイオードのパッケージは、商業的に入手可能てある。
レーザダイオードの光パワー出力は、一般に非常に低く、レーザダイオードベー スの通信システムにおけるレーザトランスミッタおよび中継局の数は、比較的多 い。
光パワー出力を高めるために、必要とするトランスミッタおよび中継局がより少 ない固体レーザは、望ましい代替物であろう。研究所での使用のために製造され る固体レーザは、固体活性媒質を光励起するための熱電冷却されるレーザダイオ ードを含み、1つ以上のレンズが、活性媒質のモードボリューム、活性媒質自体 、およびそのうち1つが活性媒質の端部の反射性コーティングであってもよいキ ャビティミラーに、励起レーザビームを集束する。レーザダイオードは、励起光 の波長が活性媒質の吸収帯に一致するように、温度に対して安定性がある。活性 媒質は一般に、材料に損傷を与えかねない過度の廃熱を除去するように冷却され る。バイヤー(Byer)らへの米国特許番号第4,809.291号は、この ようなシステムの1つを説明している。これもまた、周波数二倍器結晶の上に別 個の熱電クーラを含む。光通信の目的のため、このようなレーザはまた、光信号 を発生するために光出力を変調するための手段を必要とするであろう。ある技術 では、マツハーツエンダー干渉法の原理に基づく外部光変調器を用い、または半 導体量子井戸光吸収変調器を用いる。光ファイバでのCATV分配の振幅変調残 留側波帯(AM−VSB)を用いたテレビチャンネル等のアナログ通信では、レ ーザはファイバの後方散乱光およびコネクタの後方の反射から十分に分離されな くてはならない。分離が30dBを上回る光学アイソレータが、レーザパッケー ジの設計に組み入れられなくてはならない。このようなアイソレータもまた、か なり温度に敏感であり、温度に対して安定にされなくてはならないであろう。残 念ながら、このような固体システムは、研究所での条件下または単一のビル内で は有用であるが、個々の素子は温度制御されるにもかかわらず、これらは実用に おける厳しい要件を満たさず、そのためダイオードレーザベースのシステムが、 現在のところ最も実用的となっている。
この発明の目的は、−30°Cないし50°Cにわたる周囲の温度で動作可能で あり、かつ−40°Cないし70°Cで格納可能な、特に光通信のために使用さ れる、固体レーザノくッケージを提供することである。
発明の開示 上述の目的は、パッケージのすべての光学素子が、共通の熱電クーラを備えた、 単一のユニットとして温度安定性のある、熱伝導性で、熱膨張率の低い共通のベ ースの上に装着される固体レーザパッケージで達成された。レーザダイオード、 活性媒質および光学アイソレータ等の個々の温度安定素子が必要であるだけでな く、システム内の素子の相対的な整列もまた、温度に対して特に敏感であること がわかった。
この発明のレーザパッケージにおいて、特定の動作温度は、レーザダイオードが 、そのダイオードによって励起されている活性媒質の吸収帯に一致する光波を放 射する温度と特定され、レーザダイオード、コリメートするレンズおよび集束レ ンズ、活性媒質、キャビティミラー、キャビティ内ブルースターウィンドウ、光 学アイソレータ、何らかの変調手段、および結合ファイバ等を含むシステム内の すべての光学要素が、ベース上に装着され、その動作温度で最初に整列される。
パッケージは、ベースの温度を測定するためのサーミスタ、および所望の動作温 度に対する実際のベースの温度に応答して熱電クーラを制御するプロセッサを含 む。固体レーザ出力の光強度をモニタすることによって、ベースの温度のより微 細な調整を行なうことができる。このように、ベースが動作温度で安定されてい るので、ベース上に装着されるすへての光学素子が、その相対的なアライメント を維持する。
図面の簡単な説明 図1は、この発明の温度安定性レーザパッケージの上面図である。
図2は、図1の線2−2に沿った、この発明のレーザパッケージの側断面図であ る。
図3は、図1および2のレーザパッケージの温度安定制御ループの概略図である 。
発明を実施するためのベストモード 図1および2を参照すると、この発明の固体レーザパッケージは、そのすべての 光学素子を、共通の温度安定性ベースプレート11に装着する。このベースプレ ート11は、銅−タングステン合金等の、熱伝導性があり、熱膨張率の低い材料 で形成される。ベースプレート11は熱電クーラ13上に装着され、クーラはヒ ートシンク上に装着される。
熱電クーラ13は、ベースプレート11とヒートシンク15との間の熱流の割合 を制御して、ベースプレート11の温度を、一定の予め定められた動作温度に維 持する。典型的には、ベースプレート11と同じ材料のブロック17が、ベース プレートllの実質的に平坦な上主表面19上に装着される。ブロック17は、 その上表面23に形成された長手のV溝21を有する。■溝によって、データパ ッケージのある主な光学素子のアライメントが簡単になる。ベースプレート11 およびブロック17は、製造の際に容易なように互いに接着される別個の部材で あってもよく、または単一の部材であってもよい。
固体レーザ材料活性媒質25は、■溝21内に装着される。典型的には、媒質2 5は、■溝の形状に合う円筒状のロッドまたは矩形断面を有するスラブの形態で ある。材料は、色中心またはNd’″″、Cr2+またはEr″+イオン等の活 性レーザ種が均一に分布される非晶質固体母材または単結晶である。Nd :  YAG、Nd : YLF、Nd : YALO1Ndニガラス、LNP、アレ キサンドライトおよび他の固体媒質が典型的である。レーザキャビティは、一般 的には、折り曲げられていない構成で、2つの鏡によって形成される。第1のキ ャビティミラー27は、活性媒質25の後方でV溝21に位置される湾曲した鏡 である。好ましくは、この第1の鏡は、活性媒質材料25のスラブまたはロッド の球状の凸端面上に形成される反射性コーティングである。第2のキャビティミ ラー29は、活性媒質25の前方でベースプレートll上に装着される平面鏡で ある。
キャビティの構成は、好ましくは焦点を共存するものであり、平面の第2のキャ ビティミラー29の長手方向の位置は、湾曲した第1のキャビティミラー27の 焦点面にある。
しかしながら、キャビティの他の構成もまた可能である。
平面のキャビティミラー29の横方向および上下方向の位置決めは決定的なもの ではなく、V溝2Iの長手方向に沿った、活性媒質25から放射される光の経路 にあればよい。
平面の第2のキャビティミラー29の配向は、第1の鏡の曲率半径の方向に対し て垂直に近くなくてはならない。第1のキャビティミラー27の曲率によって、 非常に正確に配向する必要性は低減される。
高パワーレーザダイオード31またはレーザダイオードアレイは、チップキャリ ア33上に装着され、ダイオード31およびキャリア33の双方はベースプレー ト11の後縁35に装着され、レーザダイオード31は、ブロック17内のV溝 2Iの頂部と平坦になるように、ベースプレート11の平坦な上表面19の上方 でキャリア33によって支持されている。レーザダイオード31は、活性媒質2 5を光励起するように、V溝21に沿って活性媒質25に向けられる第1のレー ザビーム37を生成する。レーザダイオード31は、活性媒質25の吸収帯と励 起レーザ光37の波長が一致するように、熱的に調整可能である。Nd:YAG ロッドを励起するための典型的なレーザダイオードの波長は、約0.808μm である。ダイオード31が活性媒質のレーザ吸収帯内の光を放射することを引き 起こすへ一スプレートIIの特定的な温度は、パッケージ内の他のすへての光学 素子が整列される動作温度として特定される。典型的な動作温度は、15°Cな いし25°Cである。
1対のレンズ39および41が、レーザダイオード31と活性媒質25上の第1 のキャビティミラーコーティング27との間てV溝21内に位置される。レンズ 39および41は、典型的にはグレーデッドインデックスレンズである。第1の レンズ39は、発散するダイオードレーザ光37をその入力端で受取り、コリメ ートされたビームをその出力端で生成するコリメートするレンズである。■溝に 沿った第1のレンズ39の長手方向の位置は、レーザダイオード31と第1のレ ンズ39との間の間隔が励起光37の最大コリメーションを生成するように決め られる。ダイオ−トレーサ光37の発散は、横方向および側方向の寸法で異なる ので、第1のレンズ39の焦点距離は横方向および側方向で変わり得る。その代 わりとして、相対的な発散を、円筒状のレンズてレーザ出力面において部分的に 予め調整してもよい。レーザダイオード31は、その光出力37がレンズ39の 光軸に沿って入射し、かつコリメートするレンズ39からコリメートされた出力 が溝21に沿うように、横方向および上下方向にその位置が調整される。第2の レンズ41は、第1のレンズ39からコリメートされた光をその入力端で受取り 、かつ第1のキャビティミラー27を介して共振キャビティの活性媒質25内の モードボリュームへと向けられる集束されたビームをその出力端で生成する集束 レンズである。キャビティミラー27は、レーザダイオード31からの励起光の Nd:YAGレーザの波長(約0.8μm)は透過するが、(Nd:YAG等の )活性媒質25によって発生されたレーザ光の波長(約1.319μm)ではか なり反射する。第2のレンズ41の焦点距離、および第2のレンズ41と活性媒 質25との間の相対的な間隔は、当該分野では周知であるように、所望のレーザ モードのモート゛ボリュームの光励起を最大にするように選択される。活性媒質 25および集束レンズ41の横方向および上下方向の位置決めは、活性媒質25 、第2のレンズ4Iおよび第1のレンズ39の光軸かすへて同一線上にあるよう にそれらが装着されるV溝21によって簡単に行なわれる。
サーミスタ43は、ベースプレート11の温度を測定するように、ブロック17 の近傍でベースプレート11上に置かれる。ブロックI7およびベースプレート 11に装着される光学素子31.39.41.27.25.29等は、ダイオー ドレーザ光37が活性媒質25の吸収帯に一致する波長を有する動作温度で整列 されるので、レーザパッケージの環境における周囲の温度の何らかの変化が、ベ ースプレー!−11およびブロックの温度の変化につながるかもしれず、これか ベースプレートおよびブロック材料の膨張および収縮を起こして、最初のアライ メントを乱しかねない。このことはまた、ダイオード出力37の波長をシフトし 得る。したかって、ベースプレート11およびブロック17の温度は、サーミス タ43でベースプレートの温度を継続的に測定し、その測定値に応答して熱電ク ーラ13に与えられる電流を調整することによって、動作温度で安定化される。
サーミスタ43によって測定された温度が、最初に特定された動作温度を越えれ ば、熱電クーラ13への電流は増加して、ベースプレート11からヒートシンク 15への熱流45の割合を増し、それによってベースプレート11を動作温度に まで冷却する。サーミスタ43によって測定された温度か動作温度を下回れば、 熱電クーラ13への電流は減少して、ベースプレート11からヒートシンク15 への熱流45の割合を減じ、それによって活性媒質25で発生された熱がブロッ ク17およびベースプレート11の温度を動作温度にまで上げる。極端に温度の 低い環境では、熱電クーラ13に与えられる電流は、必要であれば逆転されて、 ヒートシンク15からベースプレート11へと逆方向に熱を送るようにする。こ の状況では、熱電素子13はヒータとして効果的に作用する。
光通信に用いられると、レーザパッケージは、入力信号に応答して平面の第2の キャビティミラー29を介して放射されたレーザ出力ビームの強度を変調するた めの手段を含み得る。図1および2において、ブルースター角ウィンドウ47が 、ベースブレー)−11上で、活性媒質25と第2の鏡29との間、すなわち光 学キャビティ内に設けられる。このウィンドウ47は、レーザビームを線形に偏 光するように、V溝21の長さに関してブルースター角θ=arctan(n) で配向される透明なパイブレーナプレートである。ここでrnJは、ウィンドウ 材料の屈折率である。原理としてはブルースター角ウィンドウまたは別の偏光素 子を、光学キャビティの外のレーザビーム49の光路内に置くことができるが、 このような位置は、事実上、排除される偏光成分に対応するレーザエネルギの約 半分を放出するであろう。ブルースター角ウィンドウ47をキャビティ内に置く ことで、1つの偏光成分についてのみ共振条件を確立し、そのためレーザ出力ビ ーム49は、光エネルギを大きく損失することなく偏光される。偏光された光ビ ーム49は、ベースブレー)11上に装着された光学アイソレータ51を通るよ うに向けられる。アイソレータ51は典型的には、マグネット内のファラデー回 転素子、およびそのファラデー回転子の前後に位置され、その偏光面が互いに関 して45°に配向されて装着される2つの偏光子を含み、そのため、前方向には 光を透過し、逆方向の光は妨げる。分離量は、動作温度において30dBを上回 らなくてはならない。アイソレータに続くオプションの光学変調器は、電気入力 信号53に対応する、強度変調された光信号を生成する。レーザパッケージは、 通信の応用においては典型的には光フアイバ導波管55に結合される。パッケー ジは、アイソレータ51に隣接してベースプレートll上に光ファイバ55のた めのマウント57を含んでもよい。光ファイバ55の端部は、マウント57によ って、アイソレータ51からの変調されたレーザ出力ビームと光学的に整列され た状態に維持される。たとえば、マウントは、光ファイバ55の横方向および上 下方向の位置を調整する圧電素子を含んでもよい。集束レンズ54が、光ビーム をファイバのコアに結合するために、アイソレータ51(またはアイソレータお よび変調器)と光ファイバ55との間に装着されてもよい。ファイバ55は、ア イソレータ51(またはアイソレータおよび変調器)から偏光された光ビームを 受取るように整列される偏光維持ファイバであってもよい。
レーザパッケージはまた、ベースプレートll上に装着され、レーザ出力ビーム 49の光路に位置されるビームスプリッタ59を含んでもよい。ビームスプリッ タ59は、レーザビーム49の一部61を横方向に反射するように、溝21の長 手方向に対して垂直以外の角度をなして配向される。典型的には、ビームスプリ ッタ59は、長手方向に対して約45°の角度をなし、レーザビーム出力エネル ギの5%以上は反射しない。検出器63もまた、そのビームの一部61の光強度 を測定するために、ベースプレートll上の反射されたビームの一部61の光路 に装着される。
この測定は、固体レーザから最大光強度出力が得られるようにレーザダイオード からの光吸収を最適化するように、ベースプレート11およびブロック17の温 度を微調整するために用いることができる。
図3において、レーザパッケージの温度安定化制御システムは、パッケージのヒ ートシンクとベースプレートとの間の熱流の量を制御する熱電クーラI3と、ベ ースプレートの温度Tを測定するサーミスタ43と、固体レーザビーム出力の光 強度Iを測定して、レーザダイオードスペクトルの熱の微調整を示す検出器63 と、導電線67および69を介してサーミスタ43および検出器63に接続され て、その測定値Tおよび■を表す電気信号を受取るプロセッサ65とを含むよう に示される。プロセッサ65は、導電線71を介して熱電クーラ13とやりとり して、熱電クーラ13に与えられる電流C(T、■)を調整する。プロセッサ6 5は、レーザパッケージ周囲の環境の温度に関係なく、最大出力光強度■に関し てベースプレートの温度Tを動作温度に維持しようとする。広い範囲にわたる温 度Tの粗い調整で、サーミスタ43によって測定された温度Tを動作温度近くに もたらし、維持する。その後、より小さな範囲にわたる温度Tの微調整により、 温度Tを、検出器63によって測定されるビーム強度Iが最大である点にまで精 確に調整する。これは、レーザパッケージ内の光学素子が最初に整列された温度 に近い。レーザパッケージのすべての光学素子を、単一の熱電クーラ13によっ て安定にされる単一のベース上に置くことによって、レーザパッケージが動作す る周囲の温度の範囲をかなり拡大する。典型的には、著しい劣化もなく、−30 °Cないし50°Cの動作範囲が達成され、−40°Cないし70°Cの範囲の 格納温度が可能である。
フロントページの続き (72)発明者 ミック、ドロン アメリカ合衆国、94087 カリフォルニア州、サニイベイル、ベルビル・ウ ェイ、(72)発明者 クレーフェルト、ジョセフアメリカ合衆国、94303  カリフォルニア州、パロ・アルド、セリア・ドライブ、

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.固体レーザパッケージであって、 ヒートシンクと、 前記ヒートシンク上に装着される熱電クーラと、前記熱電クーラ上に装着される 、熱伝導性で、熱膨張率の低いベースと、 電流を前記熱電クーラに与え、それによって前記ベースと前記ヒートシンクとの 間の熱流が前記電流によって定められる割合にする手段と、 前記ベース上に装着される固体材料レーザ活性媒質と、前記ベース上に装着され て、光学共振キャビティを規定するための反射手段とを含み、前記活性媒質は前 記キャビティ内に位置され、さらに 前記ベースに装着され、動作温度で前記活性媒質の吸収帯と一致するように熱的 に調整される第1の波長で第1のレーザビームを生成するためのレーザダイオー ド手段と、前記第1のレーザビームを前記活性媒質の端部に集束させ、方向付け るための手段とを含み、前記反射手段は、前記第1の波長を透過して、前記第1 のレーザビームを前記活性媒質を含む前記キャビティヘと通し、さらに前記活性 媒質、前記反射手段、前記レーザダイオード手段および前記集束させ方向付ける 手段がそれに装着される前記ベースの温度を測定するための手段と、前記温度測 定手段に応答して、前記熱電クーラに与えられる電流を、前記動作温度で前記ベ ースの前記温度を維持するように調整するための温度安定化手段とを含み、前記 活性媒質、前記反射手段、前記レーザダイオード手段、および前記集束させ方向 付ける手段は、前記動作温度で光学的に整列されて、前記キャビティからレーザ ビーム出力を与え、前記温度安定化手段はそれによって前記光学的アライメント を維持する、固体レーザパッケージ。
  2. 2.前記ベースが、前記熱電クーラ上に装着され、実質的に平坦な上主表面を備 えた第1のベースプレート部分と、前記第1のベースプレート部分の前記上主表 面上に装着される第2のブロック部分とを含み、前記第2のブロック部分は、そ の上表面に形成された溝を有し、少なくとも前記活性媒質および前記方向付けし 、かっ集束させる手段は、前記溝内に装着され、前記レーザダイオード手段は、 前記溝と整列して前記第1のベース部分に装着される、請求項1に記載のレーザ パッケージ。
  3. 3.前記集束させ、かつ方向付ける手段が、前記レーザダイオード手段と前記活 性媒質との間の光路に配置される少なくとも1つのレンズを含む、請求項1に記 載のレーザパッケージ。
  4. 4.前記反射手段が、前記活性媒質の端部上の湾曲した鏡のコーティングを含む 、請求項1に記載のレーザパッケージ。
  5. 5.前記レーザビーム出力と光学的に整列されて前記ベース上に装着され、前記 レーザビーム出力の一部を光強度測定検出器へと横方向に反射するためのビーム スプリッタをさらに含む、請求項1に記載のレーザパッケージ。
  6. 6.前記検出器が、前記反射ビーム部分の光強度を測定するために前記反射ビー ム部分の光路にあるように、前記ベース上に装着され、前記温度安定化手段は、 前記温度測定手段および前記検出器の両方に応答して、前記光強度を最大にする ように、前記熱電クーラに与えられる前記電流を微調整する、請求項5に記載の レーザパッケージ。
  7. 7.前記ベース上で前記キャビティ内に装着されるブルースター角ウィンドウを さらに含む、請求項1に記載のレーザパッケージ。
  8. 8.前記レーザビーム出力と光学的に整列して、前記ベース上に装着される光学 アイソレータをさらに含み、前記アイソレータは、前記熱電クーラ上に装着され た前記ベースによって前記動作温度で維持される、請求項7に記載のレーザパッ ケージ。
  9. 9.前記ベース上に装着され、前記レーザビーム出力を変調するための光学変調 器をさらに含む、請求項1に記載のレーザパッケージ。
  10. 10.前記レーザビーム出力を受けるように、前記レーザビーム出力と光学的に 整列して、前記ベースに光ファイバの端部を装着するための手段をさらに含む、 請求項1に記載のレーザパッケージ。
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Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3082865B2 (ja) * 1991-04-09 2000-08-28 ソニー株式会社 レーザ光発生装置
US5267252A (en) * 1991-08-30 1993-11-30 Hoya Corporation Solid-state laser device comprising a temperature-controlled thermal conductive support
US5265115A (en) * 1991-08-30 1993-11-23 Hoya Corporation Solid-state laser device having a feedback loop
US5253260A (en) * 1991-12-20 1993-10-12 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for passive heat pipe cooling of solid state laser heads
JP2763980B2 (ja) * 1992-01-14 1998-06-11 富士通株式会社 光半導体モジュール
JP3024354B2 (ja) * 1992-01-27 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体レーザ
AU659270B2 (en) * 1992-02-20 1995-05-11 Sony Corporation Laser light beam generating apparatus
DE69404190T2 (de) * 1993-03-30 1998-02-19 Nippon Electric Co Frequenzstabilisationsverfahren für Halbleiterlaser und frequenzstabilisierte Lichtquelle
CN1056507C (zh) * 1993-09-27 2000-09-20 中国科学院福建物质结构研究所 激光医疗装置
KR100252008B1 (ko) * 1993-11-11 2000-05-01 윤종용 제2고조파 발생방법 및 장치
JPH07142803A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Fuji Photo Film Co Ltd レーザーダイオードポンピング固体レーザー
US6241720B1 (en) * 1995-02-04 2001-06-05 Spectra Physics, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US5778016A (en) * 1994-04-01 1998-07-07 Imra America, Inc. Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor
US5646674A (en) * 1994-04-29 1997-07-08 Eastman Kodak Company Optical print head with flexure mounted optical device
GB9409197D0 (en) * 1994-05-06 1994-06-29 Secr Defence Solid state laser
US5832015A (en) * 1994-09-20 1998-11-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid-state laser
JPH10506724A (ja) * 1994-10-03 1998-06-30 エスディーエル インク. チューニング可能な青色レーザダイオード
US5550853A (en) * 1994-12-21 1996-08-27 Laser Physics, Inc. Integral laser head and power supply
JP3378103B2 (ja) * 1994-12-28 2003-02-17 富士写真フイルム株式会社 レーザーダイオード励起固体レーザー
US5692005A (en) * 1995-03-04 1997-11-25 Carl-Zeiss-Stiftung Solid-state laser
DE19510705A1 (de) * 1995-03-15 1996-09-19 Las Laser Analytical Systems G Festkörperlaservorrichtung
DE19510713C2 (de) * 1995-03-15 2001-04-26 Laser Analytical Systems Las E Festkörperlaservorrichtung mit Mitteln zur Einstellung eines Temperaturprofils des Laserkörpers
US5602860A (en) * 1995-04-19 1997-02-11 Optelecom, Inc. Laser thermal control using thermoelectric cooler
GB2300964B (en) * 1995-05-13 1999-11-10 I E Optomech Limited Monolithic laser
US5602955A (en) * 1995-06-07 1997-02-11 Mcdonnell Douglas Corporation Microactuator for precisely aligning an optical fiber and an associated fabrication method
US5606635A (en) * 1995-06-07 1997-02-25 Mcdonnell Douglas Corporation Fiber optic connector having at least one microactuator for precisely aligning an optical fiber and an associated fabrication method
DE69619408T2 (de) * 1995-06-07 2002-11-21 Mcdonnell Douglas Corp., Saint Louis Eine justiervorrichtung zum genauen ausrichten einer optischen faser und ein hiermit zusammenhängendes herstellungsverfahren
JP2697700B2 (ja) * 1995-08-18 1998-01-14 日本電気株式会社 温度制御型半導体レーザ装置およびその温度制御方法
US6021141A (en) * 1996-03-29 2000-02-01 Sdl, Inc. Tunable blue laser diode
JPH09293917A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Mitsui Petrochem Ind Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ装置
US5854802A (en) * 1996-06-05 1998-12-29 Jin; Tianfeng Single longitudinal mode frequency converted laser
JPH1084155A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Ricoh Co Ltd 固体レーザ装置
US5875206A (en) * 1996-09-10 1999-02-23 Mitsubishi Chemical America, Inc. Laser diode pumped solid state laser, printer and method using same
US5818601A (en) * 1996-10-04 1998-10-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wavelength independent optical probe
US5781573A (en) * 1996-12-05 1998-07-14 Northrop Grumman Corporation High power solid state laser and method of increasing power using same
US5832016A (en) * 1997-01-29 1998-11-03 Northrop Grumman Corporation Slab laser assembly
US6008264A (en) 1997-04-30 1999-12-28 Laser Med, Inc. Method for curing polymeric materials, such as those used in dentistry, and for tailoring the post-cure properties of polymeric materials through the use of light source power modulation
US6282013B1 (en) 1997-04-30 2001-08-28 Lasermed, Inc. System for curing polymeric materials, such as those used in dentistry, and for tailoring the post-cure properties of polymeric materials through the use of light source power modulation
US5892783A (en) * 1997-05-19 1999-04-06 Spectra Physics Lasers, Inc. Laser with temperature controller positioned in laser head
US5870518A (en) * 1997-08-21 1999-02-09 Mcdonnell Douglas Corporation Microactuator for precisely aligning an optical fiber and an associated fabrication method
WO1999021505A1 (en) 1997-10-29 1999-05-06 Bisco, Inc. Dental composite light curing system
US6116900A (en) * 1997-11-17 2000-09-12 Lumachem, Inc. Binary energizer and peroxide delivery system for dental bleaching
US6178188B1 (en) 1997-12-11 2001-01-23 Photera Technologies, Inc Laser assembly platform with silicon base
US6200134B1 (en) 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US6240113B1 (en) 1998-02-27 2001-05-29 Litton Systems, Inc. Microlaser-based electro-optic system and associated fabrication method
KR100415751B1 (ko) * 1998-11-19 2004-01-24 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체레이저 여기고체레이저
US6721341B2 (en) * 1999-02-04 2004-04-13 The Furukawa Electric Co., Ltd. Mounting structure for semiconductor laser module
US6385220B1 (en) 1999-04-21 2002-05-07 Gsi Lumonics Inc. Laser clamping assembly and method
SE9901470L (sv) 1999-04-23 2000-10-24 Iof Ab Optisk anordning
US6157661A (en) * 1999-05-12 2000-12-05 Laserphysics, Inc. System for producing a pulsed, varied and modulated laser output
US6289031B1 (en) * 1999-05-14 2001-09-11 Raytheon Company Integrated lightweight optical bench and miniaturized laser transmitter using same
US6853654B2 (en) * 1999-07-27 2005-02-08 Intel Corporation Tunable external cavity laser
US6879619B1 (en) 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
KR100626246B1 (ko) * 1999-07-30 2006-09-22 더 보드 오브 트러스티스 오브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 에르븀 첨가 재료를 사용하여 극히 넓은 대역폭으로 광신호를 증폭하는 방법
US6856632B1 (en) 1999-09-20 2005-02-15 Iolon, Inc. Widely tunable laser
US6847661B2 (en) * 1999-09-20 2005-01-25 Iolon, Inc. Tunable laser with microactuator
US6701222B1 (en) 2000-07-06 2004-03-02 Corvis Corporation Transmission systems and components utilizing thermo-stabilization and method of use therein
US7120176B2 (en) * 2000-07-27 2006-10-10 Intel Corporation Wavelength reference apparatus and method
US6490081B1 (en) 2000-07-28 2002-12-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of amplifying optical signals using doped materials with extremely broad bandwidths
AU2000267492A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Amorphous compounds for wideband optical amplifiers
US6816516B2 (en) 2001-03-21 2004-11-09 Intel Corporation Error signal generation system
US6658031B2 (en) * 2001-07-06 2003-12-02 Intel Corporation Laser apparatus with active thermal tuning of external cavity
US6686586B2 (en) * 2001-03-23 2004-02-03 Metrologic Instruments, Inc. Diffractive-based laser scanning system employing microcontroller programmed for mode-switching correction in response to binary mode switching signal generation
JP2002368313A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Aisin Seiki Co Ltd 受動型モードロック・ファイバーレーザー
US6822979B2 (en) 2001-07-06 2004-11-23 Intel Corporation External cavity laser with continuous tuning of grid generator
US6788724B2 (en) * 2001-07-06 2004-09-07 Intel Corporation Hermetically sealed external cavity laser system and method
US6804278B2 (en) 2001-07-06 2004-10-12 Intel Corporation Evaluation and adjustment of laser losses according to voltage across gain medium
US6631146B2 (en) * 2001-07-06 2003-10-07 Intel Corporation Tunable laser control system
US6901088B2 (en) * 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US20030025966A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-06 Ross Halgren OSP hardened WDM network
US7230959B2 (en) * 2002-02-22 2007-06-12 Intel Corporation Tunable laser with magnetically coupled filter
US6763047B2 (en) * 2002-06-15 2004-07-13 Intel Corporation External cavity laser apparatus and methods
US6845121B2 (en) * 2002-06-15 2005-01-18 Intel Corporation Optical isolator apparatus and methods
US6724791B1 (en) * 2002-07-02 2004-04-20 C-Cor.Net Corp. Method and apparatus for controlling the temperature of a laser module in fiber optic transmissions
US6891879B2 (en) * 2002-09-23 2005-05-10 Litton Systems, Inc. Microlaser cavity assembly and associated packaging method
US7308008B2 (en) * 2002-11-08 2007-12-11 Finisar Corporation Magnetically controlled heat sink
US7299859B2 (en) * 2003-04-28 2007-11-27 Lucent Technologies Inc. Temperature control of thermooptic devices
US7170914B2 (en) * 2003-06-27 2007-01-30 Intel Corporation Optical transmitters
US7295581B2 (en) * 2003-09-29 2007-11-13 Intel Corporation External cavity tunable optical transmitters
US7251261B2 (en) * 2004-05-14 2007-07-31 C8 Medisensors Inc. Temperature tuning the wavelength of a semiconductor laser using a variable thermal impedance
US7366214B2 (en) * 2004-09-14 2008-04-29 B & W Property Inc. Diode-pumped solid-state laser with self-maintained multi-dimensional optimization
US7218655B2 (en) * 2004-10-08 2007-05-15 B&W Tek Property, Inc. Solid state laser insensitive to temperature changes
US20100243891A1 (en) * 2005-06-15 2010-09-30 Timothy Day Compact mid-ir laser
US7492806B2 (en) * 2005-06-15 2009-02-17 Daylight Solutions, Inc. Compact mid-IR laser
US7466734B1 (en) * 2005-06-15 2008-12-16 Daylight Solutions, Inc. Compact external cavity mid-IR optical lasers
US7535656B2 (en) * 2005-06-15 2009-05-19 Daylight Solutions, Inc. Lenses, optical sources, and their couplings
US7535936B2 (en) * 2005-08-05 2009-05-19 Daylight Solutions, Inc. External cavity tunable compact Mid-IR laser
US7424042B2 (en) * 2006-09-22 2008-09-09 Daylight Solutions, Inc. Extended tuning in external cavity quantum cascade lasers
US7795582B2 (en) * 2007-10-19 2010-09-14 Honeywell International Inc. System and method of monitoring with temperature stabilization
US7848382B2 (en) 2008-01-17 2010-12-07 Daylight Solutions, Inc. Laser source that generates a plurality of alternative wavelength output beams
US8565275B2 (en) 2008-04-29 2013-10-22 Daylight Solutions, Inc. Multi-wavelength high output laser source assembly with precision output beam
US8306077B2 (en) 2008-04-29 2012-11-06 Daylight Solutions, Inc. High output, mid infrared laser source assembly
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US8774244B2 (en) 2009-04-21 2014-07-08 Daylight Solutions, Inc. Thermal pointer
US20110080311A1 (en) * 2009-10-05 2011-04-07 Michael Pushkarsky High output laser source assembly with precision output beam
JP2011127529A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 National Institutes Of Natural Sciences 半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置
WO2011156033A2 (en) * 2010-03-15 2011-12-15 Daylight Solutions, Inc. Laser source that generates a rapidly changing output beam
US8335413B2 (en) 2010-05-14 2012-12-18 Daylight Solutions, Inc. Optical switch
US9225148B2 (en) 2010-09-23 2015-12-29 Daylight Solutions, Inc. Laser source assembly with thermal control and mechanically stable mounting
US8467430B2 (en) 2010-09-23 2013-06-18 Daylight Solutions, Inc. Continuous wavelength tunable laser source with optimum orientation of grating and gain medium
CN101964496B (zh) * 2010-09-27 2012-04-18 苏州光格设备有限公司 大功率激光二极管水平线阵泵浦固体激光腔
CN103155309B (zh) * 2010-10-29 2016-06-01 古河电气工业株式会社 光放大装置以及光传送系统
US9042688B2 (en) 2011-01-26 2015-05-26 Daylight Solutions, Inc. Multiple port, multiple state optical switch
CA2855913C (en) * 2011-11-16 2016-11-29 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor laser excitation solid-state laser
US8761224B2 (en) * 2012-03-28 2014-06-24 Coherent, Inc. Compound enclosure for optical apparatus
US8804781B2 (en) * 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
US8804782B2 (en) 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro-channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
US10073028B2 (en) * 2015-09-01 2018-09-11 Spectrasensors, Inc. Spectrometer optical head assembly
EP3350540B1 (en) 2015-09-17 2022-11-16 Carl Zeiss Meditec, Inc. Interferometry with pulse broadened laser diode
JP6750355B2 (ja) * 2016-07-08 2020-09-02 セイコーエプソン株式会社 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
CN106248616B (zh) * 2016-09-27 2017-10-24 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司 太赫兹全偏振态检测光谱仪
EP3628106B1 (en) * 2017-12-01 2023-06-07 Areté Associates Isolated ring cavity resonator
US10998689B2 (en) * 2018-01-19 2021-05-04 Shailendhar Saraf Systems, apparatus, and methods for producing ultra stable, single-frequency, single-transverse-mode coherent light in solid-state lasers
LT6921B (lt) 2020-12-14 2022-06-27 Litilit, Uab Būdas ir įrenginys, skirti lazerio pagrindo plokštės temperatūrai homogenizuoti

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55103785A (en) * 1979-02-02 1980-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor laser beam stop device
JPS59197186A (ja) * 1983-04-25 1984-11-08 Canon Inc 半導体装置
US4809291A (en) * 1984-11-26 1989-02-28 Board Of Trustees, Of Leland Stanford Jr U. Diode pumped laser and doubling to obtain blue light
US4802178A (en) * 1986-04-10 1989-01-31 Ortel Corporation High speed fiberoptic laser module
US4749842A (en) * 1987-05-06 1988-06-07 Lightwave Electronics Co. Ring laser and method of making same
US4797896A (en) * 1987-05-06 1989-01-10 Light Wave Electronics Co. Solid state optical ring resonator and laser using same
US4856871A (en) * 1987-08-31 1989-08-15 General Electric Company Replaceable laser and lens assembly
US4933947A (en) * 1988-02-18 1990-06-12 Amoco Corporation Frequency conversion of optical radiation
US4948221A (en) * 1988-08-30 1990-08-14 Eastman Kodak Company Athermalized optical head
JPH036082A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Nec Corp 半導体レーザ装置
JPH0318275A (ja) * 1989-06-15 1991-01-25 Stanley Electric Co Ltd スイッチング電源装置
US4993801A (en) * 1989-12-27 1991-02-19 Eastman Kodak Company Optical head
US5113404A (en) * 1990-07-05 1992-05-12 At&T Bell Laboratories Silicon-based optical subassembly

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