JPH0749420B2 - 新規6,7−ジ置換イソキノリン誘導体及びその製造法 - Google Patents
新規6,7−ジ置換イソキノリン誘導体及びその製造法Info
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- JPH0749420B2 JPH0749420B2 JP61269804A JP26980486A JPH0749420B2 JP H0749420 B2 JPH0749420 B2 JP H0749420B2 JP 61269804 A JP61269804 A JP 61269804A JP 26980486 A JP26980486 A JP 26980486A JP H0749420 B2 JPH0749420 B2 JP H0749420B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規なイソキノリン誘導体及びその製造法に
関するものである。
関するものである。
従来技術 本発明の原料化合物である一般式(II)の化合物として
は、6,7−ジベンジルオキシイソキノリン、6,7−ジメト
キシイソキノリン等を挙げることができるが、その製造
方法については、ジャーナル オブ ジ アメリカン
ケミカル ソサエティ(Journal of the American Chem
ical Society)第79巻,3773頁(1957年)、ジェイ ケ
ム ソック パーキン(J.Chem.Soc.Perkin)1.,2185頁
(1974年)、同2190頁(1974年)などに記載されてい
る。
は、6,7−ジベンジルオキシイソキノリン、6,7−ジメト
キシイソキノリン等を挙げることができるが、その製造
方法については、ジャーナル オブ ジ アメリカン
ケミカル ソサエティ(Journal of the American Chem
ical Society)第79巻,3773頁(1957年)、ジェイ ケ
ム ソック パーキン(J.Chem.Soc.Perkin)1.,2185頁
(1974年)、同2190頁(1974年)などに記載されてい
る。
発明を解決しようとする問題点および問題を解決するた
めの手段 本発明化合物は、文献未記載の新規化合物であり、更に
優れた抗菌作用を有するセファロスポリン誘導体の中間
原料として有用である。
めの手段 本発明化合物は、文献未記載の新規化合物であり、更に
優れた抗菌作用を有するセファロスポリン誘導体の中間
原料として有用である。
作用 本発明は一般式(I) [式中、Rは水素原子又はアルカノイル基を示す]で表
される新規な化合物、その塩及び該化合物の製造法に関
するものである。
される新規な化合物、その塩及び該化合物の製造法に関
するものである。
次に本明細書に記載された各種記号及び用語について説
明する。
明する。
R1は低級アルキル基、アラルキル基、アロイル基、低級
アルコキシカルボニル基、若しくはR1は互いに結合して
環状アセタール、環状ケタール又はカルボネート基を示
し、加水分解若しくは接触還元によって除去可能な水酸
基の保護基を意味する。
アルコキシカルボニル基、若しくはR1は互いに結合して
環状アセタール、環状ケタール又はカルボネート基を示
し、加水分解若しくは接触還元によって除去可能な水酸
基の保護基を意味する。
低級アルキル基とは炭素数1〜4のアルキル基を示し、
具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基等が挙
げられ、特に好ましい例としてはメチル基が挙げられ
る。
具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基等が挙
げられ、特に好ましい例としてはメチル基が挙げられ
る。
アラルキル基とはベンジル基、p−メトキシベンジル
基、フェネチル基等を示す。
基、フェネチル基等を示す。
アルカノイル基とは、アセチル基、プロピオニル基、ブ
チリル基等が挙げられ、特にアセチル基が好ましい。
チリル基等が挙げられ、特にアセチル基が好ましい。
アロイル基とはベンゾイル基、トルオイル基等を示す。
低級アルコキシカルボニル基とは炭素数2〜5のメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカ
ルボニル基、イソブトキシカルボニル基等を示し、特に
好ましい例としてはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基が挙げられる。
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカ
ルボニル基、イソブトキシカルボニル基等を示し、特に
好ましい例としてはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基が挙げられる。
環状アセタールとはメチレンアセタール、エチリデンア
セタール等を示す。
セタール等を示す。
環状ケタールとはイソプロピリデンケタール等を示す。
次に本発明化合物の製造方法を説明する。
本発明化合物は一般式(II) [式中、R1は水酸基の保護基(但し、R1がアルカノイル
基の場合は除く)を示す]で表される化合物、又はその
塩の水酸基の保護基R1を除去し、要すればアシル化する
ことによって製造することができる。
基の場合は除く)を示す]で表される化合物、又はその
塩の水酸基の保護基R1を除去し、要すればアシル化する
ことによって製造することができる。
水酸基の保護基の除去方法はワイリイ(Wiley)社より1
981年に発行されたティ ダブリュー グリーン(T.W.G
reene)著のプロテクティブ グループス イン オー
ガニック シンセシス(Protective Groups in Organic
Synthesis)、プレナム プレス(Plenum Press)社よ
り1973年に発行されたジェイ エフ ダブリュー マコ
ミィー(J.F.W.McOmie)著のプロテクティブ グループ
ス イン オーガニック ケミストリー(Protective G
roups in Organic Chemistry)などに記載されている方
法に準じて行うことができる。特に好ましい水酸基の保
護基としては、酸加水分解又は接触還元によって容易に
除去できるメチル基、ベンジル基、メチレンアセタール
基、エトキシカルボニル基、カルボネート基が好まし
い。
981年に発行されたティ ダブリュー グリーン(T.W.G
reene)著のプロテクティブ グループス イン オー
ガニック シンセシス(Protective Groups in Organic
Synthesis)、プレナム プレス(Plenum Press)社よ
り1973年に発行されたジェイ エフ ダブリュー マコ
ミィー(J.F.W.McOmie)著のプロテクティブ グループ
ス イン オーガニック ケミストリー(Protective G
roups in Organic Chemistry)などに記載されている方
法に準じて行うことができる。特に好ましい水酸基の保
護基としては、酸加水分解又は接触還元によって容易に
除去できるメチル基、ベンジル基、メチレンアセタール
基、エトキシカルボニル基、カルボネート基が好まし
い。
1)酸加水分解による製造方法 一般式(II)の化合物を1〜10倍量、好ましくは、5〜
10倍量の酢酸と3〜10倍量、好ましくは、5〜10倍量の
臭化水素酸の溶液を窒素気流中、80〜120℃で、2〜30
時間煮沸した後、冷却および/または濃縮し、次いで要
すれば、アシル化することにより本発明化合物を製造す
ることができる。
10倍量の酢酸と3〜10倍量、好ましくは、5〜10倍量の
臭化水素酸の溶液を窒素気流中、80〜120℃で、2〜30
時間煮沸した後、冷却および/または濃縮し、次いで要
すれば、アシル化することにより本発明化合物を製造す
ることができる。
2)接触還元による製造方法 一般式(II)の化合物を水、メタノール、エタノール、
プロパノール、イソプロパノール、酢酸、塩酸水溶液、
臭化水素酸水溶液、硫酸水溶液又はこれら混合溶液に溶
解し、5〜10%パラジウム炭素を一般式(II)の化合物
の5〜20%重量、好ましくは5〜10%重量用い、反応温
度20〜80℃、反応時間2〜10時間接触還元し、要すれば
アシル化することにより本発明化合物を製造することが
できる。
プロパノール、イソプロパノール、酢酸、塩酸水溶液、
臭化水素酸水溶液、硫酸水溶液又はこれら混合溶液に溶
解し、5〜10%パラジウム炭素を一般式(II)の化合物
の5〜20%重量、好ましくは5〜10%重量用い、反応温
度20〜80℃、反応時間2〜10時間接触還元し、要すれば
アシル化することにより本発明化合物を製造することが
できる。
上記アシル化反応は、酸加水分解又は接触還元による生
成物(6,7−ジヒドロキシイソキノリン又はその塩)を
単離するか若しくは単離することなくそのまま行うこと
ができる。
成物(6,7−ジヒドロキシイソキノリン又はその塩)を
単離するか若しくは単離することなくそのまま行うこと
ができる。
該アシル化反応は、6,7−ジヒドロキシイソキノリン又
はその塩を必要に応じて反応に悪影響を及ぼさない溶媒
例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等の溶媒中、触媒量若し
くは過剰のルイス酸の存在下に、過剰のカルボン酸無水
物を反応温度10〜180℃で0.5〜48時間行う。或いはアセ
トン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド又はこれらの混合溶媒中、2〜3当量の脱酸剤の存
在下に、2〜2.5当量のカルボン酸ハロゲン化物又はカ
ルボン酸無水物を反応温度0〜50℃で0.5〜10時間行
う。
はその塩を必要に応じて反応に悪影響を及ぼさない溶媒
例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等の溶媒中、触媒量若し
くは過剰のルイス酸の存在下に、過剰のカルボン酸無水
物を反応温度10〜180℃で0.5〜48時間行う。或いはアセ
トン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド又はこれらの混合溶媒中、2〜3当量の脱酸剤の存
在下に、2〜2.5当量のカルボン酸ハロゲン化物又はカ
ルボン酸無水物を反応温度0〜50℃で0.5〜10時間行
う。
反応終了後、反応液から本発明化合物(I)又はその塩
を単離精製するには、溶媒抽出、再結晶、クロマトグラ
フィー等公知の分離手段により行うことができる。
を単離精製するには、溶媒抽出、再結晶、クロマトグラ
フィー等公知の分離手段により行うことができる。
ルイス酸としては、例えばトリフルオロ酢酸、メタンス
ルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、三フ
ッ化ホウ素等が挙げられる。
ルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、三フ
ッ化ホウ素等が挙げられる。
脱酸剤としては、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、酸化マグネ
シウム等のアルカリ金属塩、トリエチルアミン、エチル
ジイソプロピルアミン、N−メチルモルホリン、ピリジ
ン、N,N−ジメチルアニリン等の有機アミンが挙げられ
る。
カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、酸化マグネ
シウム等のアルカリ金属塩、トリエチルアミン、エチル
ジイソプロピルアミン、N−メチルモルホリン、ピリジ
ン、N,N−ジメチルアニリン等の有機アミンが挙げられ
る。
カルボン酸無水物としては無水酢酸、無水プロピオン
酸、無水酪酸が挙げられる。
酸、無水酪酸が挙げられる。
カルボン酸ハロゲン化物としては、塩化アセチル、塩化
プロピオニル、塩化ブチリルが挙げられる。
プロピオニル、塩化ブチリルが挙げられる。
本発明化合物は常法により酢酸塩、塩酸塩、臭化水素塩
酸、硫酸塩、硝酸塩及び過塩素酸塩等の無機酸塩、又メ
タンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩等の有機
スルホン酸塩等とすることができる。
酸、硫酸塩、硝酸塩及び過塩素酸塩等の無機酸塩、又メ
タンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩等の有機
スルホン酸塩等とすることができる。
尚、一般式(II)の化合物は、ジャーナル オブ ジ
アメリカン ケミカル ソサエティ(Journal of the A
merican Chemical Society)79巻,3773頁(1957年)、
ジェイ ケム ソック パーキン(J.Chem.Soc.Perki
n)I.,2185頁(1974年)、同2190頁(1974年)等に記載
の方法に準じて製造することができる。
アメリカン ケミカル ソサエティ(Journal of the A
merican Chemical Society)79巻,3773頁(1957年)、
ジェイ ケム ソック パーキン(J.Chem.Soc.Perki
n)I.,2185頁(1974年)、同2190頁(1974年)等に記載
の方法に準じて製造することができる。
次に実施例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明は
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
実施例 実施例1 6,7−ジヒドロキシイソキノリン・臭化水素酸塩・1水
和物の製造 (A)3,4−ジベンジルオキシベンズアルデヒド73g(0.
23モル)をベンゼン500mlに溶解し、アミノアセトアル
デヒドジエチルアセタール25ml(0.172モル)を加え、
5時間還流撹拌して生成する水を分離除去する。反応溶
液を減圧下濃縮して、2−[N−(3,4−ジベンジルオ
キシベンジリデン)アミノ]アセトアルデヒドジエチル
アセタールの残渣を得る。この残渣をメタノール700ml
に溶解し、室温で水素化ホウ素ナトリウム6.0g(0.16モ
ル)を加え、15分間撹拌する。反応溶液は減圧下濃縮
し、残渣を酢酸エチルに溶解した後、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮し、2−
[N−(3,4−ジベンジルオキシベンジル)アミノ]ア
セトアルデヒドジエチルアセタールの残渣を得る。この
残渣を乾燥テトラヒドロフラン600mlに溶解し、p−ト
ルエンスルホニルクロライド39.8g(0.12モル)及びト
リエチルアミン59ml(0.42モル)を加え、室温で17.5時
間撹拌する。反応溶液を減圧下濃縮し、残渣を酢酸エチ
ルで抽出する。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
ナトリウムで脱水後、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィ−(10%酢酸エチル・ヘキサ
ン)に付し、2−[N−p−トリルスルホニル−N−
(3,4−ジベンジルオキシベンジル)アミノ]アセトア
ルデヒドジエチルアセタール70g(収率70.7%)を得
る。
和物の製造 (A)3,4−ジベンジルオキシベンズアルデヒド73g(0.
23モル)をベンゼン500mlに溶解し、アミノアセトアル
デヒドジエチルアセタール25ml(0.172モル)を加え、
5時間還流撹拌して生成する水を分離除去する。反応溶
液を減圧下濃縮して、2−[N−(3,4−ジベンジルオ
キシベンジリデン)アミノ]アセトアルデヒドジエチル
アセタールの残渣を得る。この残渣をメタノール700ml
に溶解し、室温で水素化ホウ素ナトリウム6.0g(0.16モ
ル)を加え、15分間撹拌する。反応溶液は減圧下濃縮
し、残渣を酢酸エチルに溶解した後、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮し、2−
[N−(3,4−ジベンジルオキシベンジル)アミノ]ア
セトアルデヒドジエチルアセタールの残渣を得る。この
残渣を乾燥テトラヒドロフラン600mlに溶解し、p−ト
ルエンスルホニルクロライド39.8g(0.12モル)及びト
リエチルアミン59ml(0.42モル)を加え、室温で17.5時
間撹拌する。反応溶液を減圧下濃縮し、残渣を酢酸エチ
ルで抽出する。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
ナトリウムで脱水後、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィ−(10%酢酸エチル・ヘキサ
ン)に付し、2−[N−p−トリルスルホニル−N−
(3,4−ジベンジルオキシベンジル)アミノ]アセトア
ルデヒドジエチルアセタール70g(収率70.7%)を得
る。
m.p.75℃ IR(KBr)cm-1:1600,1520,1460,1340,1250,1160,1130 NMR(DMSO−d6)δ:1.00(6H,t,J=7.5Hz),2.35(3H,
s),3,07(2H,d,J=6Hz),3.20〜3.60(4H,m),4.32(2
H,s),4.35(1H,d,J=6Hz),4.90(2H,s),5.08(2H,
s),6.60〜7.80(17H,m) (B)上記(A)で得た化合物22.1g(39ミリモル)を
ジオキサン300mlに溶解し、6N−塩酸28mlを加えた後、
窒素雰囲気暗所下で5.5時間還流撹拌する。反応溶液を2
0%水酸化ナトリウム水溶液でpH10.0に調整し、減圧下
濃縮後、残渣を酢酸エチルで抽出する。有機層を飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧下濃
縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(2%メタノール・クロロホルム)で精製することによ
り6,7−ジベンジルオキシイソキノリン8.6g(収率64
%)を得る。
s),3,07(2H,d,J=6Hz),3.20〜3.60(4H,m),4.32(2
H,s),4.35(1H,d,J=6Hz),4.90(2H,s),5.08(2H,
s),6.60〜7.80(17H,m) (B)上記(A)で得た化合物22.1g(39ミリモル)を
ジオキサン300mlに溶解し、6N−塩酸28mlを加えた後、
窒素雰囲気暗所下で5.5時間還流撹拌する。反応溶液を2
0%水酸化ナトリウム水溶液でpH10.0に調整し、減圧下
濃縮後、残渣を酢酸エチルで抽出する。有機層を飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧下濃
縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(2%メタノール・クロロホルム)で精製することによ
り6,7−ジベンジルオキシイソキノリン8.6g(収率64
%)を得る。
p.m.97℃ IR(KBr)cm-1:1620,1580,1500,1240,1140,1000 NMR(DMSO−d6)δ:5.30(4H,s),7.25〜7.80(13H,
m),8.30(1H,d,J=6Hz),9.02(1H,s) (C)上記(B)で得た化合物7.8g(23ミリモル)はメ
タノール15ml及び40%臭化水素酸1.7mlの混合液に溶解
し、10%パラジウム炭素触媒1.5gを加え、水素雰囲気
下、50〜60℃で7.5時間撹拌する。反応溶液を濾過し、
濾液を減圧下濃縮する。残渣をN−臭化水素酸水溶液よ
り再結晶し、析出結晶をアセトン洗浄した後、5時間真
空乾燥して、標記化合物4.75g(収率79.4%)を得る。
m),8.30(1H,d,J=6Hz),9.02(1H,s) (C)上記(B)で得た化合物7.8g(23ミリモル)はメ
タノール15ml及び40%臭化水素酸1.7mlの混合液に溶解
し、10%パラジウム炭素触媒1.5gを加え、水素雰囲気
下、50〜60℃で7.5時間撹拌する。反応溶液を濾過し、
濾液を減圧下濃縮する。残渣をN−臭化水素酸水溶液よ
り再結晶し、析出結晶をアセトン洗浄した後、5時間真
空乾燥して、標記化合物4.75g(収率79.4%)を得る。
m.p.205℃ IR(KBr)cm-1:1630,1610,1520,1480,1430,1300 NMR(DMSO−d6)δ:7.50(1H,s),7.70(1H,s),8.10
(1H,d,J=6Hz),8.30(1H,d,J=6Hz)9.42(1H,s) C9H7NO2・HBr・H2Oとしての元素分析値 C H N Br 計算値 41.56 3.88 5.39 30.72 実測値 41.52 3.85 5.24 30.10 実施例2 6,7−ジヒドロキシイソキノリン・臭化水素酸塩・1水
和物の製造 6,7−ジメトキシイソキノリン1.9g(10ミリモル)を酢
酸15ml及び40%臭化水素酸15mlの混合液に溶解し、窒素
雰囲気下、24時間還流撹拌する。反応溶液を減圧下濃縮
し、残渣をN−臭化水素酸水溶液より再結晶して、標記
化合物2.3g(収率88.4%)を得る。本品の融点、赤外吸
収スペクト及び核磁気共鳴スペクトルは実施例1の化合
物のそれに一致する。
(1H,d,J=6Hz),8.30(1H,d,J=6Hz)9.42(1H,s) C9H7NO2・HBr・H2Oとしての元素分析値 C H N Br 計算値 41.56 3.88 5.39 30.72 実測値 41.52 3.85 5.24 30.10 実施例2 6,7−ジヒドロキシイソキノリン・臭化水素酸塩・1水
和物の製造 6,7−ジメトキシイソキノリン1.9g(10ミリモル)を酢
酸15ml及び40%臭化水素酸15mlの混合液に溶解し、窒素
雰囲気下、24時間還流撹拌する。反応溶液を減圧下濃縮
し、残渣をN−臭化水素酸水溶液より再結晶して、標記
化合物2.3g(収率88.4%)を得る。本品の融点、赤外吸
収スペクト及び核磁気共鳴スペクトルは実施例1の化合
物のそれに一致する。
実施例3 6,7−ジアセトキシイソキノリンの製造 6,7−ジアセトキシイソキノリン・臭化水素酸塩・1水
和物500mg(1.9ミリモル)をトリフルオロ酢酸10mlに懸
濁し、室温で無水酢酸2.0ml(21ミリモル)を加え、同
温度で24時間撹拌する。反応溶液を減圧下に濃縮し、残
渣に水及び酢酸エチルを加えた後、水層を5%炭酸水素
ナトリウム水溶液でpH8.0に調整し、酢酸エチルで抽出
する。抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで脱水し、減圧下に濃縮して、標記化合物440mg
(収率93.4%)を得る。
和物500mg(1.9ミリモル)をトリフルオロ酢酸10mlに懸
濁し、室温で無水酢酸2.0ml(21ミリモル)を加え、同
温度で24時間撹拌する。反応溶液を減圧下に濃縮し、残
渣に水及び酢酸エチルを加えた後、水層を5%炭酸水素
ナトリウム水溶液でpH8.0に調整し、酢酸エチルで抽出
する。抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで脱水し、減圧下に濃縮して、標記化合物440mg
(収率93.4%)を得る。
IR(KBr)cm-1:1770,1620,1500,1460,1380,1200 NMR(DMSO−d6)δ:2.39(6H,s),7.85(1H,d,J=6.0H
z),7.90(1H,s),8.05(1H,s),8.53(1H,d,J=6.0H
z),9.30(1H,s) 発明の効果 本発明化合物は文献未記載の新規化合物であり、更にセ
フェム核の3位に6,7−ジヒドロキシイソキノリニウム
メチル基、又は6,7−ジアセトキシイソキノリニウムメ
チル基等の6,7−ジアルカノイルオキシイソキノリウム
メチル基を有する下記式 [式中、Rは水素原子又はアルカノイル基及びR2はアシ
ル基を示す]で表されるセファロスポリン誘導体は、イ
ソキノリン核が無置換又はモノヒドロキシ置換の化合物
と比較して、グラム陰性菌、特にシュードモナス エル
ギノーサ(Pseudomonas aeruginosa)、シュードモナス
セパシア(Pseudomonas cepacia)及びアシネトバク
ター カルコアセティカス(Acinetcbacter calcoaceti
cus)などのブドウ糖非発酵グラム陰性桿菌(glucose n
on−fermentative gram−negative rods)に対し、抗菌
力が著しく強力であることを見出しているが、本発明化
合物は、その中間原料として有用な化合物である。
z),7.90(1H,s),8.05(1H,s),8.53(1H,d,J=6.0H
z),9.30(1H,s) 発明の効果 本発明化合物は文献未記載の新規化合物であり、更にセ
フェム核の3位に6,7−ジヒドロキシイソキノリニウム
メチル基、又は6,7−ジアセトキシイソキノリニウムメ
チル基等の6,7−ジアルカノイルオキシイソキノリウム
メチル基を有する下記式 [式中、Rは水素原子又はアルカノイル基及びR2はアシ
ル基を示す]で表されるセファロスポリン誘導体は、イ
ソキノリン核が無置換又はモノヒドロキシ置換の化合物
と比較して、グラム陰性菌、特にシュードモナス エル
ギノーサ(Pseudomonas aeruginosa)、シュードモナス
セパシア(Pseudomonas cepacia)及びアシネトバク
ター カルコアセティカス(Acinetcbacter calcoaceti
cus)などのブドウ糖非発酵グラム陰性桿菌(glucose n
on−fermentative gram−negative rods)に対し、抗菌
力が著しく強力であることを見出しているが、本発明化
合物は、その中間原料として有用な化合物である。
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I) [式中、Rは水素原子又はアルカノイル基を示す]で表
される化合物又はその塩。 - 【請求項2】一般式(II) [式中、R1は水酸基の保護基(但し、R1がアルカノイル
基の場合は除く)を示す]で表される化合物又はその塩
の水酸基の保護基を除去し、次いで要すれば、アシル化
することを特徴とする 一般式(I) [式中、Rは水素原子又はアルカノイル基を示す]で表
される化合物又はその塩の製造法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269804A JPH0749420B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 新規6,7−ジ置換イソキノリン誘導体及びその製造法 |
DE8787103970T DE3775798D1 (de) | 1986-03-19 | 1987-03-18 | Cephalosporinverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und antibakterielle mittel. |
AT87103970T ATE71384T1 (de) | 1986-03-19 | 1987-03-18 | Cephalosporinverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und antibakterielle mittel. |
EP87103970A EP0238060B1 (en) | 1986-03-19 | 1987-03-18 | Cephalosporin derivatives, processes for their preparation and antibacterial agents |
CA000532358A CA1296012C (en) | 1986-03-19 | 1987-03-18 | 6,7-dihydroxy-isoquinoline derivatives |
KR1019870002518A KR950001027B1 (ko) | 1986-03-19 | 1987-03-19 | 세팔로스포린 유도체의 제조 방법 |
US07/029,903 US4782155A (en) | 1986-03-19 | 1987-03-25 | Cephalosporin derivatives, processes for their preparation and antibacterial agents |
KR1019940029965A KR950004702B1 (ko) | 1986-03-19 | 1994-11-15 | 이소퀴놀린 유도체의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269804A JPH0749420B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 新規6,7−ジ置換イソキノリン誘導体及びその製造法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61059368 Division | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62234068A JPS62234068A (ja) | 1987-10-14 |
JPH0749420B2 true JPH0749420B2 (ja) | 1995-05-31 |
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ID=17477402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61269804A Expired - Lifetime JPH0749420B2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-11-14 | 新規6,7−ジ置換イソキノリン誘導体及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0749420B2 (ja) |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61269804A patent/JPH0749420B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ChemicalAbstracts要約番号87:128178 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62234068A (ja) | 1987-10-14 |
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