JPH0749411Y2 - 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 - Google Patents
半導体耐久試験用の液槽式前処理装置Info
- Publication number
- JPH0749411Y2 JPH0749411Y2 JP1990103034U JP10303490U JPH0749411Y2 JP H0749411 Y2 JPH0749411 Y2 JP H0749411Y2 JP 1990103034 U JP1990103034 U JP 1990103034U JP 10303490 U JP10303490 U JP 10303490U JP H0749411 Y2 JPH0749411 Y2 JP H0749411Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage tank
- liquid storage
- sample
- chamber
- treatment liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 本考案は、半導体パッケージを実装前に検査する耐久試
験用前処理装置に関する。
験用前処理装置に関する。
《従来技術》 半導体パッケージはその脚部をプリント基板等にハンダ
付けにより固定して使用されることが多いが、ケース内
に収容されているチップがマイクロクラックやブリッジ
等の欠陥を有する場合がある。この欠陥を内蔵したパッ
ケージをプリント基板に実装すると、多数装着されてい
るパッケージのうちどのパッケージが欠陥品であるか判
別しにくいことから、このような場合には基板全体を廃
棄することになる。このため、パッケージの実装前にパ
ッケージの導通試験をすることが望ましいが、このよう
な欠陥はハンダ付け作業時の加熱により発生することが
多いことから、従来、このような導通試験は個々のパッ
ケージをピンセットで挟み、ハンダ浴槽に浸漬させてパ
ッケージをハンダ付け用試験温度に加熱した後に行って
いた。
付けにより固定して使用されることが多いが、ケース内
に収容されているチップがマイクロクラックやブリッジ
等の欠陥を有する場合がある。この欠陥を内蔵したパッ
ケージをプリント基板に実装すると、多数装着されてい
るパッケージのうちどのパッケージが欠陥品であるか判
別しにくいことから、このような場合には基板全体を廃
棄することになる。このため、パッケージの実装前にパ
ッケージの導通試験をすることが望ましいが、このよう
な欠陥はハンダ付け作業時の加熱により発生することが
多いことから、従来、このような導通試験は個々のパッ
ケージをピンセットで挟み、ハンダ浴槽に浸漬させてパ
ッケージをハンダ付け用試験温度に加熱した後に行って
いた。
《解決しようとする課題》 ところが、従来の方式では、個々のパッケージをピンセ
ットで挟んでハンダ浴槽に浸漬させるものであること
が、手間がかかるという問題があった。
ットで挟んでハンダ浴槽に浸漬させるものであること
が、手間がかかるという問題があった。
本考案は、このような点に着目してなされたもので、パ
ッケージの全数を簡単、かつ確実にハンダ付け試験温度
まで上昇させ、かつ取り出し時に常温まで降下させるこ
とのできる耐久試験用前処理装置を提供することを目的
とする。
ッケージの全数を簡単、かつ確実にハンダ付け試験温度
まで上昇させ、かつ取り出し時に常温まで降下させるこ
とのできる耐久試験用前処理装置を提供することを目的
とする。
《課題を解決するための手段》 上記目的を達成するために本考案は、ケーシング内に試
料搬出入室と試料熱処理室とを上下に区画して形成し、
試料熱処理室にフッ素系不活性液からなる処理液を貯溜
する処理液貯溜槽とフッ素系不活性液からなる洗浄液貯
溜槽とを配置し、この処理液貯溜槽に加熱手段を配置し
て処理貯溜槽内の処理液を加熱可能に構成し、試料搬出
入室内に試料かごを試料搬出入室と各貯溜槽との間で昇
降させる昇降手段を配置し、この昇降手段を処理液貯溜
槽の上側に対応する状態と洗浄液貯溜槽の上側に対応す
る状態とに切り替え移動可能に配置し、試料搬出入室と
処理液貯溜槽との接続通路部分に凝縮用冷却手段を配置
したことを特徴としている。
料搬出入室と試料熱処理室とを上下に区画して形成し、
試料熱処理室にフッ素系不活性液からなる処理液を貯溜
する処理液貯溜槽とフッ素系不活性液からなる洗浄液貯
溜槽とを配置し、この処理液貯溜槽に加熱手段を配置し
て処理貯溜槽内の処理液を加熱可能に構成し、試料搬出
入室内に試料かごを試料搬出入室と各貯溜槽との間で昇
降させる昇降手段を配置し、この昇降手段を処理液貯溜
槽の上側に対応する状態と洗浄液貯溜槽の上側に対応す
る状態とに切り替え移動可能に配置し、試料搬出入室と
処理液貯溜槽との接続通路部分に凝縮用冷却手段を配置
したことを特徴としている。
《作用》 本考案は、例えば図面に示すように、次のように作用す
る。
る。
試料搬出入室２で試料かご８に試料（半導体パッケー
ジ）を収納した後、昇降手段９によって試料かご８を、
例えば、先ず処理液貯溜槽５に下降させて、処理液貯溜
槽５内の処理液（フッ素系不活性液）に浸漬させる。
ジ）を収納した後、昇降手段９によって試料かご８を、
例えば、先ず処理液貯溜槽５に下降させて、処理液貯溜
槽５内の処理液（フッ素系不活性液）に浸漬させる。
処理液貯溜槽５内の処理液は加熱手段10によって加熱さ
れており、試料かご８内の試料は処理液貯溜槽５内の処
理液によって加熱されてハンダ付け試験温度等まで昇温
する。この後、昇降手段９によって試料かご８を処理液
貯溜槽５から上昇させ、洗浄液貯溜槽６の上側まで移動
させた後に下降させ、洗浄液貯溜槽６内の洗浄液（フッ
素系不活性液）に浸漬させる。これにより、試料かご８
内の試料に付着している油脂類が除去される。
れており、試料かご８内の試料は処理液貯溜槽５内の処
理液によって加熱されてハンダ付け試験温度等まで昇温
する。この後、昇降手段９によって試料かご８を処理液
貯溜槽５から上昇させ、洗浄液貯溜槽６の上側まで移動
させた後に下降させ、洗浄液貯溜槽６内の洗浄液（フッ
素系不活性液）に浸漬させる。これにより、試料かご８
内の試料に付着している油脂類が除去される。
この後、昇降手段９によって試料かご８を洗浄液貯溜槽
６から上昇させ、試料搬出入室２で試料かご８から試料
を搬出する。
６から上昇させ、試料搬出入室２で試料かご８から試料
を搬出する。
一方、処理液貯溜槽５と試料搬出入室２とを連通する接
続通路15は、冷却手段16によって冷却されており、処理
液貯溜槽５での加熱によって蒸発した処理液は、接続通
路16で冷却されて凝縮し、処理液貯溜槽５内に回収され
る。
続通路15は、冷却手段16によって冷却されており、処理
液貯溜槽５での加熱によって蒸発した処理液は、接続通
路16で冷却されて凝縮し、処理液貯溜槽５内に回収され
る。
また、試料かご８は処理液貯溜槽５から上昇する際に、
接続通路16で冷却されて試料かご８及び試料かご８内の
試料の温度が低下する。これにより、試料かご８を洗浄
液貯溜槽６内の洗浄液に浸漬させた際に、試料かご８及
び試料かご８内の試料の熱量によって洗浄液貯溜槽６内
の洗浄液が蒸発することが低減される。
接続通路16で冷却されて試料かご８及び試料かご８内の
試料の温度が低下する。これにより、試料かご８を洗浄
液貯溜槽６内の洗浄液に浸漬させた際に、試料かご８及
び試料かご８内の試料の熱量によって洗浄液貯溜槽６内
の洗浄液が蒸発することが低減される。
《実施例》 図面は本考案の実施例を示し、第１図は縦断正面図であ
る。
る。
この前処理装置は、ケーシング（１）に試料搬出入室
（２）と試料熱処理室（３）、及び冷凍ユニット収容室
（４）とを上下に区画して形成し、試料熱処理室（３）
に処理液貯溜槽（５）と洗浄液貯溜槽（６）とを並べて
収容するとともに、冷凍ユニット収容室（４）には冷凍
ユニット（７）が収納してある。また、試料搬出入室
（２）には試料となる半導体パッケージを収納する試料
かご（８）の昇降手段（９）が配置してある。この昇降
手段（９）はエアシリンダやボールネジ式搬送装置で構
成されており、試料かご（８）を試料搬出入室（２）と
試料熱処理室（３）内の処理液貯溜槽（５）及び洗浄液
貯溜槽（６）との間で昇降移動するとともに、試料搬出
入室内で試料かご（８）の保持部分を処理液貯溜槽
（５）の上側対応個所と洗浄液貯溜槽（６）の上側対応
個所との間を往復移動させるように構成してある。
（２）と試料熱処理室（３）、及び冷凍ユニット収容室
（４）とを上下に区画して形成し、試料熱処理室（３）
に処理液貯溜槽（５）と洗浄液貯溜槽（６）とを並べて
収容するとともに、冷凍ユニット収容室（４）には冷凍
ユニット（７）が収納してある。また、試料搬出入室
（２）には試料となる半導体パッケージを収納する試料
かご（８）の昇降手段（９）が配置してある。この昇降
手段（９）はエアシリンダやボールネジ式搬送装置で構
成されており、試料かご（８）を試料搬出入室（２）と
試料熱処理室（３）内の処理液貯溜槽（５）及び洗浄液
貯溜槽（６）との間で昇降移動するとともに、試料搬出
入室内で試料かご（８）の保持部分を処理液貯溜槽
（５）の上側対応個所と洗浄液貯溜槽（６）の上側対応
個所との間を往復移動させるように構成してある。
処理液貯溜槽（５）及び洗浄液貯溜槽（６）内には、ガ
ルデン（登録商標）液やデムナム（登録商標）液等のフ
ッ素系不活性液が処理液及び洗浄液として貯溜してあ
り、処理液貯溜槽（５）はその外周に配置したヒータ
（10）で処理液を245〜260℃のハンダ付け用試験温度に
維持するようにしてある。また、洗浄液貯溜槽（６）は
その内部に配置した冷却管（11）で洗浄液の液温を所定
温度に維持するようにしてある。そして、処理液貯溜槽
（５）及び洗浄液貯溜槽（６）には撹拌手段（13）と温
度センサー（14）とがそれぞれ配置してある。
ルデン（登録商標）液やデムナム（登録商標）液等のフ
ッ素系不活性液が処理液及び洗浄液として貯溜してあ
り、処理液貯溜槽（５）はその外周に配置したヒータ
（10）で処理液を245〜260℃のハンダ付け用試験温度に
維持するようにしてある。また、洗浄液貯溜槽（６）は
その内部に配置した冷却管（11）で洗浄液の液温を所定
温度に維持するようにしてある。そして、処理液貯溜槽
（５）及び洗浄液貯溜槽（６）には撹拌手段（13）と温
度センサー（14）とがそれぞれ配置してある。
さらに、処理液貯溜槽（５）と試料搬出入室（２）とを
連通する接続通路（15）の外部に冷却コイル（16）を巻
回し、この冷却コイル（16）を前述の冷凍ユニット
（７）に連通接続することにより、接続通路（15）部分
を冷却して、処理液貯溜槽（５）からの蒸気を凝縮する
とともに、処理液貯溜槽（５）で加熱された試料かご
（８）がこの接続通路（15）部分を通過する間に、試料
かご（８）に収容されている半導体パッケージを冷却す
るように構成してある。さらに、処理液貯溜槽（５）及
び洗浄液貯溜槽（６）の上部からそれぞれ圧力抜き路
（17）が導出してあり、この圧力抜き路（17）中に排出
ファンと処理液回収用クーラ（18）とが配置してあり、
処理液回収クーラ（18）を前述の冷凍機ユニット（７）
に連続接続させることにより、処理液回収クーラ（18）
で排気を冷却して、排気中に含まれている処理液成分及
び洗浄液成分を凝縮して回収するとともに、この冷却し
た気体を循環させて、ケース内の雰囲気を低下させるよ
うにしてある。
連通する接続通路（15）の外部に冷却コイル（16）を巻
回し、この冷却コイル（16）を前述の冷凍ユニット
（７）に連通接続することにより、接続通路（15）部分
を冷却して、処理液貯溜槽（５）からの蒸気を凝縮する
とともに、処理液貯溜槽（５）で加熱された試料かご
（８）がこの接続通路（15）部分を通過する間に、試料
かご（８）に収容されている半導体パッケージを冷却す
るように構成してある。さらに、処理液貯溜槽（５）及
び洗浄液貯溜槽（６）の上部からそれぞれ圧力抜き路
（17）が導出してあり、この圧力抜き路（17）中に排出
ファンと処理液回収用クーラ（18）とが配置してあり、
処理液回収クーラ（18）を前述の冷凍機ユニット（７）
に連続接続させることにより、処理液回収クーラ（18）
で排気を冷却して、排気中に含まれている処理液成分及
び洗浄液成分を凝縮して回収するとともに、この冷却し
た気体を循環させて、ケース内の雰囲気を低下させるよ
うにしてある。
また図中符号（19）は試料搬出入室（２）の側部に配置
した制御ボックス。
した制御ボックス。
《効果》 本考案は、上記のように構成され作用することから次の
効果を奏する。
効果を奏する。
ａ）試料（半導体パッケージ）を試料かごに収容し、こ
の試料かごを処理液貯溜槽に貯溜する処理液に浸漬させ
て、試料かご内の半導体パッケージの全数を同時にハン
ダ付け試験温度等まで昇温させるので、従来の個々の半
導体パッケージをピンセットで挟んでハンダ浴槽に浸漬
させるものに比して、半導体パッケージを容易、且つ、
効率よくハンダ付け試験温度等まで昇温させることがで
きる。
の試料かごを処理液貯溜槽に貯溜する処理液に浸漬させ
て、試料かご内の半導体パッケージの全数を同時にハン
ダ付け試験温度等まで昇温させるので、従来の個々の半
導体パッケージをピンセットで挟んでハンダ浴槽に浸漬
させるものに比して、半導体パッケージを容易、且つ、
効率よくハンダ付け試験温度等まで昇温させることがで
きる。
ｂ）しかも処理液貯溜槽に貯溜する処理液を熱伝導性に
優れ、表面張力の小さいフッ素系不活性液としているの
で、加熱効率が良く、処理液を短時間でハンダ付け試験
温度等まで昇温できる。また、洗浄液貯溜槽に貯溜する
洗浄液もフッ素系不活性液としているので、液切れが良
く、早い処理速度で半導体パッケージの洗浄処理を行う
ことができる。
優れ、表面張力の小さいフッ素系不活性液としているの
で、加熱効率が良く、処理液を短時間でハンダ付け試験
温度等まで昇温できる。また、洗浄液貯溜槽に貯溜する
洗浄液もフッ素系不活性液としているので、液切れが良
く、早い処理速度で半導体パッケージの洗浄処理を行う
ことができる。
ｃ）凝縮用冷却手段によって接続通路部分が冷却される
ことにより、処理液貯溜槽内の処理液の蒸気が接続通路
部分で凝縮して処理液貯溜槽に回収されるので、試料搬
出入室へ処理液の蒸気が拡散することが低減され、処理
液の消費量が低減されるとともに、処理液の蒸気によっ
て装置周辺が汚染されることが低減される。
ことにより、処理液貯溜槽内の処理液の蒸気が接続通路
部分で凝縮して処理液貯溜槽に回収されるので、試料搬
出入室へ処理液の蒸気が拡散することが低減され、処理
液の消費量が低減されるとともに、処理液の蒸気によっ
て装置周辺が汚染されることが低減される。
ｄ）また、処理液貯溜槽に浸漬されて加熱（例えば245
℃〜260℃）された試料かごが接続通路部分を通過する
間に、試料かご及び試料かご内の半導体パッケージが冷
却されるので、試料かごを処理液貯溜槽から引き上げた
後、直ちに洗浄液貯溜槽に浸漬させても、洗浄液貯溜槽
内の洗浄液が試料かご及び試料かご内の半導体パッケー
ジの熱量で蒸発することが低減され、蒸発による洗浄液
の消費量が低減されるとともに、洗浄液の蒸気によって
装置周辺が汚染されることが低減される。
℃〜260℃）された試料かごが接続通路部分を通過する
間に、試料かご及び試料かご内の半導体パッケージが冷
却されるので、試料かごを処理液貯溜槽から引き上げた
後、直ちに洗浄液貯溜槽に浸漬させても、洗浄液貯溜槽
内の洗浄液が試料かご及び試料かご内の半導体パッケー
ジの熱量で蒸発することが低減され、蒸発による洗浄液
の消費量が低減されるとともに、洗浄液の蒸気によって
装置周辺が汚染されることが低減される。
図面は本考案の実施例を示す縦断正面図である。 １…ケーシング、２…試料搬出入室、３…試料熱処理
室、５…処理液貯溜槽、６…洗浄液貯溜槽、８…試料か
ご、９…昇降手段、10…加熱手段、15…接続通路、16…
凝縮用冷却手段。
室、５…処理液貯溜槽、６…洗浄液貯溜槽、８…試料か
ご、９…昇降手段、10…加熱手段、15…接続通路、16…
凝縮用冷却手段。
Claims (1)
- 【請求項１】ケーシング（１）内に試料搬出入室（２）
と試料熱処理室（３）とを上下に区画して形成し、試料
熱処理室（３）にフッ素系不活性液からなる処理液を貯
溜する処理液貯溜槽（５）とフッ素系不活性液からなる
洗浄液を貯溜する洗浄液貯溜槽（６）とを配置し、この
処理液貯溜槽（５）に加熱手段（10）を配置して処理液
貯溜槽（５）内の処理液を加熱可能に構成し、試料搬出
入室（２）内に試料かご（８）を試料搬出入室（２）と
各液貯溜槽（５）（６）と間で昇降させる昇降手段
（９）を配置し、この昇降手段（９）を処理液貯溜槽
（５）の上側に対応する状態と洗浄液貯溜槽（６）の上
側に対応する状態とに切り替え移動可能に配置し、試料
搬出入室（２）と処理液貯溜槽（５）との接続通路（1
5）部分に凝縮用冷却手段（16）を配置した半導体耐久
試験用液槽式前処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990103034U JPH0749411Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990103034U JPH0749411Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459452U JPH0459452U (ja) | 1992-05-21 |
| JPH0749411Y2 true JPH0749411Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31847760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990103034U Expired - Lifetime JPH0749411Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749411Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2690970B2 (ja) * | 1988-10-03 | 1997-12-17 | タバイエスペック株式会社 | 液槽式環境試験装置 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP1990103034U patent/JPH0749411Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459452U (ja) | 1992-05-21 |
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