JPH0748606B2 - 膜抵抗終端器 - Google Patents
膜抵抗終端器Info
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- JPH0748606B2 JPH0748606B2 JP50271190A JP50271190A JPH0748606B2 JP H0748606 B2 JPH0748606 B2 JP H0748606B2 JP 50271190 A JP50271190 A JP 50271190A JP 50271190 A JP50271190 A JP 50271190A JP H0748606 B2 JPH0748606 B2 JP H0748606B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術の分野〕 本発明は膜抵抗器を使用した終端器に関する。更に詳し
くいうと、本発明はマイクロ波帯等で使用され、マイク
ロストリップ線路と膜抵抗器を使用して構成された無反
射終端器の特にその構成に関する。
くいうと、本発明はマイクロ波帯等で使用され、マイク
ロストリップ線路と膜抵抗器を使用して構成された無反
射終端器の特にその構成に関する。
膜抵抗終端器とは、伝送路を伝播するエネルギを反射す
ることなく吸収して線路を終端するものである。その際
に吸収されたエネルギは熱に変換される。つまり入力信
号に対し無反射とするものであり、例えばハイブリッド
回路等の終端器として信号を吸収するのに使用されるも
のである。
ることなく吸収して線路を終端するものである。その際
に吸収されたエネルギは熱に変換される。つまり入力信
号に対し無反射とするものであり、例えばハイブリッド
回路等の終端器として信号を吸収するのに使用されるも
のである。
上記膜抵抗終端器の従来からある一例の構成を第1,2図
に示す。第１図は膜抵抗終端器を真上からみた状態を示
し、第２図は第１図におけるＹ−Ｙ′の断面図を示す。
図中10は誘導体基板、11は導体膜、12は接地導体、13は
第１のマイクロストリップ線路、14は第２のマイクロス
トリップ線路、15は導体リボン、30は窒化タンタルなど
の薄膜または厚膜よりなる膜抵抗器である。
に示す。第１図は膜抵抗終端器を真上からみた状態を示
し、第２図は第１図におけるＹ−Ｙ′の断面図を示す。
図中10は誘導体基板、11は導体膜、12は接地導体、13は
第１のマイクロストリップ線路、14は第２のマイクロス
トリップ線路、15は導体リボン、30は窒化タンタルなど
の薄膜または厚膜よりなる膜抵抗器である。
該膜抵抗器の構成について説明する。接地導体12の一部
には一段下がった平坦部が形成されている。該平坦部に
は裏面が導体膜11でおおわれた誘電体基板10が搭載され
る。また誘電体基板10上には信号の入力部である第１の
マイクロストリップ線路13と、該第１のマイクロストリ
ップ線路13に接続された終端抵抗となる膜抵抗器30及び
該膜抵抗器30を接地するための第２のマイクロストリッ
プ線路14が構成されている。このとき該第２のマイクロ
ストリップ線路14は誘電体基板10の端部に配設され、且
つ接地導体12の上段面とほぼ平坦となっている。また誘
電体基板10の裏面の導体膜11は接地導体12の前記平坦部
に密着される構成となっている。更に第２のマイクロス
トリップ線路14と接地導体12を電気的に接続する導体リ
ボン15が構成されている。また各構成要素の特性及び寸
法等は例えば、誘電体基板10は誘電率9.8、厚さ0.38mm
のアルミナセラミックである。マイクロストリップ線路
13,14は幅0.36mm,厚さ0.003mmの導体であり、第２のマ
イクロストリップ線路14の長さは0.1mmである。膜抵抗
器30は幅0.3mm,長さ0.3mmである。
には一段下がった平坦部が形成されている。該平坦部に
は裏面が導体膜11でおおわれた誘電体基板10が搭載され
る。また誘電体基板10上には信号の入力部である第１の
マイクロストリップ線路13と、該第１のマイクロストリ
ップ線路13に接続された終端抵抗となる膜抵抗器30及び
該膜抵抗器30を接地するための第２のマイクロストリッ
プ線路14が構成されている。このとき該第２のマイクロ
ストリップ線路14は誘電体基板10の端部に配設され、且
つ接地導体12の上段面とほぼ平坦となっている。また誘
電体基板10の裏面の導体膜11は接地導体12の前記平坦部
に密着される構成となっている。更に第２のマイクロス
トリップ線路14と接地導体12を電気的に接続する導体リ
ボン15が構成されている。また各構成要素の特性及び寸
法等は例えば、誘電体基板10は誘電率9.8、厚さ0.38mm
のアルミナセラミックである。マイクロストリップ線路
13,14は幅0.36mm,厚さ0.003mmの導体であり、第２のマ
イクロストリップ線路14の長さは0.1mmである。膜抵抗
器30は幅0.3mm,長さ0.3mmである。
該構成において、一般に終端器として機能させるため、
互いに整合がとれるように第１のマイクロストリップ線
路の特性インピーダンスと膜抵抗器の直流抵抗値を等し
くする。ここでは第１のマイクロストリップ線路の特性
インピーダンスを50Ωとし、それに応じて膜抵抗器30の
直流抵抗値を前記特性インピーダンスに等しい50Ωにな
るようにしている。該構成により入力信号に対して終端
を行っている。
互いに整合がとれるように第１のマイクロストリップ線
路の特性インピーダンスと膜抵抗器の直流抵抗値を等し
くする。ここでは第１のマイクロストリップ線路の特性
インピーダンスを50Ωとし、それに応じて膜抵抗器30の
直流抵抗値を前記特性インピーダンスに等しい50Ωにな
るようにしている。該構成により入力信号に対して終端
を行っている。
上述したような従来の膜抵抗終端器でのリターンロス、
即ち入力信号に対してどの程度の反射波が現れるかの割
合を第３図中のＡに示す。このグラフは上記に示した膜
抵抗終端器において、各主要部の寸法を入力し、入力信
号を周波数を変化させてシミュレーションによりリター
ンロスを計算した結果である。
即ち入力信号に対してどの程度の反射波が現れるかの割
合を第３図中のＡに示す。このグラフは上記に示した膜
抵抗終端器において、各主要部の寸法を入力し、入力信
号を周波数を変化させてシミュレーションによりリター
ンロスを計算した結果である。
第３図Ａのグラフからわかるように、従来の膜抵抗器の
構成では、比較的低周波数帯では良いリターンロスを得
ているが高周波数帯になるにつれてリターンロスは悪く
なってきている。
構成では、比較的低周波数帯では良いリターンロスを得
ているが高周波数帯になるにつれてリターンロスは悪く
なってきている。
次にこの高い周波数におけるリターンロスの悪化の原因
を考える。この原因としては周波数の影響を受けやすい
膜抵抗器が考えられる。そこで、膜抵抗器の特性を調べ
るため、以下に第４図の負荷短絡の損失のある伝送路の
入力インピーダンスの求め方を示す α；減衰定数 β；位相定数 ZR；特性インピーダンス〔Ω〕 としたときに、その伝送路の入力インピーダンスZinは
次式で表される。
を考える。この原因としては周波数の影響を受けやすい
膜抵抗器が考えられる。そこで、膜抵抗器の特性を調べ
るため、以下に第４図の負荷短絡の損失のある伝送路の
入力インピーダンスの求め方を示す α；減衰定数 β；位相定数 ZR；特性インピーダンス〔Ω〕 としたときに、その伝送路の入力インピーダンスZinは
次式で表される。
ここで Ｋ＝exp（２α１） また、特性インピーダンスZRは次式で表される。
ZR＝〔（R0＋ｊωL0）／（G0＋ｊωC0）〕1/2 ただし、R0；単位長当たりの抵抗 G0；単位長当たりのコンダクタンス L0；単位長当たりのインダクタンス C0；単位長当たりのキャパシタンス ここで、G0≫ωC0とすれば、 ZR＝Z0（１−ｊ・R0／ωL0）1/2 ただし、Z0＝（L0／C0）1/2 で無損失伝送路の特性インピーダンスである。
ZR＝RR−jXRとすると、入力インピーダンスZinは以下の
ようになる。
ようになる。
Zin＝（Ｒ＋jX）／（K2＋１＋2Kcos2β１） ・・・
（１） ここで、 Ｒ＝RR（K2−１）＋2KXRsin2β１ ・・・（２） Ｘ＝2KRRsin2β１−XR（K2−１） ・・・（３） 以上の如く入力インピーダンスは求められる。
（１） ここで、 Ｒ＝RR（K2−１）＋2KXRsin2β１ ・・・（２） Ｘ＝2KRRsin2β１−XR（K2−１） ・・・（３） 以上の如く入力インピーダンスは求められる。
つまり上記方法により膜抵抗器の入力インピーダンスを
求めると、同じ条件のもとでは周波数が１〜20GHzと高
くなるにつれて前記（１）式の虚数項が大きくなる。つ
まり膜抵抗器を見込んだ入力インピーダンスの誘導性リ
アンクタンスが大きくなる。更に同様の原因によりマイ
クロストリップ線路14の持つ誘導性リアクタンス成分も
大きくなる。誘導性リアクタンスが大きくなると第１の
マイクロストリップ線路13から膜抵抗器側をみたインピ
ーダンス特性が劣化することになる。
求めると、同じ条件のもとでは周波数が１〜20GHzと高
くなるにつれて前記（１）式の虚数項が大きくなる。つ
まり膜抵抗器を見込んだ入力インピーダンスの誘導性リ
アンクタンスが大きくなる。更に同様の原因によりマイ
クロストリップ線路14の持つ誘導性リアクタンス成分も
大きくなる。誘導性リアクタンスが大きくなると第１の
マイクロストリップ線路13から膜抵抗器側をみたインピ
ーダンス特性が劣化することになる。
以上のように従来の膜抵抗終端器では、周波数が高くな
るにつれてリターンロスが悪くなり、充分な終端特性が
えられなくなってしまうという問題が生じていた。
るにつれてリターンロスが悪くなり、充分な終端特性が
えられなくなってしまうという問題が生じていた。
本発明は簡易な構成により、広帯域においてリターンロ
スのよい膜抵抗終端器の提供を目的とする。更に詳しく
言えば、膜抵抗終端器の一構成である膜抵抗器のリアク
タンス成分をより０に近づけることにより、リターンロ
スを良くする膜抵抗終端器の提供を目的とする。
スのよい膜抵抗終端器の提供を目的とする。更に詳しく
言えば、膜抵抗終端器の一構成である膜抵抗器のリアク
タンス成分をより０に近づけることにより、リターンロ
スを良くする膜抵抗終端器の提供を目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は第１の手段として第
６図に示すように膜抵抗器を使用した膜抵抗終端器に於
いて、誘電体基板10上に形成され、入力信号を伝播する
第１のマイクロストリップ線路13と、一端が前記マイク
ロストリップ線路の端に接続され、他端が接地され、前
記入力信号を終端させるための第１の膜抵抗器30と、前
記第１の膜抵抗器30に並列に接続され、前記第１の膜抵
抗器30のもつ誘導性リアクタンス成分を打ち消すための
容量性リアクタンス成分を有する第２の膜抵抗器40とを
有する膜抵抗終端器を構成することにより達成される。
６図に示すように膜抵抗器を使用した膜抵抗終端器に於
いて、誘電体基板10上に形成され、入力信号を伝播する
第１のマイクロストリップ線路13と、一端が前記マイク
ロストリップ線路の端に接続され、他端が接地され、前
記入力信号を終端させるための第１の膜抵抗器30と、前
記第１の膜抵抗器30に並列に接続され、前記第１の膜抵
抗器30のもつ誘導性リアクタンス成分を打ち消すための
容量性リアクタンス成分を有する第２の膜抵抗器40とを
有する膜抵抗終端器を構成することにより達成される。
更に第２の手段として第８図に示すように誘電体基板10
上に形成され、入力信号を伝播する第１のマイクロスト
リップ線路13と、一端が前記マイクロストリップ線路の
端に接続され、他端が接地され、前記入力信号を終端さ
せるための第１の膜抵抗器とを有する膜抵抗終端器に於
いて、前記第１の膜抵抗器の幅を分割して複数の膜抵抗
器31,32,33を並列接続して前記第１の膜抵抗器を構成し
た膜抵抗終端器により目的を達成するものである。
上に形成され、入力信号を伝播する第１のマイクロスト
リップ線路13と、一端が前記マイクロストリップ線路の
端に接続され、他端が接地され、前記入力信号を終端さ
せるための第１の膜抵抗器とを有する膜抵抗終端器に於
いて、前記第１の膜抵抗器の幅を分割して複数の膜抵抗
器31,32,33を並列接続して前記第１の膜抵抗器を構成し
た膜抵抗終端器により目的を達成するものである。
第１図は従来の膜抵抗終端器を示す図、 第２図は第１図におけるＹ−Ｙ′の断面図、 第３図は種々の膜抵抗終端器におけるリターンロスを示
す図、 第４図は負荷短絡の損失のある伝送路の回路図、 第５図は各種膜抵抗器の長さを可変とした場合の入力イ
ンピーダンスを示す図、 第６図は本発明の第１の実施例を示す図、 第７図は第６図におけるＸ−Ｘ′の断面図、 第８図は本発明の第２の実施例を示す図、 第９図は第８図におけるＢ−Ｂ′の断面図である。
す図、 第４図は負荷短絡の損失のある伝送路の回路図、 第５図は各種膜抵抗器の長さを可変とした場合の入力イ
ンピーダンスを示す図、 第６図は本発明の第１の実施例を示す図、 第７図は第６図におけるＸ−Ｘ′の断面図、 第８図は本発明の第２の実施例を示す図、 第９図は第８図におけるＢ−Ｂ′の断面図である。
（実施例） 本発明の第１の実施例を第6,7図に示す。第６図は実施
例の膜抵抗終端器を真上から見た図であり、第７図は第
６図のＸ−Ｘ′の断面図である。尚、全図を通じて同一
符号は同一対象物を示すものである。
例の膜抵抗終端器を真上から見た図であり、第７図は第
６図のＸ−Ｘ′の断面図である。尚、全図を通じて同一
符号は同一対象物を示すものである。
更に、第５図馬尾は膜抵抗器の入力インピーダンスを説
明するための図である。本図においては、リアクタンス
成分の影響を大きく受ける高周波である20GHzについて
説明しているものである。本実施例では膜抵抗器による
誘導性リアクタンス成分を別の容量性リアクタンス成分
を有する膜抵抗器を設けることにより打ち消すものであ
る。そのために、多種の寸法を有する膜抵抗器について
その長さを変化させ、第５図の如き軌跡を複数描き、そ
の中から合成抵抗値が所望の値で、合成リアクタンス成
分が０により近くなるような最良の組み合わせにより膜
抵抗終端器を構成するものである。
明するための図である。本図においては、リアクタンス
成分の影響を大きく受ける高周波である20GHzについて
説明しているものである。本実施例では膜抵抗器による
誘導性リアクタンス成分を別の容量性リアクタンス成分
を有する膜抵抗器を設けることにより打ち消すものであ
る。そのために、多種の寸法を有する膜抵抗器について
その長さを変化させ、第５図の如き軌跡を複数描き、そ
の中から合成抵抗値が所望の値で、合成リアクタンス成
分が０により近くなるような最良の組み合わせにより膜
抵抗終端器を構成するものである。
本実施例は従来例と同様、裏面を導体膜11でおおわれた
誘電体基板10と、接地導体12と、マイクロストリップ線
路13,14と、膜抵抗器30と、導体リボン15とから構成し
た膜抵抗終端器に、更に、前記膜抵抗器30のもつ誘電性
リアクタンスを打ち消すための容量性リアクタンスをも
つ膜抵抗器40を設けたものである。また前記膜抵抗40を
大地に接地するためのマイクロストリップ線路24及び導
体リボン25を付加した構成をとっている。
誘電体基板10と、接地導体12と、マイクロストリップ線
路13,14と、膜抵抗器30と、導体リボン15とから構成し
た膜抵抗終端器に、更に、前記膜抵抗器30のもつ誘電性
リアクタンスを打ち消すための容量性リアクタンスをも
つ膜抵抗器40を設けたものである。また前記膜抵抗40を
大地に接地するためのマイクロストリップ線路24及び導
体リボン25を付加した構成をとっている。
ここで本実施例での誘電体基板10は比誘電率9.8、厚さ
0.38mmのアルミナセラミック、マイクロストリップ線路
13は幅0.36mm、厚さ0.003mmの導体であり、膜抵抗器30
を接地するためのマイクロストリップ線路14は幅0.36m
m、長さ0.1mmであり、このマイクロストリップ線路14を
導体リボン15で接地している。新たに追加される膜抵抗
器40は幅0.1mm、長さ1mmであり、これを大地に接地する
マイクロストリップ線路24は幅0.15mm、長さ0.1mmのも
のを使用している。尚、膜抵抗の面積抵抗率は50Ω／□
のものを使用する。
0.38mmのアルミナセラミック、マイクロストリップ線路
13は幅0.36mm、厚さ0.003mmの導体であり、膜抵抗器30
を接地するためのマイクロストリップ線路14は幅0.36m
m、長さ0.1mmであり、このマイクロストリップ線路14を
導体リボン15で接地している。新たに追加される膜抵抗
器40は幅0.1mm、長さ1mmであり、これを大地に接地する
マイクロストリップ線路24は幅0.15mm、長さ0.1mmのも
のを使用している。尚、膜抵抗の面積抵抗率は50Ω／□
のものを使用する。
上記寸法が決定するに当たり、下記の如きグラフを作成
する。例えば幅0.3mm、幅0.15mm及び幅0.1mmの膜抵抗器
の入力インピーダンスを前述した（１）式に具体的な数
値を入れて計算したグラフを第５図に示す。第５図の横
軸は抵抗分（以下Rinと称する）、縦軸はリアクタンス
分（以下Xinと称する）を示す。図中のａは幅0.3mmの、
ｂは幅0.15mm、Ｃは幅0.1mmの膜抵抗器の入力インピー
ダンスをそれぞれ示す。また該グラフは20GHzで膜抵抗
器の長さを0.1mmずつ変化させた点をプロットしてい
る。
する。例えば幅0.3mm、幅0.15mm及び幅0.1mmの膜抵抗器
の入力インピーダンスを前述した（１）式に具体的な数
値を入れて計算したグラフを第５図に示す。第５図の横
軸は抵抗分（以下Rinと称する）、縦軸はリアクタンス
分（以下Xinと称する）を示す。図中のａは幅0.3mmの、
ｂは幅0.15mm、Ｃは幅0.1mmの膜抵抗器の入力インピー
ダンスをそれぞれ示す。また該グラフは20GHzで膜抵抗
器の長さを0.1mmずつ変化させた点をプロットしてい
る。
第５図のａのグラフの場合、長さが０のときは当然
Rin、Xinともに０Ωであり、長さが増加していくと始め
はRin、Xinともに増加していく。但しXinは誘導性リア
クタンス成分である。Rinが約50Ωから逆にXinが減少す
る。そしてRinが略90ΩからはXinが容量性リアクタンス
となり増加していく。またRinは略115Ω程度から逆に減
少し、またXinの容量性リアクタンスも略70Ω程度から
減少し、Rinは略75Ω、Xinは略50Ωに収束する。
Rin、Xinともに０Ωであり、長さが増加していくと始め
はRin、Xinともに増加していく。但しXinは誘導性リア
クタンス成分である。Rinが約50Ωから逆にXinが減少す
る。そしてRinが略90ΩからはXinが容量性リアクタンス
となり増加していく。またRinは略115Ω程度から逆に減
少し、またXinの容量性リアクタンスも略70Ω程度から
減少し、Rinは略75Ω、Xinは略50Ωに収束する。
第５図のｂはグラフをの場合は、長さが０のときは当然
Rin、Xinともに０Ωであり、長さが増加していくと始め
はRin、Xinともに増加していく。但しXinは誘導性リア
クタンス成分である。Rinが約70Ωから逆にXinが減少す
る。そしてRinが略125ΩからはXinが容量性リアクタン
スとなり増加していく。またRinは略160Ω程度から逆に
減少し、またXinの容量性リアクタンスも略110Ω程度か
ら減少し、Rinは略120Ω、Xinは略95Ωに収束する。
Rin、Xinともに０Ωであり、長さが増加していくと始め
はRin、Xinともに増加していく。但しXinは誘導性リア
クタンス成分である。Rinが約70Ωから逆にXinが減少す
る。そしてRinが略125ΩからはXinが容量性リアクタン
スとなり増加していく。またRinは略160Ω程度から逆に
減少し、またXinの容量性リアクタンスも略110Ω程度か
ら減少し、Rinは略120Ω、Xinは略95Ωに収束する。
第５図のｃのグラフの場合、長さが０のときは当然
Rin、Xinともに０Ωであり、長さが増加していくと始め
はRin、Xinともに増加していく。但しXinは誘導性リア
クタンス成分である。Rinが約100Ωから逆にXinが減少
する。そしてRinが略140ΩからはXinが容量性リアクタ
ンスとなり増加していく。またRinは略220Ω程度から逆
に減少し、またXinの容量性リアクタンスも略150Ω程度
から減少し、Rinは略150Ω、Xinは略125Ωに収束する。
Rin、Xinともに０Ωであり、長さが増加していくと始め
はRin、Xinともに増加していく。但しXinは誘導性リア
クタンス成分である。Rinが約100Ωから逆にXinが減少
する。そしてRinが略140ΩからはXinが容量性リアクタ
ンスとなり増加していく。またRinは略220Ω程度から逆
に減少し、またXinの容量性リアクタンスも略150Ω程度
から減少し、Rinは略150Ω、Xinは略125Ωに収束する。
上記グラフから判るように、実施例における従来からあ
る膜抵抗器14は幅0.3mm、長さ0.3mmであるからグラフａ
のa1点であり、Rinは53Ωで、Xinは誘導性リアクタンス
成分で約13Ωとなる。また膜抵抗器24は幅0.1mm、長さ1
mmであるからグラフｃのc1点であり、Rinは180Ωで、X
inは容量性リアクタンス成分で約148Ωとなる。この時
の２つの膜抵抗器の合成Rin、Xinは膜抵抗器14の特性イ
ンピーダンスを（R1＋ｊX1）、膜抵抗器24の特性インピ
ーダンスを（R2＋ｊX2）とすれば次式で表される。
る膜抵抗器14は幅0.3mm、長さ0.3mmであるからグラフａ
のa1点であり、Rinは53Ωで、Xinは誘導性リアクタンス
成分で約13Ωとなる。また膜抵抗器24は幅0.1mm、長さ1
mmであるからグラフｃのc1点であり、Rinは180Ωで、X
inは容量性リアクタンス成分で約148Ωとなる。この時
の２つの膜抵抗器の合成Rin、Xinは膜抵抗器14の特性イ
ンピーダンスを（R1＋ｊX1）、膜抵抗器24の特性インピ
ーダンスを（R2＋ｊX2）とすれば次式で表される。
上記により計算すると Rin＋ｊXin＝48.56＋j4.7 となり、ほぼ所望の抵抗分50Ωに近く且つリアクタンス
成分が０に近づいていることがわかる。このため、入力
信号が高周波数の場合にはリターンロスが良くなる。上
記構成の第１の実施例でのリターンロスは第３図Ｂに示
す如く低周波数帯では従来よりも悪くなるが、高周波数
帯では従来よりも良くなる。全体としてリターンロスが
20dB以上となり、総合的にみると従来よりも良くなるも
のである。
成分が０に近づいていることがわかる。このため、入力
信号が高周波数の場合にはリターンロスが良くなる。上
記構成の第１の実施例でのリターンロスは第３図Ｂに示
す如く低周波数帯では従来よりも悪くなるが、高周波数
帯では従来よりも良くなる。全体としてリターンロスが
20dB以上となり、総合的にみると従来よりも良くなるも
のである。
更に、膜抵抗器14の長さを0.33mmと0.03mm長くすること
により、抵抗分が略50Ωとなり、その場合は第３図Ｃに
示す如く、入力信号が低周波数の場合についても従来よ
りリターンロスが良くなる。
により、抵抗分が略50Ωとなり、その場合は第３図Ｃに
示す如く、入力信号が低周波数の場合についても従来よ
りリターンロスが良くなる。
このように、第５図の如き各種寸法の膜抵抗器について
の軌跡を描き、合成リアクタンス成分がより０に近く且
つ所望の抵抗分を有するよう選択することにより、リタ
ーンロスのよい膜抵抗終端器を得ることができる。
の軌跡を描き、合成リアクタンス成分がより０に近く且
つ所望の抵抗分を有するよう選択することにより、リタ
ーンロスのよい膜抵抗終端器を得ることができる。
次に本発明の第２の実施例を第８図及び第９図に示す。
第８図は実施例の膜抵抗終端器を真上から見た図であ
り、第９図は第８図のＢ−Ｂ′の断面図である。本実施
例は従来例と同様、裏面を導体膜11でおおわれた誘電体
基板10と、接地導体12と、マイクロストリップ線路13,1
4と、導体リボン15を有する。更に本発明実施例では３
分割された膜抵抗素子31、32、33を従来の膜抵抗器30の
代わりに有する。本実施例での誘電体基板10は比誘電率
9.8、厚さ0.38mmのアルミナセラミック、マイクロスト
リップ線路13は幅0.36mm、厚さ0.003mmの導体であり、
膜抵抗器31、32、33を接地導体に接続するマイクロスト
リップ線路14は幅0.36mm、長さ0.1mmであり、このマイ
クロストリップ線路14を導体リボン15で接地している。
前記マイクロストリップ線路31、32、33の寸法は、幅0.
1mm長さ0.3mmである。
第８図は実施例の膜抵抗終端器を真上から見た図であ
り、第９図は第８図のＢ−Ｂ′の断面図である。本実施
例は従来例と同様、裏面を導体膜11でおおわれた誘電体
基板10と、接地導体12と、マイクロストリップ線路13,1
4と、導体リボン15を有する。更に本発明実施例では３
分割された膜抵抗素子31、32、33を従来の膜抵抗器30の
代わりに有する。本実施例での誘電体基板10は比誘電率
9.8、厚さ0.38mmのアルミナセラミック、マイクロスト
リップ線路13は幅0.36mm、厚さ0.003mmの導体であり、
膜抵抗器31、32、33を接地導体に接続するマイクロスト
リップ線路14は幅0.36mm、長さ0.1mmであり、このマイ
クロストリップ線路14を導体リボン15で接地している。
前記マイクロストリップ線路31、32、33の寸法は、幅0.
1mm長さ0.3mmである。
一般に、膜抵抗器の抵抗値Ｒは、膜抵抗素子の長さをｌ
〔mm〕、幅をｗ〔mm〕、抵抗率をρ〔Ωmm〕ととする
と、 Ｒ＝（ρ/t）・（l/w） ＝Rs（l/w） 〔Ω〕 Rs＝（ρ/t） で表される。
〔mm〕、幅をｗ〔mm〕、抵抗率をρ〔Ωmm〕ととする
と、 Ｒ＝（ρ/t）・（l/w） ＝Rs（l/w） 〔Ω〕 Rs＝（ρ/t） で表される。
ここで、Rsは面積抵抗率であり、膜抵抗器の長さｌ及び
幅ｗを一定とすると、抵抗値Ｒは厚さｔのみに依存する
ことになる。
幅ｗを一定とすると、抵抗値Ｒは厚さｔのみに依存する
ことになる。
これに対し、厚さｔを一定することにより面積抵抗率Rs
は一定となり、この場合の抵抗値Ｒは長さｌ及び幅ｗに
依存することになる。
は一定となり、この場合の抵抗値Ｒは長さｌ及び幅ｗに
依存することになる。
そこで本実施例では第８図に示すように、膜抵抗器を幅
方向に複数分割することにより１つの膜抵抗器について
の幅を狭くして個々の膜抵抗器の抵抗値を大きくし、そ
れらを並列接続して合成抵抗値として所望の抵抗値が得
られるものである。
方向に複数分割することにより１つの膜抵抗器について
の幅を狭くして個々の膜抵抗器の抵抗値を大きくし、そ
れらを並列接続して合成抵抗値として所望の抵抗値が得
られるものである。
以下その詳細を説明する。該膜抵抗器31、32、33の特性
インピーダンスはその寸法から第５図のグラフｃのc2点
からわかるように、Rinは約150Ωで、Xinは容量性で数
Ωである。このとき３分割された膜抵抗器の合成Rinを
計算すると50Ωとなり、従来同様の所望の直列抵抗値を
有する。逆に合成Xinは個々のリアクタンス成分が数Ω
であるため従来に比べ極めて小さな値となる。従って、
高周波数においてもマイクロストリップ線路13の特性イ
ンピーダンス特性の劣化が減少する。このため本実施例
におけるリターンロスを測定すると第３図Ｄの如く従来
に比べ良くなるものである。
インピーダンスはその寸法から第５図のグラフｃのc2点
からわかるように、Rinは約150Ωで、Xinは容量性で数
Ωである。このとき３分割された膜抵抗器の合成Rinを
計算すると50Ωとなり、従来同様の所望の直列抵抗値を
有する。逆に合成Xinは個々のリアクタンス成分が数Ω
であるため従来に比べ極めて小さな値となる。従って、
高周波数においてもマイクロストリップ線路13の特性イ
ンピーダンス特性の劣化が減少する。このため本実施例
におけるリターンロスを測定すると第３図Ｄの如く従来
に比べ良くなるものである。
更に前記第２の実施例の応用例を第10図に示す。第10図
の終端器では膜抵抗器に加えマイクロストリップ線路及
び導体リボンについても膜抵抗器に対応して分割し、マ
イクロストリップ線路34、35、36及び導体リボン26、2
7、28を設けたものである。前記第２の実施例ではマイ
クロストリップ線路14及び導体リボン15のもつXinにつ
いては考えていなかったが、膜抵抗器同様に、マイクロ
ストリップ線路14及び導体リボン15も分割することによ
りリアクタンス成分を小さくしている。従って、第３図
のＥに示すように第２の実施例より更にリターンロスが
良くなっている。
の終端器では膜抵抗器に加えマイクロストリップ線路及
び導体リボンについても膜抵抗器に対応して分割し、マ
イクロストリップ線路34、35、36及び導体リボン26、2
7、28を設けたものである。前記第２の実施例ではマイ
クロストリップ線路14及び導体リボン15のもつXinにつ
いては考えていなかったが、膜抵抗器同様に、マイクロ
ストリップ線路14及び導体リボン15も分割することによ
りリアクタンス成分を小さくしている。従って、第３図
のＥに示すように第２の実施例より更にリターンロスが
良くなっている。
以上本発明を実施例に側して説明してきた。但し、例え
ばマイクロストリップ線路と接地導体を電気的に接合す
るのは導体リボンでなく金ラインでもよく、更に、膜抵
抗器の分割数もその寸法等により３分割に限られるもの
ではなく、例えば２分割するものがある。この場合、１
つの膜抵抗器の幅は0.15mmとなる。該膜抵抗器について
その特性とみると、第５図のｂのグラフからわかるよう
に、Rinは約100Ωであり、Xinは誘導性で８Ω程度とな
る。従って、２つの膜抵抗器の合成Rinは50Ωで、従来
の膜抵抗器と同様の直列抵抗値を有し、合成Xinは従来
の膜抵抗器に比べ小さくなる。但し、上述した膜抵抗器
を３分割した場合の方がそのリアクタンス成分が充分に
小さく、より有効な手段である。このように本発明は実
施例に限られるものではない。
ばマイクロストリップ線路と接地導体を電気的に接合す
るのは導体リボンでなく金ラインでもよく、更に、膜抵
抗器の分割数もその寸法等により３分割に限られるもの
ではなく、例えば２分割するものがある。この場合、１
つの膜抵抗器の幅は0.15mmとなる。該膜抵抗器について
その特性とみると、第５図のｂのグラフからわかるよう
に、Rinは約100Ωであり、Xinは誘導性で８Ω程度とな
る。従って、２つの膜抵抗器の合成Rinは50Ωで、従来
の膜抵抗器と同様の直列抵抗値を有し、合成Xinは従来
の膜抵抗器に比べ小さくなる。但し、上述した膜抵抗器
を３分割した場合の方がそのリアクタンス成分が充分に
小さく、より有効な手段である。このように本発明は実
施例に限られるものではない。
以上述べてきたように、本発明では従来からある膜抵抗
器の持つリアクタンス成分を打ち消し且つ、抵抗分は所
望の値となる構成や、膜抵抗を分割する構成等により膜
抵抗器のリアクタンス成分を減少さるることができる。
従って、高周波数においてマイクロストリップ線路14の
インピーダンス特性の劣化が減少することになる。従っ
て、リターンロスが良くなり、高周波数においても充分
な終端を行うことが可能となる。
器の持つリアクタンス成分を打ち消し且つ、抵抗分は所
望の値となる構成や、膜抵抗を分割する構成等により膜
抵抗器のリアクタンス成分を減少さるることができる。
従って、高周波数においてマイクロストリップ線路14の
インピーダンス特性の劣化が減少することになる。従っ
て、リターンロスが良くなり、高周波数においても充分
な終端を行うことが可能となる。
Claims (8)
- 【請求項１】膜抵抗器を使用した膜抵抗終端器に於い
て、 誘電体基板（10）上に形成され、入力信号を伝播する第
１のマイクロストリップ線路（13）と、 一端が前記マイクロストリップ線路の端に接続され、他
端が接地された、前記入力信号を終端させるための第１
の膜抵抗器（30）と、 前記第１の膜抵抗器（30）に電気的に並列に接続され、
前記第１の膜抵抗器（30）のもつ誘導性リアクタンス成
分を小さくするための容量性リアクタンス成分を有する
第２の膜抵抗器（40）とを有する膜抵抗終端器。 - 【請求項２】前記第１の膜抵抗器（30）と第２の膜抵抗
器（40）の合成した直流抵抗成分が前記第１のマイクロ
ストリップ線路（13）の抵抗値に略等しくなるよう前記
膜抵抗器（40）の長さ、幅を選択して構成されることを
特徴とする請求項１記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項３】裏面に導体膜が形成された前記誘電体基板
（10）が接地導体（12）上に配置され、 前記第１及び第２の膜抵抗器（30,40）が接続される第
２のマイクロリトリップ線路（14,24）と、 該第２のマイクロストリップ線路（14,24）を前記接地
導体に接続するための導体リボン（15,25）を有して構
成されることを特徴とする請求項２記載の膜抵抗終端
器。 - 【請求項４】前記第１のマイクロストリップ線路（13）
の特性インスーダンスが50Ωであり、且つ窒化タンタル
でてきた面積抵抗率が50Ω／□の第１の膜抵抗器（30）
が幅0.33mm、長さ0.3mmで、第２の膜抵抗器（40）が幅
0.1mm、長さ1mmであることを特徴とする請求項２記載の
膜抵抗終端器。 - 【請求項５】誘電体基板（10）上に形成され、入力信号
を伝播する第１のマイクロストリップ線路（13）と、一
端が前記マイクロストリップ線路の端に接続され、他端
が接地され、前記入力信号を終端させるための第１の膜
抵抗器とを有する膜抵抗終端器に於いて、 前記第１の膜抵抗器を複数分割し、複数の膜抵抗器（3
1,32,33）を並列に接続して前記第１の膜抵抗器を構成
したことを特徴とする膜抵抗終端器。 - 【請求項６】裏面に導体膜が形成された前記誘電帯基板
（10）が接地導体（12）上に配置され、 前記第１の膜抵抗器（30）が接続される第２のマイクロ
リトリップ線路（14）と、 該第２のマイクロストリップ線路（14）を前記接地導体
に接続するための導体リボン（15,25）を有して構成さ
れることを特徴とする請求項５記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項７】前記第２のマイクロストリップ線路及び導
体リボンが前記複数の膜抵抗器に対応して複数分割され
て構成され、各膜抵抗器を接地することを特徴とする請
求項６記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項８】前記第１のマイクロストリップ線路（13）
の特性インスーダンスが50Ωで、前記第１の膜抵抗器を
３分割し、幅0.1mm、長さ0.3mmで窒化タンタルでてきた
３つの膜抵抗器を並列接続したことを特徴とする請求項
５記載の膜抵抗終端器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50271190A JPH0748606B2 (ja) | 1989-02-02 | 1990-01-24 | 膜抵抗終端器 |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2462689 | 1989-02-02 | ||
| JP24264789 | 1989-09-19 | ||
| JP1-242647 | 1989-09-19 | ||
| JP1-24626 | 1989-09-19 | ||
| US452,487 | 1989-12-19 | ||
| JP50271190A JPH0748606B2 (ja) | 1989-02-02 | 1990-01-24 | 膜抵抗終端器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05502306A JPH05502306A (ja) | 1993-04-22 |
| JPH0748606B2 true JPH0748606B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=27284726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50271190A Expired - Fee Related JPH0748606B2 (ja) | 1989-02-02 | 1990-01-24 | 膜抵抗終端器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748606B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02192201A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-30 | Toshiba Corp | マイクロストリップ線路終端器 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP50271190A patent/JPH0748606B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02192201A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-30 | Toshiba Corp | マイクロストリップ線路終端器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05502306A (ja) | 1993-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |