JPH0747834B2 - セラミック上への電気めっき方法 - Google Patents
セラミック上への電気めっき方法Info
- Publication number
- JPH0747834B2 JPH0747834B2 JP15980791A JP15980791A JPH0747834B2 JP H0747834 B2 JPH0747834 B2 JP H0747834B2 JP 15980791 A JP15980791 A JP 15980791A JP 15980791 A JP15980791 A JP 15980791A JP H0747834 B2 JPH0747834 B2 JP H0747834B2
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- Japan
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- electroplating
- ceramic
- plating
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック上への電気め
っき方法に関する。
っき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックに対し電気めっきを施す方法
としては、セラミックが非導電性であるため、まずセラ
ミックを常法に従って脱脂、エッチングした後、金属パ
ラジウム核をセラミック上に析出付着させる活性化処理
を行い、次いで無電解銅もしくはニッケルめっきを行っ
て金属パラジウム核上に無電解めっき皮膜を形成し、こ
のようにセラミックを導電化した後に電気めっきを施す
方法が採用されている。
としては、セラミックが非導電性であるため、まずセラ
ミックを常法に従って脱脂、エッチングした後、金属パ
ラジウム核をセラミック上に析出付着させる活性化処理
を行い、次いで無電解銅もしくはニッケルめっきを行っ
て金属パラジウム核上に無電解めっき皮膜を形成し、こ
のようにセラミックを導電化した後に電気めっきを施す
方法が採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電気めっきに
際し、無電解めっき皮膜の膜厚は一般に薄いので、被め
っき物である無電解めっき皮膜形成セラミックを支持す
るラックの接点付近でめっき薄膜のジュール熱による焼
損が生じる。このため、ラック接点数を多く取ることに
より焼損を防止することが行われるが、ラック接点数を
多くとることは接点跡が多く残るという欠点が生じる
上、ラックの設計も複雑化し、コスト高になる。また、
下地の無電解めっき皮膜の膜厚を厚くすることによって
も焼損を防止し得るものの、かかる解決手段は非能率的
である。
際し、無電解めっき皮膜の膜厚は一般に薄いので、被め
っき物である無電解めっき皮膜形成セラミックを支持す
るラックの接点付近でめっき薄膜のジュール熱による焼
損が生じる。このため、ラック接点数を多く取ることに
より焼損を防止することが行われるが、ラック接点数を
多くとることは接点跡が多く残るという欠点が生じる
上、ラックの設計も複雑化し、コスト高になる。また、
下地の無電解めっき皮膜の膜厚を厚くすることによって
も焼損を防止し得るものの、かかる解決手段は非能率的
である。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
下地に無電解めっき皮膜が形成されたセラミックをラッ
クの接点数を少なくする場合でも焼損を生じることなく
効率よく電気めっきを行うことができるセラミック上へ
の電気めっき方法を提供することを目的とする。
下地に無電解めっき皮膜が形成されたセラミックをラッ
クの接点数を少なくする場合でも焼損を生じることなく
効率よく電気めっきを行うことができるセラミック上へ
の電気めっき方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は上記目
的を達成するため、セラミック上に無電解めっき皮膜を
形成し、その上に電気めっきを施す方法において、電気
めっきの初期に小電流を流し、所定の膜厚に電気めっき
皮膜が形成された後、電流を増加して電気めっきを行う
ようにしたものである。
的を達成するため、セラミック上に無電解めっき皮膜を
形成し、その上に電気めっきを施す方法において、電気
めっきの初期に小電流を流し、所定の膜厚に電気めっき
皮膜が形成された後、電流を増加して電気めっきを行う
ようにしたものである。
【０００６】本発明によれば、電気めっきの通電におい
て上記のようなソフトスタートを行い、電気めっきの初
めは膜抵抗が大きいので電流を小さくし、膜圧が厚くな
ってから電流を大きく流すようにしたもので、接点数が
少なくともジュール熱による焼損が生じず、また接点数
を少なくし得るので接点跡を少なくすることができる
上、ラックの設計も簡単化し、しかも本発明の方法は電
気めっきの電流をコントロールするだけなのでめっき操
作も容易なものである。
て上記のようなソフトスタートを行い、電気めっきの初
めは膜抵抗が大きいので電流を小さくし、膜圧が厚くな
ってから電流を大きく流すようにしたもので、接点数が
少なくともジュール熱による焼損が生じず、また接点数
を少なくし得るので接点跡を少なくすることができる
上、ラックの設計も簡単化し、しかも本発明の方法は電
気めっきの電流をコントロールするだけなのでめっき操
作も容易なものである。
【０００７】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明のセラミック上への電気めっき方法は、まず常法に従
ってセラミック上に脱脂、エッチング、活性化処理を施
した後、無電解めっきを行う。
明のセラミック上への電気めっき方法は、まず常法に従
ってセラミック上に脱脂、エッチング、活性化処理を施
した後、無電解めっきを行う。
【０００８】この場合、脱脂、エッチングの処理液、処
理条件は通常と同様でよい。また、活性化処理は、セラ
ミック上に無電解めっきの析出核となる金属パラジウム
核を付着する処理で、この処理も公知の処理液、処理条
件が採用される。
理条件は通常と同様でよい。また、活性化処理は、セラ
ミック上に無電解めっきの析出核となる金属パラジウム
核を付着する処理で、この処理も公知の処理液、処理条
件が採用される。
【０００９】無電解めっきは、無電解銅めっきでも無電
解ニッケルめっきでもよく、その浴組成、めっき条件は
公知の浴組成、条件とし得るが、めっき膜厚は０．１〜
２μｍとすることが好ましい。
解ニッケルめっきでもよく、その浴組成、めっき条件は
公知の浴組成、条件とし得るが、めっき膜厚は０．１〜
２μｍとすることが好ましい。
【００１０】本発明は、このようにしてセラミックに無
電解めっき皮膜を形成し、導電化した後、電気めっきを
施す。この場合、電気めっきの種類は制限されず、銅め
っき、ニッケルめっき等が挙げられ、公知の浴組成、め
っき条件でめっきが行われるが、本発明においては、ま
ずめっき初期において小電流を流し、所定の膜厚に電気
めっき皮膜が形成された後、電流を増化するものであ
る。
電解めっき皮膜を形成し、導電化した後、電気めっきを
施す。この場合、電気めっきの種類は制限されず、銅め
っき、ニッケルめっき等が挙げられ、公知の浴組成、め
っき条件でめっきが行われるが、本発明においては、ま
ずめっき初期において小電流を流し、所定の膜厚に電気
めっき皮膜が形成された後、電流を増化するものであ
る。
【００１１】この場合、かかる電流付与方法としては、
図１に示すように、最終電流密度Ｐの１／１０以下の電
流密度Ｑから出発し、漸次最終電流密度Ｐになるように
直線的（Ａ）、凹状曲線的（Ｂ）又は凸状曲線的（Ｃ）
に電流を増加する方法、或いは最終電流密度Ｐの１／４
〜１／３の電流密度Ｒに所定時間保持する（Ｄ）方法等
を採用することができる。ここで、最終電流密度Ｐに至
る時間Ｔ又はＴ’は、めっき膜厚が３〜１０μｍ、特に
３〜５μｍとなるように選定される。
図１に示すように、最終電流密度Ｐの１／１０以下の電
流密度Ｑから出発し、漸次最終電流密度Ｐになるように
直線的（Ａ）、凹状曲線的（Ｂ）又は凸状曲線的（Ｃ）
に電流を増加する方法、或いは最終電流密度Ｐの１／４
〜１／３の電流密度Ｒに所定時間保持する（Ｄ）方法等
を採用することができる。ここで、最終電流密度Ｐに至
る時間Ｔ又はＴ’は、めっき膜厚が３〜１０μｍ、特に
３〜５μｍとなるように選定される。
【００１２】
【実施例】次に実施例により本発明を具体的に示すが、
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００１３】［実施例］セラミック板（１００×１００
ｍｍ）を下記工程に従って電気めっきした。 （１）脱脂 炭酸ナトリウム ４．０ｇ／Ｌ トリポリりん酸ナトリウム ２．０ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ４．０ｇ／Ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ２．０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル １．０ｇ／Ｌ ６０℃，５分 （２）水洗 （３）エッチング フッ化水素酸 １０％ＨＦ 添加剤 １００ｇ／Ｌ ３０℃，５分 （４）水洗 （５）超音波水洗 （６）活性化Ｉ（セラセンシ浴） ２００ｍｌ／Ｌ ３０℃，５分 （７）水洗 （８）活性化ＩＩ（アクチセラ浴） ２００ｍｌ／Ｌ ３０℃，５分 （９）水洗 （１０）活性化ＩＩＩ（セラアクセ浴） ２００ｍｌ／Ｌ ３０℃，５分 （１１）水洗 （１２）無電解ニッケルめっき ナイコＣＥＲ浴 ９０℃，１５分 めっき膜厚 １．０μｍ （１３）水洗 （１４）電気銅めっき（硫酸銅めっき） 硫酸銅 ７０ｇ／Ｌ ９５％硫酸 １８０ｇ／Ｌ 塩素イオン ８０ｍｇ／Ｌ 添加剤 ５ｍｌ／Ｌ ２５℃，４５分，陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 （１５）水洗 （１６）乾燥 この場合、初期０Ａ／ｄｍ2から１０分で２．５Ａ／ｄ
ｍ2になるように直線的に電流を上げるように整流機を
調節し、図２に示すようにセラミック１の上下２箇所を
それぞれラック２の接点３で支持して電気銅めっきを行
った。
ｍｍ）を下記工程に従って電気めっきした。 （１）脱脂 炭酸ナトリウム ４．０ｇ／Ｌ トリポリりん酸ナトリウム ２．０ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ４．０ｇ／Ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ２．０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル １．０ｇ／Ｌ ６０℃，５分 （２）水洗 （３）エッチング フッ化水素酸 １０％ＨＦ 添加剤 １００ｇ／Ｌ ３０℃，５分 （４）水洗 （５）超音波水洗 （６）活性化Ｉ（セラセンシ浴） ２００ｍｌ／Ｌ ３０℃，５分 （７）水洗 （８）活性化ＩＩ（アクチセラ浴） ２００ｍｌ／Ｌ ３０℃，５分 （９）水洗 （１０）活性化ＩＩＩ（セラアクセ浴） ２００ｍｌ／Ｌ ３０℃，５分 （１１）水洗 （１２）無電解ニッケルめっき ナイコＣＥＲ浴 ９０℃，１５分 めっき膜厚 １．０μｍ （１３）水洗 （１４）電気銅めっき（硫酸銅めっき） 硫酸銅 ７０ｇ／Ｌ ９５％硫酸 １８０ｇ／Ｌ 塩素イオン ８０ｍｇ／Ｌ 添加剤 ５ｍｌ／Ｌ ２５℃，４５分，陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 （１５）水洗 （１６）乾燥 この場合、初期０Ａ／ｄｍ2から１０分で２．５Ａ／ｄ
ｍ2になるように直線的に電流を上げるように整流機を
調節し、図２に示すようにセラミック１の上下２箇所を
それぞれラック２の接点３で支持して電気銅めっきを行
った。
【００１４】その結果、接点部に焼損が生ぜず、良好に
電気めっきが施された。
電気めっきが施された。
【００１５】これに対し、初期から２．５Ａ／ｄｍ2の
電流を与えた場合は、接点部で焼け切れが生じ、めっき
ができなかった。
電流を与えた場合は、接点部で焼け切れが生じ、めっき
ができなかった。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、接点数が少なくともジ
ュール熱による焼損が生じず、また接点数を少なくし得
るので接点跡を少なくし得る上、ラックの設計も簡単化
し、しかも本発明の方法は電気めっきの電流をコントロ
ールするだけなのでめっき操作も容易なものである。
ュール熱による焼損が生じず、また接点数を少なくし得
るので接点跡を少なくし得る上、ラックの設計も簡単化
し、しかも本発明の方法は電気めっきの電流をコントロ
ールするだけなのでめっき操作も容易なものである。
【図１】本発明における電流増加態様を説明するグラフ
である。
である。
【図２】実施例で採用したセラミックに対するラック支
持態様を示す正面図である。
持態様を示す正面図である。
１ セラミック ２ ラック ３ 接点
フロントページの続き (72)発明者 荒木 建 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 中川 佳三 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社枚方工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック上に無電解めっき皮膜を形成
し、その上に電気めっきを施す方法において、電気めっ
きの初期に小電流を流し、所定の膜厚に電気めっき皮膜
が形成された後、電流を増加して電気めっきを行うこと
を特徴とするセラミック上への電気めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980791A JPH0747834B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | セラミック上への電気めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980791A JPH0747834B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | セラミック上への電気めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05112893A JPH05112893A (ja) | 1993-05-07 |
| JPH0747834B2 true JPH0747834B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=15701687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15980791A Expired - Lifetime JPH0747834B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | セラミック上への電気めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747834B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689686B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-02-10 | Texas Instruments Incorporated | System and method for electroplating fine geometries |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP15980791A patent/JPH0747834B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05112893A (ja) | 1993-05-07 |
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