JPH0745848A - Photovoltaic device and manufacture thereof - Google Patents
Photovoltaic device and manufacture thereofInfo
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- JPH0745848A JPH0745848A JP5190529A JP19052993A JPH0745848A JP H0745848 A JPH0745848 A JP H0745848A JP 5190529 A JP5190529 A JP 5190529A JP 19052993 A JP19052993 A JP 19052993A JP H0745848 A JPH0745848 A JP H0745848A
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性樹脂上に形成さ
れた光電変換機能を呈する薄膜半導体を備えた光起電力
装置及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photovoltaic device provided with a thin film semiconductor having a photoelectric conversion function formed on an insulating resin and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】太陽電池に代表される光起電力装置は、
近年、時計や電卓等の小電源として使用されるまで普及
しているが、ここにきて商用電源設備を有する電力会社
に対して、その光起電力装置により得られた電力の余剰
分を売ることが可能となったことから、所謂電力用の電
源として新たな展開が始まろうとしている。2. Description of the Related Art Photovoltaic devices represented by solar cells are
In recent years, it has become widespread until it is used as a small power source for clocks, calculators, etc., but now it sells surplus power obtained by the photovoltaic device to a power company that has a commercial power source facility. Since it has become possible, new development is about to begin as a power source for so-called electric power.
【０００３】とりわけ、大面積化と低コスト化が容易と
して注目されている、薄膜半導体を用いた光起電力装置
では、商用電力とのコスト面での競合が比較的有利であ
ることから、早急な事業化が期待されている。In particular, in a photovoltaic device using a thin film semiconductor, which is attracting attention because it is easy to increase the area and reduce the cost, the cost competition with commercial power is relatively advantageous. Is expected to be commercialized.
【０００４】また、この薄膜半導体を用いた光起電力装
置では、その基板として樹脂等からなる可撓性の材料を
使用することで、形状がフレキシブルな装置を製造する
ことができるという特徴を備えていることから、より多
くの応用が見込まれる。In addition, the photovoltaic device using this thin film semiconductor is characterized in that it is possible to manufacture a device having a flexible shape by using a flexible material such as resin as the substrate. Therefore, more applications are expected.
【０００５】図４は、この薄膜半導体を光電変換材料と
して使用した光起電力装置、の製造方法を示す工程別素
子構造図である。この製造方法を簡単に説明すると、ま
ず同図(a)に示す第１工程では、表面が平坦なガラス基
板やステンレス基板(1)上に、耐熱性のあるポリイミド
などから成る絶縁性の樹脂ワニス(2)を膜厚が硬化後１
０〜２０μｍ程度となるように塗布し、その後、約３０
０℃の温度で加熱し、この樹脂ワニス(2)を硬化せしめ
る。この樹脂(2)はこの光起電力装置の完成時にあって
は、光電変換機能を呈する薄膜半導体の支持体として機
能することとなり、引いてはこの光起電力装置に可撓性
を備えさせることができることとなる。FIG. 4 is a step-wise element structure diagram showing a method of manufacturing a photovoltaic device using this thin film semiconductor as a photoelectric conversion material. This manufacturing method will be briefly described. First, in the first step shown in FIG. 3A, an insulating resin varnish made of heat-resistant polyimide or the like is formed on a glass substrate or a stainless steel substrate (1) having a flat surface. (2) After film thickness is cured 1
It is applied so that it is about 0 to 20 μm, and then about 30
The resin varnish (2) is cured by heating at a temperature of 0 ° C. At the time of completion of this photovoltaic device, this resin (2) will function as a support for a thin film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, and by extension, make this photovoltaic device flexible. Will be possible.
【０００６】次に、同図(b)に示す第２工程では、その
硬化された樹脂(2)上にアルミニウムやチタンなどから
なる背面電極、光電変換機能を呈する薄膜半導体を含む
光電変換膜、そして酸化インジュウムや酸化錫等からな
る透明電極、とから成る光電変換部(3)を形成した後、
この光起電力装置の電流取り出し部に、銀や銅から成る
電極端部(4)を形成する。Next, in the second step shown in FIG. 1B, a back electrode made of aluminum, titanium, or the like is formed on the cured resin (2), a photoelectric conversion film containing a thin film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, And after forming a photoelectric conversion part (3) consisting of a transparent electrode made of indium oxide, tin oxide, etc.,
An electrode end portion (4) made of silver or copper is formed at a current extraction portion of this photovoltaic device.
【０００７】なお、本例では、この薄膜半導体として従
来周知の非晶質シリコンを使用し、その内部には膜面と
平行なｐ層、ｉ層そしてｎ層の積層体からなる半導体接
合を含んだものを使用しているが、図４ではこれらは省
略している。In this example, conventionally known amorphous silicon is used as the thin film semiconductor, and a semiconductor junction composed of a laminated body of p layer, i layer and n layer parallel to the film surface is included therein. However, these are omitted in FIG.
【０００８】そして、同図(c)に示す第３工程では、化
学処理を施すことで、支持基板(1)から、光電変換部(3)
を分離する。この化学処理の具体例としては、支持基板
(1)を溶剤に浸漬することで斯る分離を行うことがで
き、その溶剤の例としては水等がある。Then, in the third step shown in FIG. 1C, a chemical treatment is performed to remove the photoelectric conversion portion 3 from the supporting substrate 1.
To separate. A specific example of this chemical treatment is a supporting substrate.
Such separation can be performed by immersing (1) in a solvent, and examples of the solvent include water and the like.
【０００９】次に、同図(d)に示す第４工程では、分離
された光電変換部(3)から外部に電気を取り出すための
リード部をこの光電変換部(3)に接続するため、その電
極端部(4)に膜形成面と樹脂とを貫通する、孔(5)を形成
する。Next, in the fourth step shown in FIG. 3D, in order to connect the lead portion for taking out electricity from the separated photoelectric conversion part (3) to the photoelectric conversion part (3), A hole (5) is formed in the electrode end (4) so as to penetrate the film forming surface and the resin.
【００１０】そして、最後に同図(e)に示す第５工程で
は、その孔(5)に導電材料(6)を埋設するとともに、該導
電材料によりその電極端部(4)とリード部(7)とを接続す
る。Finally, in the fifth step shown in FIG. 5 (e), a conductive material (6) is buried in the hole (5), and the electrode end portion (4) and the lead portion (4) are filled with the conductive material. 7) Connect with.
【００１１】なお、本従来例光起電力装置のような構造
にあっては、光電変換部(3)を構成する透明電極側から
の光入射により発電することとなる。In the structure of the conventional photovoltaic device, power is generated by incident light from the transparent electrode side that constitutes the photoelectric conversion part (3).
【００１２】この様な可撓性を備えた光起電力装置に関
しては、例えば実開平３−４３７４５号などに詳しく記
載されている。The photovoltaic device having such flexibility is described in detail, for example, in Japanese Utility Model Publication No. 3-43745.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、以上のよう
な従来の可撓性の絶縁性樹脂上に形成された光起電力装
置の製造方法にあっては、外部への電気取り出し用のリ
ード部(7)を接続するに際して、上記第５工程に於ける
ような穿孔工程を必要とするため、その製造工程は通常
非常に煩雑なものとなり、とりわけ、本光起電力装置が
可撓性を備えたものであることから、斯る穿孔にあって
はその加工精度は低くならざる負えなかった。However, in the conventional method for manufacturing a photovoltaic device formed on a flexible insulating resin as described above, the lead portion for taking out electricity to the outside is used. When connecting (7), the perforating step as in the above fifth step is required, so that the manufacturing process is usually very complicated, and in particular, the photovoltaic device has flexibility. Therefore, the machining accuracy of such a hole must be lowered.
【００１４】また、光入射側からこの光起電力装置を見
たならば、その電極取り出し部が目視できることとなる
ことから、装置としての外観が非常に悪いものとなると
いう問題もある。Further, when the photovoltaic device is viewed from the light incident side, the electrode lead-out portion can be visually observed, which causes a problem that the external appearance of the device becomes very bad.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明光起電力装置の特
徴とするところは、絶縁性樹脂上に形成された、背面電
極と、光電変換機能を呈する薄膜半導体と、透明電極
と、から成る光電変換部を備えた光起電力装置であっ
て、上記光電変換部の両電極は、上記絶縁性樹脂に設け
られた開口部を介して、リード部が電気接続されている
ことにあり、その製造方法としては、支持基板の一主面
の所望の位置に、膜形成防止膜を形成する工程と、該膜
形成防止膜が形成された上記主面上に、絶縁性樹脂を形
成する工程と、該樹脂上に、背面電極と、光電変換機能
を呈する薄膜半導体と、透明電極と、から成る光電変換
部を形成する工程と、上記光電変換部が形成された上記
絶縁性樹脂を、上記支持基板から分離する工程と、上記
膜形成防止膜に因り、上記絶縁性樹脂が形成されていな
い開口部を介して、上記光電変換部の上記電極と電気接
続を行うリード部を形成する工程、とからなるものであ
り、更にまた、その製造方法としては、上記光電変換部
が形成された上記絶縁性樹脂の所望の位置にエネルギー
ビームを照射することで、その照射領域の上記絶縁樹脂
を除去することで開口部を形成し、斯る開口部を介して
その光電変換部の上記電極と電気接続を行うリード部を
形成するものである。The photovoltaic device of the present invention is characterized by a back electrode formed on an insulating resin, a thin film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, and a transparent electrode. A photovoltaic device comprising a photoelectric conversion part, wherein both electrodes of the photoelectric conversion part are electrically connected to a lead part through an opening provided in the insulating resin. The manufacturing method includes a step of forming a film formation preventing film at a desired position on one main surface of the supporting substrate, and a step of forming an insulating resin on the main surface on which the film forming prevention film is formed. A step of forming a photoelectric conversion part comprising a back electrode, a thin film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, and a transparent electrode on the resin, and supporting the insulating resin having the photoelectric conversion part formed thereon, Due to the step of separating from the substrate and the film formation preventing film, The step of forming a lead part for electrically connecting with the electrode of the photoelectric conversion part through the opening in which the insulating resin is not formed, and also as a manufacturing method thereof. By irradiating a desired position of the insulating resin on which the photoelectric conversion portion is formed with an energy beam, an opening is formed by removing the insulating resin in the irradiation region, and through the opening. A lead portion for electrically connecting with the electrode of the photoelectric conversion portion is formed.
【００１６】[0016]
【作用】本発明光起電力装置によれば、光電変換部が形
成された絶縁性樹脂の開口部を介して電気取り出しのた
めのリード部を電気接続することから、光入射側から見
た場合の光起電力装置の外観を劣化させる虞がない。According to the photovoltaic device of the present invention, the lead portion for taking out electricity is electrically connected through the opening of the insulating resin in which the photoelectric conversion portion is formed. There is no possibility of deteriorating the appearance of the photovoltaic device.
【００１７】また、本発明製造方法によれば、電気接続
を行うリード部との接続個所には、予め絶縁性樹脂が形
成されないように膜形成防止膜を設けることで、その絶
縁性樹脂に開口部を設けたり、或いはその様な開口部を
形成する方法として、エネルギービームを照射すること
で、上記絶縁性樹脂の所望の位置に開口部を形成し、容
易に可撓性にある光起電力装置を製造することができる
こととなる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, a film formation preventing film is provided in advance at the connection point with the lead portion for electrical connection so that the insulating resin is not formed, and the insulating resin is opened. As a method of providing a portion or forming such an opening, by irradiating an energy beam, the opening is formed at a desired position of the insulating resin, and a photovoltaic device having flexibility is easily formed. The device can be manufactured.
【００１８】[0018]
【実施例】図１乃至図２は、本発明光起電力装置の製造
方法の第１の実施例を説明するための工程別素子構造図
である。これら図では、図４と同一の材料を使用する部
分については同一の符号を付している。1 to 2 are process element structure diagrams for explaining a first embodiment of a method for manufacturing a photovoltaic device according to the present invention. In these figures, parts using the same material as in FIG.
【００１９】図１(a)に示す第１工程では、ガラス基板
や金属基板などから成る支持基板(1)上に、この光起電
力装置の電気取り出し部となる端部に、シリコーンやフ
ッ素樹脂などからなる膜形成防止膜(8)を、膜厚が５〜
２０μｍとなるように形成する。In the first step shown in FIG. 1 (a), a support substrate (1) made of a glass substrate, a metal substrate or the like is provided, and silicone or fluororesin is attached to an end portion of the photovoltaic device, which serves as an electrical extraction portion. The film formation prevention film (8) consisting of
It is formed to have a thickness of 20 μm.
【００２０】次に、同図(b)に示す第２工程では、その
膜形成防止膜を含む基板(1)の全面にポリイミドなどか
らなる耐熱性のある絶縁性の樹脂ワニス(2)を全面に塗
布した後、従来例と同様に加熱硬化する。斯る工程で
は、基板(1)上に予め膜形成を防止する膜(8)が形成され
ていることから、たとえその基板全面に絶縁性樹脂(2)
を形成しようとしても十分な膜がその膜形成防止膜(8)
上に形成されないこととなり、硬化後の絶縁性樹脂(2)
には、その膜形成防止膜(8)が形成されていた部分には
その樹脂が形成されず開口部ができることとなる。Next, in the second step shown in FIG. 2B, a heat-resistant insulating resin varnish (2) made of polyimide or the like is entirely over the entire surface of the substrate (1) including the film formation preventing film. Then, it is heat-cured as in the conventional example. In such a step, since the film (8) for preventing film formation is previously formed on the substrate (1), even if the insulating resin (2) is formed on the entire surface of the substrate.
Sufficient film to prevent the formation of film (8)
It will not be formed on the insulating resin after curing (2)
Therefore, the resin is not formed in the portion where the film formation preventing film (8) was formed, and an opening is formed.
【００２１】そして、同図(c)に示す第３工程では、絶
縁性樹脂(2)上に、ＡｌやＴｉ等の金属膜を形成した
後、レーザビーム等を照射することで斯る照射領域のそ
の金属膜を除去し、複数個に分割された背面電極(9)(9)
…が得られる。Then, in the third step shown in FIG. 3C, a metal film such as Al or Ti is formed on the insulating resin (2), and then a laser beam or the like is applied to the irradiation area. Remove the metal film of the back electrode and divide it into multiple back electrodes (9) (9)
... is obtained.
【００２２】同図(d)に示す第４工程では、背面電極(9)
(9)…上であって、その分割溝(9a)(9a)…近傍に、Ａｇ
ペースト等からなる導電性ペースト(10)(10)…と、Ｓｉ
Ｏ2ペースト等からなる絶縁性ペースト(11)(11)…を、
その分割溝(9a)(9a)…に沿って相互に隣接するように形
成し、次にこれらペーストと背面電極(9)(9)…を含むよ
うに全面に薄膜半導体を成膜した後、導電性ペースト(1
0)(10)…上にレーザビーム(12)を照射することで、この
ペースト上の薄膜半導体を除去し、複数個の光電変換機
能を呈する薄膜半導体(13)(13)…に分割形成する。In the fourth step shown in FIG. 3D, the back electrode (9)
(9) ... Above and in the vicinity of the dividing grooves (9a) (9a) ...
Conductive paste (10) (10) made of paste or the like, and Si
O 2 consisting of a paste such as an insulating paste (11) (11) ... a,
Are formed so as to be adjacent to each other along the dividing grooves (9a) (9a) ... Then, a thin film semiconductor is formed on the entire surface so as to include these pastes and the back electrodes (9) (9). Conductive paste (1
By irradiating a laser beam (12) on (0) (10) ..., the thin film semiconductor on this paste is removed and divided into a plurality of thin film semiconductors (13) (13) ... .
【００２３】引き続く、図２(e)に示す第５工程では、
複数個の薄膜半導体(13)(13)…の全面に、ＩＴＯ等から
なる透明電極を形成した後に、絶縁性ペースト(11)(11)
…上にレーザビーム(14)を照射することで、該ペースト
上の薄膜半導体(13)(13)…及び透明電極(15)(15)…を除
去する。本工程により、絶縁性樹脂(2)上に形成され
た、背面電極と薄膜半導体と透明電極とからなる光電変
換部は、複数個直列接続されることとなる。In the subsequent fifth step shown in FIG. 2 (e),
Insulating paste (11) (11) after forming transparent electrodes made of ITO or the like on the entire surface of the plurality of thin film semiconductors (13) (13) ...
The thin film semiconductors (13) (13) ... And the transparent electrodes (15) (15) ... on the paste are removed by irradiating the laser beam (14) on the paste. Through this step, a plurality of photoelectric conversion units formed on the insulating resin (2), which are composed of the back electrode, the thin film semiconductor, and the transparent electrode, are connected in series.
【００２４】次に、同図(f)に示す第６工程では、光電
変換部が形成された絶縁性樹脂(2)を基板(1)から分離す
る。この分離工程を経ることにより、基板表面の膜形成
防止膜が形成されていた部分には絶縁性樹脂が形成され
ていないことから、この分離により、その絶縁性樹脂の
上記光電変換部の電極取り出し端部に相当する部分には
開口部(16)が形成されることになる。斯る分離工程は従
来例において説明した方法と同様の方法により行う。Next, in a sixth step shown in FIG. 6 (f), the insulating resin (2) having the photoelectric conversion portion formed thereon is separated from the substrate (1). Since the insulating resin is not formed on the portion of the substrate surface where the film formation preventing film has been formed through this separation step, the separation of the insulating resin electrode of the photoelectric conversion unit is performed by this separation. An opening (16) will be formed in a portion corresponding to the end. Such a separation step is performed by a method similar to the method described in the conventional example.
【００２５】そして、同図(g)に示す第７工程では、絶
縁性樹脂の開口部(16)にＳｎ合金（半田等）から成る導
電性部材(6)を埋設し、この開口部(16)を介してその光
電変換部にリード部(7)を接続する。Then, in the seventh step shown in FIG. 6G, a conductive member (6) made of Sn alloy (solder etc.) is embedded in the opening (16) of the insulating resin, and the opening (16) is formed. The lead portion (7) is connected to the photoelectric conversion portion via (4).
【００２６】以上のように、本発明製造方法によれば、
支持基板に予め、膜形成防止膜を形成することで、その
絶縁性樹脂に開口部を設けることができるため、光起電
力装置の製造が極めて容易に行うことが可能となる。と
りわけ、この膜形成防止膜のパターニングは従来のフォ
ト・リソ技術を使用することができることから、所望の
位置に容易にこの防止膜を形成することができ、光入射
面積を稼ぐための微細なパターニングを必要とする場合
にあっては好適である。As described above, according to the manufacturing method of the present invention,
By forming the film formation preventing film on the supporting substrate in advance, the opening can be provided in the insulating resin, so that the photovoltaic device can be manufactured extremely easily. In particular, since the conventional photolithography technology can be used for patterning the film formation prevention film, the prevention film can be easily formed at a desired position and fine patterning for increasing the light incident area. It is suitable when there is a need.
【００２７】また、本光起電力装置では、電極取り出し
が絶縁性樹脂側から行うことができることから、膜形成
面からの外観は非常に良好なものとなる。Further, in this photovoltaic device, the electrodes can be taken out from the insulating resin side, so that the appearance from the film forming surface is very good.
【００２８】次に、図３により、本発明製造方法の第２
の実施例を説明する。本実施例においても図１乃至図２
と同様の材料とするものについては、同一符号を付して
いる。Next, referring to FIG. 3, the second method of the present invention will be described.
An example will be described. Also in this embodiment, FIG.
The same reference numerals are given to those made of the same material as.
【００２９】同図(a)に示す第１工程では、支持基板(1)
上に絶縁性樹脂(2)を形成する。次に、同図(b)に示す第
２工程では、絶縁性樹脂(2)上に背面電極(9)(9)… 、光
電変換機能を呈する薄膜半導体(13)(13)…と、透明電極
(15)(15)…とからなる光電変換部を第１の実施例と同様
の工程により形成する。In the first step shown in FIG. 1A, the supporting substrate (1)
An insulating resin (2) is formed on top. Next, in the second step shown in FIG. 2B, back electrodes (9) (9) ... On the insulating resin (2), thin film semiconductors (13) (13) ... electrode
(15) A photoelectric conversion part including (15) ... Is formed by the same steps as in the first embodiment.
【００３０】そして、同図(c)に示す第３工程では、そ
の光電変換部が形成された絶縁性樹脂(2)を支持基板(1)
から分離する。Then, in the third step shown in FIG. 3C, the insulating resin (2) on which the photoelectric conversion part is formed is attached to the supporting substrate (1).
Separate from.
【００３１】次に、同図(d)に示す第４工程では、その
光電変換部の電気取り出し端部となる位置の絶縁性樹脂
に、レーザビームなどのエネルギービーム(17)を照射す
ることで、斯る照射部分の絶縁性樹脂を除去し、開口部
(16)(16)を形成する。エネルギービームとしては、エキ
シマレーザのような短波長レーザ等を使用することがで
き、本実施例で使用したレーザビームは、例えばＸｅＣ
ｌエキシマレーザの場合にあっては、その強度が０．１
〜１Ｊ／ｃｍ2という条件で照射した。Next, in the fourth step shown in FIG. 3D, the energy beam (17) such as a laser beam is radiated to the insulating resin at the position to be the electric extraction end of the photoelectric conversion section. , The insulating resin on the irradiated part is removed, and the opening
(16) Form (16). A short-wavelength laser such as an excimer laser can be used as the energy beam, and the laser beam used in this embodiment is, for example, XeC.
In the case of an excimer laser, its intensity is 0.1
Irradiation was performed under the condition of ˜1 J / cm 2 .
【００３２】最後に、同図(e)に示す第５工程では、そ
の開口部に導電性部材(6)を埋設することで、上記開口
部(16)(16)を介して、光電変換部にリード部(7)(7)を接
続する。Finally, in the fifth step shown in FIG. 6 (e), by embedding the conductive member (6) in the opening, the photoelectric conversion section is passed through the openings (16) and (16). Connect the lead parts (7) and (7) to.
【００３３】本発明製造方法によれば、リード部を接続
する個所を、エネルギービームによって、その絶縁性樹
脂(2)を除去することで開口部(16)(16)を形成するもの
であることから、たとえ可撓性を備えた樹脂のような材
料に開口部を設けるものであっても、容易に行うことが
可能となる。According to the manufacturing method of the present invention, the openings (16) and (16) are formed by removing the insulating resin (2) at the points connecting the lead portions with an energy beam. Therefore, even if a material such as a resin having flexibility is provided with an opening, it can be easily performed.
【００３４】また、本実施例では、薄膜半導体として
は、非晶質シリコン材料を使用したが、本願発明はこれ
に限るものではなく、非晶質セレンや非晶質ゲルマニュ
ーム、さらには微結晶シリコン等を使用しても何ら問題
がない。In this embodiment, an amorphous silicon material is used as the thin film semiconductor, but the present invention is not limited to this, and amorphous selenium, amorphous germanium, or microcrystalline silicon is used. There is no problem with using etc.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明光起電力装置によれば、光電変換
部が形成された絶縁性樹脂の開口部を介して電気取り出
しのためのリード部を電気接続することから、光入射側
から見た場合の光起電力装置の外観を劣化させる虞がな
い。According to the photovoltaic device of the present invention, the lead portion for taking out electricity is electrically connected through the opening of the insulating resin on which the photoelectric conversion portion is formed. In this case, there is no possibility of deteriorating the appearance of the photovoltaic device.
【００３６】また、本発明製造方法によれば、電気接続
を行うリード部との接続部となる個所には、予め絶縁性
樹脂が形成されないように膜形成防止膜を設けること
で、その絶縁性樹脂に開口部を設けたり、或いは、その
様な開口部を形成する方法として、エネルギービームを
照射することで、上記絶縁性樹脂に開口部を形成するこ
で、容易に可撓性にある光起電力装置を製造することが
できることとなる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, a film formation preventing film is provided in advance at a portion which becomes a connection portion with the lead portion for making an electrical connection so that the insulating resin is not formed, and thus the insulation property is improved. As a method of forming an opening in a resin or forming such an opening, by irradiating an energy beam to form an opening in the insulating resin, a flexible light beam can be easily formed. The electromotive force device can be manufactured.
【図１】本発明光起電力装置の製造方法の第１の実施例
を説明するための工程別素子構造断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a device structure for each step for explaining a first embodiment of a method for manufacturing a photovoltaic device of the present invention.
【図２】本発明光起電力装置の製造方法を第１の実施例
を説明するための工程別素子構造断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an element structure for each step for explaining the first embodiment of the method for manufacturing a photovoltaic device of the present invention.
【図３】本発明光起電力装置の製造方法を第２の実施例
を説明するための工程別素子構造断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the element structure for each step for explaining the second embodiment of the method for manufacturing the photovoltaic device of the present invention.
【図４】従来例光起電力装置の製造方法を説明するため
の工程別素子構造断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the element structure for each step for explaining the method for manufacturing the conventional photovoltaic device.
(2)…絶縁性樹脂 (7)…リード
部 (9)…背面電極 (13)…薄膜半
導体 (15)…透明電極 (16)…開口部(2)… Insulating resin (7)… Lead part (9)… Back electrode (13)… Thin film semiconductor (15)… Transparent electrode (16)… Opening
Claims (3)
と、光電変換機能を呈する薄膜半導体と、透明電極と、
から成る光電変換部を備えた光起電力装置であって、上
記光電変換部の両電極には、上記絶縁性樹脂に設けられ
た開口部を介して、リード部が電気接続されていること
を特徴とする光起電力装置。1. A back electrode formed on an insulating resin, a thin-film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, a transparent electrode,
A photovoltaic device comprising a photoelectric conversion part made of, wherein the lead part is electrically connected to both electrodes of the photoelectric conversion part through an opening provided in the insulating resin. A characteristic photovoltaic device.
成防止膜を形成する工程と、 該膜形成防止膜が形成された上記主面上に、絶縁性樹脂
を形成する工程と、 該樹脂上に、背面電極と、光電変換機能を呈する薄膜半
導体と、透明電極と、から成る光電変換部を形成する工
程と、 上記光電変換部が形成された上記絶縁性樹脂を、上記支
持基板から分離する工程と、 上記膜形成防止膜に因り、上記絶縁性樹脂が形成されて
いない開口部を介して、上記光電変換部の上記電極と電
気接続を行うリード部を形成する工程、 とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。2. A step of forming a film formation preventing film at a desired position on one main surface of the support substrate, and a step of forming an insulating resin on the main surface on which the film formation preventing film is formed. A step of forming a photoelectric conversion part including a back electrode, a thin film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, and a transparent electrode on the resin; and supporting the insulating resin having the photoelectric conversion part formed thereon, A step of separating from the substrate, and a step of forming a lead portion electrically connected to the electrode of the photoelectric conversion portion through an opening in which the insulating resin is not formed due to the film formation preventing film; A method of manufacturing a photovoltaic device, comprising:
する工程と、 該樹脂上に、背面電極と、光電変換機能を呈する薄膜半
導体と、透明電極と、から成る光電変換部を形成する工
程と、 上記光電変換部が形成された上記絶縁性樹脂を、上記支
持基板から分離する工程と、 上記絶縁性樹脂の所望の位置にエネルギービームを照射
することで、その照射領域の上記絶縁性樹脂を除去する
ことで、該絶縁性樹脂に開口部を形成する工程と、 上記開口部を介して、上記光電変換部の上記電極と電気
接続を行うリード部を形成する工程、 とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。3. A step of forming an insulating resin on one main surface of a supporting substrate, and a photoelectric conversion part comprising a back electrode, a thin film semiconductor exhibiting a photoelectric conversion function, and a transparent electrode on the resin. The step of forming, the step of separating the insulating resin on which the photoelectric conversion portion is formed from the supporting substrate, and the irradiation of an energy beam at a desired position of the insulating resin, the irradiation region of the above A step of forming an opening in the insulating resin by removing the insulating resin; and a step of forming a lead portion electrically connecting to the electrode of the photoelectric conversion section through the opening. A method for manufacturing a photovoltaic device, comprising:
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|---|---|---|---|
| JP19052993A JP3332487B2 (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Method for manufacturing photovoltaic device |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528420A (en) * | 2003-07-22 | 2006-12-14 | アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ | Method for producing solar cell foil using temporary substrate |
| JP2011514004A (en) * | 2008-03-11 | 2011-04-28 | サン−ゴバン グラス フランス エス アー | Solar module |
| WO2011108116A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Okano Ken | Solar cell |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP19052993A patent/JP3332487B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011108116A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Okano Ken | Solar cell |
| JP5521030B2 (en) * | 2010-03-05 | 2014-06-11 | 健 岡野 | Manufacturing method of solar cell |
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