JPH0745739A - Microwave integrated circuit module - Google Patents
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- JPH0745739A JPH0745739A JP19149593A JP19149593A JPH0745739A JP H0745739 A JPH0745739 A JP H0745739A JP 19149593 A JP19149593 A JP 19149593A JP 19149593 A JP19149593 A JP 19149593A JP H0745739 A JPH0745739 A JP H0745739A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波無線装置で
使用するマイクロ波集積回路モジュールに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave integrated circuit module used in a microwave radio device.
【０００２】近年のマイクロ波無線装置は、増幅器、ミ
キサ、減衰器等がそれぞれ小型のモジュールとして個別
設計され、それらのモジュールを実装・接続してマイク
ロ波回路を構成しているが、これらのモジュールは内部
の必要な部分にバイアス電圧を供給する為のバイアス供
給端子が設けられ、このバイアス供給端子からマイクロ
波がモジュール外に漏洩しない様にしている。In a recent microwave radio device, an amplifier, a mixer, an attenuator, etc. are individually designed as small modules, and these modules are mounted / connected to form a microwave circuit. Is provided with a bias supply terminal for supplying a bias voltage to a necessary portion inside, and microwaves are prevented from leaking out of the module from the bias supply terminal.
【０００３】そこで、これらのモジュールを製作する
際、漏洩抑圧機能を劣化させずに製作工数の削減を図る
ことが必要である。Therefore, when manufacturing these modules, it is necessary to reduce the number of manufacturing steps without deteriorating the leakage suppressing function.
【０００４】[0004]
【従来の技術】図10は従来例の構成図で、(a) はマイク
ロ波集積回路モジュールの斜視図,(b)は(a) の裏面斜視
図、(c) はマイクロ波集積回路モジュールの筐体取付け
説明図である。2. Description of the Related Art FIG. 10 is a configuration diagram of a conventional example. (A) is a perspective view of a microwave integrated circuit module, (b) is a rear perspective view of (a), and (c) is a microwave integrated circuit module. It is a housing attachment explanatory view.
【０００５】以下、図10の説明を行うが、マイクロ波集
積回路を収容したパッケージとパッケージ用フタ、端子
などで構成されたものをマイクロ波集積回路モジュール
と云う。The description of FIG. 10 will be given below. A microwave integrated circuit module is composed of a package accommodating a microwave integrated circuit, a package lid, terminals and the like.
【０００６】まず、図において、金属性のパッケージ41
の中に、例えば、図示しない増幅器のパターンが形成さ
れた基板（例えば、セラミック）５とトランジスタQ1が
固定され、金属性のパッケージ用フタ42で覆われてい
る。また、バイアス電圧( ドレイン電圧, ゲート電圧な
ど) を供給するバイアス供給端子11〜14及びマイクロ波
入力端子21、マイクロ波出力端子 22 がパッケージを貫
通して、内部の基板と接続しているが、前者には図示し
ない電波吸収体が付けられていて、マイクロ波がバイア
ス回路に漏れない様にしている。First, in the figure, a metallic package 41 is used.
For example, a substrate (for example, a ceramic) 5 on which an amplifier pattern (not shown) is formed and a transistor Q 1 are fixed, and are covered with a metallic package lid 42. Further, the bias supply terminals 11 to 14 for supplying the bias voltage (drain voltage, gate voltage, etc.), the microwave input terminal 21, and the microwave output terminal 22 penetrate the package and are connected to the internal substrate. A radio wave absorber (not shown) is attached to the former to prevent microwaves from leaking to the bias circuit.
【０００７】ここで、マイクロ波入力端子21、マイクロ
波出力端子22はパッケージ用フタの上面に対してほぼ平
行に、バイアス供給端子(11 〜14) はほぼ垂直になる様
に取り付けられているが、例えば、前者はマイクロ波集
積回路モジュールと同一平面上に設けられた高周波回路
搭載基板と接続し、後者は裏面に設けられたバイアス回
路搭載基板と接続する。また、図10(c) に示す様に、筐
体とフィンとの接地面積が小さいので放熱機能はあまり
良好ではない。Here, the microwave input terminal 21 and the microwave output terminal 22 are mounted substantially parallel to the upper surface of the package lid, and the bias supply terminals (11 to 14) are mounted substantially vertically. For example, the former is connected to a high-frequency circuit mounting board provided on the same plane as the microwave integrated circuit module, and the latter is connected to a bias circuit mounting board provided on the back surface. Further, as shown in FIG. 10 (c), since the grounding area between the housing and the fin is small, the heat dissipation function is not so good.
【０００８】さて、図示しないトランジスタQ1はバイア
ス供給端子を介してバイアス電圧が印加されると、マイ
クロ波入力端子21から入力したマイクロ波を増幅してマ
イクロ波出力端子22を介して、例えば、別のモジュール
に送出する。When a bias voltage is applied to the transistor Q 1 ( not shown) via the bias supply terminal, the microwave input from the microwave input terminal 21 is amplified and, for example, via the microwave output terminal 22, Send to another module.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記の様に、マイクロ
波集積回路モジュールを筐体に実装する際、マイクロ波
入出力端子はマイクロ波集積回路モジュールを実装する
筐体の面と同一平面に設けられた高周波回路搭載基板と
接続し、バイアス供給端子は筐体の裏面に設けられたバ
イアス回路搭載基板と接続する構成になっている。As described above, when the microwave integrated circuit module is mounted on the housing, the microwave input / output terminals are provided on the same plane as the surface of the housing on which the microwave integrated circuit module is mounted. The bias supply terminal is connected to the high frequency circuit mounting board provided on the back surface of the housing.
【００１０】そこで、筐体としてはこれらの基板を設け
る為、筐体内部の２個所の取付面を平らにすると共に、
２種類の基板の製作・実装などの製作工数が必要となる
と云う課題がある。Therefore, since these substrates are provided as the casing, the two mounting surfaces inside the casing are made flat, and
There is a problem that manufacturing man-hours such as manufacturing and mounting of two types of boards are required.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】図１に示す如く、５は基
板、11はバイアス供給端子、42は金属性のパッケージ、
43はパッケージ用フタ、61は金メッキ部分である。As shown in FIG. 1, 5 is a substrate, 11 is a bias supply terminal, 42 is a metallic package,
43 is a package lid and 61 is a gold-plated portion.
【００１２】第１の本発明は、基板上に所定形状の金メ
ッキ部分を形成して、金メッキ部分とパッケージ用フタ
との間の空間でコンデンサを構成する。そして、パッケ
ージの所定側面に対してほぼ垂直に貫通した該バイアス
供給端子を金メッキ部分に接続して、バイアス供給端子
を介してマイクロ波が漏洩しない構造にした。According to a first aspect of the present invention, a gold-plated portion having a predetermined shape is formed on a substrate, and a capacitor is formed in the space between the gold-plated portion and the package lid. Then, the bias supply terminal penetrating substantially perpendicularly to the predetermined side surface of the package was connected to the gold-plated portion so that microwaves did not leak through the bias supply terminal.
【００１３】第２の本発明は、上記の空間に所定の誘電
率を有する誘電体を挿入する様にした。第３の本発明
は、上記の空間に所定の誘電率を有するペースト状の絶
縁物を挿入する様にした。In the second aspect of the present invention, a dielectric having a predetermined dielectric constant is inserted in the space. In the third aspect of the present invention, a paste-like insulator having a predetermined dielectric constant is inserted into the space.
【００１４】第４の本発明は、マイクロ波集積回路モジ
ュールを構成する基板側面に所定形状の金メッキ部分を
形成して、金メッキ部分と、この金メッキ部分に対面す
るパッケージ内面との間の空間でコンデンサを構成す
る。そして、パッケージの所定側面に対してほぼ垂直に
貫通したバイアス供給端子を金メッキ部分に接続して、
バイアス供給端子を介してマイクロ波が漏洩しない様に
した。According to a fourth aspect of the present invention, a gold-plated portion having a predetermined shape is formed on a side surface of a substrate which constitutes a microwave integrated circuit module, and a capacitor is provided in a space between the gold-plated portion and a package inner surface facing the gold-plated portion. Make up. Then, connect the bias supply terminal penetrating substantially perpendicular to the predetermined side surface of the package to the gold-plated portion,
The microwave was prevented from leaking through the bias supply terminal.
【００１５】第５の本発明は、上記の空間に所定の誘電
率を有する誘電体を挿入する様にした。第６の本発明
は、上記の空間に所定の誘電率を有するペースト状の絶
縁物を挿入する様にした。According to a fifth aspect of the present invention, a dielectric material having a predetermined dielectric constant is inserted into the above space. In the sixth aspect of the present invention, a paste-like insulator having a predetermined dielectric constant is inserted into the space.
【００１６】[0016]
【作用】第１の本発明は、基板上に所定形状の金メッキ
部分を形成し、金メッキ部分とパッケージ用フタとの間
の空間でコンデンサを構成する。そして、パッケージの
所定側面に対してほぼ垂直に貫通したバイアス供給端子
を上記金メッキ部分に接続して、バイアス供給端子を介
してマイクロ波が外部に漏洩しない様にした。According to the first aspect of the present invention, the gold-plated portion having a predetermined shape is formed on the substrate, and the capacitor is formed in the space between the gold-plated portion and the package lid. Then, a bias supply terminal penetrating substantially perpendicularly to a predetermined side surface of the package was connected to the gold-plated portion so that microwaves did not leak to the outside through the bias supply terminal.
【００１７】第２の本発明は、上記の金メッキ部分とパ
ッケージ用フタとの間の空間に誘電体を挿入してコンデ
ンサを構成する。そして、バイアス供給端子を上記金メ
ッキ部分に接続して、バイアス供給端子を介してマイク
ロ波が外部に漏洩しない様にした。In the second aspect of the present invention, a capacitor is constructed by inserting a dielectric into the space between the gold plated portion and the package lid. Then, the bias supply terminal was connected to the gold-plated portion so that microwaves did not leak to the outside through the bias supply terminal.
【００１８】第３の本発明は、誘電体の代わりに所定の
誘電率を有するペースト状の絶縁物を空間に挿入する様
にした。第４の本発明は、基板側面に所定形状の金メッ
キ部分を形成して、金メッキ部分と、この金メッキ部分
に対面するパッケージ内面との間の空間でコンデンサを
構成する。そして、パッケージの所定側面に対してほぼ
垂直に貫通したバイアス供給端子を金メッキ部分に接続
して、バイアス供給端子を介してマイクロ波が漏洩しな
い様にした。In the third aspect of the present invention, a paste-like insulator having a predetermined dielectric constant is inserted into the space instead of the dielectric. According to a fourth aspect of the present invention, a gold-plated portion having a predetermined shape is formed on a side surface of a substrate, and a capacitor is formed by a space between the gold-plated portion and a package inner surface facing the gold-plated portion. Then, a bias supply terminal penetrating substantially perpendicularly to a predetermined side surface of the package was connected to the gold-plated portion so that microwaves did not leak through the bias supply terminal.
【００１９】第５の本発明は、上記の空間に誘電体を挿
入してコンデンサを構成する。そして、バイアス供給端
子を上記金メッキ部分に接続して、バイアス電圧供給端
子を介してマイクロ波が外部に漏洩しない様にした。In a fifth aspect of the present invention, a capacitor is constructed by inserting a dielectric into the above space. Then, the bias supply terminal was connected to the gold-plated portion so that microwaves did not leak to the outside via the bias voltage supply terminal.
【００２０】第６の本発明は、誘電体の代わりに所定の
誘電率を有するペースト状の絶縁物を空間に挿入する様
にした。そこで、漏洩抑圧機能を劣化させずに製作工数
の削減を図ることができる。In the sixth aspect of the present invention, a paste-like insulator having a predetermined dielectric constant is inserted into the space instead of the dielectric. Therefore, the number of manufacturing steps can be reduced without deteriorating the leakage suppression function.
【００２１】[0021]
【実施例】図１は第１の本発明の実施例の構成図で、
(a) マイクロ波集積回路モジュールからパッケージ用フ
タを取り除いて、上から見た要部構成図、(b) は(a) の
X- X´断面図( パッケージ用フタ付き) 、(c) はマイク
ロ波集積回路モジュールの筐体取付説明図である。図２
は第２の本発明の実施例の構成図（要部断面図）、図３
は第３の本発明の実施例の構成図（要部断面図）であ
る。FIG. 1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention.
(a) The structure of the main part seen from above, with the package lid removed from the microwave integrated circuit module, (b) of (a)
FIG. 3C is a cross-sectional view taken along the line XX ′ (with a package lid), and FIG. Figure 2
3 is a configuration diagram (a cross-sectional view of a main part) of the second embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 4 is a configuration diagram (a cross-sectional view of a main part) of a third embodiment of the present invention.
【００２２】また、図４は第４の本発明の実施例の構成
図（要部断面図）、図５は第５の本発明の実施例の構成
図（要部断面図）、図６は第６の本発明の実施例の構成
図（要部断面図）、図７は第１，第４の本発明を組合せ
た実施例の要部構成図、図８は第２，第５の本発明を組
合せた実施例の要部構成図、図９は第３，第６の本発明
を組合せた実施例の要部構成図である。Further, FIG. 4 is a block diagram of the fourth embodiment of the present invention (cross sectional view of the main part), FIG. 5 is a block diagram of the fifth embodiment of the present invention (cross sectional view of the main part), and FIG. FIG. 7 is a constitutional view of a sixth embodiment of the present invention (a cross-sectional view of the principal portion), FIG. 7 is a constitutional view of the principal portion of an embodiment in which the first and fourth inventions are combined, and FIG. FIG. 9 is a configuration diagram of essential parts of an embodiment in which the inventions are combined, and FIG. 9 is a configuration diagram of essential parts of an embodiment in which the third and sixth inventions are combined.
【００２３】なお、全図を通じて同一符号は同一対称物
を示す。以下、図１〜図９の説明をするが、21はマイク
ロ波入力端子、22はマイクロ波出力端子である。図１に
おいて、例えば、セラミック製の基板５の上に所定形状
の金メッキ部分61を形成する。そして、金メッキ部分に
対応するパッケージ用フタ( 金メッキされている)43 の
部分を低くして段差を作り、金メッキ部分とパッケージ
用フタ43のうちの段差部分との間の空間でコンデンサを
構成する。The same reference numerals indicate the same symmetrical objects throughout the drawings. 1 to 9 will be described below, 21 is a microwave input terminal and 22 is a microwave output terminal. In FIG. 1, for example, a gold-plated portion 61 having a predetermined shape is formed on a ceramic substrate 5. Then, the portion of the package lid (gold-plated) 43 corresponding to the gold-plated portion is lowered to form a step, and a capacitor is formed in the space between the gold-plated portion and the step portion of the package lid 43.
【００２４】なお、パッケージ用フタの全部の部分を低
くすると、例えば、トランジスタQ1と基板を接続する金
ワイヤーと接触したり、基板上に形成したマイクロスト
リップ線路( 図示せず) を伝搬するマイクロ波によって
発生する電界の一部がパッケージ用フタの方に行くの
で、マイクロ波集積回路の電気特性に影響を与える。こ
れにより、上記の様にコンデンサを形成する部分以外は
従来例と同じ間隔にしている。If all the parts of the package lid are lowered, for example, a micro wire that contacts a gold wire connecting the transistor Q 1 and the substrate or propagates through a microstrip line (not shown) formed on the substrate. A part of the electric field generated by the waves goes to the package lid, which affects the electric characteristics of the microwave integrated circuit. As a result, the spacing is the same as in the conventional example except for the portion where the capacitor is formed as described above.
【００２５】さて、パッケージの所定側面をほぼ垂直に
貫通したバイアス供給端子11を、例えば、金リボンを用
いて、上記の金メッキ部分に固定することにより、バイ
アス供給端子に分布容量が付加したことになるので、こ
の端子を介してマイクロ波が外部に漏洩することがなく
なる。Now, the bias supply terminal 11 penetrating the predetermined side surface of the package substantially vertically is fixed to the above-mentioned gold-plated portion by using, for example, a gold ribbon so that the distributed capacitance is added to the bias supply terminal. Therefore, the microwave does not leak to the outside through this terminal.
【００２６】また、マイクロ波集積回路モジュールを筐
体に取り付けた時、筐体とフィンとの接地面積を広くす
ることができるので放熱機能は従来に比して良好とな
る。図２は、金メッキ部分61とパッケージ用フタ43の段
差部分との間の空間に誘電体71を挿入することにより、
図１の場合よりも大きな値のコンデンサが挿入されるこ
とになる。この為、バイアス供給端子を介してより低い
方のマイクロ波も外部に漏洩しない様になる。Further, when the microwave integrated circuit module is attached to the housing, the grounding area between the housing and the fins can be widened, so that the heat radiation function becomes better than the conventional one. FIG. 2 shows that by inserting the dielectric 71 into the space between the gold-plated portion 61 and the stepped portion of the package lid 43,
A capacitor having a larger value than that in the case of FIG. 1 is inserted. Therefore, the lower microwave does not leak to the outside through the bias supply terminal.
【００２７】図３は、空間に誘電体の代わりにペースト
状の絶縁物を挿入するもので、図２とほぼ同じ誘電率の
ものを使用すれば、マイクロ波の漏洩に対する影響は同
じ程度となる。In FIG. 3, a paste-like insulator is inserted in the space instead of the dielectric, and if a dielectric having substantially the same dielectric constant as that in FIG. 2 is used, the influence on the microwave leakage will be the same. .
【００２８】図４は、図２の場合と異なり、基板５の側
面に所定形状の金メッキ部分62を形成し、金メッキ部分
と、この金メッキ部分に対面するパッケージ内面との間
の空間でコンデンサを構成する様にした。なお、側面に
形成した金メッキ部分が一番下まであると、金属性のパ
ッケージと接触してコンデンサを形成しないので、図４
に示す様に、多少隙間を設けてある。In FIG. 4, unlike the case of FIG. 2, a gold-plated portion 62 having a predetermined shape is formed on the side surface of the substrate 5, and a capacitor is formed in the space between the gold-plated portion and the package inner surface facing this gold-plated portion. I decided to do it. If the gold-plated portion formed on the side surface is at the bottom, it does not come into contact with the metallic package to form the capacitor.
As shown in, there are some gaps.
【００２９】図５は、図４の空間に誘電体73を挿入した
もので、図２の方法を基板側面と対応するパッケージの
内面との間に適用したものである。また、図６は図５の
誘電体の代わりにペースト状の絶縁物を挿入したもので
ある。FIG. 5 shows the dielectric 73 inserted in the space of FIG. 4, and the method of FIG. 2 is applied between the side surface of the substrate and the corresponding inner surface of the package. Further, in FIG. 6, a paste-like insulator is inserted instead of the dielectric of FIG.
【００３０】さて、図１〜図６までは金メッキ部分は基
板の上、または側面に形成していたが、図７では金メッ
キ部分を基板の上と側面の両方に形成することにより(
図８中の61, 62) 、バイアス供給端子に付加されるコン
デンサの分布容量の値が上記に比較して大きくなる。1 to 6, the gold-plated portion is formed on the substrate or on the side surface, but in FIG. 7, by forming the gold-plated portion on both the substrate and the side surface (
(61, 62 in FIG. 8), the value of the distributed capacitance of the capacitor added to the bias supply terminal becomes larger than the above.
【００３１】図８は、図７の２つの空間( 基板上の金メ
ッキ部分とパッケージ用フタ及び基板側面と金メッキ部
分とパッケージ側面との間の空間) に誘電体71, 73を挿
入したもので、図９は誘電体の代わりにペースト状の絶
縁物72, 74を挿入したものである。FIG. 8 is a view in which dielectrics 71 and 73 are inserted into the two spaces of FIG. 7 (the gold-plated portion on the substrate and the package lid and the space between the substrate side surface, the gold-plated portion and the package side surface). In FIG. 9, paste-like insulators 72 and 74 are inserted instead of the dielectric.
【００３２】即ち、マイクロ波入出力端子とバイアス供
給端子がパッケージの同一側面に対してほぼ直角に取り
付けられているので、筐体としてはこれらの端子と接続
される上記の高周波回路搭載基板とバイアス回路搭載基
板とを同一基板にすることができ、基板数量が少なくな
る。また、筐体内側の取付面の平坦化及び基板の製作・
実装などの製作工数が削減されるので、漏洩抑圧機能を
劣化させずに製作工数の削減を図ることができる。That is, since the microwave input / output terminal and the bias supply terminal are attached at substantially right angles to the same side surface of the package, the high frequency circuit mounting board and the bias which are connected to these terminals serve as a housing. The same board can be used as the circuit mounting board, and the number of boards can be reduced. In addition, the mounting surface inside the housing is flattened and the board is manufactured.
Since the number of manufacturing steps such as mounting is reduced, the number of manufacturing steps can be reduced without deteriorating the leakage suppression function.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上詳細に説明した様に本発明によれ
ば、漏洩抑圧機能を劣化させずに製作工数の削減を図る
ことができると云う効果がある。As described in detail above, according to the present invention, there is an effect that the number of manufacturing steps can be reduced without deteriorating the leakage suppressing function.
【図１】第１の本発明の実施例の構成図で、(a) マイク
ロ波集積回路モジュールからパッケージ用フタを取り除
いて、上から見た要部構成図、(b) は(a) のX- X´断面
図( パッケージ用フタ付き) 、(c) はマイクロ波集積回
路モジュールの筐体取付説明図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention, in which (a) a main part configuration diagram viewed from above by removing a package lid from a microwave integrated circuit module, and (b) of (a) FIG. 3C is a cross-sectional view taken along the line XX ′ (with a package lid), and FIG.
【図２】第２の本発明の実施例の構成図（要部断面図）
である。FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention (a cross-sectional view of an essential part)
Is.
【図３】第３の本発明の実施例の構成図（要部断面図）
である。FIG. 3 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention (a sectional view of a main part).
Is.
【図４】第４の本発明の実施例の構成図（要部断面図）
である。FIG. 4 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the present invention (main portion sectional view)
Is.
【図５】第５の本発明の実施例の構成図（要部断面図）
である。FIG. 5 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the present invention (cross-sectional view of essential parts)
Is.
【図６】第６の本発明の実施例の構成図（要部断面図）
である。FIG. 6 is a configuration diagram of a sixth embodiment of the present invention (a cross-sectional view of an essential part)
Is.
【図７】第１，第４の本発明を組合せた実施例の要部構
成図である。FIG. 7 is a main part configuration diagram of an embodiment in which the first and fourth aspects of the present invention are combined.
【図８】第２，第５の本発明を組合せた実施例の要部構
成図である。FIG. 8 is a main part configuration diagram of an embodiment in which the second and fifth aspects of the present invention are combined.
【図９】第３，第６の本発明を組合せた実施例の要部構
成図である。FIG. 9 is a main part configuration diagram of an embodiment in which the third and sixth aspects of the present invention are combined.
【図10】従来例の構成図で、(a) はマイクロ波集積回路
モジュールの斜視図、(b) は(a) の裏面斜視図、(c) は
マイクロ波集積回路モジュールの筐体取付け説明図であ
る。10A and 10B are configuration diagrams of a conventional example, where FIG. 10A is a perspective view of a microwave integrated circuit module, FIG. 10B is a rear perspective view of FIG. 10A, and FIG. It is a figure.
５ 基板 11 バイアス電
圧供給端子 42 金属性のパッケージ 43 パッケージ
用フタ 61, 62 金メッキ部分 71, 73 誘電体 72, 74 ペースト状の絶縁物5 Substrate 11 Bias voltage supply terminal 42 Metallic package 43 Package lid 61, 62 Gold-plated portion 71, 73 Dielectric 72, 74 Paste-like insulator
Claims (6)
アス電圧供給端子(11)を介して供給されたバイアス電圧
を用いて動作する素子(Q1)とを有するマイクロ波集積回
路が収容された金属性のパッケージ(42)と、パッケージ
用フタ(43)とを有し、マイクロ波入力端子(21)から入力
したマイクロ波に対して所定の処理を行ってマイクロ波
出力端子(22)から出力するマイクロ波集積回路モジュー
ルにおいて、 該基板上に所定形状の金メッキ部分(61)を形成して、該
金メッキ部分と該パッケージ用フタとの間の空間でコン
デンサを構成すると共に、 該パッケージの所定側面に対してほぼ垂直に貫通した該
バイアス供給端子を該金メッキ部分に接続して、該バイ
アス供給端子を介してマイクロ波が漏洩しない構造にし
たことを特徴とするマイクロ波集積回路モジュール。1. A microwave integrated circuit having a substrate (5) on which a pattern is formed and an element (Q 1 ) which operates by using a bias voltage supplied through a bias voltage supply terminal (11) are accommodated. The microwave output terminal (22) that has a metal package (42) and a package lid (43) that have been subjected to predetermined processing to the microwave input from the microwave input terminal (21). In the microwave integrated circuit module output from the above, a gold-plated portion (61) having a predetermined shape is formed on the substrate, a capacitor is formed in the space between the gold-plated portion and the package lid, and A microwave integrated circuit module characterized in that the bias supply terminal penetrating substantially perpendicularly to a predetermined side surface is connected to the gold-plated portion so that microwaves do not leak through the bias supply terminal. Tur.
(71)を挿入したことを特徴とする請求項１のマイクロ波
集積回路モジュール。2. A dielectric having a predetermined dielectric constant in the space.
The microwave integrated circuit module according to claim 1, wherein (71) is inserted.
ト状の絶縁物(72)を挿入したことを特徴とする請求項１
のマイクロ波集積回路モジュール。3. A paste-like insulator (72) having a predetermined dielectric constant is inserted in the space.
Microwave integrated circuit module.
いて、 該基板の側面に所定形状の金メッキ部分(62)を形成し
て、該金メッキ部分と、該金メッキ部分に対面するパッ
ケージ内面との間の空間でコンデンサを構成すると共
に、 該パッケージの所定側面に対してほぼ垂直に貫通した該
バイアス供給端子を該金メッキ部分に接続して、該バイ
アス供給端子を介してマイクロ波が漏洩しない構造にし
たことを特徴とするマイクロ波集積回路モジュール。4. In the microwave integrated circuit module, a gold-plated portion (62) having a predetermined shape is formed on a side surface of the substrate, and a space between the gold-plated portion and a package inner surface facing the gold-plated portion is formed. A capacitor is configured, and the bias supply terminal penetrating substantially perpendicularly to a predetermined side surface of the package is connected to the gold-plated portion so that microwaves do not leak through the bias supply terminal. Microwave integrated circuit module.
(73)を挿入したことを特徴とする請求項４のマイクロ波
集積回路モジュール。5. A dielectric having a predetermined dielectric constant in the space
The microwave integrated circuit module according to claim 4, wherein (73) is inserted.
ト状の絶縁物(74)を挿入したことを特徴とする請求項４
のマイクロ波集積回路モジュール。6. The paste-like insulator (74) having a predetermined dielectric constant is inserted in the space.
Microwave integrated circuit module.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19149593A JPH0745739A (en) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | Microwave integrated circuit module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19149593A JPH0745739A (en) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | Microwave integrated circuit module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745739A true JPH0745739A (en) | 1995-02-14 |
Family
ID=16275600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19149593A Withdrawn JPH0745739A (en) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | Microwave integrated circuit module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745739A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9209141B2 (en) | 2014-02-26 | 2015-12-08 | International Business Machines Corporation | Shielded package assemblies with integrated capacitor |
-
1993
- 1993-08-03 JP JP19149593A patent/JPH0745739A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9209141B2 (en) | 2014-02-26 | 2015-12-08 | International Business Machines Corporation | Shielded package assemblies with integrated capacitor |
| US9531209B2 (en) | 2014-02-26 | 2016-12-27 | International Business Machines Corporation | Shielded package assemblies with integrated capacitor |
| US9935058B2 (en) | 2014-02-26 | 2018-04-03 | International Business Machines Corporation | Shielded package assemblies with integrated capacitor |
| US10553544B2 (en) | 2014-02-26 | 2020-02-04 | International Business Machines Corporation | Shielded package assemblies with integrated capacitor |
| US11049819B2 (en) | 2014-02-26 | 2021-06-29 | International Business Machines Corporation | Shielded package assemblies with integrated capacitor |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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