JPH0745601A - プラズマｃｖｄ成膜方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高アスペクト比の配線間溝をＳｉＯ，ＳｉＮま
たはＳｉＯＮ等の絶縁膜成分でボイド無く埋めることの
できるプラズマＣＶＤ成膜方法とその装置構成とを提供
する。 【構成】被成膜基板表面と対向するプラズマ領域境界面
を基板表面に平行な平面に形成して境界面に垂直方向の
プラズマ移動を広い面積範囲で可能にするとともに、境
界面と基板との間隔と基板雰囲気圧力との積により高次
活性種の生成を抑制し、配線溝にかかるオーバハングの
形成を抑制する。平面状のプラズマ領域境界面の形成
は、ＥＣＲプラズマ装置のＥＣＲ領域形成用励磁コイル
の電流を調整してＥＣＲ領域を平坦に形成するか、ＩＣ
（誘導結合）プラズマＣＶＤ装置として構成した装置の
プラズマ領域内に磁性材からなる多孔遮蔽板１６を挿入
することにより行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩのプロセス技
術のうち，とくに微細パターン配線の多層構成における
層間絶縁膜を、ボイドを最小限に抑えながら成長させる
絶縁膜の生成技術に関し、具体的には、プラズマと，プ
ラズマに励起されて生じた反応ガスの活性種とを用いて
プラズマ領域外に位置する基板表面にＳｉＯ膜，ＳｉＮ
膜またはＳｉＯＮ膜等の絶縁膜を形成する際にボイドの
発生を最小限に抑えるためのプラズマＣＶＤ成膜方法と
その装置構成とに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このようなＬＳＩにおける絶縁膜
の形成には、ＳＯＧ（Spin On Glas)やオゾンＴＥＯＳ
（オゾンを作用させることにより流動性を増したTera E
thyl Ortho Silicate )のごとき流動性有機材を用いて
層間あるいは配線間溝を埋め込む技術が用いられてきた
が、これらの有機材は吸水性が大きく、このため、吸水
性を小さくして絶縁信頼性を確保するために無機質のプ
ラズマＣＶＤ膜でまず配線表面を覆い、しかる後に上記
有機材で層間や配線間溝を埋め込む等の工夫がなされて
きた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、配線間のスペ
ース（溝幅）が０．５μｍ以下になると、この方法でも
配線間絶縁信頼性の低下を防ぐことができない。配線間
溝をすべてプラズマＣＶＤ膜で埋めることが望ましい
が、配線のアスペクト比（配線の高さと溝幅との比）が
１を越えると、従来通常のプラズマＣＶＤ法では、後に
述べる理由により、ボイド無く配線間溝を埋めることが
極めて困難であるという問題が生じる。このため、配線
の微細化に追隋しうる絶縁膜の形成は大きなブレークス
ルーを必要とする場面に直面した状況であった。

【０００４】この発明の目的は、アスペクト比が１を越
える狭い配線間溝にもボイドの無い良質の絶縁膜を埋め
込むことのできるプラズマＣＶＤ成膜方法およびその装
置を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては、プラズマと，プラズマに励起さ
れて生じた反応ガスの活性種とを用いてプラズマ領域外
に位置する基板表面にＳｉＯ膜，ＳｉＮ膜またはＳｉＯ
Ｎ膜等の絶縁膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜方法を、
基板表面と対向するプラズマ領域境界面が基板表面と平
行な平面となるようにプラズマを形成するとともに該境
界面と基板表面との間隔ｌ（ｍ）と基板雰囲気の圧力ｐ
（Ｐａ）との積がｌ・ｐ＜０．１となるようにして絶縁
膜を形成する方法とする。

【０００６】ここで、絶縁膜形成中、基板にＲＦバイア
スを印加する成膜方法とすればさらに好適である。ま
た、基板表面と対向するプラズマ領域境界面が基板表面
と平行な平面となるプラズマは、プラズマをＥＣＲプラ
ズマとしてＥＣＲ領域を平坦に形成して得るようにする
か、プラズマをＩＣプラズマとして多数の細孔が形成さ
れた磁性板をＩＣプラズマ形成用励磁コイルと基板表面
との間でプラズマ領域中に基板表面と平行に置いて得る
ようにするとよい。

【０００７】また、上記プラズマＣＶＤ成膜方法を実現
するための装置は、マイクロ波を伝達するマイクロ波導
波管と，伝達されたマイクロ波とプラズマ生成用ガスと
が導入される筒状のプラズマ生成室と，プラズマ生成室
を同軸に囲みプラズマ生成室内にＥＣＲ領域を形成させ
る励磁コイルと，被成膜基板が載置される基板支持台
と，プラズマ生成室内の圧力を調整する圧力調整手段
と，励磁コイルまたは基板支持台の少なくとも何れか一
方をプラズマ生成室の軸方向に進退移動させる移動手段
と，励磁コイルの電流を調整する電流調整手段とを備え
たＥＣＲプラズマＣＶＤ装置として構成され、ＥＣＲ領
域が平坦に形成されるように励磁コイルの電流が調整さ
れるとともにｌ・１＜０．１となるように圧力調整手段
および、励磁コイルまたは基板支持台移動手段の両手段
またはいずれか一方の手段が操作される装置とするか、
あるいは、一方の端面が閉鎖された非金属材からなる筒
状の真空容器と，該真空容器の外部に配され真空容器内
部空間の前記閉鎖された真空容器端面近傍に高周波磁界
を形成して該端面近傍にプラズマを生成させる励磁コイ
ルと，真空容器内で被成膜面が前記閉鎖された真空容器
端面と対面するように基板を支持する基板支持台と，基
板にＲＦバイアスを印加するためのＲＦバイアス電源
と，板面に多数の細孔が形成され前記高周波磁界形成用
励磁コイルと被成膜基板との間に基板と平行に配される
磁性板と，真空容器内の圧力を調整する圧力調整手段
と，基板支持台を基板と磁性板との平行を保って進退移
動させる移動手段とを備えたＩＣプラズマＣＶＤ装置と
して構成され、真空容器の閉鎖された端面近傍に生成さ
れたプラズマ領域の被成膜基板側が前記磁性板により平
面に画成されるとともにｌ・ｐ＜０．１となるように圧
力調整手段および基板支持台移動手段が操作される装置
とする。

【０００８】なお、装置をＥＣＲプラズマＣＶＤ装置と
して構成する場合には、この装置にＲＦバイアス電源を
併設し、成膜中、基板にＲＦバイアスを印加可能とすれ
ばさらに好適である。

【０００９】

【作用】酸素（または窒素）のプラズマを生成し、この
プラズマでシランを励起してその活性種を生成すること
により絶縁膜を形成する場合の成膜は、先ずシランの分
解ラジカルであるＳｉＨ₃ ＊（＊はラジカルを意味す
る）等が被加工物の表面に付着し，その位置に酸素（ま
たは窒素）イオンが到達することによりＳｉＯ（または
ＳｉＮ，ＳｉＯＮ）の結合が発展していくことによるも
のと考えられている。微細配線のスペース埋め込みの一
般的障害は、開口部に図３に示すがごときオーバーハン
グ（出っ張り）が生じてしまい，溝の内部にまで膜が及
んでいかないことである。これは開口部に到達した活性
種が１に近い付着確率で配線に付着することによるもの
であることを示している。このように高い付着確率はＳ
ｉＨ₃＊等の一次生成活性種では現れず、Ｓｉ₂ Ｈ₇ ＊
等高次の活性種で支配的となることによるものである。
そして、これら高次の活性種の生じる原因は、輸送中の
活性種とシランガスまたは活性種同士の衝突であるた
め，平均自由行程言い換えれば圧力を調整することによ
り発生から基板到着までの衝突回数を制約することがオ
ーバーハングの成長を制約する基本的な方法であると言
える。無衝突が望ましいが、無衝突で移動する真空度と
なるとガスの流量に制約が加わり生産性の点で好ましく
ない。従って個々のｌに対して許容される最大のｐは統
計的現象として実験的にのみ求まる。

【００１０】さらにアスペクト比の大きい配線間溝内を
ボイド無く埋めるためには、プラズマおよび活性種の移
動方向が基板に垂直であることが望ましい。プラズマ
は、プラズマ領域が導電領域であること、プラズマ粒子
が荷電体であることから、プラズマ領域境界面から境界
面に垂直方向に拡散しようとする。従って、基板表面と
対向するプラズマ領域境界面が平面であり、かつこの平
面が基板と平行であれば、この境界面から出たプラズマ
は基板表面に垂直に移動して基板表面に入射し、また、
反応ガスの活性種もプラズマ移動の影響を受けてより多
くの割合が基板表面に垂直に移動する。

【００１１】そして、さらに、成膜中、基板にＲＦバイ
アスを印加するようにすると、基板表面に現れる対地負
極性のバイアス電位により、プラズマ中のイオンが加速
され、基板へのイオンの垂直入射が可能になるとともに
配線間溝にかかるオーバーハングがイオン衝撃により除
去され、ボイドの無い絶縁膜埋め込みがより確実とな
る。

【００１２】そこで、プラズマをＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）プラズマとしてＥＣＲ領域を平坦に形成す
れば（平坦なＥＤＲ領域の形成は、ＥＣＲプラズマ形成
用励磁コイルの電流調整により可能である）、基板表面
と対向するプラズマ領域境界面が基板と平行な平面とな
り、かつＥＣＲプラズマ形成用励磁コイルの作る磁界は
プラズマの移動路も構成するので、必要により補助コイ
ル等を追加してこの移動路をＥＣＲ領域面に垂直方向に
適宜の範囲に形成し、この範囲内に基板を置くようにす
れば、ＥＣＲ領域から出たプラズマの発散を抑えて効率
よくかつ基板表面に垂直にプラズマを入射させることが
できる。

【００１３】また、プラズマをＩＣ（誘導結合）プラズ
マとして基板表面に垂直に入射させることも可能であ
る。ＩＣプラズマは、真空圧のガス中を高周波磁界を通
過させ、高周波磁界に随伴する高周波電界でガス中の偶
存電子を加速してガス分子を電離させ、この電離によっ
て増殖した電子をさらに上記高周波電界で加速してガス
分子の電離を進めることにより生成されるものであり、
形成されるプラズマ領域は高周波磁界の及ぶ範囲内であ
って、プラズマ生成と消滅とがバランスする位置に自然
の境界面が形成される。このような境界面は、ＩＣプラ
ズマを、真空容器の閉鎖された端面近傍に形成した場合
には、プラズマ領域の被成膜基板側に形成され、基板の
位置によっては基板がプラズマ領域内に取り込まれこと
もある。そこで、被成膜基板に平行に、多数の細孔が形
成された磁性板を、励磁コイルと基板との間でプラズマ
領域内に挿入すると、高周波磁界は磁性板により遮蔽さ
れて基板側には及ばなくなり、磁性板が基板側のプラズ
マ領域境界面を平面に画成する。

【００１４】そこで、上記プラズマＣＶＤ成膜方法を実
現するための装置を、マイクロ波導波管と，プラズマ生
成室と，ＥＣＲ領域形成用励磁コイルと，基板支持台と
を備えた通常のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置本体に、プラ
ズマ生成室内圧力を調整する圧力調整手段と，前記励磁
コイル，基板支持台の少なくともいずれか一方を軸方向
に進退移動させる移動手段とを追加して構成するか、一
方の端面が閉鎖された非金属材からなる筒状の真空容器
と，該端面の真空容器内部空間側に高周波磁界を形成す
る励磁コイルと，基板支持台とを備えて構成されるＩＣ
プラズマＣＶＤ装置本体に、基板にＲＦバイアスを印加
するためのＲＦバイアス電源と，真空容器内の圧力調整
手段と，基板支持台移動手段とを追加して構成すれば、
ｌ・ｐ＜０．１となる装置操作が容易に可能になるとと
もに、ＩＣプラズマＣＶＤ装置とする場合は必ずＲＦバ
イアス電源が付加されるために、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置のようにプラズマ移動路を持たなくとも、基板表面
に現れる対地負極性の表面電位によりプラズマ中のイオ
ンが加速され、プラズマおよび活性種の基板への垂直入
射がＲＦバイアス電源がない場合と比べてさらに確実と
なる。

【００１５】なお、上記圧力調整手段としては、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の場合、プラズマ生成室内の圧力を
検出して真空排気系の排気管路途中に挿入された，開度
可変のバリアブルオリフィスの開度をフィードバック制
御するもの、排気管路から分岐された分岐管路からガス
を排気管路内へ導入することにより、排気能力一定の真
空排気装置によるプラズマ生成室内ガスの排気量を変化
させるもの等がすでに本発明と同一出願人から出願され
ており、これらを適用して装置を簡易に構成することが
できる。

【００１６】また、基板支持台移動手段は、先端に基板
支持台を支持するねじ棒を、固定ナットにより非回転に
進退させる構成のものがＥＣＲプラズマＣＶＤ装置で多
用されており、これを適用して装置を簡易に構成するこ
とができる。

【００１７】

【実施例】図１に本発明によるプラズマＣＶＤ成膜方法
を実現するための装置構成の第１の実施例を示す。この
装置は、マイクロ波を伝達するマイクロ波導波管１と，
プラズマ生成室５と，プラズマ生成室５内にＥＣＲ領域
を形成するための励磁コイル２と，被成膜基板１０が置
かれる反応室７と，基板１０が載置される基板支持台９
とを主要構成要素として備えるＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置本体に、基板１０にＲＦバイアスを印加するためのＲ
Ｆバイアス電源１１を付加したものである。プラズマ生
成室５には天井面のマイクロ波導入口を気密に閉鎖して
マイクロ波を透過させるマイクロ波透過窓４と，プラズ
マガスとして酸素，窒素またはここれらの両方を導入す
るためのプラズマガス導入路３とが設けられ、また、反
応室７には、シラン等の反応ガスを導入するための反応
ガス導入路６と，装置内の圧力を測定するための圧力測
定ポート８とが設けられている。

【００１８】このような装置構成において、プラズマ導
入路３からプラズマガスをプラズマ生成室５内へ導入
し、室内の圧力が安定したところでマイクロ波を同室内
へ導入するとともに励磁コイル２に通電して直流磁界を
同室内に形成すると同室内にＥＣＲ領域が形成される。
このＥＣＲ領域の形状は、励磁コイル２に流す電流の大
きさによって変化し、電流値が小さいと励磁ソレノイド
２の下端面から上方へ凹となるドーム状の曲面となり、
電流値が大きくなるとドームの高さが低くなり、ある電
流値で励磁コイル２の下端面と同一平面内に位置する平
坦な円板状となる。この円板は厚みの薄いものであるが
円板内のプラズマ密度は高く、マイクロ波エネルギーに
よって生成されるプラズマがつぎつぎに円板面に垂直に
下方へ進行する。一方、励磁コイル２が形成する磁界は
装置の軸を軸として軸対称に形成されてプラズマの移動
路を構成するので、円板状のＥＣＲ領域から基板へ向か
うプラズマはこの移動路に誘導されて発散を抑えられつ
つ基板に到達する。また、このプラズマにより励起され
て生じた反応ガスの活性種も移動をプラズマに促されて
基板に到達する。さらに、基板１０には、ＲＦバイアス
電源１１から基板支持台９を介してＲＦバイアスが印加
されており、基板表面に対地負極性の電位が生じている
ので、この電位によりプラズマ中のイオンが加速され、
プラズマならびに反応ガスの活性種は効果的に基板表面
に垂直に入射する。

【００１９】本発明の成膜方法に従ってｌ・ｐ＜０．１
となる装置操作を行うには、ｐを一定値に保持する場合
には（本発明者の実験ではこの値を０．２Ｐａとし
た）、励磁ソレノイド２を上下移動させて平坦なＥＣＲ
領域を上下移動させるか、基板支持台９を上下移動させ
るか、あるいは両方を上下移動させるかしてｌを変化さ
せ、また、ｌを一定に保持する場合には（本発明者の実
験では０．２ｍとした）、圧力測定ポート８を介して検
出される装置内圧力が所望値となるように図示されない
圧力調整手段を操作する。

【００２０】図２に本発明によるプラズマＣＶＤ成膜方
法を実現するための装置構成の第２の実施例を示す。こ
の装置は、非金属材からなる円筒の一方の端面を非金属
円板１５Ａで閉鎖した真空容器１５と、リング状もしく
は渦巻き状に形成された起磁力導体を有し、高周波電源
１３から高周波電流を供給される励磁コイル１４と、基
板１０が載置される基板支持台９と、基板支持台９と非
金属円板１５Ａとの間に位置して真空容器１５の内部空
間を２分する，磁性材からなる孔あき遮蔽板１６とを主
要構成要素として構成したＩＣ（誘導接合）プラズマＣ
ＶＤ装置本体に、ＲＦバイアスを基板１０に印加するた
めのＲＦバイアス電源１１を付加したものである。遮蔽
板１６の非金属円板１５Ａ側空間には、プラズマガスと
して酸素，窒素あるいは両ガスを導入するためのプラズ
マガス導入路３と、シラン等の反応ガスを導入するため
の反応ガス導入路６とが設けられている。

【００２１】このような装置構成において、プラズマガ
ス導入路３から酸素または窒素、または両ガスを導入す
るとともに反応ガス導入路６からシランを導入し、真空
容器１５内の圧力が安定したところで励磁コイル１４に
高周波電源１３から高周波電流を供給すると、励磁コイ
ル１４の起磁力導体まわり、すなわち非金属円板１５Ａ
近傍に強い高周波磁界が形成され、非金属円板１５Ａ近
傍のプラズマガスが強くプラズマ化され、これによりシ
ランの分解が進み、シランの活性種が多量に生成され
る。高周波磁界は遮蔽板１６より基板１０側には形成さ
れず、プラズマは遮蔽板１６より非金属円板１５Ａ側の
空間内にのみ生じるので、この空間がプラズマ室１７を
構成する。そして、このプラズマ室１７は基板１０側に
平面状のプラズマ領域境界面を持つこととなり、孔あき
遮蔽板１６からのプラズマは遮蔽板１６の面に垂直に基
板１０方向へ向かう。そして、この実施例では、孔あき
遮蔽板１６が真空容器１５内を全断面にわたって２分し
ているので、基板１０方向へ向かうプラズマの半径方向
移動成分は小さいが、プラズマ室１７から真空排気系に
到るガス流路の影響で基板１０近傍で半径方向移動成分
が生じ、このためにプラズマおよび活性種の基板への垂
直入射が阻害される恐れが生じる。しかし、本装置のよ
うに、基板１０にＲＦバイアス電源１１からＲＦバイア
スを印加して基板表面に対地負極性の電位を生じさせて
プラズマ中のイオンを基板側へ加速することにより、ガ
ス流路の影響少なく、絶縁膜成分の基板への垂直入射が
可能になる。 本発明の方法に従ってｌ・ｐ＜０．１と
なる装置操作を行うには、ｐを一定値に保持する場合に
は（本発明者の実験ではこの値を０．３Ｐａとした）、
基板支持台９を上下方向に移動させ、またｌを一定値に
保持する場合には（本発明者の実験ではこの値を０．２
５ｍとした）、圧力測定ポート８を介して検出される真
空容器１５内の圧力が所望値となるように圧力調節手段
を操作する。

【００２２】上記第１，第２の実施例による装置を用い
て実験した結果、直径８インチ基板の中央，端部ともに
アスペクト比が１以上の配線の溝にボイド無く絶縁膜を
埋め込むことのできる領域は、図４の斜線部分であるこ
とを確認した。この図の右側の境界はｌ・ｐ＝０．１
（メートル・Ｐａ）である。

【００２３】

【発明の効果】本発明においては、プラズマＣＶＤ成膜
方法ならびにその装置を以上の方法ならびに装置とした
ので、以下に記載する効果が得られる。請求項１の方法
では、プラズマ励起により生じる反応ガス活性種と反応
ガス分子、あるいは活性種同志の基板到着までの間の衝
突回数が制約され、高次の活性種の生成が抑えられるの
で、配線間溝の入口を塞ぐオーバハングの成長が抑えら
れ、また、基板表面と対向するプラズマ領域境界面が基
板表面に平行な平面に形成されるので、プラズマや活性
種等の絶縁膜成分が基板表面に垂直に入射し、アスペク
ト比に高い配線の場合にも配線間溝をボイド無く埋める
ことができ、絶縁膜の吸水が小さくなり、絶縁信頼性が
向上する。

【００２４】請求項２の方法では、基板表面に生じる対
地負極性電位によりプラズマ中のイオンが基板方向に加
速されるため、絶縁膜成分の基板表面への垂直入射分が
増し、絶縁膜の絶縁信頼性がさらに向上する。請求項３
の方法では基板表面と平行な平面を有するプラズマ領域
境界面が、ＥＣＲ領域形成用励磁コイルの電流調整のみ
で得られるため、本発明の方法を容易に実施することが
できる。

【００２５】請求項４の方法では、基板表面と平行な平
面を有するプラズマ領域境界面が磁性材からなる遮蔽板
により形成されるため、遮蔽板なく自然に形成されるプ
ラズマ領域内で境界面位置を幅広く変えることができ、
本発明の成膜条件であるｌ・ｐ＜０．１を保持する際の
ｌの設定幅が広がり、よりよい成膜条件を容易に得るこ
とができる。

【００２６】請求項５の装置では、装置を、従来通常の
装置を利用して構成するので装置構成が容易となり、か
つ本発明の方法を実現するための装置操作が容易とな
る。請求項６の装置では、絶縁膜成分の基板表面への垂
直入射分を増すことができ、絶縁膜の絶縁信頼性をさら
に向上させることができる。請求項７の装置では、必要
とするプラズマ領域境界面が遮蔽板の使用のみで得ら
れ、かつ遮蔽板の位置を、遮蔽板なく得られる自然のプ
ラズマ領域内で幅広く変えることができるので、よりよ
い成膜条件の取得が容易に可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマＣＶＤ成膜方法を実現す
るための装置構成の第１の実施例を示す断面図

【図２】本発明によるプラズマＣＶＤ成膜方法を実現す
るための装置構成の第２の実施例を示す断面図

【図３】アスペクト比の大きい配線間溝に絶縁膜をプラ
ズマＣＶＤ成膜方法で埋め込む際、従来通常のプラズマ
ＣＶＤ成膜方法では構内にボイドが生じやすい理由を説
明するための説明図

【図４】本発明のプラズマＣＶＤ成膜方法を得るに到っ
た実験結果を示すもので、絶縁膜を配線間溝にボイド無
く埋め込むためのプラズマ領域境界面から基板表面まで
の距離と基板雰囲気圧力との関係を示す図

【符号の説明】

１ 導波管（マイクロ波導波管） ２ 励磁コイル ３ プラズマガス導入路 ５ プラズマ生成室 ６ 反応ガス導入路 ７ 反応室 ８ 圧力測定ポート ９ 基板支持台 １０ 基板 １１ ＲＦバイアス電源 １２ ＥＣＲ領域 １３ 高周波電源 １４ 励磁コイル １５ 真空容器 １６ 遮蔽板（磁性板） １７ プラズマ室 １８ 反応室

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】プラズマと，プラズマに励起されて生じた
   反応ガスの活性種とを用いてプラズマ領域外に位置する
   基板表面にＳｉＯ膜，ＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜等の絶
   縁膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜方法において、基板
   表面と対向するプラズマ領域境界面が基板表面と平行な
   平面となるようにプラズマを形成するとともに該境界面
   と基板表面との間隔ｌ（ｍ）と基板雰囲気の圧力ｐ（Ｐ
   ａ）との積がｌ・ｐ＜０．１となるようにして絶縁膜を
   形成することを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
2. 【請求項２】請求項第１項に記載の方法において、絶縁
   膜形成中、基板にＲＦバイアスを印加することを特徴と
   するプラズマＣＶＤ成膜方法。
3. 【請求項３】請求項第１項に記載の方法において，基板
   表面と対向するプラズマ領域境界面が基板表面と平行な
   平面となるプラズマは、プラズマをＥＣＲプラズマとし
   てＥＣＲ領域を平坦に形成して得るようにすることを特
   徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
4. 【請求項４】請求項第１項に記載の方法において、基板
   表面と対向するプラズマ領域境界面が基板表面と平行な
   平面となるプラズマは、プラズマをＩＣプラズマとして
   多数の細孔が形成された磁性板をＩＣプラズマ形成用励
   磁コイルと基板表面との間でプラズマ領域中に基板表面
   と平行に置いて得るようにすることを特徴とするプラズ
   マＣＶＤ成膜方法。
5. 【請求項５】請求項第１項に記載の方法を実現させるた
   めの装置であって、マイクロ波を伝達するマイクロ波導
   波管と，伝達されたマイクロ波とプラズマ生成用ガスと
   が導入される筒状のプラズマ生成室と，プラズマ生成室
   を同軸に囲みプラズマ生成室内にＥＣＲ領域を形成させ
   る励磁コイルと，被成膜基板が載置される基板支持台
   と，プラズマ生成室内の圧力を調整する圧力調整手段
   と，励磁コイルまたは基板支持台の少なくとも何れか一
   方をプラズマ生成室の軸方向に進退移動させる移動手段
   と，励磁コイルの電流を調整する電流調整手段とを備え
   たＥＣＲプラズマＣＶＤ装置として構成され、ＥＣＲ領
   域が平坦に形成されるように励磁コイルの電流が調整さ
   れるとともにｌ・ｐ＜０．１となるように圧力調整手段
   および、励磁コイルまたは基板支持台移動手段の両手段
   またはいずれか一方の手段が操作されることを特徴とす
   るプラズマＣＶＤ成膜装置。
6. 【請求項６】請求項第５項に記載の装置において、ＲＦ
   バイアス電源が併設され、成膜中、基板にＲＦバイアス
   を印加可能としたことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜
   装置。
7. 【請求項７】請求項第１項に記載の方法を実現させるた
   めの装置であって、一方の端面が閉鎖された非金属材か
   らなる筒状の真空容器と，該真空容器の外部に配され真
   空容器内部空間の前記閉鎖された真空容器端面近傍に高
   周波磁界を形成して該端面近傍にプラズマを生成させる
   励磁コイルと，真空容器内で被成膜面が前記閉鎖された
   真空容器端面と対面するように基板を支持する基板支持
   台と，基板にＲＦバイアスを印加するためのＲＦバイア
   ス電源と，板面に多数の細孔が形成され前記高周波磁界
   形成用励磁コイルと被成膜基板との間に基板と平行に配
   される磁性板と，真空容器内の圧力を調整する圧力調整
   手段と，基板支持台を基板と磁性板との平行を保って進
   退移動させる移動手段とを備えたＩＣプラズマＣＶＤ装
   置として構成され、真空容器の閉鎖された端面近傍に生
   成されたプラズマ領域の被成膜基板側が前記磁性板によ
   り平面に画成されるとともにｌ・ｐ＜０．１となるよう
   に圧力調整手段および基板支持台移動手段が操作される
   ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置。