JPH0743738A

JPH0743738A - 液晶電気光学装置

Info

Publication number: JPH0743738A
Application number: JP1848791A
Authority: JP
Inventors: Akira Mase; 晃間瀬; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1991-01-17
Filing date: 1991-01-17
Publication date: 1995-02-14

Abstract

(57)【要約】【目的】階調表示を有する液晶表示装置を得ることを
発明の目的とする。【構成】電極および配線であるリードを備えた２枚の
基板間に挟持された強誘電性液晶からなる第一の装置
（８０）と、この第１の装置と光源（８１）の間に設け
られた導光板（８３）、拡散板（８４）、電極および配
線であるリードを備えた２枚の基板間に挟持された強誘
電性液晶または高分子樹脂とネマチック液晶を示す液晶
組成物を挟持する第２の装置（８１）からなる液晶表示
装置であって、この液晶表示装置の画素を駆動するため
にＰチャネル型薄膜トランジスタとＮチャネル型薄膜ト
ランジスタと相補型に構成した相補型薄膜トランジスタ
を設けたことを特徴とするもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は、コンピューター、ワード
プロセッサー、等の表示装置として、情報量向上のため
に階調表示可能な液晶表示装置を提案するにある。

【０００２】

【従来の技術】従来コンピューター、ワードプロセッサ
ー等の表示画面にはＳＴＮ（スーパーツイストネマチッ
ク）型の液晶表示装置が多く用いられている。ＳＴＮは
以前のＴＮ（ツイストネマチック）型の液晶表示装置に
比べて、液晶材料の電気光学特性に急峻性があるため
に、ＴＮでは難しかった情報量の多い高時分割駆動が可
能となり、現在のノートパソコン、ノートワープロの火
付け役となった。しかしながら時分割駆動を行なうがた
めに、操作線の数が増加すると走査線中の選択と非選択
部での印加電圧比がとりにくくなり、表示品質特にコン
トラストの低下が起きてしまった。

【０００３】そこでクラーク・ラグァウォールらによっ
て提案されたものが、強誘電性液晶を用いたディスプレ
イであった。図１にその概念図を示す。強誘電性液晶は
自発分極を有するために、螺旋がほどけるまで液晶層の
厚みを薄くした場合、界面安定状態（ＳＳＦＬＣ）が出
来、一度電界を加えたあとは、その電界を取り去っても
透過または非透過の状態が継続するメモリー効果を得る
ことが出来た。このメモリー状態を利用することによっ
て、ＴＦＴのアクティブマトリックスＬＣＤと同じよう
な、スタティック的な駆動が可能になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら強誘電性
液晶の場合、透過、非透過の２個の安定状態しかとらな
いために、情報の多様化にともなう階調表示を苦手とし
ていた。これを解決する方法として、単位画素を面積的
に多分割して複数のドットで構成することにより、階調
を表示することがなされている。例えば、単位画素を面
積比で１：２：４に分割し、それらのＯＮ／ＯＦＦの組
み合わせで８階調を得る等が考案されている。図２ａ、
ｂに２階調表示の時の電極構造と、８階調表示の時の
電極構造を示す。

【０００５】しかしながら、１つの単位画素につき３個
のデーター信号を加えなければならないため、外部回路
が非常に複雑になってきてしまい、コストの上昇および
外部回路接続時の歩留りの低下が生じてしまった。また
さらに、分割のために電極間の絶縁区間をとるため、開
口率の低下が起きてしまっている。例えば、２５０μｍ
ピッチ、２５μｍギャップの単位画素を考えた場合、分
割をしない場合の開口率は８１％であるのに対して、同
一ギャップで分割した場合、６３％まで低下してしまう
ことが判る。またさらに、分割のために一番細い電極
（１０３）の幅は、前記ピッチ、ギャップの場合、２５
μｍとなってしまう。液晶表示装置として１０００×１
０００画素のものをＩＴＯのシート抵抗が５Ω以下のも
のを使い作製した場合でも、データー方向の電極は端か
ら端まで約５０ｋΩの抵抗を有することになる。これで
は、電極の両端における液晶にかかる電界強度が異な
り、均一な表示が出来なくなってしまうことになり、現
実性に欠けていた。そこで、より現実的に階調が制御で
きる手段が求められていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、表示のための
マトリックス液晶装置に階調表示をさせるのではなく照
明のための光源強度を時間的に変化させることで階調表
示を可能にしたものである。このために本発明の構成
は、基板上に電極およびリードを有する第一の基板と、
基板上に電極およびリードを有する第二の基板とによっ
て、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物を少な
くとも初期において配向する手段とを挟持する第一の装
置と、該第一の装置と照明装置との間に、基板上に電極
およびリードを有する第一の基板と、基板上に電極およ
びリードを有する第二の基板とによって、強誘電性また
は高分子樹脂とネマチック液晶または高分子樹脂とコレ
スティック液晶をまたは高分子樹脂とスメクティック液
晶を示す液晶組成物と前記液晶組成物を少なくとも初期
において配向する手段とを挟持する第二の装置を設ける
事を特徴とする液晶電気光学装置である。また基板上に
マトリックス構成を有する液晶装置において、それぞれ
の画素にＰチャネル型薄膜トランジスタとＮチャネル型
薄膜トランジスタとを相補型の構成をせしめて設け、該
相補型トランジスタの出力を前記画素に連結せしめた構
成を有する第一の基板と、基板上に電極およびリードを
有する第二の基板とによって、強誘電性またはを示す液
晶組成物と前記液晶組成物を少なくとも初期において配
向する手段とを挟持する第一の装置と、該第一の装置と
照明装置との間に、基板上に電極およびリードを有する
第一の基板と、基板上に電極およびリードを有する第二
の基板とによって、強誘電性または高分子樹脂とネマチ
ック液晶または高分子樹脂とコレスティック液晶をまた
は高分子樹脂とスメクティック液晶を示す液晶組成物と
前記液晶組成物を少なくとも初期において配向する手段
とを挟持する第二の装置を設ける事を特徴とする液晶電
気光学装置である。

【０００７】基板上に電極およびリードを有する第一の
基板と、基板上に電極およびリードを有する第二の基板
とによって、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成
物を少なくとも初期において配向する手段とを挟持する
第一の装置に対し、階調表示を行なうために、３枚の画
面を一組として行なうものとする。

【０００８】本項では説明を簡易にするため、３ビット
からなる光強度を用いて説明を加える。３ビットで行な
った場合、２³＝８であるので８階調までの表示が可能
になる。第一の装置として図４に示す様に画素数が２×
２のマトリクスを有するものとする。

【０００９】下記表１に図４に示す第一の装置を用いた
場合における階調表示の仕方示す。

【００１０】

【表１】

【００１１】上記表１に示すように８階調中のレベルを
暗から明に向かって、Ｇ０、Ｇ１、Ｇ２、、、Ｇ７とし
たとき、Ａ１画素（１０６）のレベルをＧ０、Ａ２画素
（１０７）のレベルをＧ３、Ｂ１画素（１０８）のレベ
ルをＧ５、Ｂ２画素（１０９）のレベルをＧ７と表示さ
せる場合、１枚目の画面では、第二の装置の透過率変化
によって、光強度を１とし、第一の装置上の画素をそれ
ぞれ、Ａ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、Ａ２画素はＯ
Ｎ（光の透過）、Ｂ１画素はＯＮ（光の透過）、Ｂ２画
素もＯＮ（光の透過）の状態とする。

【００１２】２枚目の画面では、第二の装置の透過率変
化によって、光強度を２とし、第一の装置上の画素をそ
れぞれ、Ａ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、Ａ２画素は
ＯＮ（光の透過）、Ｂ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、
Ｂ２画素はＯＮ（光の透過）の状態とする。

【００１３】３枚目の画面では、第二の装置の透過率変
化によって、光強度を４とし、第一の装置上の画素をそ
れぞれ、Ａ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、Ａ２画素は
ＯＦＦ（光の未透過）、Ｂ１画素はＯＮ（光の透過）、
Ｂ２画素はＯＮ（光の透過）の状態とする。

【００１４】下記表１に階調レベルと３画面１組のＯＮ
／ＯＦＦ第一の装置の操作の仕方を示す。

【００１５】

【表１】

【００１６】この様に第一の装置と第二の装置を操作す
ることによって、３画面１組で８階調の表示まで行なう
ことが出来る。また、本説明では、３ビット（ｎ＝３）
による説明にて代用したが、請求項でしめしたｎは任意
の自然数であり、他の値でもよいことは言うまでもな
い。

【００１７】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例では、第一の装置として薄膜トラ
ンジスタを用いたアクティブマトリクス液晶装置を用い
た。先ず、その第一の装置すなわち液晶表示装置の製造
手順から説明を行なう。本実施例では図５に示すような
回路構成すなわちバッファ型の回路構成を用いた液晶表
示装置を用いて、強誘電液晶（ＦＬＣ）を用いた液晶表
示装置の説明を行う。この回路構成に対応する実際の電
極等の配置構成を図６に示している。これらは説明を簡
単にする為２×２に相当する部分のみ記載されている。
また、実際の駆動信号波形を図７に示す。これも説明を
簡単にする為に４×４のマトリクス構成とした場合の信
号波形で説明を行う。

【００１８】まず最初に本実施例で使用する液晶表示装
置の作製方法を図８を使用して説明する。図８（Ａ）に
おいて、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例え
ば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上にマグネ
トロンＲＦ（高周波) スパッタ法を用いてブロッキング
層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚
さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成
膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａ
とした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用い
た成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００１９】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) をＣＶＤ
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００
Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/ 分であった。
ＮＴＦＴとＰＴＦＴとのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖt
h）に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用
いて１×10¹⁵〜１×10¹⁸cm^-3の濃度として成膜中に添加
してもよい。

【００２０】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００２１】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH₄)ま
たはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これらをＰＣＶＤ装置
内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。

【００２２】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−
ク電流が増加してしまう。そのため４×10¹⁹〜４×10²¹
cm^-3の範囲とした。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４
×10²²cm^-3として比較すると１原子％であった。また、
ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるた
め、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、好ましくは１×10¹⁹
cm^-3以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により５×10²⁰〜５×10
²¹cm^-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を
構成するＴＦＴには光照射がなされないため、この酸素
の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有
せしめることは、高周波動作をさせるためる有効であ
る。

【００２３】次に、アモルファス状態の珪素膜を５００
〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４
５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。

【００２４】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
ｃｍ^-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。
それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜
５００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、
実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造
を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカ
リング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成さ
せることができた。

【００２５】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００cm²／
ＶＳｅｃ、電子移動度（μe ）＝１５〜３００ｃｍ²／
ＶＳｅｃが得られる。

【００２６】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではな
く、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０cm²/Vsec以上の移動度がなかな
か得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかく
の如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリス
タル構造を有するシリコン半導体を用いている。

【００２７】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００２８】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク
にてパタ−ニングして図８(B) を得た。ＰＴＦＴ用の
ゲイト電極９、ＮＴＦＴ用のゲイト電極１９を形成し
た。例えばチャネル長１０μｍ、ゲイト電極としてリン
ド−プ珪素を０．２μｍ、その上にモリブデンを０．３
μｍの厚さに形成した。図８（Ｃ）において、フォトレ
ジスト５７をフォトマスクを用いて形成し、ＰＴＦＴ
用のソ−ス１０、ドレイン１２に対し、ホウ素を１〜５
×１０¹⁵cm^-2のド−ズ量でイオン注入法により添加し
た。次に図８（Ｄ）の如く、ＮＴＦＴをフォトマスク
を用いて形成した。ＮＴＦＴ用のソ−ス２０、ドレイ
ン１８としてリンを１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ量でイ
オン注入法により添加した。

【００２９】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行っ
た。しかし図８（Ｂ）において、ゲイト電極９、１９を
マスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。

【００３０】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニ−ルを行った。ＰＴＦＴのソ−ス１０、ドレイン
１２、ＮＴＦＴのソ−ス２０、ドレイン１８を不純物を
活性化してＰ⁺、Ｎ⁺として作製した。またゲイト電極
９、１９下にはチャネル形成領域２１、１１がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。

【００３１】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＣ／ＴＦＴを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。

【００３２】本実施例では熱アニ−ルは図８（Ａ）、
（Ｄ）で２回行った。しかし図８（Ａ）のアニ−ルは求
める特性により省略し、双方を図８（Ｄ）のアニ−ルに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図８（Ｅ）に
おいて、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により酸
化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成は
ＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよ
い。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓６６を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リ−ド７１、７２およびコンタクト６７、
６８をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦
化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形
成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。

【００３３】図８（Ｆ）に示す如く２つのＴＦＴを相補
型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の
電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法
によりＩＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、画素電
極１７を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成
膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ル
により成就した。

【００３４】かくの如くにしてＰＴＦＴ２２とＮＴＦＴ
１３と画素電極である透明導電膜の電極１７とを同一ガ
ラス基板５０上に作製した。得られたＴＦＴの特性はＰ
ＴＦＴで移動度は２０（cm²/Vs）、Ｖthは−５．９
（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は４０（cm²/Vs）、Ｖthは
５．０（Ｖ）であった。

【００３５】上記の作製法は、バッファ型であってもイ
ンバータ型であっても全く同じであることは、いうまで
もない。上記の様な方法に従って作製し第一の基板を得
た。

【００３６】また基板のほぼ全面に透明電極を設け、該
透明電極上にオフセット方によってＮＭＰ（Ｎメチル２
ピロリドン）で希釈したポリイミド溶液を印刷し、その
後５０℃で仮焼成、２８０℃窒素中で１時間焼成をした
後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の手段と
し、第二の基板とした。

【００３７】前記第一の基板と第二の基板の間に、強誘
電性を示す液晶組成物と、酸化珪素よりなる２．５μｍ
径を有する粒子を１ｍｍ²あたり２００個の割合で分散
させて挟持させ、周囲をエポキシ樹脂で固定して第一の
装置を作製した。

【００３８】次に第二の装置に関する説明を加える。

【００３９】基板上に複数本の電極およびリードを有す
る第一の基板と、基板のほぼ全面に透明電極を設け、該
透明電極上にオフセット方によってＮＭＰ（Ｎメチル２
ピロリドン）で希釈したポリイミド溶液を印刷し、その
後５０℃で仮焼成、２８０℃窒素中で１時間焼成をした
後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の手段とし
た第二の基板とによって、強誘電性を示す液晶組成物
と、酸化珪素よりなる２．５μｍ径を有する粒子を１ｍ
ｍ²あたり２００個の割合で分散させて挟持させ、周囲
をエポキシ樹脂で固定して第二の装置を作製した。

【００４０】図１に示す様に、第一の装置（８０）およ
び第二の装置（８１）、光源（８２）、導光板（８
３）、拡散板（８４）を設置して液晶電気光学装置を得
た。

【００４１】次に本装置の駆動に関して、説明を加え
る。

【００４２】本実施例で作製した第一の装置の画素構成
は、横６４０×縦４８０個を有しており、走査方向４８
０本のリードには、２３．１５μ秒間書込みのための信
号が加えられる。従って、１画面では１１．１１ｍ秒を
有し、３画面１組として３３．３３ｍ秒となっている。

【００４３】第二の装置は複数本の電極の内、第一の期
間には全体の１／４をＯＮにして、透過光強度を最高時
の１／４とした。第二の期間には全体の２／４をＯＮに
して、透過光強度を最高時の２／４とした。第三の期間
には全てをＯＮにして、透過光強度を最高とした。

【００４４】これによって、８段階の階調表示を可能に
した。また、同様に４画面を１組として、１６段階の階
調表示も確認している。

【００４５】〔実施例２〕本実施例では、単純マトリッ
クスによる表示装置を第一の装置としている。

【００４６】その表面にスパッタ法により１０００Åの
酸化珪素膜を形成した１．１ｍｍ厚のソーダライムガラ
ス基板上に、ＤＣスパッタ法によって、ＩＴＯ（インジ
ューム酸化錫）を１１００Å形成した。その後、フォト
リソ法を用いて６４０本の並行電極とリードを形成して
第一の基板とした。さらに、その表面にスパッタ法によ
り１０００Åの酸化珪素膜を形成した１．１ｍｍ厚のソ
ーダライムガラス基板上に、ＤＣスパッタ法によって、
ＩＴＯ（インジューム酸化錫）を１１００Å形成した。
その後、フォトリソ法を用いて４８０本の並行電極とリ
ードを形成した後、オフセット方によってＮＭＰ（Ｎメ
チル２ピロリドン）で希釈したポリイミド溶液を印刷
し、その後５０℃で仮焼成、２８０℃窒素中で１時間焼
成をした後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の
手段とした第二の基板とした。

【００４７】該第一の基板と第二の基板によって、強誘
電性を示す液晶組成物と、酸化珪素よりなる２．５μｍ
径を有する粒子を１ｍｍ²あたり２００個の割合で分散
させて挟持させ、周囲をエポキシ樹脂で固定して第一の
装置を作製した。

【００４８】第二の装置については、実施例１と同一の
ものを用いた。

【００４９】次に本装置の駆動に関して、説明を加え
る。

【００５０】本実施例で作製した第一の装置の画素構成
は、横６４０×縦４８０個を有しており、走査方向４８
０本のリードには、３４．７２μ秒間書込みのための信
号が加えられる。図９に第１の装置である液晶表示装置
を駆動するための駆動波形を示す。また、１画面では１
６．６７ｍ秒を有し、２画面１組として３３．３３ｍ秒
となっている。

【００５１】第二の装置は複数本の電極の内、第一の期
間には全体の１／２をＯＮにして、透過光強度を最高時
の１／２とした。第二の期間には全てをＯＮにして、透
過光強度を最高とした。

【００５２】これによって、４段階の階調表示を可能に
した。

【００５３】また、実施例１、実施例２においても、第
二の装置に、光硬化型変成アクリル樹脂のネットワーク
中にネマチック液晶を分散させた液晶装置を用いて液晶
表示装置を作製したところ良好な階調表示をえることが
出来た。

【００５４】

【発明の効果】本発明を用いることによって、従来の強
誘電性液晶を用いた液晶表示装置の持つ特徴である、視
野角が広い、コントラストが高い応答速度が速い、に加
えて、困難とされていた階調表示が可能となった。これ
によって、情報量の増加が見込まれ、広範囲での仕様が
可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の基本構造図を示す。

【図２】強誘電性液晶の基本概念を示す。

【図３】画素面積による階調表示の様子を示す。

【図４】本発明における第一の装置の画素の構成
例を示す。

【図５】本実施例の回路図を示す。

【図６】本実施例の基本構造図を示す。

【図７】本実施例の駆動信号を示す。

【図８】本実施例の作製行程を示す。

【図９】本実施例の駆動信号を示す。

【符号の説明】

８０第１の装置８１第２の装置８２光源８３導光板８４拡散板１３ＰＴＦＴ２２ＮＴＦＴ１０ＰＴＦＴのソース１１ＰＴＦＴのチャネル１２ＰＴＦＴのドレイン９ＰＴＦＴのゲート電極１８ＮＴＦＴのドレイン２１ＮＴＦＴもチャネル２０ＮＴＦＴのソース１９ＮＴＦＴのゲート電極

【手続補正書】

【提出日】平成５年１２月９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の基本構造図を示す。

【図２】強誘電性液晶の基本概念を示す。

【図３】画素面積による階調表示の様子を示す。

【図４】画素面積による階調表示の様子を示す。

【図５】本発明における第一の装置の画素の構成
例を示す。

【図６】本実施例の回路図を示す。

【図７】本実施例の基本構造図を示す。

【図８】本実施例の駆動信号を示す。

【図９】本実施例の作製行程を示す。

【図１０】本実施例の作製行程を示す。

【図１１】本実施例の駆動信号を示す。

【符号の説明】８０第１の装置８１第２の装置８２光源８３導光板８４拡散板１３ＰＴＦＴ２２ＮＴＦＴ１０ＰＴＦＴのソース１１ＰＴＦＴのチャネル１２ＰＴＦＴのドレイン９ＰＴＦＴのゲート電極１８ＮＴＦＴのドレイン２１ＮＴＦＴもチャネル２０ＮＴＦＴのソース１９ＮＴＦＴのゲート電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ 9119−2ＫＧ０９Ｇ 3/36 Ｈ０１Ｌ 29/786

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に電極およびリードを有する第一の
基板と、基板上に電極およびリードを有する第二の基板
とによって、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成
物を少なくとも初期において配向する手段とを挟持する
第一の装置と、該第一の装置と照明装置との間に、基板
上に電極およびリードを有する第一の基板と、基板上に
電極およびリードを有する第二の基板とによって、強誘
電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物を少なくとも初
期において配向する手段とを挟持する第二の装置を設け
る事を特徴とする液晶電気光学装置。
【請求項２】請求項１に於て第二の装置は、光の透過率
が概略２⁰対２¹対２²対、・・、対２ⁿ（ｎは任意の
自然数）に時間を追って変化する事を特徴とする液晶電
気光学装置。
【請求項３】基板上に電極およびリードを有する第一の
基板と、基板上に電極およびリードを有する第二の基板
とによって、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成
物を少なくとも初期において配向する手段とを挟持する
第一の装置と、該第一の装置と照明装置との間に、基板
上に電極およびリードを有する第一の基板と、基板上に
電極およびリードを有する第二の基板とによって、高分
子樹脂とネマチック液晶または高分子樹脂とコレスティ
ック液晶をまたは高分子樹脂とスメクティック液晶を示
す液晶組成物を挟持する第二の装置を設ける事を特徴と
する液晶電気光学装置。
【請求項４】請求項１に於て第二の装置は、光の透過率
が概略２⁰対２¹対２²対、・・、対２ⁿ（ｎは任意の
自然数）に時間を追って変化する事を特徴とする液晶電
気光学装置。
【請求項５】基板上にマトリックス構成を有する液晶装
置において、それぞれの画素にＰチャネル型薄膜トラン
ジスタとＮチャネル型薄膜トランジスタとを相補型の構
成をせしめて設け、該相補型トランジスタの出力を前記
画素に連結せしめた構成を有する第一の基板と、基板上
に電極およびリードを有する第二の基板とによって、強
誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物を少なくとも
初期において配向する手段とを挟持する第一の装置と、
該第一の装置と照明装置との間に、基板上に電極および
リードを有する第一の基板と、基板上に電極およびリー
ドを有する第二の基板とによって、強誘電性を示す液晶
組成物と前記液晶組成物を少なくとも初期において配向
する手段とを挟持する第二の装置を設ける事を特徴とす
る液晶電気光学装置。
【請求項６】請求項１に於て第二の装置は、光の透過率
が概略２⁰対２¹対２²対、・・、対２ⁿ（ｎは任意の
自然数）に時間を追って変化する事を特徴とする液晶電
気光学装置。
【請求項７】基板上にマトリックス構成を有する液晶装
置において、それぞれの画素にＰチャネル型薄膜トラン
ジスタとＮチャネル型薄膜トランジスタとを相補型の構
成をせしめて設け、該相補型トランジスタの出力を前記
画素に連結せしめた構成を有する第一の基板と、基板上
に電極およびリードを有する第二の基板とによって、強
誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物を少なくとも
初期において配向する手段とを挟持する第一の装置と、
該第一の装置と照明装置との間に、基板上に電極および
リードを有する第一の基板と、基板上に電極およびリー
ドを有する第二の基板とによって、高分子樹脂とネマチ
ック液晶または高分子樹脂とコレスティック液晶をまた
は高分子樹脂とスメクティック液晶を示す液晶組成物を
挟持する第二の装置を設ける事を特徴とする液晶電気光
学装置。
【請求項８】請求項１に於て第二の装置は、光の透過率
が概略２⁰対２¹対２²対、・・、対２ⁿ（ｎは任意の
自然数）に時間を追って変化する事を特徴とする液晶電
気光学装置。